IT1266502B1 - Procedimento per la deposizione di uno strato di polisilicio su dischi di silicio. - Google Patents

Procedimento per la deposizione di uno strato di polisilicio su dischi di silicio.

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IT1266502B1
IT1266502B1 IT93RM000695A ITRM930695A IT1266502B1 IT 1266502 B1 IT1266502 B1 IT 1266502B1 IT 93RM000695 A IT93RM000695 A IT 93RM000695A IT RM930695 A ITRM930695 A IT RM930695A IT 1266502 B1 IT1266502 B1 IT 1266502B1
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IT93RM000695A
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Fabrizio Fama
Maurizio Mazzer
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Consorzio Eagle
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La presente invenzione si riferisce ad un procedimento per controllare la deposizione di poli-silicio su dischetti e simili. Il procedimento è conveniente per l'impiego, per esempio, in un reattore di deposizione da vapore a bassa pressione orizzontale. Si realizza una perfezionata conoscenza dei parametri di procedimento, come la pressione totale, il flusso del gas, la temperatura ed una perfezionata metodologia per controllare le temperature prodotte dal procedimento di riscaldamento impiegato. L'invenzione espone le caratteristiche di deposizione e la perfezionata distribuzione dello spessore del poli-silicio che viene deposto sui dischetti all'interno del forno tramite il procedimento.Figura 1.
IT93RM000695A 1993-10-15 1993-10-15 Procedimento per la deposizione di uno strato di polisilicio su dischi di silicio. IT1266502B1 (it)

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