HUP0202964A2 - Alátámasztással stabilizált, integrálható, termikusan és elektromosan szigetelt membrán mikroszerkezetek - Google Patents

Alátámasztással stabilizált, integrálható, termikusan és elektromosan szigetelt membrán mikroszerkezetek Download PDF

Info

Publication number
HUP0202964A2
HUP0202964A2 HU0202964A HUP0202964A HUP0202964A2 HU P0202964 A2 HUP0202964 A2 HU P0202964A2 HU 0202964 A HU0202964 A HU 0202964A HU P0202964 A HUP0202964 A HU P0202964A HU P0202964 A2 HUP0202964 A2 HU P0202964A2
Authority
HU
Hungary
Prior art keywords
membrane
support
point
crystal
gravity
Prior art date
Application number
HU0202964A
Other languages
English (en)
Hungarian (hu)
Inventor
István Bársony
Csaba Dücső
Éva Vázsonyi
Antalné Ádám
Original Assignee
MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet filed Critical MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet
Priority to HU0202964A priority Critical patent/HUP0202964A2/hu
Publication of HU0202964D0 publication Critical patent/HU0202964D0/hu
Publication of HUP0202964A2 publication Critical patent/HUP0202964A2/hu

Links

Landscapes

  • Pressure Sensors (AREA)
HU0202964A 2002-09-09 2002-09-09 Alátámasztással stabilizált, integrálható, termikusan és elektromosan szigetelt membrán mikroszerkezetek HUP0202964A2 (hu)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
HU0202964A HUP0202964A2 (hu) 2002-09-09 2002-09-09 Alátámasztással stabilizált, integrálható, termikusan és elektromosan szigetelt membrán mikroszerkezetek

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
HU0202964A HUP0202964A2 (hu) 2002-09-09 2002-09-09 Alátámasztással stabilizált, integrálható, termikusan és elektromosan szigetelt membrán mikroszerkezetek

Publications (2)

Publication Number Publication Date
HU0202964D0 HU0202964D0 (enExample) 2002-11-28
HUP0202964A2 true HUP0202964A2 (hu) 2004-03-01

Family

ID=89980755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HU0202964A HUP0202964A2 (hu) 2002-09-09 2002-09-09 Alátámasztással stabilizált, integrálható, termikusan és elektromosan szigetelt membrán mikroszerkezetek

Country Status (1)

Country Link
HU (1) HUP0202964A2 (enExample)

Also Published As

Publication number Publication date
HU0202964D0 (enExample) 2002-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Bell et al. Porous silicon as a sacrificial material
EP1417151B9 (en) Method for the fabrication of suspended porous silicon microstructures and application in gas sensors
TWI472477B (zh) 矽奈米結構與其製造方法及應用
Lu et al. Nanopore-type black silicon anti-reflection layers fabricated by a one-step silver-assisted chemical etching
JP2582229B2 (ja) シリコンダイアグラムおよびシリコン圧力センサーの製造方法
JP2000332223A (ja) 多孔質シリコンまたは多孔質酸化シリコンを用いた厚い犠牲層を有する多層構造ウェーハ及びその製造方法
CN105448642B (zh) 半导体结构的形成方法
JP2013014001A (ja) Memsデバイス、及び介在物、並びにmemsデバイス、及び介在物を統合するための方法
US6232139B1 (en) Method of making suspended thin-film semiconductor piezoelectric devices
CN103439032B (zh) 硅微谐振器的加工方法
EP1493711B1 (en) Process for the obtainment of a semiconductor device comprising a suspended micro-system and corresponding device
Splinter et al. Thick porous silicon formation using implanted mask technology
JP2002522248A (ja) マイクロメカニックセンサ及びそれを製作する方法
JP2005522689A5 (enExample)
US7022621B1 (en) Iridium oxide nanostructure patterning
HUP0202964A2 (hu) Alátámasztással stabilizált, integrálható, termikusan és elektromosan szigetelt membrán mikroszerkezetek
Trifonov et al. Tuning the shape of macroporous silicon
US6702637B2 (en) Method of forming a small gap and its application to the fabrication of a lateral FED
US6521313B1 (en) Method for producing a diaphragm sensor unit and diaphragm sensor unit
Kuhl et al. Formation of porous silicon using an ammonium fluoride based electrolyte for application as a sacrificial layer
Bartels et al. Thick porous silicon layers as sacrificial material for low-power gas sensors
HUP0600488A2 (en) Method for producing micromechanical elements can be integrated into cmos technology, carrying monolith si and monolith sio produced by porous si micromanufacturing process
EP1258034B1 (en) A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE OF SiC
Behrens et al. Micromachining of silicon carbide on silicon fabricated by low-pressure chemical vapour deposition
CN113562688B (zh) 微机电系统传感器芯片制备方法及其制备的传感器芯片

Legal Events

Date Code Title Description
FA9A Lapse of provisional patent protection due to relinquishment or protection considered relinquished