HK40086355A - 改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法 - Google Patents

Description

改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性 的方法

本发明涉及一种改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法，其中在一个处理步骤中用电压源和与所述电压源连接的接触装置在所述硅太阳能电池的接触格与背触点之间施加一个反向于所述硅太阳能电池的正向的小于所述硅太阳能电池的击穿电压的电压，以及，当施加所述电压时，在所述硅太阳能电池的面向太阳的一侧的范围内对点光源进行导引，以及，在此过程中对所述面向太阳的一侧的分区的处理局部进行照射，从而在所述相应分区内通过感应产生处理电流，以及，所述处理电流就所述处理局部而言具有200A/cm²至20000A/cm²的电流密度且为时10ns至10ms地作用于所述分区。

在晶体硅太阳能电池的制造过程中，以丝网印刷法将金属膏施覆至涂布有介电的氮化硅的、形式为接触格的前端。针对硅太阳能电池的位于氮化硅层下方的发射极层的接触，在施覆金属膏后在800-900℃下实施回火步骤。其中，在金属膏中所含有的玻璃粉的协助下，金属膏的银穿过氮化硅层扩散进入发射极层。其中，回火步骤期间的过程控制对接触形成有决定性影响。在过程控制正确的情况下，接触格与发射极层之间的过渡处具有接触电阻低的特征。在过程控制有缺陷的情况下，通常仅实现较高的接触电阻。如果在回火步骤中例如应用过低的温度，则金属膏无法充分地穿过氮化硅层扩散，故在接触格与发射极层之间仅形成较小的接触面以及较高的接触电阻。高接触电阻又导致太阳能电池的效率大幅降低，使得这些太阳能电池无法装在太阳能组件中，进而报废。

在现有技术中，由DE 10 2018 001 057 A1已知一种改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法。其中，在一个处理步骤中反向于硅太阳能电池的正向对此硅太阳能电池施加预置电压，并且用点光源进行扫描。在此过程中，在此太阳能电池的相应被照射的分区内产生电流密度在200A/cm²至20000A/cm²数量级的处理电流。其中，在此太阳能电池上导引点光源，使得处理电流为时10ns至10ms地作用于此分区。通过照射和反向于硅太阳能电池的正向的电压的相互作用产生的这个电流使得硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性得到改善。

但缺点在于，为将通过此方法实现的欧姆接触特性的改善量化，必须在应用此方法后对此太阳电池进行电表征。这种表征例如可以是在太阳能模拟器中记录太阳能电池在照射下的IU特性曲线，其中可以由IU特性曲线所确定的硅太阳能电池的串联电阻推导出接触特性的改善。但在应用已知方法之前和之后对太阳能电池的测量使得太阳能电池的处理过程整体上难度较大。此外，应用此方法来改善各个太阳能电池中的欧姆接触特性也可能造成损伤，因为例如在这些太阳能电池的各分区内均需要设置不同于这些太阳能电池的其余部分的参数(例如更短的电流作用时长)。硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性同样可以局部发生变化，这原则上需要在应用已知方法时相应地改变参数。参数的这种局部变化可以借助于已知方法来调节。但在应用已知方法时，硅太阳能电池的需要相应地局部改变参数的区域是未知的。

本发明的目的是，对改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法进行改善。特别是应在实施所述方法时实现对所述方法所实现的改善的量化。此外，应在实施所述方法时识别出因使用不利的方法参数而造成的可能的损伤。

本发明用以达成上述目的的解决方案为具有权利要求1的特征的一种改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法。有利技术方案在权利要求2至20中示出。

在已知的方法部分中，首先提供包含发射极层、接触格和背触点的硅太阳能电池。在一个处理步骤中，借助于接触装置和电压源在接触格与背触点之间施加一个反向于硅太阳能电池的正向的小于硅太阳能电池的击穿电压的电压。当施加这个电压时，在硅太阳能电池的面向太阳的一侧的范围内对点光源进行导引，其中对所述面向太阳的一侧的分区的处理局部进行照射，从而在所述相应分区内通过感应产生处理电流，以及，这个处理电流就所述处理局部而言具有200A/cm²至20000A/cm²的电流密度且为时10ns至10ms地作用于所述分区。

根据本发明，在处理步骤之前和/或之后实施测量步骤。在这个测量步骤中，用电压源和接触装置在接触格与背触点之间施加一个电压。在此情形下，当施加这个电压时，用点光源照射硅太阳能电池的面向太阳的一侧的分区的测量局部，其中如此地设定电压和照射强度，从而在相应分区内通过感应产生测量电流，该测量电流就测量局部而言具有1mA/cm²至500mA/cm²的电流密度。在给定的电压和照射强度下，用电流表检测测量电流，并且与相应测量局部对应地存储。

在此情形下，针对相应测量局部测得的电流强度可用于后续处理，例如用于过程监控、过程控制或品控。在接触格与发射极层之间具有良好的欧姆接触特性或较小的局部短路电流的区域因相对于具有不良欧姆接触特性的区域具有更高的电流强度而显露出来。由于电流强度是与相应测量局部和/或处理局部对应地存储，因此，存在有关于硅太阳能电池的电气特性的空间分辨信息。在此情形下，将这些空间分辨信息用作处理步骤的调节变量。在处理步骤中，为影响处理电流，可以在照射时对点光源的照射强度和/或照射的作用时间和/或反向于硅太阳能电池的正向的电压的水平进行调整。

视具体所期望的测量信息，测量步骤中所施加的电压反向于硅太阳能电池的正向且小于硅太阳能电池的击穿电压，或者，测量步骤中所施加的电压沿硅太阳能电池的正向定向。

在本发明的方法的另一实施方案中，在处理步骤期间，针对被照射的处理局部的至少一部分，同样用电流表检测相应的处理电流，并且与相应处理局部对应地存储。对测量电流的强度的检测和对处理电流的强度的检测可以相互可选地实施。例如可以仅在处理步骤之前实施测量步骤，而无需在处理步骤中同时检测处理电流，且无需在处理步骤后实施另一测量步骤。同样地，例如也可以仅在处理步骤中检测处理电流，而完全不需要在处理步骤上游或下游实施测量步骤。同样可以在处理步骤之前或之后实施测量步骤，并且在处理步骤中同时检测处理电流，或者仅在处理步骤上游或下游的测量步骤中检测测量电流，而无需在处理步骤中检测处理电流。

在此情形下，检测到并且存储的处理电流值可用于后续处理，例如用于过程监控、过程控制或品控。

在本发明的方法中，在测量步骤中，在给定的电压和给定的照射强度下检测测量电流的强度。众所周知的是，在电流恒定并且对相应电压进行检测的情况下也可以实施电测量，由此可以如此地实施本发明的方法的测量步骤，从而预设恒定的电流并用电压表检测相应的电压，并且与相应测量局部或处理局部对应地存储。亦即，这两种形式的测量在本发明的主题中被视为等效的。

本发明的方法同样不局限于存储测量电流或处理电流的与相应的测量局部或处理局部对应的电流强度。存储同样可以以转换后的形式，例如作为电流密度实施，其中为此例如以测量局部的面积来计算相应电流强度。或者，电流强度例如与所施加电压相关地作为电阻值存储。

测量步骤中的电压源和接触装置可以与处理步骤中所使用的相同。其优点在于不需要其他接触装置。但本发明并不局限于此。为检测测量电流，原则上也可以使用另一接触装置和/或另一电压源作为用于检测处理电流的接触装置和/或电压源。当然，在点光源方面同样有利地，在处理步骤与测量步骤中使用相同的点光源，但其中本发明并不局限于此，原则上也可以使用不同的点光源。

通过检测处理电流和/或测量电流，可以将检测到的电流用作接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的品质的衡量尺度。在持续照射且施加电压的情况下，在接触格与发射极层之间具有良好的欧姆接触特性的分区比具有不良欧姆接触特性的分区具有更大的测量电流。其中，可以通过处理步骤上游的测量步骤找出具有不良欧姆接触特性的分区。随后，针对这些区域，在处理步骤中设置经过修改的反向于硅太阳能电池的正向的电压和点光源的照射强度的参数。或者，在处理步骤中仅对具有不良欧姆接触特性的分区进行加工，处理步骤中可以略过已显示出良好欧姆接触特性的分区。

例如可以将处理步骤下游的对测量电流的检测用作进一步处理太阳能组件中的硅太阳能电池的品质特征。

通过在处理步骤之前以及之后检测测量电流，可以空间分辨地确定处理步骤所实现的对欧姆接触特性的改善。在电压和照射强度的参数恒定的情况下，欧姆接触特性的改善作为测量电流的增大而可见。在此也可以找出可能尚未达到接触格与发射极层之间的良好的欧姆接触特性的目标值的分区，从而针对性地实施限制在这些分区上的进一步处理步骤。

此外，也能利用处理步骤中测得且位置对应的处理电流来设定处理步骤本身的参数。例如可以将对应于某个处理局部的电流强度用作在同一处理步骤中照射后一处理局部时设定点光源的照射强度和/或照射的作用时间和/或反向于硅太阳能电池的正向的电压的水平的调节变量。

同样有利地，在处理步骤中，当照射处理局部中的一个时，用电流表检测第一电流强度，随后检测第二电流强度，并且与该处理局部对应地存储这两个电流强度。随后，可以由这两个电流强度针对相应的处理局部计算出电流强度梯度，该电流强度梯度可以用作处理步骤针对每个处理局部所实现的对欧姆接触特性的改善的衡量尺度。在此，电流强度梯度也可以在处理步骤中用于调节下游处理局部的参数，或者也可以用于完全下游的处理步骤。

除了在照射时检测测量电流或处理电流的强度之外，也可以在上游和/或下游的测量步骤中以及/或者在未照射硅太阳能电池时的处理步骤中检测硅太阳能电池的反向电流，并且与相应处理局部和/或测量局部对应地存储。其中，反向电流的值适于对因使用具有不利参数的处理步骤而可能对硅太阳能电池造成的损伤进行评价。根据参考值来评价反向电流，将该参考值例如与本发明上游的硅太阳能电池的电表征(例如记录IU特性曲线)中获得的反向电流值进行对比。例如，如果用本发明的方法测得的反向电流大于由之前的电表征产生的反向电流值，那么这可能表示在应用改善的方法时因不利的参数而对硅太阳能电池造成损伤。这种损伤例如可以是在硅太阳能电池内部形成短路，可以从硅太阳能电池的反向电流增大识别出这一点。

除了利用由之前的电表征产生的反向电流值之外，参考值还可以是在处理步骤上游的测量步骤中检测到的反向电流。或者，在处理步骤中，在照射处理局部的至少一部分之前对反向电流进行测量。

在有利的实施方案中，同样可以将反向电流与相应参考反向电流的偏差用作照射处理局部的至少一部分时设定照射强度和/或照射的作用时间和/或反向于硅太阳能电池的正向的电压的水平的调节变量。同样可以通过确定处理步骤之后反向电流的极限值，和/或通过确定处理步骤所引起的反向电流的变化的极限值来提供硅太阳能电池的剔除标准，从而将相应的硅太阳能电池从进一步的处理工艺移除，这样就不会将其例如装入太阳能组件。

当在测量步骤或处理步骤中检测反向电流时，也可以改变反向于正向且小于硅太阳能电池的击穿电压的电压。由此，针对预设的电压分别测定一个反向电流并且与相应测量局部或处理局部对应地存储。可以通过反向于正向的电压的改变识别出硅太阳能电池的这种损伤，从而例如将形式为硅太阳能电池中的裂纹的损伤与载流子复合增加所引起的损伤区别开。

在所述方法的其他技术方案中，在处理步骤和/或测量步骤中，当照射处理局部或测量局部的至少一部分时，通过测量检测从硅太阳能电池的面向太阳的一侧反射的照射分量，并且与相应局部对应地存储。由此，也能够识别出处理步骤所引起的光学特性的变化。

当在测量步骤中照射测量局部和/或在处理步骤中照射处理局部时，优选地，改变点光源发出的光辐射的波长，并同样针对这个光辐射在测量步骤和/或处理步骤中检测电流强度，并且与相应局部对应地存储。

当检测测量电流和/或处理电流和/或反向电流的电流强度时，有利地，可以使用同一电流表。但本发明并不局限于此。视具体测量区域，也可以使用不同的测量仪。例如，处理电流的电流强度与反向电流的电流强度存在数量级上的差异，因此，在此使用两个针对相应区域优化的电流表是合理的。

下面对本发明的不同实施例进行说明。

第一实施例：

在本发明的改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法中，首先提供包含发射极层、接触格和背触点的硅太阳能电池。其例如可以是定位在加工台上的尺寸为15.7cm×15.7cm的多晶硅太阳能电池。随后借助于接触装置将接触格与电压源的一个电极电连接，并且将背触点与电压源的另一电极连接。接触装置例如可以具有弹簧触针，这些弹簧触针平放在硅太阳能电池的接触格或背触点上，并且通过电缆连接与电压源连接。

在第一测量步骤中，通过接触装置以电压源在接触格与背触点之间施加一个沿硅太阳能电池的正向定向的电压。当施加这个电压时，用点光源照射硅太阳能电池的面向太阳的一侧的分区的各测量局部。这个点光源例如可以是激光或聚焦白色光源。通过照射，在相应分区内通过感应产生测量电流，其中如此地设定所施加的电压和点光源的照射强度，使得这个测量电流就测量局部而言具有1mA/cm²至500mA/cm²的电流密度。为照射各测量局部，现在各测量局部间导引点光源所发出的光，其中所施加的电压和点光源的照射强度保持恒定。现针对硅太阳能电池中的电流的每个测量局部用电流表(安培计)和接触装置进行测量，其中将相应测量电流的检测到的电流强度与相应测量局部对应地存储。通过以下方式来将测得的电流强度与相应的测量局部对应：针对相应电流强度，例如还将这个测量局部在硅太阳能电池的面向太阳的一侧上的位置坐标一起存储。

在该第一测量步骤之后的处理步骤中，用电压源和接触装置施加一个反向于硅太阳能电池的正向的小于硅太阳能电池的击穿电压的电压。当施加这个电压时，在硅太阳能电池的面向太阳的一侧的范围内对已在测量步骤中应用的点光源进行导引，其中对该面向太阳的一侧的分区的处理局部进行照射。通过照射，在相应分区内通过感应产生测量电流。这个电流就该局部而言具有200A/cm²至20000A/cm²的电流密度且为时10ns至10ms地作用于该分区。在这个参数范围内，通过点光源相对于硅太阳能电池的运动速度、点光源的照射强度以及反向于硅太阳能电池的正向(但相对于击穿电压而言更小)的电压的水平来设定电流强度和作用时间。通过这个处理步骤，硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性特别是在处理步骤之前在接触格与发射极层间具有高接触电阻的区域内得到明显改善。

在该处理步骤之后，实施类似于第一测量步骤的另一第二测量步骤。优选地，在此同样在与第一测量步骤相同的电压和照射强度参数下再次检测测量电流的电流强度，并且与相应测量局部对应地存储。针对每个测量局部，现仅存在一个处理步骤前的测量电流的强度值，和一个处理步骤后的测量电流的强度值。由相应测量电流的值的变化得到接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的改善的空间分辨的量化。同样以与相应测量局部对应地存储由测量电流计算出的变化。随后，视所得到的具体结果(测量电流的强度变化)，可以将硅太阳能电池输往另一处理步骤。随后，在这另一处理步骤中，例如仅对相应的测量局部在测量步骤中尚未达到预设的测量电流变化和/或预设的测量电流目标值的处理局部进行加工。

测量步骤中所施加的电压可以反向于硅太阳能电池的正向且小于硅太阳能电池的击穿电压，或者，测量步骤中所施加的电压可以沿硅太阳能电池的正向定向。

第二实施例：

与第一实施例类似地实施测量步骤。但不同之处在于，在处理步骤中，根据第一测量步骤中检测到的测量电流的电流强度对反向于正向的电压和点光源的照射强度的参数进行调整。在处理步骤中，以比测量电流的电流强度已较高的区域更强的处理电流强度和/或更长的处理电流作用时间来加工在第一测量步骤中测量电流的电流强度较低的区域。可以通过提高反向于正向的电压和/或提高点光源的照射强度来增大处理电流。通过点光源在相应的处理局部上的停留时长来控制处理电流的作用时间的延长。

第三实施例：

在此同样在测量步骤中检测照射测量局部时的测量电流，并且相应地实施处理步骤。此外，在第二测量步骤中，在照射测量局部的至少第一部分之前和/或之后使得硅太阳能电池的面向太阳的一侧保持不被照射，并且通过接触装置在接触格与背触点之间用电压源施加一个反向于正向的小于硅太阳能电池的击穿电压的电压，从而在施加电压时用电流表对硅太阳能电池的反向电流进行检测。随后，与相应测量局部对应地存储这个反向电流。在此情形下，可以将相应的反向电流用作可能因处理步骤而对硅太阳能电池造成的损伤的特性值。为此，将测得的被测量的测量局部的反向电流与参考反向电流进行对比，该参考反向电流已从所述方法上游的硅太阳能电池的电表征中获得。这个电表征例如可以指硅太阳能电池的制造工艺中常见的在测定太阳能电池效率时记录IU特性曲线。有利地，在测量步骤中，在照射所有测量局部之前或之后测量反向电流。

第二测量步骤中测得的反向电流相对于先前测得的参考反向电流的变化用作处理步骤对硅太阳能电池造成的损伤的衡量尺度。如果硅太阳能电池的反向电流在处理步骤之后增大，则可以推断出处理步骤对硅太阳能电池造成损伤。

第四实施例：

所述方法的流程类似于第三实施例。但不同之处在于，在第一测量步骤中产生参考反向电流。为此，正如在第二步骤中那样，在照射测量局部的至少第一部分之前和/或之后使得硅太阳能电池的面向太阳的一侧保持不被照射，从而在施加电压时用电流表对硅太阳能电池的反向电流进行检测。在此情形下，第二测量步骤中检测到的反向电流相对于第一测量步骤中检测到的反向电流的变化用作处理步骤对硅太阳能电池造成的可能的损伤的衡量尺度。

第五实施例：

除了在测量步骤中检测测量电流和/或反向电流之外或作为替代，同样在处理步骤中针对被照射的处理局部的至少一部分检测处理电流的实际电流强度，并且与相应处理局部对应地存储。当电流在相应分区上的作用时间结束时对电流强度进行检测。针对处理局部检测到的处理电流用作处理步骤所实现的对接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的改善的衡量尺度。如果用相同的反向于硅太阳能电池的正向的电压和点光源的照射强度参数来加工处理局部，则由于对相应处理局部的处理结束时电流强度更大，因此，可以看见在接触格与发射极层之间具有更好的欧姆接触特性的区域。针对各处理局部检测到并且存储的处理电流例如在硅太阳能电池的后续处理中用作品质特征。同样可以利用检测到并且存储的处理电流来实施进一步的处理步骤，其中例如在进一步的处理步骤中针对性地再次以更改过的参数加工测得的处理电流较小的区域。更改过的参数在此又指点光源的照射强度和/或照射的作用时间和/或反向于硅太阳能电池的正向的电压的水平。

第六实施例：

如果不同于第四实施例地，在处理步骤前不实施测量步骤，则同样可以在处理步骤中确定参考反向电流，以与第二测量步骤中测得的反向电流进行对比。为此，在处理步骤中，在照射处理局部之前使得硅太阳能电池的面向太阳的一侧保持不被照射，并且在施加反向于硅太阳能电池的正向的电压时对反向电流进行检测。

第七实施例：

不同于前述实施例，可以仅在处理步骤中测量参考反向电流以及加工处理局部后的反向电流。为此，在处理步骤中，在照射处理局部的第一部分之前使得硅太阳能电池的面向太阳的一侧保持不被照射，并且在施加反向于正向的电压时对反向电流进行检测。随后，逐渐照射处理局部的第一部分。当对处理局部的第一部分的照射结束时重新使得硅太阳能电池的面向太阳的一侧保持不被照射，并且再次检测反向电流。在此情形下，照射处理局部的第一部分之前检测到的反向电流的值用作照射处理局部的第一部分之后检测到的反向电流的参考值。

如果在处理步骤中，在加工处理局部时用点光源例如逐行地扫描硅太阳能电池的面向太阳的一侧，则依次对沿每行布置的处理局部进行照射。照射过每行之后，将点光源断开，或者在接通状态下越过硅太阳能电池的边缘从硅太阳能电池的面向太阳的一侧移开，使得硅太阳能电池的面向太阳的一侧完全不被照射，并且可以在施加反向于正向的电压时对反向电流进行检测。在此情形下，照射一行之后检测到的反向电流用作照射下一行之后产生的反向电流的参考反向电流。由此，甚至能够将硅太阳能电池的可能的损伤与特定行(或处理局部)的加工对应。

第八实施例：

与第七实施例类似地实施加工。此外，将照射一行之前与之后产生的反向电流的变化用作加工步骤中照射下一行时设定参数(点光源的照射强度、照射的作用时间、反向于正向的电压的水平)的调节变量。如果识别到反向电流增大，则在照射下一行时改变参数(例如照射的作用时间)，从而防止反向电流进一步增大。

在前述所有实施例中，作为另一实施方案，在测量步骤或处理步骤中检测反向电流时，只要反向于正向的电压始终小于硅太阳能电池的击穿电压，也可以改变这个反向于正向的电压。由此，针对预设的电压分别测定一个反向电流并且与相应测量局部或处理局部对应地存储。

第九实施例：

将处理步骤中检测到的处理局部的处理电流(参阅第五实施例)用于在加工后续的处理局部时调节参数。在此过程中，如此地实施调节，从而将加工一个处理局部时检测到的处理电流与参考值进行对比。如果检测到的处理电流小于这个参考值，则可能表示接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的改善还不充分。因此，在下一处理局部中，相应地对照射这个处理局部时的参数进行调整。

第十实施例：

不同于当电流在相应分区上的作用时间结束时对电流强度进行检测的第五实施例，在此，当照射处理局部时，针对每个处理局部用电流表首先检测第一电流强度，随后检测第二电流强度，并且与处理局部对应地存储这两个电流强度。将电流强度的变化(梯度)用作接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的改善的衡量尺度。电流强度在照射处理局部期间的增大表明欧姆接触特性得到改善。电流强度仅小幅增大或未增大表明欧姆接触特性仅得到小幅改善或未得到改善。因此，将电流强度在照射处理局部期间的变化用于调节至少一个后续处理局部的参数(点光源的照射强度、照射的作用时间、反向于正向的电压的水平)。除了将电流强度的梯度用作调节变量之外，还将这个梯度与相应处理局部对应地存储。

在所列的所有实施例中，可选地，在处理步骤和/或测量步骤中，当照射处理局部或测量局部的至少一部分时，通过测量检测从硅太阳能电池的面向太阳的一侧反射的照射分量，并且与相应局部对应地存储。此外，可选地，当检测反射分量时，改变点光源发出的光辐射的波长，其中检测预设波长的反射分量，并且与相应局部对应地存储。当检测测量电流和/或处理电流的电流强度时，可选地，同样改变点光源发出的光辐射的波长，其中在此同样检测预设波长的测量电流和/或处理电流的电流强度，并且与相应局部对应地存储。

Claims (21)

1.一种改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法，其中在一个处理步骤中用电压源和与所述电压源连接的接触装置在所述硅太阳能电池的接触格与背触点之间施加一个反向于所述硅太阳能电池的正向的小于所述硅太阳能电池的击穿电压的电压，以及，当施加所述电压时，在所述硅太阳能电池的面向太阳的一侧的范围内对点光源进行导引，以及，在此过程中对所述面向太阳的一侧的分区的处理局部进行照射，从而在所述相应分区内通过感应产生处理电流，以及，所述处理电流就所述处理局部而言具有200A/cm²至20000A/cm²的电流密度且为时10ns至10ms地作用于所述分区，其特征在于，在所述处理步骤之前和/或之后实施测量步骤，在所述测量步骤中，用所述电压源和所述接触装置在所述接触格与所述背触点之间施加一个电压，以及，当施加所述电压时，用所述点光源照射所述硅太阳能电池的面向太阳的一侧的分区的测量局部，从而在所述相应分区内通过感应产生测量电流，所述测量电流就所述测量局部而言具有1mA/cm²至500mA/cm²的电流密度，以及，用电流表检测所述测量电流的电流强度，并且与所述相应测量局部对应地存储。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述处理步骤期间，针对所述被照射的处理局部的至少一部分，用电流表检测所述处理电流的电流强度，并且与所述相应处理局部对应地存储。

3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述测量步骤中所施加的电压反向于所述硅太阳能电池的正向且小于所述硅太阳能电池的击穿电压，或者，所述测量步骤中所施加的所述电压沿所述硅太阳能电池的正向定向。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述测量电流的在所述测量步骤中对应于某个测量局部的电流强度用作在所述测量步骤之后的处理步骤中照射所述处理局部中的至少一个时设定所述点光源的照射强度和/或所述照射的作用时间和/或反向于所述硅太阳能电池的正向的电压的水平的调节变量。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，由所述测量局部中的一个的在所述处理步骤上游的测量步骤中检测到的电流强度以及所述测量局部的在所述处理步骤下游的测量步骤中检测到的电流强度确定变化，并且与所述相应测量局部对应地存储所述变化。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电流强度的对应于某个测量局部的变化用作另一处理步骤的在照射所述处理局部中的至少一个时设定所述点光源的照射强度和/或所述照射的作用时间和/或反向于所述硅太阳能电池的正向的电压的水平的调节变量。

7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在所述处理步骤中对应于某个处理局部的所述电流强度用作照射所述处理步骤的后一处理局部时设定所述点光源的照射强度和/或所述照射的作用时间和/或反向于所述硅太阳能电池的正向的电压的水平的调节变量。

8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在所述处理步骤中，当照射所述处理局部中的一个时，用电流表检测第一电流强度，随后检测第二电流强度，并且与所述处理局部对应地存储所述两个电流强度。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，由所述第一和所述第二电流强度确定电流强度梯度，并且与所述处理局部对应地存储。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述处理步骤中对应于所述处理局部的所述电流强度梯度用作照射所述处理步骤中的后一处理局部时设定所述照射强度和/或所述照射的作用时间和/或反向于所述硅太阳能电池的正向的电压的水平的调节变量。

11.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在所述处理步骤中，在照射所述处理局部的至少第一部分之前和/或之后，所述硅太阳能电池的面向太阳的一侧不被照射，在此过程中，用所述电流表对所述硅太阳能电池的反向电流进行检测。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其特征在于，在所述测量步骤中，在照射所述测量局部的至少第一部分之前和/或之后，所述硅太阳能电池的面向太阳的一侧不被照射，并且通过所述接触装置在所述接触格与所述背触点之间用所述电压源施加一个反向于所述正向的小于所述硅太阳能电池的击穿电压的电压，在此过程中，用所述电流表对所述硅太阳能电池的反向电流进行检测，并且与所述测量局部对应地存储。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，将所述反向电流与参考反向电流进行对比，且所述反向电流与所述参考反向电流的偏差用作照射所述硅太阳能电池的面向太阳的一侧的局部的另一部分时设定所述照射强度和/或所述照射的作用时间和/或反向于所述硅太阳能电池的正向的电压的水平的调节变量。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述参考反向电流从所述方法上游的所述硅太阳能电池的电表征中获得。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述处理步骤中照射所述处理局部的第一部分之前检测到的所述反向电流用作照射所述照射处理局部的第一部分之后检测到的反向电流的参考反向电流。

16.根据权利要求11和12所述的方法，其特征在于，所述处理步骤中用于处理局部的所述参考反向电流是所述处理步骤上游的测量步骤中针对某个测量局部测得的反向电流。

17.根据权利要求11至16中任一项所述的方法，其特征在于，在所述测量步骤和/或所述处理步骤中，为检测所述反向电流，改变所述反向于所述正向的小于所述硅太阳能电池的击穿电压的电压。

18.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在所述处理步骤和/或所述测量步骤中，当照射所述处理局部或测量局部的至少一部分时，通过测量检测从所述硅太阳能电池的面向太阳的一侧反射的所述照射分量，并且与所述相应局部对应地存储。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，在所述处理步骤和/或所述测量步骤中，当照射所述处理局部或测量局部的至少一部分时，改变所述点光源发出的光辐射的波长，并且同样在所述波长下，通过测量检测从所述硅太阳能电池的面向太阳的一侧反射的所述照射分量，并且与所述相应局部对应地存储。

20.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在所述测量步骤和/或所述处理步骤中，所述改变点光源发出的光辐射的波长，并同样针对所述光辐射在所述测量步骤和/或所述处理步骤中检测所述电流强度，并且与所述相应局部对应地存储。

21.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述电流表与所述接触装置连接，或者与另一与所述硅太阳能电池的接触格和背触点连接的接触装置连接。