GR20000100023A - ΑΥΤΟ-ΠΡΟΣΤΑΤΕΥΟΜΕΝΟΣ ΑΠΟΜΟΝΩΤΗΣ ΕΞΟΔΟΥ ΚΑΤΑ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗΣ (ESD) ΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΤΡΙΠΛΟΥ ΠΗΓΑΔΙΟΥ CMOS/BiCMOS - Google Patents
ΑΥΤΟ-ΠΡΟΣΤΑΤΕΥΟΜΕΝΟΣ ΑΠΟΜΟΝΩΤΗΣ ΕΞΟΔΟΥ ΚΑΤΑ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗΣ (ESD) ΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΤΡΙΠΛΟΥ ΠΗΓΑΔΙΟΥ CMOS/BiCMOSInfo
- Publication number
- GR20000100023A GR20000100023A GR20000100023A GR2000100023A GR20000100023A GR 20000100023 A GR20000100023 A GR 20000100023A GR 20000100023 A GR20000100023 A GR 20000100023A GR 2000100023 A GR2000100023 A GR 2000100023A GR 20000100023 A GR20000100023 A GR 20000100023A
- Authority
- GR
- Greece
- Prior art keywords
- output
- esd
- nmos
- well
- nmos transistor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Αυτή η εφεύρεση αναφέρεται σ'έναν απομονωτή εξόδου, συμβατό με τεχνολογίες CMOS/BiCMOS με τριπλό πηγάδι, ο οποίος επιδεικνύει αυξημένη επίδοση ESD. Δεδομένου ότι η ενέργεια ESD διοχετεύεται στη γείωση μέσω του τρανζίστορ εξόδου NMOS, αυτός ο απομονωτής είναι αυτο-προστατευόμενος έναντι της ESD οπότε επιδεικνύει ελάχιστη χωρητικότητα εξόδου. Η πόλωση του p-πηγαδιού του τρανζίστορ εξόδου NMOS με τριπλό πηγάδι καθορίζει εάν το τρανσίστορ NMOS λειτουργεί ως ένα ενεργό στοιχείο εξόδου ή ως μία διάταξη προστασίας από ESD. Ενα δίκτυο RC, συνδεδεμένο μεταξύ της γραμμής παροχής ισχύος Vdd και της γείωσης, χρησιμοποιείται για το σκοπό αυτό, προκειμένου να ενεργοποιήσει το τρανσίστορ NMOS. Υπό κανονικές συνθήκες πόλωσης το p-πηγάδι NMOS γειώνεται και το NMOS λειτουργεί ως ένα τρανζίστορ εξόδου. Υπό συνθήκες χρονικά μεταβαλλόμενου ESD ωστόσο, η χωρητική σύζευξη μεταξύ του NMOS p-πηγαδιού και της αιωρούμενης γραμμής παροχής ισχύος Vdd θέτει σε λειτουργία την NMOS προστασία από ESD. Λόγω του μηχανισμού της σύζευξης p-πηγαδιού, ολόκληρη η περιοχή του τρανζίστορ εξόδου NMOS μία αποδοτική και ανθεκτική διάταξη σύσφιξης (προστασία έναντι της) ESD. Μία ιδιαίτερη περίπτωση αφορά στους απομονωτές εξόδου ανοικτής υποδοχής, στην οποία περίπτωση δεν υπάρχει κάποια άμεση διαδρομή ρεύματος προς τη γραμμή παροχής ισχύος Vdd υπό συνθήκες έντασης ESD. Η μόνη διαδρομή ρεύματος ESD είναι διαμέσου του τρανζίστορ εξόδου NMOS, που μπορεί να σχεδιαστεί με τεχνολογία CMOS με τριπλό πηγάδι για να προσφέρει την απαραίτητη προστασία από ESD. Ενα ενεργοποιητικό υπο-κύκλωμα στην περίπτωση αυτή περιλαμβάνει ένα τρανζίστορ PMOS ανάμεσα στην έξοδο και στο p-πηγάδι NMOS, καθώς και έναν αντιστάτη ανάμεσα στο p-πηγάδι NMOS και τη γείωση.ΰ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GR20000100023A GR20000100023A (el) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | ΑΥΤΟ-ΠΡΟΣΤΑΤΕΥΟΜΕΝΟΣ ΑΠΟΜΟΝΩΤΗΣ ΕΞΟΔΟΥ ΚΑΤΑ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗΣ (ESD) ΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΤΡΙΠΛΟΥ ΠΗΓΑΔΙΟΥ CMOS/BiCMOS |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GR20000100023A GR20000100023A (el) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | ΑΥΤΟ-ΠΡΟΣΤΑΤΕΥΟΜΕΝΟΣ ΑΠΟΜΟΝΩΤΗΣ ΕΞΟΔΟΥ ΚΑΤΑ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗΣ (ESD) ΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΤΡΙΠΛΟΥ ΠΗΓΑΔΙΟΥ CMOS/BiCMOS |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
GR20000100023A true GR20000100023A (el) | 2001-10-31 |
Family
ID=10944185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
GR20000100023A GR20000100023A (el) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | ΑΥΤΟ-ΠΡΟΣΤΑΤΕΥΟΜΕΝΟΣ ΑΠΟΜΟΝΩΤΗΣ ΕΞΟΔΟΥ ΚΑΤΑ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗΣ (ESD) ΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΤΡΙΠΛΟΥ ΠΗΓΑΔΙΟΥ CMOS/BiCMOS |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
GR (1) | GR20000100023A (el) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0614222A1 (en) * | 1993-03-03 | 1994-09-07 | Nec Corporation | Integrated circuit device fabricated on semiconductor substrate isolated from noise propagated from power supply lines |
EP0822660A1 (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-04 | STMicroelectronics S.r.l. | Low noise output buffer for semiconductor electronic circuits |
US5892262A (en) * | 1996-06-03 | 1999-04-06 | Winbond Electronics Corp. | Capacitor-triggered electrostatic discharge protection circuit |
-
2000
- 2000-02-01 GR GR20000100023A patent/GR20000100023A/el unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0614222A1 (en) * | 1993-03-03 | 1994-09-07 | Nec Corporation | Integrated circuit device fabricated on semiconductor substrate isolated from noise propagated from power supply lines |
US5892262A (en) * | 1996-06-03 | 1999-04-06 | Winbond Electronics Corp. | Capacitor-triggered electrostatic discharge protection circuit |
EP0822660A1 (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-04 | STMicroelectronics S.r.l. | Low noise output buffer for semiconductor electronic circuits |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
NIKOLAIDIS T ET AL: "ESD protection for deep submicron triple well CMOS technologies", ELECTRONICS LETTERS, 11 NOV. 1999, IEE, UK, vol. 35, no. 23, pages 2025 - 2027, XP002146070, ISSN: 0013-5194 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6867957B1 (en) | Stacked-NMOS-triggered SCR device for ESD-protection | |
US6867461B1 (en) | ESD protection circuit | |
US6728086B2 (en) | Power-rail electrostatic discharge protection circuit with a dual trigger design | |
US7817386B2 (en) | ESD protection circuit for IC with separated power domains | |
US7518841B2 (en) | Electrostatic discharge protection for power amplifier in radio frequency integrated circuit | |
US6275089B1 (en) | Low voltage controllable transient trigger network for ESD protection | |
US6437407B1 (en) | Charged device model electrostatic discharge protection for integrated circuits | |
WO2003005523A3 (en) | Electrostatic discharge (esd) protection device with simultaneous and distributed self-biasing for multi-finger turn-on | |
ES2123639T3 (es) | Circuito de derivacion para proteccion contra descargas electrostaticas. | |
WO2003063203A3 (en) | On-chip esd protection circuit | |
WO2002011281A3 (en) | Protection circuit for extending headroom with off-chip inductors | |
US6424510B1 (en) | ESD structure for IC with over-voltage capability at pad in steady-state | |
US7855862B1 (en) | Electrostatic discharge (ESD) circuit and method that includes P-channel device in signal path | |
US6873506B2 (en) | System and method for electrostatic discharge protection using lateral PNP or PMOS or both for substrate biasing | |
EP0827206A3 (en) | Semiconductor device with circuit for preventing latch-up | |
US6809915B2 (en) | Gate-equivalent-potential circuit and method for I/O ESD protection | |
WO2002027795A3 (en) | Fully synthesisable and highly area efficient very large scale integration (vlsi) electrostatic discharge (esd) protection circuit | |
US6700431B1 (en) | I/O pad overvoltage protection circuitry | |
TW200505160A (en) | Mixed-voltage CMOS I/O buffer with thin oxide device and dynamic n-well bias circuit | |
US8405151B2 (en) | Protection circuit for semiconductor device | |
GR20000100023A (el) | ΑΥΤΟ-ΠΡΟΣΤΑΤΕΥΟΜΕΝΟΣ ΑΠΟΜΟΝΩΤΗΣ ΕΞΟΔΟΥ ΚΑΤΑ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗΣ (ESD) ΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΤΡΙΠΛΟΥ ΠΗΓΑΔΙΟΥ CMOS/BiCMOS | |
CN101593973B (zh) | 静电放电保护电路 | |
US6362653B1 (en) | High voltage tolerant receivers | |
US6529356B2 (en) | Power polarity reversal protecting circuit for an integrated circuit | |
US7154721B2 (en) | Electrostatic discharge input protection circuit |