GR20000100023A - ΑΥΤΟ-ΠΡΟΣΤΑΤΕΥΟΜΕΝΟΣ ΑΠΟΜΟΝΩΤΗΣ ΕΞΟΔΟΥ ΚΑΤΑ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗΣ (ESD) ΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΤΡΙΠΛΟΥ ΠΗΓΑΔΙΟΥ CMOS/BiCMOS - Google Patents

ΑΥΤΟ-ΠΡΟΣΤΑΤΕΥΟΜΕΝΟΣ ΑΠΟΜΟΝΩΤΗΣ ΕΞΟΔΟΥ ΚΑΤΑ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗΣ (ESD) ΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΤΡΙΠΛΟΥ ΠΗΓΑΔΙΟΥ CMOS/BiCMOS

Info

Publication number
GR20000100023A
GR20000100023A GR20000100023A GR2000100023A GR20000100023A GR 20000100023 A GR20000100023 A GR 20000100023A GR 20000100023 A GR20000100023 A GR 20000100023A GR 2000100023 A GR2000100023 A GR 2000100023A GR 20000100023 A GR20000100023 A GR 20000100023A
Authority
GR
Greece
Prior art keywords
output
esd
nmos
well
nmos transistor
Prior art date
Application number
GR20000100023A
Other languages
English (en)
Inventor
Μιχαηλ Θεοδωρος Νικολαιδης
Original Assignee
I.S.D. Λυσεις Ολοκληρωμενων Συστηματων Ανωνυμος Εταιρεια
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by I.S.D. Λυσεις Ολοκληρωμενων Συστηματων Ανωνυμος Εταιρεια filed Critical I.S.D. Λυσεις Ολοκληρωμενων Συστηματων Ανωνυμος Εταιρεια
Priority to GR20000100023A priority Critical patent/GR20000100023A/el
Publication of GR20000100023A publication Critical patent/GR20000100023A/el

Links

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Αυτή η εφεύρεση αναφέρεται σ'έναν απομονωτή εξόδου, συμβατό με τεχνολογίες CMOS/BiCMOS με τριπλό πηγάδι, ο οποίος επιδεικνύει αυξημένη επίδοση ESD. Δεδομένου ότι η ενέργεια ESD διοχετεύεται στη γείωση μέσω του τρανζίστορ εξόδου NMOS, αυτός ο απομονωτής είναι αυτο-προστατευόμενος έναντι της ESD οπότε επιδεικνύει ελάχιστη χωρητικότητα εξόδου. Η πόλωση του p-πηγαδιού του τρανζίστορ εξόδου NMOS με τριπλό πηγάδι καθορίζει εάν το τρανσίστορ NMOS λειτουργεί ως ένα ενεργό στοιχείο εξόδου ή ως μία διάταξη προστασίας από ESD. Ενα δίκτυο RC, συνδεδεμένο μεταξύ της γραμμής παροχής ισχύος Vdd και της γείωσης, χρησιμοποιείται για το σκοπό αυτό, προκειμένου να ενεργοποιήσει το τρανσίστορ NMOS. Υπό κανονικές συνθήκες πόλωσης το p-πηγάδι NMOS γειώνεται και το NMOS λειτουργεί ως ένα τρανζίστορ εξόδου. Υπό συνθήκες χρονικά μεταβαλλόμενου ESD ωστόσο, η χωρητική σύζευξη μεταξύ του NMOS p-πηγαδιού και της αιωρούμενης γραμμής παροχής ισχύος Vdd θέτει σε λειτουργία την NMOS προστασία από ESD. Λόγω του μηχανισμού της σύζευξης p-πηγαδιού, ολόκληρη η περιοχή του τρανζίστορ εξόδου NMOS μία αποδοτική και ανθεκτική διάταξη σύσφιξης (προστασία έναντι της) ESD. Μία ιδιαίτερη περίπτωση αφορά στους απομονωτές εξόδου ανοικτής υποδοχής, στην οποία περίπτωση δεν υπάρχει κάποια άμεση διαδρομή ρεύματος προς τη γραμμή παροχής ισχύος Vdd υπό συνθήκες έντασης ESD. Η μόνη διαδρομή ρεύματος ESD είναι διαμέσου του τρανζίστορ εξόδου NMOS, που μπορεί να σχεδιαστεί με τεχνολογία CMOS με τριπλό πηγάδι για να προσφέρει την απαραίτητη προστασία από ESD. Ενα ενεργοποιητικό υπο-κύκλωμα στην περίπτωση αυτή περιλαμβάνει ένα τρανζίστορ PMOS ανάμεσα στην έξοδο και στο p-πηγάδι NMOS, καθώς και έναν αντιστάτη ανάμεσα στο p-πηγάδι NMOS και τη γείωση.ΰ
GR20000100023A 2000-02-01 2000-02-01 ΑΥΤΟ-ΠΡΟΣΤΑΤΕΥΟΜΕΝΟΣ ΑΠΟΜΟΝΩΤΗΣ ΕΞΟΔΟΥ ΚΑΤΑ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗΣ (ESD) ΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΤΡΙΠΛΟΥ ΠΗΓΑΔΙΟΥ CMOS/BiCMOS GR20000100023A (el)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GR20000100023A GR20000100023A (el) 2000-02-01 2000-02-01 ΑΥΤΟ-ΠΡΟΣΤΑΤΕΥΟΜΕΝΟΣ ΑΠΟΜΟΝΩΤΗΣ ΕΞΟΔΟΥ ΚΑΤΑ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗΣ (ESD) ΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΤΡΙΠΛΟΥ ΠΗΓΑΔΙΟΥ CMOS/BiCMOS

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GR20000100023A GR20000100023A (el) 2000-02-01 2000-02-01 ΑΥΤΟ-ΠΡΟΣΤΑΤΕΥΟΜΕΝΟΣ ΑΠΟΜΟΝΩΤΗΣ ΕΞΟΔΟΥ ΚΑΤΑ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗΣ (ESD) ΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΤΡΙΠΛΟΥ ΠΗΓΑΔΙΟΥ CMOS/BiCMOS

Publications (1)

Publication Number Publication Date
GR20000100023A true GR20000100023A (el) 2001-10-31

Family

ID=10944185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
GR20000100023A GR20000100023A (el) 2000-02-01 2000-02-01 ΑΥΤΟ-ΠΡΟΣΤΑΤΕΥΟΜΕΝΟΣ ΑΠΟΜΟΝΩΤΗΣ ΕΞΟΔΟΥ ΚΑΤΑ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗΣ (ESD) ΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΤΡΙΠΛΟΥ ΠΗΓΑΔΙΟΥ CMOS/BiCMOS

Country Status (1)

Country Link
GR (1) GR20000100023A (el)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0614222A1 (en) * 1993-03-03 1994-09-07 Nec Corporation Integrated circuit device fabricated on semiconductor substrate isolated from noise propagated from power supply lines
EP0822660A1 (en) * 1996-07-31 1998-02-04 STMicroelectronics S.r.l. Low noise output buffer for semiconductor electronic circuits
US5892262A (en) * 1996-06-03 1999-04-06 Winbond Electronics Corp. Capacitor-triggered electrostatic discharge protection circuit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0614222A1 (en) * 1993-03-03 1994-09-07 Nec Corporation Integrated circuit device fabricated on semiconductor substrate isolated from noise propagated from power supply lines
US5892262A (en) * 1996-06-03 1999-04-06 Winbond Electronics Corp. Capacitor-triggered electrostatic discharge protection circuit
EP0822660A1 (en) * 1996-07-31 1998-02-04 STMicroelectronics S.r.l. Low noise output buffer for semiconductor electronic circuits

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NIKOLAIDIS T ET AL: "ESD protection for deep submicron triple well CMOS technologies", ELECTRONICS LETTERS, 11 NOV. 1999, IEE, UK, vol. 35, no. 23, pages 2025 - 2027, XP002146070, ISSN: 0013-5194 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6867957B1 (en) Stacked-NMOS-triggered SCR device for ESD-protection
US6867461B1 (en) ESD protection circuit
US6728086B2 (en) Power-rail electrostatic discharge protection circuit with a dual trigger design
US7817386B2 (en) ESD protection circuit for IC with separated power domains
US7518841B2 (en) Electrostatic discharge protection for power amplifier in radio frequency integrated circuit
US6275089B1 (en) Low voltage controllable transient trigger network for ESD protection
US6437407B1 (en) Charged device model electrostatic discharge protection for integrated circuits
WO2003005523A3 (en) Electrostatic discharge (esd) protection device with simultaneous and distributed self-biasing for multi-finger turn-on
ES2123639T3 (es) Circuito de derivacion para proteccion contra descargas electrostaticas.
WO2003063203A3 (en) On-chip esd protection circuit
WO2002011281A3 (en) Protection circuit for extending headroom with off-chip inductors
US6424510B1 (en) ESD structure for IC with over-voltage capability at pad in steady-state
US7855862B1 (en) Electrostatic discharge (ESD) circuit and method that includes P-channel device in signal path
US6873506B2 (en) System and method for electrostatic discharge protection using lateral PNP or PMOS or both for substrate biasing
EP0827206A3 (en) Semiconductor device with circuit for preventing latch-up
US6809915B2 (en) Gate-equivalent-potential circuit and method for I/O ESD protection
WO2002027795A3 (en) Fully synthesisable and highly area efficient very large scale integration (vlsi) electrostatic discharge (esd) protection circuit
US6700431B1 (en) I/O pad overvoltage protection circuitry
TW200505160A (en) Mixed-voltage CMOS I/O buffer with thin oxide device and dynamic n-well bias circuit
US8405151B2 (en) Protection circuit for semiconductor device
GR20000100023A (el) ΑΥΤΟ-ΠΡΟΣΤΑΤΕΥΟΜΕΝΟΣ ΑΠΟΜΟΝΩΤΗΣ ΕΞΟΔΟΥ ΚΑΤΑ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΣΤΑΤΙΚΗΣ ΕΚΦΟΡΤΙΣΗΣ (ESD) ΓΙΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΤΡΙΠΛΟΥ ΠΗΓΑΔΙΟΥ CMOS/BiCMOS
CN101593973B (zh) 静电放电保护电路
US6362653B1 (en) High voltage tolerant receivers
US6529356B2 (en) Power polarity reversal protecting circuit for an integrated circuit
US7154721B2 (en) Electrostatic discharge input protection circuit