FR77521E - Procédé pour l'élaboration d'une zone fortement dotée dans des corps semiconducteurs - Google Patents

Procédé pour l'élaboration d'une zone fortement dotée dans des corps semiconducteurs

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    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/02—Alloys based on gold
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FR824276A 1958-06-14 1960-04-13 Procédé pour l'élaboration d'une zone fortement dotée dans des corps semiconducteurs Expired FR77521E (fr)

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DES58618A DE1106877B (de) 1958-06-14 1958-06-14 Verfahren zur Herstellung eines hochdotierten Bereiches in Halbleiterkoerpern durch Auflegieren von Folien aus einer Goldlegierung
DES62641A DE1112208B (de) 1958-06-14 1959-04-18 Verfahren zur Herstellung eines hochdotierten Bereiches in Halbleiter-koerpern durchAuflegieren von Folien aus einer Wismut enthaltenden Goldlegierung
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