FR3123121A1 - Capteur de lumiere ambiante - Google Patents

Capteur de lumiere ambiante Download PDF

Info

Publication number
FR3123121A1
FR3123121A1 FR2105221A FR2105221A FR3123121A1 FR 3123121 A1 FR3123121 A1 FR 3123121A1 FR 2105221 A FR2105221 A FR 2105221A FR 2105221 A FR2105221 A FR 2105221A FR 3123121 A1 FR3123121 A1 FR 3123121A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
control signal
logic control
signal
transistor
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
FR2105221A
Other languages
English (en)
Inventor
Nicolas Moeneclaey
Sri Ram Gupta
Sarika Kushwaha
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics International NV Switzerland
STMicroelectronics Grenoble 2 SAS
Original Assignee
STMicroelectronics International NV Switzerland
STMicroelectronics Grenoble 2 SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics International NV Switzerland, STMicroelectronics Grenoble 2 SAS filed Critical STMicroelectronics International NV Switzerland
Priority to FR2105221A priority Critical patent/FR3123121A1/fr
Priority to US17/663,915 priority patent/US11713998B2/en
Publication of FR3123121A1 publication Critical patent/FR3123121A1/fr
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4204Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors with determination of ambient light
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44Electric circuits
    • G01J1/46Electric circuits using a capacitor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44Electric circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/08Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/78Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44Electric circuits
    • G01J2001/4446Type of detector
    • G01J2001/446Photodiode
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/375Circuitry to compensate the offset being present in an amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45152Balancing means being added at the input of a dif amp to reduce the offset of the dif amp

Abstract

Selon un aspect, il est proposé un capteur de lumière ambiante comprenant : - une photodiode (PHD) configuré pour générer un signal électrique en fonction d’une lumière ambiante, - un amplificateur à transimpédance à rétroaction capacitive (CTIA) connecté en entrée à la photodiode (PHD) pour recevoir un signal généré par la photodiode et pour générer en sortie un signal amplifié à partir du signal généré par la photodiode (PHD), - un commutateur auto-zéro (AZS) en entrée de l’amplificateur à transimpédance à rétroaction capacitive, et - un circuit de commande (CC) comprenant un circuit d’amorçage (CA) configuré pour : ○ recevoir un signal logique initial de commande (AZB_X) à tension positive ou nulle, puis ○ générer, à partir de ce signal logique initial de commande, un signal logique adapté de commande (AZ_SHIFT) présentant un premier niveau de tension positif et un deuxième niveau de tension négatif pour commander le commutateur auto-zéro (AZS). Figure pour l’abrégé : Fig 1

Description

CAPTEUR DE LUMIERE AMBIANTE
Des modes de de réalisation concernent les capteurs de lumière ambiante.
Un capteur de lumière ambiante est un photodétecteur configuré pour détecter une quantité de lumière ambiante autour de ce capteur.
Un tel capteur de lumière ambiante peut être intégré dans des smartphones ou dans des ordinateurs portables par exemple. En particulier, le capteur de lumière ambiante peut être utilisé pour adapter une luminosité de l’écran d’un smartphone ou d’un ordinateur portable en fonction de la lumière ambiante.
Un capteur de lumière ambiante comprend généralement une photodiode configurée pour générer un signal électrique dépendant de la lumière ambiante autour de cette photodiode.
Ce signal électrique est ensuite amplifié par un amplificateur du capteur de lumière ambiante avant d’être traité.
Pour amplifier le signal électrique généré par la photodiode, il est possible d’utiliser un amplificateur à transimpédance à rétroaction capacitive (connu également par l’acronyme « CTIA » de l’anglais « capacitive transimpedance amplifier »).
Un tel amplificateur comprend un amplificateur opérationnel bouclé par un élément capacitif.
En particulier, l’amplificateur opérationnel peut présenter une première entrée inverseuse reliée à la photodiode, et une entrée non inverseuse reliée à un point froid, notamment une masse. L’amplificateur opérationnel comprend également une sortie configurée pour délivrer un signal amplifié à partir du signal électrique délivré par la photodiode.
La sortie de l’amplificateur opérationnel est reliée à une première borne de l’élément capacitif, et une deuxième borne de l’élément capacitif est reliée à l’entrée inverseuse de l’amplificateur opérationnel.
Par ailleurs, il est préférable d’utiliser un commutateur auto-zéro (en anglais « auto-zero switch » ou « AZ switch ») entre l’entrée inverseuse et l’entrée non inverseuse de l’amplificateur opérationnel.
En particulier, le commutateur auto-zéro permet de supprimer un décalage en tension en entrée de l’amplificateur (en anglais « input offset voltage »).
Le commutateur auto-zéro peut être un transistor NMOS.
Par ailleurs, il est important de réduire les pertes d’informations par l’élément capacitif durant le temps d’intégration de l’amplificateur à transimpédance.
En effet, du fait que les signaux électriques pouvant être générés par la photodiode présentent une intensité faible, de l’ordre du picoampère au nanoampère, les pertes peuvent entraîner des erreurs importantes sur la mesure de la lumière ambiante.
Il est notamment possible d’utiliser un commutateur auto-zéro à faible pertes présentant une tension de seuil élevée. Néanmoins, la fabrication d’un tel commutateur auto-zéro à faible pertes nécessite l’utilisation d’un masque supplémentaire. Ainsi, une telle solution est complexe et coûteuse à mettre en œuvre.
Il existe donc un besoin de proposer une solution simple et peu coûteuse pour réduire les pertes du commutateur entre les entrées de l’amplificateur à transimpédance à rétroaction capacitive.
Selon un aspect, il est proposé un capteur de lumière ambiante comprenant :
- une photodiode configuré pour générer un signal électrique en fonction d’une lumière ambiante,
- un amplificateur à transimpédance à rétroaction capacitive connecté en entrée à la photodiode pour recevoir un signal généré par la photodiode et pour générer en sortie un signal amplifié à partir du signal généré par la photodiode,
- un commutateur auto-zéro en entrée de l’amplificateur à transimpédance à rétroaction capacitive, et
- un circuit de commande comprenant un circuit d’amorçage configuré pour :
○ recevoir un signal logique initial de commande à tension positive ou nulle, puis
○ générer, à partir de ce signal logique initial de commande, un signal logique adapté de commande présentant un premier niveau de tension positif et un deuxième niveau de tension négatif pour commander le commutateur auto-zéro.
Le fait de pouvoir commander le commutateur auto-zéro avec une tension négative lors du temps d’intégration permet de réduire les pertes.
Un tel capteur de lumière ambiante permet donc de réduire les erreurs de mesure de la lumière ambiante.
En outre, un tel capteur de lumière ambiante ne nécessite pas d’utiliser un transistor auto-zéro ayant une tension de seuil élevée. Cela permet d’éviter l’utilisation d’un masque additionnel pour la fabrication du transistor auto-zéro.
Le circuit d’amorçage permet donc d’utiliser un transistor auto-zéro peu coûteux à fabriquer.
Dans un mode de réalisation avantageux, le circuit d’amorçage comprend :
- une porte inverseuse configurée pour recevoir le signal logique initial de commande,
- un élément capacitif présentant une première borne connectée à une sortie de la porte inverseuse,
- un premier transistor de type PFET présentant une grille configurée pour recevoir le signal logique initial de commande, un drain connecté à la deuxième borne de l’élément capacitif et une source configurée pour recevoir une tension de mode commun,
- une sortie reliée à la deuxième borne de l’élément capacitif et au drain du premier transistor et configurée pour délivrer le signal logique adapté de commande au commutateur auto-zéro.
De préférence, le signal logique initial de commande présente un premier niveau à 1,8V et un deuxième niveau à 0V, et le signal logique adapté de commande présente un premier niveau positif à 0,9V lorsque le signal logique initial de commande est à 0V, et un deuxième niveau négatif à -0,9V, lorsque le signal logique initial de commande est à 1,8V.
Avantageusement, le circuit d’amorçage comprend en outre :
- un deuxième transistor de type NFET présentant une source connectée à la deuxième borne de l’élément capacitif, une grille configurée pour recevoir le signal logique initial de commande et un drain relié à la sortie du circuit d’amorçage,
- un transistor de type PFET présentant une source reliée à la sortie de la porte inverseuse, une grille configurée pour recevoir le signal logique initial de commande et un drain relié à la sortie du circuit d’amorçage.
Ainsi, la deuxième borne de l’élément capacitif est reliée à la sortie par l’intermédiaire du deuxième transistor.
De préférence, le signal logique initial de commande présente un premier niveau à 1,8V et un deuxième niveau à 0V, et le signal logique adapté de commande présente un premier niveau positif à 1,8V lorsque le signal logique initial de commande est à 0V, et un deuxième niveau négatif à -0,9V, lorsque le signal logique initial de commande est à 1,8V.
Dans un mode de réalisation avantageux, l’amplificateur à transimpédance à rétroaction capacitive comprend un amplificateur opérationnel comportant une entrée inverseuse connectée à la photodiode et une entrée non inverseuse connectée à un point froid, le commutateur auto-zéro présentant une première borne connectée à l’entrée inverseuse de cet amplificateur opérationnel et une deuxième borne connectée à l’entrée non inverseuse de cet amplificateur opérationnel.
De préférence, l’amplificateur à transimpédance à rétroaction capacitive comprend un élément capacitif présentant une première borne reliée à une sortie de l’amplificateur opérationnel, et une deuxième borne reliée à l’entrée inverseuse de l’amplificateur opérationnel.
Selon un autre aspect, il est proposé un appareil comportant un capteur de lumière ambiante tel que décrit précédemment.
D'autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de mise en œuvre et de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels :
illustrent schématiquement des modes de réalisation et de mise en œuvre de l’invention.
Le capteur de lumière ambiante ALS comprend une photodiode PHD.
La photodiode PHD est configurée pour générer un signal électrique SPHD en fonction de la lumière ambiante autour du capteur ALS.
Le capteur de lumière ambiante ALS comprend un amplificateur à transimpédance capacitif CTIA (en anglais « Capacicitive transimpedance amplifier »).
L’amplificateur à transimpédance à rétroaction capacitive CTIA comprend un amplificateur opérationnel AOP.
L’amplificateur opérationnel AOP présente une entrée inverseuse reliée à la photodiode PHD. De la sorte, l’entrée inverseuse de l’amplificateur opérationnel AOP est configurée pour recevoir le signal électrique SPHD généré par la photodiode PHD.
L’amplificateur opérationnel AOP présente également une entrée non inverseuse reliée à un point froid, notamment à une masse GND.
L’amplificateur opérationnel AOP présente une sortie configurée pour délivrer un signal amplifié SAMP à partir du signal SPHD généré par la photodiode.
L’amplificateur CTIA comprend un premier élément capacitif CAP1 bouclant l’amplificateur opérationnel AOP. En particulier, le deuxième élément capacitif CAP1 présente une première borne reliée à la sortie de l’amplificateur opérationnel AOP, et une deuxième borne reliée à l’entrée inverseuse de l’amplificateur opérationnel.
L’amplificateur CTIA comprend également un deuxième élément capacitif CAP2 bouclant l’amplificateur opérationnel AOP. En particulier, le deuxième élément capacitif CAP2 présente une première borne reliée à la sortie de l’amplificateur opérationnel AOP, et une deuxième borne reliée à l’entrée inverseuse de l’amplificateur opérationnel.
Plus particulièrement, la deuxième borne du deuxième élément capacitif CAP2 est reliée à l’entrée inverseuse de l’amplificateur par l’intermédiaire d’au moins un commutateur M0. Chaque commutateur M0 peut être réalisé par un transistor NMOS.
Le deuxième élément capacitif CAP2 présente une capacité égale à la capacité du premier élément capacitif CAP1.
Le commutateur M0 est configuré pour être commandé par un signal de commande SCOM présentant un niveau bas à -0,9V et un niveau haut à 1,8V.
Ainsi, le deuxième élément capacitif CAP1 permet de diviser par deux le gain de l’amplificateur CTIA lorsque le commutateur M0 est fermé.
Le capteur de lumière ambiante comprend également un commutateur auto-zéro AZS. Ce commutateur auto-zéro AZS présente une première borne reliée à l’entrée inverseuse de l’amplificateur opérationnel AOP, et une deuxième borne reliée à l’entrée non inverseuse de l’amplificateur opérationnel AOP. Ce commutateur auto-zéro AZS peut par exemple être réalisé par un transistor NMOS.
Le commutateur auto-zéro AZS permet de supprimer un décalage en tension en entrée de l’amplificateur opérationnel AOP (en anglais « input offset voltage»).
Le capteur de lumière ambiante ALS comprend un circuit de commande CC pour commander le commutateur auto-zéro AZS.
Le circuit de commande CC comprend un générateur GEN de signal initial de commande. Ce générateur GEN est configuré pour générer un signal logique initial AZB_X de commande inversée.
Le signal initial AZB_X de commande inversée peut par exemple varier entre 0V et 1,8V.
Afin d’adapter le signal initial AZB_X de commande pour réduire les pertes du commutateur auto-zéro AZS, le circuit de commande CC comprend un circuit d’amorçage CA (en anglais « bootstrap circuit»).
Le circuit d’amorçage CA est ainsi configuré pour commander le commutateur auto-zéro AZS avec un signal logique adapté de commande AZ_SHIFT.
La représente un premier mode de réalisation d’un tel circuit d’amorçage CA1.
Le circuit d’amorçage CA1 comprend une porte inverseuse INV1, un élément capacitif CAPA1, et un transistor M11.
Le circuit d’amorçage CA1 est configuré pour recevoir en entrée le signal initial AZB_X de commande inversée. Comme représenté à la , le signal initial AZB_X de commande inversée peut par exemple varier entre 0V et 1,8V.
La porte inverseuse INV1 présente une entrée configurée pour recevoir le signal initial AZB_X de commande inversée.
La porte inverseuse INV1 permet d’inverser le signal initial AZB_X. Ainsi, la porte inverseuse INV1 permet d’obtenir un signal INB présentant une tension à 1,8V lorsque le signal AZB_X est à 0V, et une tension à 0V lorsque le signal AZB_X est à 1,8V.
L’élément capacitif CAPA1 présente une première borne reliée à la sortie de la porte inverseuse INV1 et une deuxième borne reliée à un drain du transistor M11.
L’élément capacitif CAPA1 présente par exemple une capacité comprise entre 100fF et 1pF.
L’élément capacitif CAPA1 permet d’obtenir une tension négative en niveau de sa deuxième borne. En particulier, cette tension est égale à -0,9V.
Le transistor M11 est un transistor de type PFET (transistor MOSFET à canal P).
Le transistor M11 présente un drain connecté à la deuxième borne de l’élément capacitif CAPA1, une grille configurée pour recevoir le signal initial AZB_X de commande inversée et une source configurée pour recevoir une tension VCM de mode commun.
Par exemple, la tension VCM de mode commun est égale à 0,9V.
Le transistor M11 est passant lorsque le signal AZB_X est à 0V. Ainsi, le transistor M11 permet d’obtenir un signal AZ_SHIFT en sortie du circuit d’amorçage CA1 ayant une tension égale à la tension VCM, c’est-à-dire 0,9V, lorsque le signal AZB_X est à 0V.
Ainsi, la tension du signal AZ_SHIFT en sortie du circuit d’amorçage CA1 est comprise entre -0,9V et 0,9V. En particulier, la tension en sortie est à 0,9V lorsque la tension du signal AZB_X est à 0V, et est à -0,9V lorsque la tension du signal AZB_X est à 1,8V.
La tension négative du signal AZ_SHIFT permet d’obtenir une tension grille-source négative sur le commutateur auto-zéro AZS. Cela permet de réduire les pertes du commutateur auto-zéro, notamment pendant la durée d’intégration.
La représente un deuxième mode de réalisation du circuit d’amorçage CA2.
Le circuit d’amorçage CA2 comprend une porte inverseuse INV2, un élément capacitif CAPA2, un premier transistor M21, un deuxième transistor M22 et un troisième transistor M23.
Le circuit d’amorçage CA2 est configuré pour recevoir en entrée le signal initial AZB_X de commande inversée.
La porte inverseuse INV2 présente une entrée configurée pour recevoir le signal AZB_X et une sortie configurée pour délivrer un signal INB inversé par rapport au signal AZB_X. Ainsi, comme représenté à la , le signal INB peut être à 1,8V lorsque le signal AZB_X est à 0V, et à 0V lorsque le signal AZB_X est à 1,8V.
L’élément capacitif CAPA2 comprend une première borne connectée à la sortie de la porte inverseuse INV2, et une deuxième borne connectée à un drain du premier transistor M21 et à une source du deuxième transistor M22.
L’élément capacitif CAPA2 permet d’obtenir une tension à -0,9V au niveau de la deuxième borne de l’élément capacitif CAPA2 lorsque la tension du signal IN est à 1,8V.
Le premier transistor M21 est un transistor de type PFET.
Le premier transistor M21 présente un drain connecté à la deuxième borne de l’élément capacitif, une grille configurée pour recevoir le signal AZB_X, et une source configurée pour recevoir la tension VCM de mode commun.
Par exemple, la tension VCM de mode commun est égale à 0,9V.
Le transistor M21 est passant lorsque le signal AZB_X est à 0V. Ainsi, le transistor M21 permet d’obtenir une tension au niveau du drain de ce transistor M21 égale à la tension VCM, c’est-à-dire 0,9V, lorsque le signal AZB_X est à 0V.
Ainsi, le signal NET au niveau du drain du transistor M21 présente une tension comprise entre -0,9V et 0,9V. En particulier, cette tension est à 0,9V lorsque la tension du signal AZB_X est à 0, et est à -0,9V lorsque la tension du signal AZB_X est à 1,8V.
Le deuxième transistor M22 est un transistor de type NFET (transistor MOSFET à canal N).
Le deuxième transistor M22 présente une source connectée au drain du premier transistor M21 et à la deuxième borne de l’élément capacitif CAPA2.
Le deuxième transistor M22 présente également une grille configurée pour recevoir le signal AZB_X, et un drain connecté à une sortie OUT configurée pour délivrer un signal adapté AZ_SHIFT de commande.
Le deuxième transistor M22 est passant lorsque le signal AZB_X est à 1,8V. Ainsi, le transistor M21 permet d’obtenir une tension du signal adapté AZ_SHIFT de commande en sortie du circuit d’amorçage CA2 égale à -0,9V lorsque le signal AZB_X est à 1,8V.
Le transistor M23 est un transistor de type PFET.
Le troisième transistor M23 présente une source connectée à la sortie de la porte inverseuse, une grille configurée pour recevoir le signal IN, et un drain connecté à la sortie OUT.
Le troisième transistor M23 est passant lorsque le signal AZB_X est à 0V. Ainsi, le transistor M21 permet d’obtenir une tension du signal adapté AZ_SHIFT de commande en sortie du circuit d’amorçage CA2 égale à 1,8V lorsque le signal AZB_X est à 0V.
Ainsi, la tension du signal adapté AZ_SHIFT de commande en sortie du circuit d’amorçage est comprise entre -0,9V et 1,8V. En particulier, la tension du signal adapté AZ_SHIFT de commande en sortie du circuit d’amorçage est à 1,8V lorsque la tension du signal AZB_X est à 0V, et est à -0,9V lorsque la tension du signal AZB_X est à 1,8V.
Une telle tension permet d’obtenir une tension grille-source négative sur le commutateur auto-zéro AZS. Cela permet de réduire les pertes du commutateur auto-zéro, notamment pendant la durée d’intégration.
En outre, l’application d’une tension à 1,8V pour la commande du commutateur auto-zéro AZS permet un meilleur fonctionnement de ce commutateur auto-zéro AZS.
La illustre un appareil APP comportant un capteur de lumière ambiante ALS tel que décrit précédemment. Par exemple, l’appareil peut être un smartphone ou un ordinateur portable.

Claims (8)

  1. Capteur de lumière ambiante comprenant :
    - une photodiode (PHD) configuré pour générer un signal électrique en fonction d’une lumière ambiante,
    - un amplificateur à transimpédance à rétroaction capacitive (CTIA) connecté en entrée à la photodiode (PHD) pour recevoir un signal généré par la photodiode et pour générer en sortie un signal amplifié à partir du signal généré par la photodiode (PHD),
    - un commutateur auto-zéro (AZS) en entrée de l’amplificateur à transimpédance à rétroaction capacitive, et
    - un circuit de commande (CC) comprenant un circuit d’amorçage (CA) configuré pour :
    ○ recevoir un signal logique initial de commande (AZB_X) à tension positive ou nulle, puis
    ○ générer, à partir de ce signal logique initial de commande, un signal logique adapté de commande (AZ_SHIFT) présentant un premier niveau de tension positif et un deuxième niveau de tension négatif pour commander le commutateur auto-zéro (AZS).
  2. Capteur selon la revendication 1, dans lequel le circuit d’amorçage (CA) comprend :
    - une porte inverseuse (INV1, INV2) configurée pour recevoir le signal logique initial de commande (AZB_X),
    - un élément capacitif (CAPA1, CAPA2) présentant une première borne connectée à une sortie de la porte inverseuse,
    - un premier transistor (M11, M21) de type PFET présentant une grille configurée pour recevoir le signal logique initial de commande, un drain connecté à la deuxième borne de l’élément capacitif (CAPA1, CAPA2) et une source configurée pour recevoir une tension de mode commun,
    - une sortie (OUT) reliée à la deuxième borne de l’élément capacitif (CAPA1, CAPA2) et au drain du premier transistor (M11, M21) et configurée pour délivrer le signal logique adapté de commande (AZ_SHIFT) au commutateur auto-zéro (AZS).
  3. Capteur selon la revendication 2, dans lequel le signal logique initial de commande (AZB_X) présente un premier niveau à 1,8V et un deuxième niveau à 0V, et le signal logique adapté de commande (AZ_SHIFT) présente un premier niveau positif à 0,9V lorsque le signal logique initial de commande (AB_X) est à 0V, et un deuxième niveau négatif à -0,9V, lorsque le signal logique initial de commande (AZB_X) est à 1,8V.
  4. Capteur selon la revendication 2, dans lequel le circuit d’amorçage (CA) comprend en outre :
    - un deuxième transistor (M22) de type NFET présentant une source connectée à la deuxième borne de l’élément capacitif, une grille configurée pour recevoir le signal logique initial de commande et un drain reliée à la sortie du circuit d’amorçage, de sorte que la sortie du circuit d’amorçage est reliée à la deuxième borne de l’élément capacitif et au drain du premier transistor par l’intermédiaire du deuxième transistor,
    - un transistor (M23) de type PFET présentant une source reliée à la sortie de la porte inverseuse, une grille configurée pour recevoir le signal logique initial de commande et un drain relié à la sortie du circuit d’amorçage.
  5. Capteur selon la revendication 4, dans lequel le signal logique initial de commande (AZB_X) présente un premier niveau à 1,8V et un deuxième niveau à 0V, et le signal logique adapté de commande (AZ_SHIFT) présente un premier niveau positif à 1,8V lorsque le signal logique initial de commande (AB_X) est à 0V, et un deuxième niveau négatif à -0,9V, lorsque le signal logique initial de commande (AZB_X) est à 1,8V.
  6. Capteur selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’amplificateur à transimpédance à rétroaction capacitive (CTIA) comprend un amplificateur opérationnel (AOP) comportant une entrée inverseuse connectée à la photodiode (PHD) et une entrée non inverseuse connectée à un point froid (GND), le commutateur auto-zéro (AZS) présentant une première borne connectée à l’entrée inverseuse de cet amplificateur opérationnel et une deuxième borne connectée à l’entrée non inverseuse de cet amplificateur opérationnel.
  7. Capteur selon la revendication 6, dans lequel l’amplificateur à transimpédance à rétroaction capacitive (CTIA) comprend un élément capacitif (CAP2) présentant une première borne reliée à une sortie de l’amplificateur opérationnel (AOP), et une deuxième borne reliée à l’entrée inverseuse de l’amplificateur opérationnel (AOP).
  8. Appareil comportant un capteur de lumière ambiante (ALS) selon l’une des revendications 1 à 7.
FR2105221A 2021-05-19 2021-05-19 Capteur de lumiere ambiante Pending FR3123121A1 (fr)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR2105221A FR3123121A1 (fr) 2021-05-19 2021-05-19 Capteur de lumiere ambiante
US17/663,915 US11713998B2 (en) 2021-05-19 2022-05-18 Ambient light sensor and method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR2105221 2021-05-19
FR2105221A FR3123121A1 (fr) 2021-05-19 2021-05-19 Capteur de lumiere ambiante

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR3123121A1 true FR3123121A1 (fr) 2022-11-25

Family

ID=77226872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR2105221A Pending FR3123121A1 (fr) 2021-05-19 2021-05-19 Capteur de lumiere ambiante

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11713998B2 (fr)
FR (1) FR3123121A1 (fr)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3123121A1 (fr) * 2021-05-19 2022-11-25 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Capteur de lumiere ambiante
CN117097339A (zh) * 2023-10-20 2023-11-21 南京天易合芯电子有限公司 一种具有高性能动态环境光抑制的接近光检测传感器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004043062A1 (fr) * 2002-11-07 2004-05-21 Xenics N.V. Circuit de lecture de detecteurs infrarouges
US20090009642A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Atul Joshi Fast-settling line driver design for high resolution video IR and visible imagers
EP2015439A2 (fr) * 2007-07-12 2009-01-14 Hitachi Ltd. Circuit de commande et onduleur pour dispositif de semi-conducteur à commande de tension
US20130193948A1 (en) * 2012-01-26 2013-08-01 Jae Sup Lee Low power circuit for reducing leakage power using negative voltage
US20200386617A1 (en) * 2017-12-21 2020-12-10 Ams International Ag Method to operate an optical sensor arrangement with improved offset correction and optical sensor arrangement

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4884039A (en) * 1988-09-09 1989-11-28 Texas Instruments Incorporated Differential amplifier with low noise offset compensation
US6049246A (en) * 1998-12-11 2000-04-11 Vivid Semiconductor, Inc. Amplifier offset cancellation using current copier
KR100511894B1 (ko) * 2000-08-18 2005-09-02 매그나칩 반도체 유한회사 오프셋 보정회로
US6803555B1 (en) * 2001-09-07 2004-10-12 Indigo Systems Corporation Two-stage auto-zero amplifier circuit for electro-optical arrays
US7525472B2 (en) * 2006-12-27 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Integration type and converter and device including same
US7642846B2 (en) * 2007-10-30 2010-01-05 Aptina Imaging Corporation Apparatuses and methods for providing offset compensation for operational amplifier
US9300259B2 (en) * 2012-04-04 2016-03-29 Ams Ag Sensor amplifier arrangement and method for amplification of a sensor signal
US9245650B2 (en) * 2013-03-15 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
GB201408082D0 (en) * 2014-05-07 2014-06-18 St Microelectronics Res & Dev Photosensor arrangements
US9614623B2 (en) * 2015-08-25 2017-04-04 Fujitsu Limited High bandwidth photodetector current replicator
WO2019060461A1 (fr) * 2017-09-19 2019-03-28 The Regents Of University Of California Frontal de mesure de courant de gamme dynamique étendue
US11067439B2 (en) * 2018-12-21 2021-07-20 Omni Design Technologies Inc. Photo receiver circuits
US11112303B2 (en) * 2019-02-15 2021-09-07 Semiconductor Components Industries, Llc Measurement circuit and method therefor
US11108404B1 (en) * 2020-07-22 2021-08-31 Analog Devices, Inc. Low noise integrated circuit techniques
FR3123121A1 (fr) * 2021-05-19 2022-11-25 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Capteur de lumiere ambiante

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004043062A1 (fr) * 2002-11-07 2004-05-21 Xenics N.V. Circuit de lecture de detecteurs infrarouges
US20090009642A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Atul Joshi Fast-settling line driver design for high resolution video IR and visible imagers
EP2015439A2 (fr) * 2007-07-12 2009-01-14 Hitachi Ltd. Circuit de commande et onduleur pour dispositif de semi-conducteur à commande de tension
US20130193948A1 (en) * 2012-01-26 2013-08-01 Jae Sup Lee Low power circuit for reducing leakage power using negative voltage
US20200386617A1 (en) * 2017-12-21 2020-12-10 Ams International Ag Method to operate an optical sensor arrangement with improved offset correction and optical sensor arrangement

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SCHONLE PHILIPP ET AL: "A power-efficient multi-channel PPG ASIC with 112dB receiver DR for pulse oximetry and NIRS", 2017 IEEE CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE (CICC), IEEE, 30 April 2017 (2017-04-30), pages 1 - 4, XP033130633, DOI: 10.1109/CICC.2017.7993704 *

Also Published As

Publication number Publication date
US11713998B2 (en) 2023-08-01
US20220373388A1 (en) 2022-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR3123121A1 (fr) Capteur de lumiere ambiante
EP2458849B1 (fr) Circuit de détection à double échantillonnage corrélé avec circuit d'anti-éblouissement amélioré
FR2771227A1 (fr) Amplificateur differentiel integre a reponse lineaire
FR2681991A1 (fr) Recepteur differentiel, amplificateur differentiel et procede pour la reception de tensions d'alimentation differentes dans le recepteur differentiel.
FR2551555A1 (fr) Detecteur de l'intensite d'un signal, notamment radioelectrique, et circuit le comprenant
EP1826905A1 (fr) Dispositif électronique de pilotage d'une charge externe dont la pente du signal de sortie est indépendante de la capacité de la charge externe et composant intégré correspondant
EP0022015B1 (fr) Dispositif amplificateur et procédé d'amplification pour audio-fréquences
FR2803158A1 (fr) Capteur d'image cmos destine a offrir une plage dynamique plus etendue
EP0308293B1 (fr) Dispositif de commande de la puissance de sortie d'un amplificateur fonctionnant en classe C
FR2582169A1 (fr) Appareil amplificateur
FR2691306A1 (fr) Amplificateur avec limitation de courant de sortie.
FR3082016A1 (fr) Procede de generation d'un courant de polarisation d'une paire differentielle de transistors et circuit integre correspondant
FR2562356A1 (fr) Circuit d'interface attenuateur de bruit pour generateurs de signaux d'horloge a deux phases non superposees
FR2503956A1 (fr) Amplificateur tampon
EP1313309A1 (fr) Dispositif de calibrage pour un étage d'entrée vidéo
FR2980321A1 (fr) Detecteur de courant autorisant une large plage de tension d'alimentation
FR2539932A1 (fr) Dispositif de compensation des derives du gain en temperature, d'un amplificateur de signaux electriques hyperfrequences
EP0050583B1 (fr) Convertisseur d'une tension alternative en un courant continu et circuit d'oscillateur comportant ce convertisseur
EP0305301B1 (fr) Circuit compresseur de signal, en particulier pour appareil téléphonique
EP1931030A1 (fr) Préamplificateur de courant et comparateur de courant associé
FR3041838A1 (fr) Circuit electronique elementaire pour etage d'amplification ou de recopie de signaux analogiques
FR2677823A1 (fr) Dispositif amplificateur.
FR2653951A1 (fr) Convertisseur de niveau.
FR2957732A1 (fr) Etage de sortie d'un circuit electronique
EP0633577B1 (fr) Convertisseur charge-tension à rétroaction commandée

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 2

PLSC Publication of the preliminary search report

Effective date: 20221125

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 3