FR3120489A1 - Dispositif capteur à ondes acoustiques à deux ports - Google Patents
Dispositif capteur à ondes acoustiques à deux ports Download PDFInfo
- Publication number
- FR3120489A1 FR3120489A1 FR2102073A FR2102073A FR3120489A1 FR 3120489 A1 FR3120489 A1 FR 3120489A1 FR 2102073 A FR2102073 A FR 2102073A FR 2102073 A FR2102073 A FR 2102073A FR 3120489 A1 FR3120489 A1 FR 3120489A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- acoustic wave
- sensor device
- wave sensor
- layer
- quartz material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 69
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 23
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 10
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 claims description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000008542 thermal sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000017105 transposition Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K11/00—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
- G01K11/22—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using measurement of acoustic effects
- G01K11/26—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using measurement of acoustic effects of resonant frequencies
- G01K11/265—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using measurement of acoustic effects of resonant frequencies using surface acoustic wave [SAW]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
- G01N29/24—Probes
- G01N29/2437—Piezoelectric probes
- G01N29/2443—Quartz crystal probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
- G01N29/24—Probes
- G01N29/2462—Probes with waveguides, e.g. SAW devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02102—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02551—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of quartz substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
- H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
- H03H9/6459—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
- H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
- H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
- H03H9/6476—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes the tracks being electrically parallel
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6486—Coupled resonator filters having crossing or intersecting acoustic tracks, e.g. intersection in a perpendicular or diagonal orientation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/01—Indexing codes associated with the measuring variable
- G01N2291/014—Resonance or resonant frequency
Abstract
La présente invention concerne un dispositif capteur à ondes acoustiques comprenant une surface de couche de matériau de quartz ; agencés le long d’un premier axe, un premier transducteur interdigité formé au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz, une première structure de réflexion formée au-dessus de la surface plane de la couche de matériau, et une deuxième structure de réflexion formée au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz ; et agencés le long d’un second axe, un second transducteur interdigité formé au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz, une troisième structure de réflexion formée au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz, et une quatrième structure de réflexion formée au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz ; et dans lequel le premier axe et le second axe sont inclinés l’un par rapport à l’autre selon un angle fini. Figure pour l’abrégé : Figure 2
Description
La présente invention concerne des capteurs du type à ondes acoustiques et, en particulier, un dispositif capteur à ondes acoustiques à deux ports comprenant deux transducteurs avec des structures de réflexion correspondantes.
Les capteurs sont de plus en plus importants et deviennent de plus en plus omniprésents dans la vie de tous les jours. Les systèmes micro-électromécaniques (MEMS) sont une option attrayante pour répondre à la demande de performances accrues des capteurs avec des tailles et des coûts réduits. Les capteurs à ondes acoustiques de surface (SAW), et dans une moindre mesure les capteurs à ondes acoustiques en volume (BAW) ou les capteurs acoustiques à ondes de Lamb ou à ondes de Love, offrent des options particulièrement avantageuses en raison d’une grande variété de paramètres ambiants mesurables, notamment une température, une pression, une contrainte et un couple, ainsi qu’une accélération ou une vibration en fréquence d’une partie vibrante, par exemple.
Des capteurs à ondes acoustiques utilisent l’effet piézoélectrique pour convertir un signal électrique en une onde mécanique/acoustique. Les capteurs à base de SAW sont construits sur des matériaux piézoélectriques monocristallins tels que du quartz (SiO2), du niobate de lithium (LiNbO3), du tantalate de lithium (LiTaO3), du langasite (LGS) ou des matériaux piézoélectriques polycristallins comme du nitrure d'aluminium (AlN) ou de l’oxyde de zinc (ZnO), en particulier, déposés sur du silicium, ou même sur un matériau composite de type piézoélectrique-sur-isolant (POI) comprenant une couche de matériau piézoélectrique, en particulier un matériau monocristallin, tel que par exemple du tantalate de lithium ou du niobate de lithium, lié à un substrat de support comme par exemple du silicium, si nécessaire au moyen d'une couche de liaison, comme par exemple une couche d'oxyde de silicium (en général, toute combinaison d'un matériau piézoélectrique monocristallin avec des substrats non piézoélectriques peut être utilisée pour leurs propriétés spécifiques comme la stabilité thermique ou la qualité acoustique).
Dans le cas d’un capteur à ondes acoustiques de surface, un transducteur interdigité (IDT) convertit l'énergie électrique du signal électrique en énergie d’onde acoustique. L'onde acoustique se propage à travers la surface (ou le volume) d'un substrat de dispositif via ce que l’on nomme une ligne à retard jusqu'à un autre transducteur, en particulier un IDT, qui reconvertit l'onde acoustique en un signal électrique pouvant être détecté. Dans certains dispositifs, des absorbeurs mécaniques et/ou réflecteurs sont fournis pour empêcher des motifs d’interférence et pour réduire une perte d'insertion. Dans certains dispositifs, l'autre IDT (de sortie) est remplacé par un réflecteur qui réfléchit l'onde acoustique générée en arrière vers l'IDT (d'entrée) qui peut être couplé à une antenne pour une interrogation à distance du dispositif capteur. Avantageusement, les mesures peuvent être effectuées de manière complètement passive, c'est-à-dire que le capteur ne doit pas être alimenté par une source d'alimentation.
Une classe particulière de capteurs à ondes acoustiques comprend des résonateurs présentant des fréquences de résonance qui varient selon des conditions ambiantes variables. La illustre un exemple de capteur à ondes acoustiques résonant. Le résonateur à ondes acoustiques de surface comprend un transducteur électroacoustique interdigité IDT avec des électrodes en peigne interdigitées C et C’ agencées entre des miroirs de Bragg M. Les électrodes en peigne sont établies à des potentiels opposés +V et –V, respectivement. La géométrie d’électrode est définie par le pas p, c’est-à-dire la fréquence de répétition spatiale des électrodes entrelacées C et C’ dans la direction de la propagation des ondes acoustiques de surface excitées, les longueurs des espaces entre les électrodes C et C’ dans la direction perpendiculaire à la direction de propagation des ondes acoustiques de surface excitées, les longueurs de la région d’ouverture acoustique données par les longueurs des électrodes C et C’ entre les intervalles et les largeurs a des électrodes C et C’ déterminant ce que l’on nomme le rapport de métallisation a/p. L'IDT peut fonctionner dans des conditions de Bragg où la longueur d'onde λ de l'onde acoustique de surface excitée est égale à deux fois le pas p, par exemple.
À la fréquence de résonance, la condition de synchronisme entre les réflecteurs est satisfaite, en permettant ainsi une addition cohérente des différentes réflexions qui surviennent sous les réflecteurs. Un maximum d'énergie acoustique est observé à l’intérieur de la cavité de résonance et, d'un point de vue électrique, un maximum d'amplitude du courant admis par le transducteur est observé. En principe, les capteurs à ondes acoustiques différentiels peuvent comprendre deux résonateurs ou plus présentant des fréquences de résonance différentes ou un résonateur fonctionnant en multimode (plusieurs fréquences de résonance), où des différences dans les fréquences mesurées reflètent des variations dans les paramètres ambiants qui doivent être mesurés (le mesurande), comme par exemple une température, une pression ou une contrainte.
Cependant, malgré les progrès d’ingénierie récents, l’ensemble du processus d’interrogation, dans lequel un dispositif d’interrogation transmet un signal radiofréquence (RF) approprié qui est reçu par le capteur à ondes acoustiques via une antenne de réception et converti par un transducteur en une onde acoustique de surface (ou une onde en volume, dans le cas de dispositifs du type capteur à ondes acoustiques en volume) qui est convertie en un signal RF étant transmis à nouveau via une antenne de transmission et reçu et analysé par le dispositif d’interrogation, pose encore des problèmes techniques.
Des mesures différentielles véritables basées sur des sensibilités différentielles appropriées des résonances du ou des résonateurs utilisés par rapport au mesurande doivent être observées avec précision afin d'obtenir des résultats de mesure fiables. Cela impose de fortes exigences en matière de tolérances des processus de production et de reproductibilité de propriétés physiques d’une tranche à une autre. De plus, tout mouvement relatif entre le dispositif capteur et le dispositif d’interrogation peut fortement affecter les résultats de mesure en raison de la liaison RF formée par le dispositif capteur et le dispositif d’interrogation de manière inductive, capacitive, ou rayonnante. D'autres influences environnementales, telles que des changements de température, dans l'environnement de mesure ont également une incidence sur la fiabilité des résultats de mesure.
Par conséquent, un but de la présente invention est de fournir un capteur à ondes acoustiques qui permet un rapport signal/bruit accru et des résultats de mesure plus fiables par comparaison à des dispositifs capteurs à ondes acoustiques de la technique antérieure.
La présente invention permet d’atteindre le but mentionné ci-dessus en fournissant un dispositif capteur à ondes acoustiques (deux ports) (représentant un dipôle d'un point de vue purement électrique), comprenant
une couche de matériau de quartz (consistant en ou comprenant un matériau de quartz) comprenant une surface plane (supérieure) ;
agencés le long d’un premier axe, un premier transducteur interdigité formé au-dessus de (ou sur) la surface plane de la couche de matériau de quartz, une première structure de réflexion formée au-dessus de (ou sur) la surface plane de la couche de matériau de quartz, et une deuxième structure de réflexion formée au-dessus de (ou sur) la surface plane de la couche de matériau de quartz ; et
agencés le long d’un second axe, un second transducteur interdigité formé au-dessus de (ou sur) la surface plane de la couche de matériau de quartz, une troisième structure de réflexion formée au-dessus de (ou sur) la surface plane de la couche de matériau de quartz, et une quatrième structure de réflexion formée au-dessus de (ou sur) la surface plane de la couche de matériau de quartz ;
et dans lequel
le premier axe et le second axe sont inclinés l'un par rapport à l'autre selon un angle fini (c'est-à-dire que les deux axes ne sont pas agencés parallèlement l'un à l'autre).
La surface plane de la couche de matériau de quartz est définie par une coupe cristalline d’un matériau de quartz de la couche de matériau de quartz avec des angles φ dans la plage de -14° à -24°, θ dans la plage de -25° à -45° et ψ dans la plage de +8° à +28°, en particulier φ dans la plage de -17° à -22°, θ dans la plage de -30° à -40° et ψ dans la plage de +10° à +25°, et plus particulièrement φ dans la plage de -19° à -21°, θ dans la plage de -33° à -39° et ψ dans la plage de +15° à +25°. En particulier, les angles de la coupe cristalline peuvent être φ = -20°, θ = -36° et ψ = 15° à 25°, en particulier 17°.
Il faut noter que la définition ci-dessus équivaut à des angles φ dans la plage de +14° à +24°, θ dans la plage de -25° à -45° et ψ dans la plage de -8° à -28°, selon des conditions de symétrie pour des coupes cristallines tournées autour de l'axe Z (c'est-à-dire des angles φ et ψ non nuls pour une coupe cristalline donnée). Plus explicitement, il est possible d’établir selon des règles de symétrie qu’une coupe (YXwlt)/+φ/+θ/+ψ équivaut à une coupe (YXwlt)/-φ/+θ/-ψ.
Les angles définissant la coupe cristalline et, par conséquent, la surface plane, sont définis conformément aux normes IEEE 176 1949 sur les cristaux piézoélectriques, 1949 du 12/12/1949 (voir également la description détaillée ci-dessous). Le cristal de quartz peut avoir un plan de coupe (X’’, Z’’) défini par rapport au plan de coupe (X, Z) et dans un système de référence (X’’, Y’’, Z’’), où X, Y, Z sont des axes cristallographiques de quartz, une direction de propagation des ondes étant définie le long d’un axe X’’’, un premier plan de coupe (X’, Z’) étant défini par rotation selon un angle φ autour de l’axe Z du plan (X, Z) de manière à définir un premier système de référence (X’, Y’, Z’) avec un axe Z’ identique à l’axe Z, un second plan de coupe (X’’, Z’’) étant défini par rotation selon un angle θ autour de l’axe X’ du plan (X’, Z’) de manière à définir un second système de référence (X’’, Y’’, Z’’) avec l’axe X’’ étant identique à l’axe X’, la direction de propagation de long de l’axe X’’’ étant définie par rotation selon un angle ψ de l’axe X’’, dans le plan (X’’, Z’’) autour de l’axe Y’’, où selon la présente divulgation : φ est dans la plage de -14° à -24°, θ dans la plage de -25° à -45° et ψ dans la plage de +8° à +28°.
La couche de matériau de quartz peut être un substrat massif de quartz ou une couche de quartz formée sur un substrat massif non piézoélectrique. Dans le dernier cas, le substrat massif non piézoélectrique peut être un substrat de silicium, et comprendre facultativement sur sa surface une couche que l'on appelle riche en pièges (par exemple fournie par une couche de silicium polycristallin). La couche riche en pièges permet de réduire la perte d’insertion et de réduire la perte RF du fait d'un piégeage de charge électrique induit au niveau de l'interface avec le substrat de silicium. Il peut s’agir également un substrat de saphir qui est très intéressant pour maximiser le facteur de qualité de la résonance en minimisant lesdites pertes viscoélastiques dans le substrat. Le saphir est connu comme étant l’un des matériaux les plus avantageux selon cet aspect (avec des grenats d’yttrium, et plus particulièrement un grenat d'yttrium-aluminium-YAG).
L'angle fini défini entre les premier et second axes peut-être dans la plage de 1° à 10°, en particulier de 1° à 6°, plus particulièrement de 2° à 4°. L’angle fini entre les premier et second axes a pour résultat des directions de propagation différentes des ondes acoustiques (de surface) générées, qui résultent bien sûr en des fréquences de résonance différentes.
Ici, le premier transducteur, la première structure de réflexion et la deuxième structure de réflexion sont considérés comme un premier résonateur, et le second transducteur, la troisième structure de réflexion et la quatrième structure de réflexion sont considérés comme un second résonateur. Des expériences ont prouvé que la combinaison de la couche de matériau de quartz décrite sous la forme d'une couche piézoélectrique et de la configuration inclinée du dispositif capteur à ondes acoustiques (résonateurs) à deux ports permet d'obtenir des résultats de mesure particulièrement précis (voir également la description détaillée ci-dessous). En particulier, les premier et second résonateurs peuvent être formés très similaires l'un à l'autre par rapport à la conception et aux propriétés physiques. Ils peuvent présenter des sensibilités thermiques très similaires, mais avec des coefficients de fréquence de température (TCF) de premier ordre suffisamment différents pour fournir une sensibilité de température différentielle linéaire. Ainsi, selon un mode de réalisation, les premier et second transducteurs interdigités ont le même nombre d'électrodes et/ou le même rapport de métallisation et/ou la même ouverture et/ou le même caractère effilé et/ou les mêmes longueurs d'électrode. Il peut être avantageux d'avoir différentes périodes (distances de séparation entre des électrodes individuelles) pour les premier et second transducteurs afin d'obtenir des différences importantes (amélioration des différences provoquée par l'angle fini entre les premier et second axes) dans les fréquences de résonance des premier et second résonateurs. En principe, la sensibilité différentielle des mesures peut être augmentée en utilisant deux résonateurs connectés l'un à l'autre en série ou en parallèle par comparaison à l'utilisation d'un dispositif capteur à ondes acoustiques à un seul port.
Au moins l'une des première, deuxième, troisième et quatrième structures de réflexion du dispositif capteur à ondes acoustiques de la présente invention comprend ou consiste en un miroir de Bragg. De telles structures de réflexion peuvent être formées facilement et peuvent fournir une réflectivité élevée. Par exemple, l'ensemble des première, deuxième, troisième et quatrième structures de réflexion du dispositif capteur à ondes acoustiques de la présente invention comprend ou est constitué de miroirs de Bragg respectifs. Dans ce cas, tous les miroirs de Bragg peuvent avoir le même nombre et/ou les mêmes longueurs d'électrode. En outre, dans ce cas, les électrodes de chacun des miroirs de Bragg peuvent, respectivement, être connectées les unes aux autres ou mises à la terre (reliées à la terre) ou elles peuvent ne pas être connectées les unes aux autres ni mises à la terre. La sélection de la configuration peut être motivée par la possibilité de moduler légèrement la valeur réelle du coefficient de réflexion pour optimiser le coefficient de qualité de résonateur, l’isolation ou même des paramètres thermiques. Les structures peuvent comprendre un ou plusieurs intervalles pour maximiser les coefficients de qualité des résonateurs ou pour optimiser le fonctionnement du dispositif sur un point de fonctionnement donné, par exemple pour forcer le résonateur à fonctionner au milieu de la bande d'arrêt du miroir de Bragg, pour corriger des effets de directivité (résonance divisée entre le début et la fin de la bande d'arrêt qui n'est pas un point de fonctionnement favorable) ou pour favoriser le fonctionnement en anti-résonance au lieu d'en résonance avec des dimensions d’IDT inférieures à celles nécessaires pour des résonateurs sans intervalle.
Selon un autre mode de réalisation, au moins l’une des première, deuxième, troisième et quatrième structures de réflexion comprend une rainure ou une structure de réflexion de bord ou un réflecteur court ne comprenant pas plus de trois électrodes. L’homme du métier saura comment ajuster la profondeur de la rainure ou l’épaisseur des électrodes des miroirs de Bragg pour fournir un coefficient de réflexion dépassant par exemple 20 %, qui peut être obtenu pour une orientation cristalline, une polarisation d'onde et une nature d'électrode données.
Selon un mode de réalisation, les première et deuxième structures de réflexion sont agencées adjacentes au premier transducteur interdigité et les troisième et quatrième structures de réflexion sont agencées adjacentes au second transducteur interdigité (c'est-à-dire que les structures de réflexion définissent les régions de résonance). En variante, a) une première cavité de résonance est formée entre le premier transducteur interdigité et la première structure de réflexion, et une deuxième cavité de résonance est formée entre le premier transducteur interdigité et la deuxième structure de réflexion, et b) une troisième cavité de résonance est formée entre le second transducteur interdigité et la troisième structure de réflexion, et une quatrième cavité de résonance est formée entre le second transducteur interdigité et la quatrième structure de réflexion. Les cavités de résonance comprennent des parties de la surface plane supérieure de la couche de matériau de quartz.
Une surface supérieure de la deuxième cavité de résonance peut comprendre une modification physique et/ou chimique par comparaison à une surface supérieure de la première cavité de résonance. Une surface supérieure de la quatrième cavité de résonance peut comprendre une modification physique et/ou chimique par comparaison à une surface supérieure de la troisième cavité de résonance. Par exemple, la modification physique et/ou chimique comprend une couche de métallisation ou une couche de passivation formée sur la surface supérieure de la deuxième cavité de résonance.
La couche de métallisation peut comprendre ou consister en au moins un parmi AlCu et Ti, et la couche de passivation peut comprendre ou consister, mais sans y être limitée, en au moins un parmi Si3N4, Al2O3, AlN, Ta2O5et SiO2. La couche de métallisation peut être réalisée en le même matériau que les électrodes du premier transducteur (et ainsi peut être formée durant la même étape de traitement que celle utilisée pour former les électrodes). Si des miroirs de Bragg sont utilisés comme structures de réflexion, ils peuvent être réalisés en le même matériau métallique que celui utilisé pour la formation de la couche de métallisation et/ou des électrodes du premier transducteur.
Une autre option pour modifier physiquement une surface supérieure des deuxième et quatrième cavités de résonance comprend une mise en retrait de la surface de la deuxième cavité de résonance par rapport à la surface supérieure de la première cavité de résonance, et une mise en retrait de la surface de la quatrième cavité de résonance par rapport à la surface supérieure de la troisième cavité de résonance.
Une surface supérieure de la première (troisième) cavité de résonance peut également être soumise à une modification physique et/ou à un traitement tel que décrit ci-dessus, mais d'une manière différente par comparaison à la surface de la deuxième (quatrième) cavité de résonance.
La modification de l’une des première (troisième) et deuxième (quatrième) surfaces supérieures des cavités de résonance par une couche de métallisation ou une couche de passivation peut avoir pour résultat que les caractéristiques de propagation d’ondes acoustiques générées par le transducteur interdigité diffèrent dans la deuxième (quatrième) cavité de résonance par rapport à celles dans la première (troisième) cavité de résonance. Ainsi, un dispositif capteur différentiel très fiable et sensible peut être fourni. Sans modification, les première et deuxième surfaces supérieures sont des surfaces libres (exposées), en particulier des surfaces libres d’une couche piézoélectrique de couche de matériau de quartz.
Dans la totalité des exemples décrits ci-dessus, les longueurs d'extension de la première cavité de résonance et de la deuxième cavité de résonance peuvent différer l'une de l'autre, et les longueurs d'extension de la troisième cavité de résonance et de la quatrième cavité de résonance peuvent différer l’une de l'autre pour séparer plus clairement les réponses spectrales des résonances de la première cavité de résonance et de la deuxième cavité de résonance, et ainsi des premier et second résonateurs, l'une de l'autre.
Selon des modes de réalisation particuliers, dans la totalité des exemples décrits ci-dessus, les premier et second transducteurs interdigités peuvent respectivement être divisés en deux parties, et des structures de réflexion supplémentaires peuvent être positionnées entre les deux parties respectives des transducteurs. Une telle configuration peut être avantageuse dans des situations de fonctionnement en ce sens que les coefficients de réflexion des premier et second transducteurs ne sont pas assez élevés pour permettre une séparation suffisamment nette entre les résonances des premier et second résonateurs. La première partie du premier (second) transducteur interdigité comprend un premier nombre d’électrodes, et la seconde partie du premier (second) transducteur interdigité comprend un second nombre d'électrodes, et le premier nombre d'électrodes peut être différent du second nombre. De plus ou en variante, les longueurs d’au moins certaines des électrodes du premier nombre d’électrodes peuvent être différentes des longueurs d’au moins certaines des électrodes du second nombre d’électrodes (c’est-à-dire les longueurs des deux transducteurs dans une direction perpendiculaire à la direction de déplacement des ondes acoustiques de surface). En outre, les ouvertures des première et seconde parties du premier (second) transducteur peuvent être mutuellement différentes. Par l'intermédiaire de telles approches, un réglage fin est rendu possible pour compenser des pertes intrinsèques provoquées par la couche de métallisation ou de passivation du fait de changements de diffusion et de vitesse d'onde, d'un changement de conditions de résonance optimales, etc.
De plus, des cavités de résonance en cascade peuvent être formées dans le dispositif capteur à ondes acoustiques selon l'un des modes de réalisation décrits ci-dessus afin de réduire le nombre de résonances pour arriver à des résultats de mesure uniques. Ainsi, le dispositif capteur à ondes acoustiques selon l’un des exemples décrits ci-dessus peut être configuré de telle sorte que les première et troisième cavités de résonance comprennent des premières sous-cavités séparées les unes des autres par des sous-structures de réflexion des première et troisième structures de réflexion, respectivement, et les deuxième et quatrième cavités de résonance comprennent des sous-cavités de résonance séparées les unes des autres par des sous-structures de réflexion des deuxième et quatrième structures de réflexion, respectivement. Chacune des sous-structures de réflexion peut être constituée d'électrodes allongées agencées parallèlement les unes aux autres.
De manière générale, le dispositif capteur à ondes acoustiques selon l’un des exemples décrits ci-dessus peut être un dispositif capteur à ondes acoustiques de surface passif configuré pour détecter un paramètre ambiant, par exemple un parmi une température, une espèce chimique, une contrainte, une pression ou un couple d'un axe de rotation.
En outre, un système est prévu pour surveiller/mesurer un paramètre ambiant, par exemple une température, un niveau de contrainte, une pression ou un niveau de couple d’un axe de rotation, une espèce chimique, etc., qui comprend un dispositif d’interrogation et un dispositif capteur à ondes acoustiques et/ou un ensemble capteur à ondes acoustiques selon l’un des modes de réalisation décrits ci-dessus qui est couplé en communication avec le dispositif d'interrogation.
Le dispositif d’interrogation pour interroger un capteur à ondes acoustiques peut comprendre une antenne de transmission configurée pour transmettre un signal d’interrogation RF au dispositif capteur à ondes acoustiques, une antenne de réception configurée pour recevoir un signal de réponse RF en provenance du dispositif capteur à ondes acoustiques et peut également comprendre une antenne de transmission/réception et un moyen de traitement pour traiter/analyser le signal de réponse RF afin de déterminer un paramètre ambiant qui doit être détecté.
Des caractéristiques et avantages supplémentaires de la présente invention vont être décrits en référence aux dessins. Dans la description, il est fait référence aux figures annexées destinées à illustrer des modes de réalisation préférés de l'invention. Il est entendu que de tels modes de réalisation ne représentent pas toute la portée de l'invention.
La présente invention fournit des capteurs à ondes acoustiques, en particulier des capteurs SAW passifs, qui sont caractérisés par un rapport signal/bruit, une sensibilité et une fiabilité élevés, en particulier par une robustesse à l'encontre d'influences environnementales et de contraintes résiduelles ne résultant pas de variations du mesurande, et une précision élevée de mesures différentielles. Ces avantages sont en particulier atteints en utilisant une couche de matériau de quartz piézoélectrique qui est caractérisée par une surface plane résultant d’une coupe cristalline définie à des angles φ dans la plage de -14° à -24°, θ dans la plage de -25° à -45° et ψ dans la plage de +8° à +28°, en particulier φ dans la plage de -17° à -22°, θ dans la plage de -30° à -40° et ψ dans la plage de +10° à +25°, et plus particulièrement φ dans la plage de -19° à -21°, θ dans la plage de -33° à -39° et ψ dans la plage de +15° à +25° conformément aux normes IEEE 176 1949 sur les cristaux piézoélectriques, 1949 du 12/12/1949.
Concernant les mesures de température, par exemple, la sensibilité de fréquence de résonance pouvant être obtenue permet une sensibilité de mesure différentielle de plus de 1 ppm par Kelvin avec une sensibilité TCF de second ordre (valeur absolue) inférieure à 10 ppb K-2et même inférieure à 5 ppb K-2, en garantissant ainsi une variation fréquence-température quasi-linéaire sur des plages de température étendues (typiquement des plages de 100 K). Les capteurs à ondes acoustiques peuvent être interrogés par de quelconques dispositifs d’interrogation qui sont configurés pour déterminer un spectre de réponse en provenance d'un capteur à ondes acoustiques interrogé. Le capteur à ondes acoustiques interrogé peut par exemple être un dispositif résonateur, par exemple un capteur SAW différentiel. Il va sans dire que l'invention peut être mise en œuvre dans tout dispositif utilisant des capteurs à ondes acoustiques ou des résonateurs diélectriques, des circuits RLC, etc.
Le dispositif d’interrogation (également appelé unité) interrogeant l’un des dispositifs capteurs à ondes acoustiques de l’invention peut comprendre une antenne de transmission pour transmettre un signal d’interrogation RF au dispositif capteur et une antenne de réception pour recevoir un signal de réponse RF en provenance du dispositif capteur. Le signal d’interrogation RF transmis par l’antenne de transmission peut être généré par un générateur de signal qui peut comprendre un synthétiseur RF ou un oscillateur commandé ainsi que facultativement un certain module de mise en forme de signal fournissant une transposition et/ou une amplification de fréquence appropriée du signal devant être transmis par l’antenne de transmission. Le signal d’interrogation RF généré par le générateur de signal peut être un signal pulsé ou de salve avec une fréquence sélectionnée selon la fréquence de résonance du dispositif capteur à ondes acoustiques. Il convient de noter que l'antenne d’émission et l’antenne de réception peuvent être la même antenne. Dans ce cas, les processus d'émission et de réception peuvent être synchronisés l'un avec l'autre, par exemple par l'intermédiaire d'un commutateur commandé de manière adaptée.
En outre, le dispositif d'interrogation peut comprendre un moyen de traitement connecté à l'antenne de réception. Le moyen de traitement peut comprendre des moyens de filtrage et/ou d’amplification et être configuré pour analyser le signal de réponse RF reçu par l’antenne de réception. Par exemple, le dispositif capteur fonctionne à une fréquence de résonance de 434 MHz ou de 866 MHz ou de 915 MHz ou de 2,45 GHz (lesdites bandes ISM).
Le dispositif d’interrogation peut transmettre une longue impulsion RF et, après l'arrêt de la transmission, les cavités de résonance du dispositif capteur se déchargent à leurs propres fréquences de résonance avec des constantes de temps τ égales à Qf/πF, où F est la fréquence centrale et Qfest le facteur de qualité de la résonance, Qfcorrespondant au rapport entre la fréquence de résonance centrale et la largeur à la moitié du maximum de la bande passante utilisée dans le processus d'interrogation. Par exemple, Qfcorrespond au facteur de qualité de résonance estimé sur la partie réelle de l’admittance de résonateur (ladite conductance) lorsque ce dernier est conçu pour fonctionner à ladite résonance. L'analyse spectrale effectuée par le moyen de traitement du dispositif d'interrogation permet de calculer la ou les fréquences de résonateur et, ainsi, la détection d’un paramètre ambiant. Le signal de réponse RF reçu peut être mélangé par le moyen de traitement avec un signal d’interrogation RF selon le protocole que l’on appelle I-Q tel qu'il est connu dans la technique pour extraire les parties réelle et imaginaire (composantes en phase I = Y cos φ et composantes en quadrature Q = Y sin φ avec l’amplitude de signal Y et la phase φ) à partir desquelles le module et la phase peuvent ensuite être déduits.
Les figures 2 à 5 illustrent des modes de réalisation en exemple d’un dispositif capteur à ondes acoustiques de surface (SAW) de l’invention. Les dispositifs capteurs 20, 30, 40 et 50 représentés sur les figures 2 à 5 sont formés en utilisant une couche de matériau de quartz Q en tant que couche piézoélectrique. La couche de matériau de quartz Q est un substrat massif de quartz ou une couche de quartz formé€ sur un certain substrat massif non piézoélectrique, par exemple un substrat de Si. La couche de matériau de quartz Q peut être une partie d'un substrat piézoélectrique sur-isolant (POI). La couche de quartz peut être liée au substrat massif non piézoélectrique par l'intermédiaire d'une couche de liaison (diélectrique), comme par exemple une couche d’oxyde de silicium. Ce que l’on appelle une couche riche en pièges (par exemple du silicium polycristallin) peut être présente au niveau de l’interface avec le substrat massif non piézoélectrique.
La couche de matériau de quartz Q comprend une surface plane de fonctionnement supérieure et la surface plane de la couche de matériau de quartz Q est définie par une coupe cristalline d’un matériau de quartz de la couche de matériau de quartz avec des angles φ dans la plage de -14° à -24° , θ dans la plage de -25° à -45° et ψ dans la plage de +8° à +28°, les angles étant définis conformément aux normes IEEE 176 1949 sur les cristaux piézoélectriques, 1949 du 12/12/1949. C’est cette famille de coupe particulière qui fournit au moins partiellement les avantages mentionnés et décrits ci-dessus.
Un dispositif capteur SAW selon un mode de réalisation de la présente invention, par exemple, le dispositif capteur SAW 20, 30, 40 et 50 représenté sur les figures 2 et 5, comprend un premier résonateur R1 comprenant un premier transducteur interdigité (en peigne) T1 et un premier miroir de Bragg M1 et un deuxième miroir de Bragg M2, et un second résonateur R2 comprenant un second transducteur interdigité (en peigne) T2 et un troisième miroir de Bragg M3 et un quatrième miroir de Bragg M4. Les transducteurs T1 et T2 peuvent être connectés à une antenne (non représentée sur la ) pour recevoir une onde électromagnétique et convertir l'onde électromagnétique en une onde acoustique de surface qui, après réflexion par les miroirs, est détectée à nouveau et reconvertie en un signal RF qui, en cours, est transmis par l'antenne (ou une autre antenne) sous la forme d'un signal de réponse RF à un lecteur.
Les premier et second résonateurs R1 et R2 peuvent être réalisés similaires l'un à l'autre. En particulier, les premier et second transducteurs T1 et T2 peuvent avoir le même nombre d'électrodes et/ou le même rapport de métallisation et/ou la même ouverture et/ou le même caractère effilé et/ou les mêmes longueurs d'électrode. Les premier et second transducteurs T1 et T2 peuvent avoir des périodes différentes (distances de séparation entre des électrodes individuelles) pour obtenir des différences importantes dans les fréquences de résonance des premier et second résonateurs R1 et R2.
Selon l'invention, les premier et second résonateurs R1 et R2 sont inclinés l'un par rapport à l'autre, à savoir que le premier transducteur interdigité T1 formé au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz Q, le premier miroir de Bragg M1 formé au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz Q, et le deuxième miroir de Bragg M2 formé au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz Q sont agencés le long d'un premier axe, et le second transducteur interdigité T2 formé au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz Q, le troisième miroir de Bragg M3 formé au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz Q et le quatrième miroir de Bragg M4 formé au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz Q sont agencés le long d'un second axe, et le premier axe et le second axe sont inclinés l'un par rapport à l'autre selon un angle fini. L'angle fini entre les premier et second axes peut être dans la plage de 1° à 10°, en particulier de 1° à 6°, plus particulièrement de 2° à 4°, et a pour résultat des directions de propagation différentes des ondes acoustiques (de surface) générées qui ont pour résultat, en cours, des fréquences de résonance différentes des premier et second résonateurs R1 et R2.
Les capteurs à ondes acoustiques de surface 20, 30, 40 et 50 représentés sur les figures 2 à 5 peuvent fonctionner dans des conditions de Bragg avec des longueurs d'onde des ondes acoustiques de surface excitées de certains multiples des pas des électrodes en peigne des transducteurs en peigne T1 et T2. Lorsqu'un fonctionnement intervient dans des conditions de Bragg, les transducteurs en peigne eux-mêmes fonctionnent sensiblement comme des miroirs. Cependant, dans des situations de fonctionnement où le coefficient de réflexion des transducteurs T1 et T2 n'est pas suffisamment fort pour permettre une séparation suffisamment nette entre les résonances individuelles, il est avantageux de diviser chacun des transducteurs T1 et T2 en deux parties, et d'agencer un miroir supplémentaire entre, respectivement. Une amélioration de la séparation de résonance de cavité par l'intermédiaire du transducteur divisé et du miroir supplémentaire est particulièrement utile pour fonctionner avec des ondes de Rayleigh, ou plus généralement polarisées de manière elliptique.
Il convient de noter que les électrodes des premier et second transducteurs T1 et T2 peuvent être réalisées en ou comprendre du AlCu. L'utilisation de matériaux ayant des numéros atomiques relativement élevés, comme par exemple le molybdène ou l’or ou le platine ou le tungstène, peut permettre des coefficients de réflexion plus importants. Il convient en outre de noter que les configurations des dispositifs capteur à ondes acoustiques 20, 30, 40 et 50 représentés sur les à 5 peuvent comprendre des transducteurs effilés T1et T2 avec des extensions latérales des électrodes variant le long des longueurs des transducteurs T1 et T2 pour supprimer des modes d’ondes transversales. En outre, des charges de masse supplémentaires peuvent être fournies au niveau des bords des électrodes pour supprimer des modes d'ondes transversales.
Selon différents modes de réalisation, les résonateurs R1 et R2 (transducteurs T1 et T2) peuvent être connectés en série ou en parallèle l'un à l'autre. Dans le mode de réalisation représenté sur la , les résonateurs R1 et R2 du dispositif capteur à ondes acoustiques 20 sont connectés en parallèle l'un à l'autre, et les électrodes de chacun des miroirs M1, M2, M3 et M4, sont connectées les unes aux autres (court-circuitées). Dans le mode de réalisation représenté sur la , les résonateurs R1 et R2 du dispositif capteur à ondes acoustiques 30 sont connectés en parallèle l’un à l’autre, et les miroirs M1, M2, M3 et M4, sont connectés à la terre. Dans le mode de réalisation représenté sur la , les résonateurs R1 et R2 du dispositif capteur à ondes acoustiques 40 sont connectés en parallèle l’un à l’autre, et les électrodes de chacun des miroirs M1, M2, M3 et M4, ne sont pas connectées les unes aux autres. Dans le mode de réalisation représenté sur la , les résonateurs R1 et R2 du dispositif capteur à ondes acoustiques 50 sont connectés en série l’un à l’autre, et les électrodes de chacun des miroirs M1, M2, M3 et M4, sont connectées les unes aux autres. Sur les figures 2 à 5, une onde électromagnétique reçue par les transducteurs T1 et T2 (c'est-à-dire un signal d'interrogation) pour la génération d'ondes acoustiques est indiqué par E1, et un signal d'onde acoustique reconverti (c'est-à-dire un signal de réponse) est indiqué par S1.
Les configurations représentées sur les figures 2 à 5 permettent, par exemple, de détecter de manière précise des températures sur la base de variations des fréquences de résonance des résonateurs R1 et R2, et ainsi les différences de fréquences de résonance, selon la température actuelle.
Dans les modes de réalisation représentés sur la à 5, les miroirs M1, M2, M3 et M4 sont agencés adjacents aux transducteurs T1 et T2. Selon d'autres modes de réalisation, des cavités de résonance sont formées entre le premier transducteur T1 et les premier et deuxième miroirs M1 et M2, respectivement, et/ou des cavités de résonance sont formées entre le second transducteur T2 et les troisième et quatrième miroirs M3 et M4, respectivement.
La représente un mode de réalisation en exemple similaire à celui représenté sur la . À la différence de la configuration représentée sur la , dans le mode de réalisation représenté sur la , un dispositif capteur à ondes acoustiques 60 comprend une première cavité de résonance ayant une longueur g1 formée entre le premier transducteur T1 et le premier miroir M1, et une deuxième cavité de résonance ayant une longueur g2 formée entre le premier transducteur T1 et le deuxième miroir M2. De manière similaire, une troisième cavité de résonance ayant une longueur g3 est formée entre le second transducteur T2 et le troisième miroir M3, et une quatrième cavité de résonance ayant une longueur g4 est formée entre le second transducteur T2 et le quatrième miroir M4. En variante, le premier résonateur R1 ou le second résonateur R2 comprend uniquement les cavités de résonance ayant des longueurs g1 et g2 ou g3 et g4, respectivement.
En principe, la surface supérieure de la cavité de résonance entre le premier transducteur T1 et le premier miroir M1 peut comprendre une modification physique et/ou chimique par comparaison à la surface supérieure de la cavité de résonance entre le premier transducteur T1 et le deuxième miroir, ou inversement. De manière similaire, la surface supérieure de la cavité de résonance entre le second transducteur T2 et le troisième miroir M3 peut comprendre une modification physique et/ou chimique par comparaison à la surface supérieure de la cavité de résonance entre le second transducteur T2 et le quatrième miroir M4, ou inversement. La totalité ou certaines des cavités ayant des longueurs g1, g2, g3 et g4 peuvent différer les unes des autres par rapport à des modifications physiques et/ou chimiques et/ou aux longueurs d'extension g1, g2, g3 et g4.
Il existe divers moyens pour fournir les modifications physiques et/ou chimiques afin d'obtenir des modes d’ondes de propagation qui présentent des sensibilités paramétriques différentielles. Ces moyens incluent par exemple la réalisation des modifications physiques et/ou chimiques par la formation d’une couche de métallisation et/ou d’une couche de passivation et/ou d’un dopage local. Une couche de métallisation de quelques 100 nm épaisseur peut être formée sur la région de la cavité de résonance de longueur g1, et par exemple il est possible qu’aucune couche de métallisation ne soit formée sur la cavité de résonance de longueur g2. La couche de métallisation peut être formée du même matériau que les électrodes des transducteurs T1 et T2 et/ou que les miroirs de Bragg M1, M2, M3 et M4.
Lorsque le même matériau est utilisé pour la métallisation et la formation des transducteurs en peigne T1 et T2 et des électrodes des structures de miroir de Bragg M1, M2, M3 et M4, tous ces éléments peuvent être déposés lors du même processus de dépôt. Dans d'autres modes de réalisation, un matériau différent est utilisé pour la métallisation. Par exemple, une couche de métallisation ou une couche de passivation d’un premier matériau est formée sur une première cavité de résonance et une autre couche de métallisation ou couche de passivation d’un autre matériau est formée sur une deuxième cavité de résonance de l’un ou de chacun des résonateurs R1 et R2. Selon un autre exemple, un matériau à décalage de température positif, par exemple SiO2ou Ta2O5, est formé sur l’une des cavités de résonance et un matériau à décalage de température négatif, par exemple, Si3N4ou AlN, ou aucun matériau supplémentaire, est formé sur l’autre des cavités de résonance de l’un ou de chacun des résonateurs R1 et R2.
Une passivation peut être réalisée en formant une couche de passivation constituée de ou comprenant Si3N4, Al2O3ou AlN. Selon d'autres modes de réalisation, des couches de matériau peuvent être formées sur les deux cavités de résonance. De plus, des couches de matériau formées sur une ou plusieurs des cavités de résonance peuvent avoir des épaisseurs non homogènes le long de la direction de propagation des ondes acoustiques. En outre, des couches multiples peuvent être formées sur une ou plusieurs des cavités de résonance. Dans ce contexte, il convient de noter que de manière générale, la fourniture d'une couche de matériau sur une cavité de résonance peut avoir pour résultat une réduction de la vitesse de phase d'ondes acoustiques du fait d’effets de charge massique, en particulier si des couches d'un matériau d'un numéro atomique élevé, comme Pt, Au ou W, sont utilisées. Cet effet peut être compensé en ajoutant une couche présentant une vitesse acoustique relativement élevée, par exemple AlN, Si3N4, Al2O3, adjacente à la couche de matériau de quartz. Les cavités de résonance présentent des sensibilités différentes à des mesurandes en raison des caractéristiques de résonance différentes fournies provoquées par des traitements différents des surfaces et permettent ainsi des mesures différentielles.
En variante ou de plus, la modification physique et/ou chimique peut comprendre une mise en retrait de la surface de l'une des cavités de résonance par rapport à la surface de l'autre des cavités de résonance de l'un ou de chacun des résonateurs R1 et R2.
Les configurations représentées sur les figures 3 à 5 peuvent, selon des modes de réalisation en variante, présenter également des cavités de résonance dans les premier et/ou second résonateurs, comme décrit ci-dessus. Par exemple, la représente un dispositif capteur à ondes acoustiques 70 similaire au dispositif capteur à ondes acoustiques 30 représenté sur la , mais avec les premier et second résonateurs R1 et R2 comprenant des cavités de résonance, la représente un dispositif capteur à ondes acoustiques 80 similaire au dispositif capteur à ondes acoustiques 40 représenté sur la , mais avec les premier et second résonateurs R1 et R2 comprenant des cavités de résonance, et la représente un dispositif capteur à ondes acoustiques 90 similaire au dispositif capteur à ondes acoustiques 50 représenté sur la , mais avec les premier et second résonateurs R1 et R2 comprenant des cavités de résonance.
Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus représenté sur les figures 2 à 5, des miroirs de Bragg M1, M2, M3 et M4 sont fournis sous la forme de structures de réflexion. Cependant, selon des modes de réalisation en variante, un ou plusieurs des miroirs de Bragg peuvent être remplacés par des structures de réflexion latérales/de bord pour un guidage de mode de cisaillement pur. Ainsi, des configurations très compactes peuvent être obtenues en ce sens que la réflexion de Bragg est remplacée par une réflexion de surface plane sans une quelconque perte d'énergie ni conversion de mode. Des configurations avec des structures de réflexion latérales/de bord pour un guidage de mode de cisaillement pur sont particulièrement utiles pour détecter des paramètres ambiants dans des liquides. Des ondes de cisaillement conviennent parfaitement pour un sondage dans des liquides. En particulier, des modes hautement couplés (> 5 %) associés à des matériaux à k élevée (avec une constante diélectrique k supérieure à 30, par exemple) sont attrayants pour les applications dans un liquide. Selon d'autres modes de réalisation, une ou plusieurs structures de réflexion sont réalisées sous la forme de courts réflecteurs ne comprenant pas plus de trois électrodes.
Il convient en outre de noter que de simples cavités de résonance peuvent être remplacées par des cavités de résonance en cascade, comprenant des structures d'électrode miroir multiples. La distance spectrale entre les deux résonances ainsi que le coefficient de couplage des résonances peuvent être commandés par le nombre de structures d’électrode miroir et des sous-cavités de résonance.
Tous les modes de réalisation décrits précédemment ne sont pas destinés à être limitatifs, mais servent d'exemples illustrant des caractéristiques et des avantages de l'invention. Il faut comprendre que tout ou partie des caractéristiques décrites ci-dessus peuvent également être combinées de différentes manières.
Dans la présente divulgation, des coupes cristallines sont définies conformément aux normes IEEE 176 1949 sur les cristaux piézoélectriques, 1949 du 12/12/1949. Dans cette norme, une coupe cristalline pour des applications SAW est définie uniquement par trois angles, c’est-à-dire φ et θ définissant la rotation du cristal selon une configuration de référence dudit cristal et ψ une direction de propagation définie dans le plan (φ, θ) qui indique la direction dans laquelle les ondes se propagent, et donc la position du transducteur capable de lancer lesdites ondes. Y et X désignent des axes cristallins considérés comme des références pour la définition de l’état initial de la plaque de cristal. Le premier est l’axe perpendiculaire à ladite plaque tandis que le second axe se situe le long de la longueur de la plaque. La plaque est supposée être rectangulaire, caractérisée par sa longueur l, sa largeur w, son épaisseur t (voir ). La longueur l se situant le long de l’axe cristallin X, la largeur w est le long de l’axe Z et l’épaisseur t le long de l’axe Y en considérant le système d’axes (YX) donné. On note que le cas de (YXwlt)/0°/0°/0° coïncide réellement à la configuration représentée sur la .
En supposant maintenant qu’aucun des angles ne soit nul, nous considérons le cas général d’une coupe à triple rotation ou tournée trois fois. Dans cette situation, le cristal de quartz peut avoir un plan de coupe (X’’, Z’’) défini par rapport au plan de coupe (X, Z) et dans un système de référence (X’’, Y’’, Z’’), où X, Y, Z sont des axes cristallographiques de quartz, une direction de propagation des ondes étant définie le long d’un axe X’’’, un premier plan de coupe (X’, Z’) étant défini par rotation selon un angle φ autour de l’axe Z du plan (X, Z) de manière à définir un premier système de référence (X’, Y’, Z’) avec un axe Z’ qui est identique à l’axe Z, un second plan de coupe (X’’, Z’’) étant défini par rotation selon un angle θ autour de l’axe X’ du plan (X’, Z’) de manière à définir un second système de référence (X’’, Y’’, Z’’) avec l’axe X’’ étant identique à l’axe X’, la direction de propagation le long de l’axe X’’’ étant définie par rotation selon un angle ψ de l’axe X’’, dans le plan (X’’, Z’’) autour de l’axe Y’’, comme représenté sur la .
Certaines règles de symétrie sont rappelées ci-après pour le quartz. Le quartz est un cristal trigonal de classe 32. Par conséquent, il est caractérisé par un axe ternaire, c’est-à-dire l’axe Z autour duquel il est possible d’établir la relation :
(YXw)/φ = (YXw)/φ+120°
Les deux autres axes sont binaires et, par conséquent, les relations de symétrie suivantes prévalent :
(YXl)/θ = (YXl)/θ+180°, (YXt)/ψ = (YXt)/ψ+180°
Pour des raisons géométriques simples, il est facile de démontrer que l’ensemble suivant d’axes sont équivalents :
(YXwlt)/+φ/+θ/+ψ = (YXwlt)/-φ/+θ/-ψ
En fait, en supposant que la face supérieure est identifiée par le signe plus pour φ (la face où l’onde de surface est supposée se propager), la face inférieure de la plaque est obtenue en changeant le signe en moins. Considérer que l’opération de symétrie ne change pas le signe de ψ supposerait que la direction de Z’’’ sur le côté inférieur est inchangée, mais elle est en fait tournée de 180°. Ainsi, pour récupérer la situation de surface supérieure, il est impératif d’appliquer une rotation de 180° sur ψ, ce qui est en fait équivalent à un changement de signe. Il convient de noter que pour des coupes cristallines sans rotation autour de Z (φ=0°), la symétrie suivante est efficace :
(YXlt)/+θ/+ψ = (YXlt)/+θ/-ψ.
Claims (14)
- Dispositif capteur à ondes acoustiques, comprenant
une couche de matériau de quartz comprenant une surface plane ;agencés le long d’un premier axe, un premier transducteur interdigité formé au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz, une première structure de réflexion formée au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz, et une deuxième structure de réflexion formée au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz ; et
agencés le long d’un second axe, un second transducteur interdigité formé au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz, une troisième structure de réflexion formée au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz, et une quatrième structure de réflexion formée au-dessus de la surface plane de la couche de matériau de quartz ;
et dans lequel
le premier axe et le second axe sont inclinés l’un par rapport à l’autre selon un angle fini ; et
la surface plane de la couche de matériau de quartz est définie par une coupe cristalline d’un matériau de quartz de la couche de matériau de quartz avec des angles φ dans la plage de -14° à -24°, θ dans la plage de -25° à -45° et ψ dans la plage de +8° à +28°, en particulier φ dans la plage de -17° à -22°, θ dans la plage de -30° à -40° et ψ dans la plage de +10° à +25°, et plus particulièrement φ dans la plage de -19° à -21°, θ dans la plage de -33° à -39° et ψ dans la plage de +15° à +25°. - Dispositif capteur à ondes acoustiques selon la revendication 2, dans lequel la couche de matériau de quartz est un substrat massif.
- Dispositif capteur à ondes acoustiques selon la revendication 2, comprenant en outre un substrat massif, en particulier un substrat massif de Si ou de saphir, et dans lequel la couche de matériau de quartz est formée au-dessus du substrat massif.
- Dispositif capteur à ondes acoustiques selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les premier et second transducteurs interdigités ont le même nombre d’électrodes et/ou le même rapport de métallisation et/ou la même ouverture et/ou le même caractère effilé et/ou les mêmes longueurs d'électrode.
- Dispositif capteur à ondes acoustiques selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins une des première, deuxième, troisième et quatrième structures de réflexion comprend ou consiste en un miroir de Bragg.
- Dispositif capteur à ondes acoustiques selon la revendication 5, dans lequel la première structure de réflexion consiste en un premier miroir de Bragg, la deuxième structure de réflexion consiste en un deuxième miroir de Bragg, la troisième structure de réflexion consiste en un troisième miroir de Bragg et la quatrième structure de réflexion consiste en un quatrième miroir de Bragg, et dans lequel la totalité des premier, deuxième, troisième et quatrième miroirs de Bragg ont le même nombre et/ou les mêmes longueurs d’électrodes.
- Dispositif capteur à ondes acoustiques selon la revendication 5 ou 6, dans lequel la première structure de réflexion consiste en un premier miroir de Bragg, la deuxième structure de réflexion consiste en un deuxième miroir de Bragg, la troisième structure de réflexion consiste en un troisième miroir de Bragg et la quatrième structure de réflexion consiste en un quatrième miroir de Bragg, et les électrodes de chacun des premier, deuxième, troisième et quatrième miroirs de Bragg sont, respectivement,
a) connectées les unes aux autres ; ou
b) mises à la terre ; ou
c) ni connectées les unes aux autres, ni mises à la terre. - Dispositif capteur à ondes acoustiques selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les première et deuxième structures de réflexion sont formées adjacentes au premier transducteur interdigité et les troisième et quatrième structures de réflexion sont agencées adjacentes au second transducteur interdigité.
- Dispositif capteur à ondes acoustiques selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel
une première cavité de résonance est formée entre le premier transducteur interdigité et la première structure de réflexion et une deuxième cavité de résonance est formée entre le premier transducteur interdigité et la deuxième structure de réflexion ; et
une troisième cavité de résonance est formée entre le second transducteur interdigité et la troisième structure de réflexion et une quatrième cavité de résonance est formée entre le second transducteur interdigité et la quatrième structure de réflexion. - Dispositif capteur à ondes acoustiques selon la revendication 9, dans lequel
une surface supérieure de la deuxième cavité de résonance comprend une modification physique et/ou chimique par rapport à une surface supérieure de la première cavité de résonance ; et/ou
une surface supérieure de la quatrième cavité de résonance comprend une modification physique et/ou chimique par rapport à une surface supérieure de la troisième cavité de résonance. - Dispositif capteur à ondes acoustiques selon la revendication 10, dans lequel la modification physique et/ou chimique comprend une couche de métallisation ou une couche de passivation formée sur la surface supérieure de la deuxième cavité de résonance et/ou de la quatrième cavité de résonance.
- Dispositif capteur à ondes acoustiques selon l’une quelconque des revendications 9 à 11, dans lequel les longueurs d’extension de la première cavité de résonance et de la deuxième cavité de résonance diffèrent l'une de l'autre.
- Dispositif capteur à ondes acoustiques selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les premier et second transducteurs sont connectés en série ou en parallèle l’un à l’autre.
- Dispositif capteur à ondes acoustiques selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dispositif capteur à ondes acoustiques est un dispositif capteur à ondes acoustiques de surface passif configuré pour détecter un paramètre ambiant choisi parmi une température, une espèce chimique, une contrainte, une pression, un couple d’un axe de rotation, et une accélération ou une vibration en fréquence d’une partie vibrante.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR2102073A FR3120489B1 (fr) | 2021-03-03 | 2021-03-03 | Dispositif capteur à ondes acoustiques à deux ports |
| JP2023547062A JP2024512195A (ja) | 2021-03-03 | 2022-03-03 | ２ポート弾性波センサデバイス |
| EP22713359.2A EP4302401A1 (fr) | 2021-03-03 | 2022-03-03 | Dispositif de capteur d'onde acoustique à deux orifices |
| PCT/EP2022/055415 WO2022184833A1 (fr) | 2021-03-03 | 2022-03-03 | Dispositif de capteur d'onde acoustique à deux orifices |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR2102073 | 2021-03-03 | ||
| FR2102073A FR3120489B1 (fr) | 2021-03-03 | 2021-03-03 | Dispositif capteur à ondes acoustiques à deux ports |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR3120489A1 true FR3120489A1 (fr) | 2022-09-09 |
| FR3120489B1 FR3120489B1 (fr) | 2023-10-20 |
Family
ID=76283844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR2102073A Active FR3120489B1 (fr) | 2021-03-03 | 2021-03-03 | Dispositif capteur à ondes acoustiques à deux ports |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP4302401A1 (fr) |
| JP (1) | JP2024512195A (fr) |
| FR (1) | FR3120489B1 (fr) |
| WO (1) | WO2022184833A1 (fr) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3094484B1 (fr) * | 2019-03-29 | 2021-07-16 | Frecnsys | Dispositif résonateur |
| FR3100330A1 (fr) * | 2019-09-04 | 2021-03-05 | Frec'n'sys | Capteurs de pression à ondes acoustiques différentiels |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0998037A1 (fr) * | 1998-10-30 | 2000-05-03 | Thomson-Csf | Filtre faibles pertes à ondes acoustiques de surface sur substrat de quartz de coupe optimisée |
| US20060049714A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-09 | James Liu | Passive wireless acoustic wave chemical sensor |
| US20090160567A1 (en) * | 2006-06-08 | 2009-06-25 | Guenter Martin | Oscillator Circuit with Acoustic Single-Port Surface Wave Resonators |
| US20150260587A1 (en) * | 2012-07-27 | 2015-09-17 | Sh Infotech Co., Ltd. | Wireless temperature and humidity sensor and system, and measurement method |
| WO2020200810A1 (fr) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | Frec'n'sys | Dispositif résonateur |
-
2021
- 2021-03-03 FR FR2102073A patent/FR3120489B1/fr active Active
-
2022
- 2022-03-03 WO PCT/EP2022/055415 patent/WO2022184833A1/fr active Application Filing
- 2022-03-03 JP JP2023547062A patent/JP2024512195A/ja active Pending
- 2022-03-03 EP EP22713359.2A patent/EP4302401A1/fr active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0998037A1 (fr) * | 1998-10-30 | 2000-05-03 | Thomson-Csf | Filtre faibles pertes à ondes acoustiques de surface sur substrat de quartz de coupe optimisée |
| US20060049714A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-09 | James Liu | Passive wireless acoustic wave chemical sensor |
| US20090160567A1 (en) * | 2006-06-08 | 2009-06-25 | Guenter Martin | Oscillator Circuit with Acoustic Single-Port Surface Wave Resonators |
| US20150260587A1 (en) * | 2012-07-27 | 2015-09-17 | Sh Infotech Co., Ltd. | Wireless temperature and humidity sensor and system, and measurement method |
| WO2020200810A1 (fr) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | Frec'n'sys | Dispositif résonateur |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2024512195A (ja) | 2024-03-19 |
| WO2022184833A1 (fr) | 2022-09-09 |
| FR3120489B1 (fr) | 2023-10-20 |
| EP4302401A1 (fr) | 2024-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2553861C (fr) | Structure resonante hybride | |
| FR3120488A1 (fr) | Dispositif capteur a ondes acoustiques de surface | |
| FR3079053A1 (fr) | Substrats composites pour les dispositifs d'etiquette a ondes acoustiques de surface pour applications de rfid et de capteurs | |
| FR2882205A1 (fr) | Dispositif a ondes acoustiques haute frequence | |
| FR3120489A1 (fr) | Dispositif capteur à ondes acoustiques à deux ports | |
| EP0998037B1 (fr) | Filtre faibles pertes à ondes acoustiques de surface sur substrat de quartz de coupe optimisée | |
| EP2665999B1 (fr) | Capteur de température comportant un résonateur à ondes de volumes à modes harmoniques élevés | |
| EP1704396B1 (fr) | Capteur de temperature interrogeable a distance | |
| FR3100405A1 (fr) | Capteur à ondes acoustiques différentiel | |
| EP2156554A1 (fr) | Resonateur a ondes de surface a resonance parasite reduite | |
| FR3094484A1 (fr) | Dispositif résonateur | |
| FR3114875A1 (fr) | Dispositif à résonateurs | |
| EP3032742B1 (fr) | Dispositif de capteur à ondes élastiques de surface interrogable à distance | |
| EP2486656B1 (fr) | Transpondeur à modes résonants couplés intégrant une charge variable | |
| US20240154603A1 (en) | Two-port acoustic wave sensor device | |
| EP0424240B1 (fr) | Transducteur d'ondes de surface unidirectionnel | |
| FR3100330A1 (fr) | Capteurs de pression à ondes acoustiques différentiels | |
| FR3114931A1 (fr) | Structure réflectrice pour dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) | |
| WO2003088482A1 (fr) | Module comprenant des composants a ondes acoustiques d'interface | |
| FR3113316A1 (fr) | Capteur à ondes acoustiques et interrogation de celui-ci |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 2 |
|
| PLSC | Publication of the preliminary search report |
Effective date: 20220909 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 3 |
|
| TP | Transmission of property |
Owner name: SOITEC, FR Effective date: 20230823 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 4 |