FR3066613A1 - Dispositif de mesure de doses de particules ionisantes - Google Patents
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Abstract
Le dispositif de mesure de particules ionisantes comprend un module d'acquisition (4) comportant des premier et deuxième étages d'acquisition (8, 9) comportant respectivement des sensibilités différentes à des particules ionisantes absorbées par le module d'acquisition (4) et configurés pour générer respectivement des premier et deuxième signaux d'acquisition (5, 6) ayant chacun une caractéristique variable en fonction de la quantité de particules ionisantes absorbées, et un module de traitement (7) comportant un étage de mesure (10) configuré pour générer à partir des premier et deuxième signaux d'acquisition (5, 6), un paramètre relatif Nr entre lesdites caractéristiques variables et un étage de calcul (11) configuré pour calculer une dose totale ionisante (TID) en utilisant une loi polynomiale de degré 1 ou 2 en Nr.
Description
D ispositif de mesure de doses de particules ionisantes
Des modes de réalisation de l’invention concernent les circuits électroniques, et plus précisément les circuits électroniques susceptibles d’être irradiés par des particules ionisantes et en particulier les dispositifs électroniques capables de mesurer de façon quantitative les particules ionisantes sous forme d’une dose dite « Total Ionizing Dose » (TID) selon une dénomination anglo-saxonne bien connue de l’homme du métier.
D’ une façon générale, lorsqu’un circuit électronique est exposé à une radiation de particules ionisantes telles que des particules Alpha/Bêta, des rayonnements X/Gamma, des protons ou des neutrons, l’accumulation de charges électriques déposées par ces particules ionisantes peut significativement modifier des caractéristiques techniques intrinsèques du circuit électronique irradié, comme par exemple des tensions de seuils de transistors MOS ou des fréquences de fonctionnement.
Dans un exemple d’un circuit avec un substrat du type silicium sur isolant totalement déserté, connu par l’homme du métier sous l’acronyme anglo-saxon « FDSOI » (« Fully Depleted Silicon On Insolator » en anglais), une telle accumulation de charges électriques conduit notamment à une augmentation de vitesse et de courants de fuite pour des transistors NMOS, et à une diminution de vitesse et de courants de fuite pour des transistors PMOS.
La dose totale ionisante (TID) est par conséquent communément utilisée pour quantifier des énergies absorbées par un tel circuit électronique en joule/kg de façon à évaluer des impacts sur la performance du circuit et à piloter éventuellement une compensation des effets de ces impacts.
Cependant, les dispositifs classiques de mesure de particules ionisantes comportent généralement des inconvénients tels qu’un choix limité de types de particules ionisantes à détecter, une exigence d’au moins un module de mesure supplémentaire non-compatible avec la technologie actuelle CMOS, ou une mesure quantitative imprécise.
Ainsi, il existe un besoin de proposer une solution technique, complètement compatible avec les technologies CMOS courantes, à faible complexité et à faible surface de silicium pour mesurer les doses de particules ionisantes avec une faible sensibilité à des variations de températures et de tensions appliquées et avec une précision améliorée sans exiger un signal d’horloge dédié ou un module de mesure particulier supplémentaire.
Selon un aspect, il est proposé un dispositif de mesure de particules ionisantes. Le dispositif comprend un module d’acquisition comportant des premier et deuxième étages d’acquisition possédant respectivement des sensibilités différentes à des particules ionisantes absorbées par le module d’acquisition et configurés pour générer respectivement des premier et deuxième signaux d’acquisition ayant chacun une caractéristique variable en fonction de la quantité de particules ionisantes absorbées, et un module de traitement comportant un étage de mesure configuré pour générer à partir des premier et deuxième signaux d’acquisition, un paramètre relatif Nr entre lesdites caractéristiques variables et un étage de calcul configuré pour calculer une dose totale ionisante en utilisant une loi polynominale de degré 1 ou 2 en Nr.
La loi polynominale peut par exemple comporter en outre un paramètre initial NO correspondant à une absence de particule ionisante absorbée par le module d’acquisition.
Ce paramètre initial NO ainsi que les coefficients de la loi polynomiale peuvent être par exemple déterminés lors d’une phase d’étalonnage.
Avantageusement, un tel dispositif permet ainsi de mesurer de façon précise et simple la quantité de particules ionisantes absorbées par le dispositif à travers une mesure du paramètre relatif Nr et d’en déduire de façon simple et précise la dose totale ionisant par une simple application d’une loi polynomiale de degré 1 ou 2, généralement de degré 2, en Nr.
L’implémentation dudit dispositif est en outre complètement compatible avec les technologies CMOS courantes.
A titre indicatif non limitatif, la caractéristique de chaque signal d’acquisition, variable en fonction de la quantité de particules ionisantes absorbées, est la fréquence du signal d’acquisition correspondant.
Et selon un mode de réalisation le paramètre relatif Nr est un rapport de fréquences de deux signaux issus des signaux d’acquisition. Plus précisément l’un de ces deux signaux peut être issu d’une division de fréquence de l’un des signaux d’acquisition et l’autre signal peut être l’autre signal d’acquisition.
Selon un mode de réalisation, le premier étage d’acquisition comprend un premier oscillateur en anneau du type NMOS et le deuxième étage d’acquisition comprend un deuxième oscillateur en anneau du type PMOS.
Selon ce mode de réalisation, la loi polynomiale est du type A*(N0-Nr)+B*(N0-Nr)2, où A et B sont des coefficients dont l’un peut être éventuellement nul.
Selon un autre mode de réalisation, le premier étage d’acquisition comprend un premier oscillateur en anneau du type PMOS et le deuxième étage d’acquisition comprend un deuxième oscillateur en anneau du type NMOS.
Selon cet autre mode de réalisation, la loi polynomiale est du type A*(Nr-N0)+B*(Nr-N0)2, où A et B sont des coefficients dont l’un peut être éventuellement nul.
A titre d’exemple non limitatif, l’étage de mesure peut par exemple comprendre un étage diviseur de fréquence destiné à recevoir le premier signal d’acquisition et configuré pour délivrer un troisième signal d’acquisition dont la fréquence est égale à la fréquence du premier signal d’acquisition divisée par E, E étant un entier prédéterminé, et un étage de machine d’états couplé à l’étage de diviseur de fréquence et destiné à recevoir les deuxième et troisième signaux d’acquisition, l’étage de machine d’états étant configuré pour générer le paramètre relatif Nr égal au rapport entre les fréquences des deuxième et troisième signaux d’acquisition.
Selon encore un autre mode de réalisation, le module d’acquisition comprend des transistors MOS à faible tension de seuil (« Low Voltage Threshold » : LVT en anglais) et le module de traitement comprend des transistors MOS à tension de seuil régulière (« Regular Voltage Threshold » : RVT en anglais).
Les structures de ces transistors LVT et RVT sont bien connues de l’homme du métier. Typiquement la tension de seuil d’un transistor LVT est par exemple inférieure à 350mV et la tension de seuil d’un transistor RVT est comprise entre 350mV et entre 500mV.
Une telle utilisation de transistors à faible tension de seuil permet de rendre le module d’acquisition plus sensible aux impacts des particules ionisantes.
A titre indicatif non limitatif, le dispositif peut par exemple être réalisé en technologie numérique.
Une telle utilisation du circuit numérique notamment dans l’étage de calcul permet avantageusement une implémentation plus précise de la loi polynomiale.
Selon un autre aspect, il est proposé un système électronique comprenant au moins un dispositif tel que défini ci-avant.
Selon encore un autre aspect, il est proposé un appareil électronique comprenant un système électronique tel que défini cidessus.
D’autres avantages et caractéristiques de l’invention apparaîtront à l’examen de la description détaillée de modes de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels :
- les figures 1 à 6 illustrent schématiquement des modes de réalisation de l’invention.
Sur la figure 1, la référence 1 désigne un appareil électronique tel qu’un appareil de communication satellite susceptible d’être situé dans un espace irradié par des particules ionisantes telles que des particules Alpha/Bêta, des rayonnements X/Gamma, des protons ou des neutrons.
L’appareil électronique 1 comprend par exemple un système électronique 2 configuré pour traiter des données reçues et émises par l’appareil électronique 1. Le système électronique 2 peut comporter par exemple un ou plusieurs circuits intégrés et/ou un ou plusieurs microprocesseurs.
Des particules ionisantes reçues par l’appareil 1 influencent plus ou moins la performance du système électronique 2 car des transistors NMOS/PMOS du système électronique 2 fonctionnent plus ou moins vite. Par conséquent, la fréquence du système électronique 2 est également influencée par les particules ionisantes reçues.
Afin de détecter ce genre de variation de la performance, le système électronique 2 comprend un dispositif de mesure 3 et destiné à mesurer quantitativement une dose totale ionisante TID reçue par l’appareil électronique 1.
On se réfère maintenant à la figure 2 pour illustrer schématiquement un exemple du dispositif de mesure 3 selon un mode de réalisation.
Le dispositif 3 comprend un module d’acquisition 4 configuré pour générer des premier et deuxième signaux d’acquisition 5 et 6, et un module de traitement 7 configuré pour déterminer à partir des premier et deuxième signaux d’acquisition 5 et 6, ladite dose totale ionisante TID de l’appareil 1.
Le module d’acquisition 4 comprend un premier étage d’acquisition 8 et un deuxième étage d’acquisition 9, qui sont par exemple configurés pour réaliser respectivement une même fonction, ici par exemple, la génération d’un signal périodique ayant une fréquence donnée.
Pour ce faire, le premier étage d’acquisition 8 comprend ici un premier oscillateur en anneau OSC1 destiné à générer le premier signal d’acquisition 5, et le deuxième étage d’acquisition 9 comprend ici un deuxième oscillateur en anneau OSC2 destiné à générer le deuxième signal d’acquisition 6.
Afin de différencier les premier et deuxième signaux d’acquisition 5 et 6, les premier et deuxième étages d’acquisition 8 et sont configurés pour présenter respectivement des sensibilités différentes aux particules ionisantes, par exemple des sensibilités opposées.
A cet égard et à titre d’exemple, le premier oscillateur en anneau OSC1 n’est réalisé qu’avec des transistors du type NMOS tandis que le deuxième oscillateur en anneau OSC2 n’est réalisé qu’avec des transistors du type PMOS.
Il convient de noter que la vitesse des transistors NMOS est généralement augmentée après une irradiation tandis que celle des transistors PMOS est généralement diminuée. Autrement dit, la fréquence du premier signal d’acquisition 5 est augmentée tandis que celle du deuxième signal d’acquisition 6 est diminuée une fois que le module d’acquisition 4 a été irradié.
Bien que l’on puisse utiliser différents capteurs existants de surveillance du comportement du silicium produit (« Process Monitoring Box » : en anglais) pour l’implémentation des premier et deuxième étages d’acquisition 8 et 9, il est préférable de réaliser le module d’acquisition 4 avec des transistors à faible tension de seuil, ici par exemple des transistors à faible tension de seuil (LVT) dans une technologie CMOS FDSOI en 28 nm de façon à diminuer la sensibilité des transistors NMOS et PMOS à des variations de température et de tension appliquée.
Ainsi pour des transistors ayant des longueurs de canal différentes dans la technologie CMOS FDSOI 28 nm, ladite sensibilité aux variations de température et de tension appliquée diminue avec l’augmentation de la longueur de canal. Il convient de noter que le courant de fuite est aussi considérablement diminué avec cette augmentation de la longueur de canal. L’option dite PB16 (« Poly Bias 16 » en anglais), c'est-à-dire une longueur valant la longueur minimale de la technologie de CMOS FDSOI 28nm augmentée de 16nm (soit 42nm), offre une sensibilité minimale aux variations de température et de tension appliquée.
En variante, le premier oscillateur en anneau OSC1 peut n’être réalisé qu’avec des transistors du type PMOS tandis que le deuxième oscillateur en anneau OSC2 peut n’être réalisé qu’avec des transistors du type NMOS. Cette variante conduit notamment à un changement de variable sur une loi polynomiale de degré 1 ou 2 utilisée dans le module de traitement 7, et qui sera décrite en détails ci-après.
Le module de traitement 7 comprend un étage de mesure 10 couplé au module d’acquisition 4 et destiné à recevoir les premier et deuxième signaux d’acquisition 5 et 6.
L’étage de mesure 10 est également configuré pour générer à partir des premier et deuxième signaux d’acquisition 5 et 6 un paramètre relatif Nr entre les fréquences des deux signaux, qui est plus précisément ici un rapport de fréquence de deux signaux issus des signaux d’acquisition (5 et 6).
Le module de traitement comporte également un étage de calcul 11 destiné à recevoir ledit paramètre relatif Nr et configuré pour calculer la dose totale ionisante TID en utilisant ledit paramètre relatif Nr et la loi polynomiale précitée.
La figure 3 illustre schématiquement un exemple de l’étage de mesure 10 selon un mode de réalisation.
L’étage de mesure 10 comprend un étage de diviseur de fréquence DIVF destiné à recevoir le premier signal d’acquisition 5 et configuré pour générer un signal d’acquisition intermédiaire 12 ayant une fréquence divisée qui est égale à celle du premier signal d’acquisition 5 divisée par un entier E prédéterminé, ici par exemple E=4096.
Le signal d’acquisition intermédiaire 12 est ensuite retardé à travers plusieurs bascules, ici par exemple trois bascules de type D 13 à 15, cadencées par le deuxième signal d’acquisition 6 pour générer respectivement aux sorties des bascules 14 et 15 un troisième signal d’acquisition 16 et un troisième signal d’acquisition retardé 17 ayant tous les deux ladite fréquence divisée.
Il convient de noter que les trois bascules 13 à 15 sont configurées pour retarder légèrement le signal d’acquisition intermédiaire 12 de façon à permettre de bien distinguer des fronts montants du troisième signal d’acquisition 16, comme on le verra ciaprès.
L’étage de mesure 10 comprend en outre un étage de machine d’états 18 destiné à recevoir le troisième signal d’acquisition 16, le troisième signal d’acquisition retardé 17, et un signal de réinitialisation 19 synchronisé avec le deuxième signal d’acquisition 6 via deux bascules supplémentaires de type D 20 et 21 cadencées par le deuxième signal d’acquisition 6.
L’étage de machine d’états 18 est configuré pour générer à la sortie ledit paramètre relatif Nr et un signal d’indication 22.
On se réfère maintenant à la figure 4 pour illustrer plus en détails un exemple de fonctionnement de l’étage de machine d’états 18.
L’étage de machine d’états 18 comporte quatre états : « réinitialisation » (« reset » en anglais), « attente » (« wait » en anglais), « terminé » (« done » en anglais) et « compte » (« count » en anglais).
Lorsque le signal de réinitialisation 19 est dans son état haut (“1”), l’étage de machine d’états 18 est placé dans l’état « réinitialisation » sans condition sur les deuxième et troisième signaux 6 et 16.
Lorsque le signal de réinitialisation 19 est dans son état bas (“0”), l’étage 18 est basculé dans l’état « attente » jusqu’au prochain front montant du troisième signal d’acquisition 16. Comme il existe un retard, dû à la bascule 15, entre le troisième signal d’acquisition 16 et le troisième signal d’acquisition retardé 17, le front montant du troisième signal d’acquisition 16 est détecté si le troisième signal d’acquisition 16 est dans son état bas (“0”) et le troisième signal d’acquisition retardé 17 est dans son état haut (“1”).
Puis, l’étage de machine d’états 18 est basculé dans son état « compte » jusqu’au prochain front montant du troisième signal 16, c'est-à-dire lorsque le troisième signal d’acquisition 16 est à nouveau dans son état bas et le troisième signal d’acquisition retardé 17 est à nouveau dans son état haut.
Le signal d’indication 22 est alors basculé dans l’état haut à la fin de l’état « compte » pour indiquer que le paramètre relatif Nr est prêt à être utilisé par l’étage de calcul 11.
Dans l’état « compte », le paramètre relatif Nr s’incrémente lorsque le deuxième signal d’acquisition 6 est dans son état haut. Comme la fréquence du deuxième signal 6 est plus élevée que celle du troisième signal 16, le paramètre relatif Nr est le rapport entre les fréquences des deuxième et troisième signaux d’acquisition 6 et 16.
Comme la vitesse des transistors NMOS va généralement augmenter après irradiation et celle des transistors PMOS va diminuer, les fréquences des deuxième et troisième signaux d’acquisition 6 et 16 vont changer en sens opposé de façon à faire varier le paramètre relatif Nr.
Par conséquent, le paramètre relatif Nr est représentatif de la quantité de particules ionisantes absorbées par le dispositif 3.
Les inventeurs ont par ailleurs observé que la dose TID pouvait être déterminée à partir d’une loi polynomiale du type TID=A*(N0Nr)+B*(N0-Nr)2 ou TID=A*(Nr-N0)+B*(Nr-N0)2 selon la composition des oscillateurs en anneau.
Dans cette loi, A et B sont des coefficients, dont l’un d’entre eux peut être éventuellement nul et NO est la valeur du paramètre Nr en l’absence de particules ionisantes.
Cette loi polynomiale est implémentée dans l’étage de calcul 11, par exemple sous forme logicielle ou à l’aide de circuits spécifiques.
La loi polynomiale de degré 1 ou 2, comporte une partie quadratique et une partie linéaire.
Lorsque le premier étage d’acquisition 8 est réalisé avec des transistors NMOS, la loi polynomiale s’écrit comme ci-dessous :
TID = A*(N0-Nr) + B*(N0-Nr)2
Lorsque le premier étage d’acquisition 8 est réalisé avec des transistors PMOS, la loi polynomiale s’écrit comme ci-dessous :
TID = A*(Nr-N0) + B*(Nr-N0)2.
ίο
Afin de calculer précisément la dose totale ionisante TID pour des circuits fabriqués sous différentes technologies et/ou pour différentes familles de circuits, il convient d’effectuer une détermination du paramètre initial N0 et des coefficients A et B.
Ceci peut être fait en usine sur un circuit prototype au cours d’une phase d’étalonnage. Les valeurs de N0, A et B obtenues seront alors valables pour tout circuit analogue au circuit prototype.
En ce qui concerne N0, on effectue une mesure de N0 lorsque le dispositif 3 n’est pas irradié.
Afin de déterminer les coefficients A et B, on peut, pour une série de doses TID de référence connues, mesurer les valeurs correspondants de Nr.
A partir de tous ces points de mesure, on peut ensuite utiliser par exemple une méthode de régression polynomiale pour approximer au mieux le nuage de points de mesure par une loi polynomiale de degré 1 ou 2 et obtenir ainsi les coefficients A et B.
En fonction des mesures obtenues, la loi polynomiale peut être éventuellement une loi quadratique pure (A=0) ou une loi linéaire pure (B=0).
Mais généralement les coefficients A et B sont tous deux non nuis.
Le module de traitement 7 voire le dispositif 3 est implémenté complètement en technologie numérique (et non analogique) afin de permettre avantageusement une plus grande flexibilité de conception et une précision plus élevée sur la mesure des particules ionisantes TID.
Lorsque les coefficients N0, A et B de la loi polynomiale sont déterminés, l’étage de calcul 11 est configuré pour calculer de façon précise et simple la dose totale ionisante TID en utilisant le paramètre relatif Nr et la loi polynomiale.
Il convient de noter que le dispositif 3 utilise également avantageusement un flot conventionnel de triplication des bascules de façon à rendre le dispositif de mesure 3 plus résistant aux radiations. L’implémentation silicium du module de traitement 7 est peu encombrante et ne nécessite qu’une surface silicium de l’ordre de 400 pm2 dans la technologie de CMOS FDSOI 28nm.
La figure 5 illustre un autre exemple d’un circuit électronique 2 comprenant le dispositif de mesure 3 tel que décrit ci-avant.
Le circuit électronique 2 comprend un moyen de traitement 24 comportant une table de correspondance (« Look Up Table » : LUT en anglais) 25 couplée entre le dispositif de mesure 3 et un générateur de tension d’alimentation (Vdd) ou de polarisation de substrat (« Body Bias Generator » en anglais) 26, et d’autres circuits fonctionnels 27.
Le moyen de traitement 24 est destiné à recevoir la dose totale ionisante TID calculée par le dispositif 3 et configuré pour générer à partir de la table de correspondance 25 et de la dose totale ionisante TID, un paramètre 28 d’ajustement de tension d’alimentation ou de polarisation de substrat et pour délivrer ce paramètre 28 au générateur de tension d’alimentation (Vdd) ou de polarisation de substrat 26.
Le générateur 26 est également configuré pour générer à partir du paramètre 28, une valeur d’ajustement 29 de tension d’alimentation (Vdd) ou de polarisation de substrat et pour délivrer cette valeur d’ajustement 29 à des circuits fonctionnels 27 de façon à compenser les effets des impacts des particules ionisantes sur ces circuits 27.
En variante, on se réfère maintenant à la figure 6 pour illustrer encore un autre exemple d’un circuit électronique 2 comportant le dispositif de mesure 3 tel que décrit ci-avant.
Ce circuit électronique 2 comprend, à la place du moyen de traitement 24 illustré dans la figure 5, un moyen de comparaison 30 couplé entre le dispositif de mesure 3 et le générateur 26.
Ce moyen de comparaison 30 est configuré pour comparer le paramètre relatif Nr avec le paramètre initial N0 de façon à générer à partir du résultat de cette comparaison, le paramètre d’ajustement 28 et pour délivrer ce paramètre 28 au générateur 26.
Le générateur 26 est destiné à recevoir le paramètre 28 délivré par le moyen de comparaison 30 et configuré pour délivrer la valeur d’ajustement 29 non seulement aux autres circuits fonctionnels 27 mais également au dispositif de mesure 3.
Cette valeur d’ajustement 27 de rétroaction permet avantageusement un ajustement de la tension d’alimentation ou de la polarisation de substrat du dispositif de mesure 3 de façon à compenser les effets des impacts des particules ionisantes absorbées.
Lorsque le paramètre relatif Nr est sensiblement égal de nouveau au paramètre initial NO, cela signifie que l’ajustement sur la tension d’alimentation ou la polarisation de substrat compense correctement les impacts des particules ionisantes absorbées.
Claims (14)
1. Dispositif de mesure de particules ionisantes, comprenant un module d’acquisition (4) comportant des premier et deuxième étages d’acquisition (8, 9) comportant respectivement des sensibilités différentes à des particules ionisantes absorbées par le module d’acquisition (4) et configurés pour générer respectivement des premier et deuxième signaux d’acquisition (5, 6) ayant chacun une caractéristique variable en fonction de la quantité de particules ionisantes absorbées, et un module de traitement (7) comportant un étage de mesure (10) configuré pour générer à partir des premier et deuxième signaux d’acquisition (5, 6), un paramètre relatif Nr entre lesdites caractéristiques variables et un étage de calcul (11) configuré pour calculer une dose totale ionisante (TID) en utilisant une loi polynomiale de degré 1 ou 2 en Nr.
2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la loi polynomiale comporte un paramètre initial N0 correspondant à une absence de particule ionisante absorbée par le module d’acquisition (4).
3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la caractéristique de chaque signal d’acquisition (5, 6), variable en fonction de la quantité de particules ionisantes absorbées, est la fréquence du signal d’acquisition correspondant (5, 6).
4. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel le paramètre relatif Nr est un rapport de fréquences de deux signaux (6, 16) issus des signaux d’acquisition (5, 6).
5. Dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le premier étage d’acquisition (8) comprend un premier oscillateur en anneau (OSC1) du type NMOS et le deuxième étage d’acquisition (9) comprend un deuxième oscillateur en anneau (OSC2) du type PMOS.
6. Dispositif selon les revendications 2 et 5, dans lequel la loi polynomiale est du type A*(N0-Nr) + B*(N0-Nr)2, où A et B sont des coefficients dont l’un peut être éventuellement nul.
7. Dispositif selon l’une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le premier étage d’acquisition (8) comprend un premier oscillateur en anneau (OSC1) du type PMOS et le deuxième étage d’acquisition (9) comprend un deuxième oscillateur en anneau (OSC2) du type NMOS.
8. Dispositif selon les revendications 2 et 7, dans lequel la loi polynomiale est du type A*(Nr-N0) + B*(Nr-N0)2, où A et B sont des coefficients dont l’un peut être éventuellement nul.
9. Dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes prise en combinaison avec le revendication 4, dans lequel l’étage de mesure (10) comprend un étage de diviseur de fréquence (DIVF) destiné à recevoir le premier signal d’acquisition (5) et configuré pour délivrer un troisième signal d’acquisition (16) dont la fréquence est égale à celle du premier signal d’acquisition (5) divisée par E, E étant un entier prédéterminé, et un étage de machine d’états (18) couplé à l’étage de diviseur de fréquence (DIVF) et destiné à recevoir les deuxième et troisième signaux d’acquisition (6, 16), l’étage de machine d’états (18) étant configuré pour générer le paramètre relatif Nr égal au rapport entre les fréquences des deuxième et troisième signaux d’acquisition (6, 16).
10. Dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le module d’acquisition (4) comprend des transistors MOS à faible tension de seuil et le module de traitement (7) comprend des transistors MOS à tension de seuil régulière.
11. Dispositif selon l’une quelconque des revendications précédentes, réalisé en technologie numérique.
12. Système électronique (2), comprenant un ou plusieurs circuits intégrés et/ou un ou plusieurs microprocesseurs, et un dispositif (3) selon l’une quelconque des revendications précédentes, .destiné à mesurer quantitativement une dose totale ionisante reçue par un appareil électronique comportant ledit système.
13. Appareil électronique (1), susceptible d’être situé dans un espace irradié par des particules ionisantes et comprenant un système
5 électronique (2) selon la revendication 12.
14. Appareil selon la revendication 13, étant un appareil de communication satellite.
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Non-Patent Citations (2)
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| JAGANNATHAN S ET AL: "Sensitivity of High-Frequency RF Circuits to Total Ionizing Dose Degradation", IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, IEEE SERVICE CENTER, NEW YORK, NY, US, vol. 60, no. 6, 1 December 2013 (2013-12-01), pages 4498 - 4504, XP011534205, ISSN: 0018-9499, [retrieved on 20131216], DOI: 10.1109/TNS.2013.2283457 * |
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