FR3063660A1 - DEVICE FOR DEPOSITION UNDER ELECTRIC FIELD WITH ELECTRICAL DEFLECTOR - Google Patents

DEVICE FOR DEPOSITION UNDER ELECTRIC FIELD WITH ELECTRICAL DEFLECTOR Download PDF

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Abstract

L'invention propose un dispositif (10) de dépôt sous champ électrique d'une matière de dépôt, -du type comportant un support (14), et une filière (16) définissant un axe théorique de dépôt (A1), un champ électrique primaire étant créé entre la filière et le support, - du type dans lequel le déflecteur électrique comporte au moins un couple de pôles électriques (31a, 31b) de part et d'autre de l'axe théorique de dépôt (A1), chacune relié à une source de potentiel électrique (V31a, V31b); caractérisé en ce que les pôles électriques du déflecteur électrique présentent un plan central (Pcent) de mi-hauteur, qui est agencé, par rapport au support (14), de l'autre côté d'un plan de référence (Pref) comprenant l'orifice de sortie de la filière et perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt (A1), ou dans ce plan de référence.The invention proposes a device (10) for deposition in an electric field of a deposition material, of the type comprising a support (14), and a die (16) defining a theoretical deposition axis (A1), an electric field primary being created between the die and the support, - of the type in which the electric deflector comprises at least one pair of electric poles (31a, 31b) on either side of the theoretical deposit axis (A1), each connected at a source of electrical potential (V31a, V31b); characterized in that the electrical poles of the electrical deflector have a mid-height central plane (Pcent), which is arranged, with respect to the support (14), on the other side of a reference plane (Pref) comprising outlet orifice of the die and perpendicular to the theoretical deposit axis (A1), or in this reference plane.

Description

Titulaire(s) : UNIVERSITE CLAUDE BERNARD LYON I Etablissement public, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE Etablissement public.Holder (s): UNIVERSITE CLAUDE BERNARD LYON I Public establishment, NATIONAL CENTER FOR SCIENTIFIC RESEARCH Public establishment.

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Mandataire(s) : LTL SAS.Agent (s): LTL SAS.

DISPOSITIF DE DEPOT SOUS CHAMP ELECTRIQUE AVEC DEFLECTEUR ELECTRIQUE.ELECTRIC FIELD DEPOSITION DEVICE WITH ELECTRIC DEFLECTOR.

FR 3 063 660 - A1 (5/7 L'invention propose un dispositif (10) de dépôt sous champ électrique d'une matière de dépôt,FR 3 063 660 - A1 (5/7 The invention provides a device (10) for depositing a deposit material under an electric field,

-du type comportant un support (14), et une filière (16) définissant un axe théorique de dépôt (A1), un champ électrique primaire étant créé entre la filière et le support,of the type comprising a support (14), and a die (16) defining a theoretical axis of deposition (A1), a primary electric field being created between the die and the support,

- du type dans lequel le déflecteur électrique comporte au moins un couple de pôles électriques (31a, 31b) de part et d'autre de l'axe théorique de dépôt (A1), chacune relié à une source de potentiel électrique (V31a, V31b);- of the type in which the electrical deflector comprises at least one pair of electrical poles (31a, 31b) on either side of the theoretical deposition axis (A1), each connected to a source of electrical potential (V31a, V31b );

caractérisé en ce que les pôles électriques du déflecteur électrique présentent un plan central (Pcent) de mi-hauteur, qui est agencé, par rapport au support (14), de l'autre côté d'un plan de référence (Prêt) comprenant l'orifice de sortie de la filière et perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt (A1), ou dans ce plan de référence.characterized in that the electric poles of the electric deflector have a central plane (Pcent) of mid-height, which is arranged, with respect to the support (14), on the other side of a reference plane (Ready) comprising l 'outlet opening of the die and perpendicular to the theoretical axis of deposition (A1), or in this reference plane.

Figure FR3063660A1_D0001
Figure FR3063660A1_D0002

La présente invention concerne le domaine technique du dépôt sous champ électrique d'une matière de dépôt sur un substrat, notamment du filage sous champ électrique, aussi appelé électro-filage, ou du dépôt de gouttes de matière de dépôt sous champ électrique, aussi appelé « electro-spraying ».The present invention relates to the technical field of the deposition under an electric field of a material for deposition on a substrate, in particular the spinning under an electric field, also called electro-spinning, or the deposition of drops of material of deposition under an electric field, also called "Electro-spraying".

Dans certains cas particuliers, elie concerne plus précisément le domaine technique du filage sous champ électrique d'une matière de dépôt sous la forme de filaments discontinus ou, de préférence, sous la forme d'un filament continu, de diamètre micronique (inférieur à 10 microns), sub-micronique (inférieur à 1 micron) ou nano-métrique (inférieur à 100 nanomètres).In certain particular cases, it relates more precisely to the technical field of spinning under an electric field a deposition material in the form of discontinuous filaments or, preferably, in the form of a continuous filament, of micron diameter (less than 10 microns), sub-micron (less than 1 micron) or nanometric (less than 100 nanometers).

Dans l’art antérieur, il a déjà été proposé des dispositifs de dépôt de filaments de faible diamètre, notamment de diamètre inférieur ou égal au micron. De tels dispositifs sont par exemple décrits dans le document « A review on eiectrospinning design and nanofibre assemblies», W.E. Teo and S. Ramakrishna, Institute of Physics Publishing, Nanotechnology 17 (2006) R89-R106, doi:10.1088/0957-4484/17/14/R01, publié en Juin 2006. De tels dispositifs sont aussi brièvement évoqués dans « Mechanisms, Capabiiities, and Applications of High-Resoiution Eiectrohydrodynamic jet Printing», M. Serdar Onses, Erick Sutanto, Placid M. Ferreira, Andrew G. Alleyne, and John A. Rogers, SMALL 2015, Volume 11, N°34, September 9 2015, pages 4237-4266, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co.In the prior art, devices for depositing small diameter filaments have already been proposed, in particular with a diameter less than or equal to one micron. Such devices are for example described in the document "A review on eiectrospinning design and nanofiber assemblies", WE Teo and S. Ramakrishna, Institute of Physics Publishing, Nanotechnology 17 (2006) R89-R106, doi: 10.1088 / 0957-4484 / 17/14 / R01, published in June 2006. Such devices are also briefly mentioned in "Mechanisms, Capabiiities, and Applications of High-Resoiution Eiectrohydrodynamic jet Printing", M. Serdar Onses, Erick Sutanto, Placid M. Ferreira, Andrew G Alleyne, and John A. Rogers, SMALL 2015, Volume 11, N ° 34, September 9 2015, pages 4237-4266, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co.

Par exemple, les documents US-8.495.969, US-8.906.285,For example, documents US-8,495,969, US-8,906,285,

KR-2010119630, US-2013/0216724 et US-2015/0054201 décrivent des dispositifs de dépôt par filage sous champ électrique d'une matière de dépôt sur un substrat. Dans certains de ces dispositifs, la filière et le support, entre lesquels on génère un potentiel électrique, sont mobiles l'un par rapport à l'autre selon au moins deux directions de déplacement orthogonales à un axe théorique de dépôt qui est perpendiculaire au plan du support. Le filage est un filage d'un filament continu et le déplacement relatif entre la filière et !e support, selon Ses directions de déplacement, permet de déposer le dépôt de matière à l'endroit souhaité sur le substrat porté par le support.KR-2010119630, US-2013/0216724 and US-2015/0054201 describe devices for depositing, by electrical field spinning, a deposit material on a substrate. In some of these devices, the die and the support, between which an electrical potential is generated, are movable relative to one another in at least two directions of movement orthogonal to a theoretical axis of deposition which is perpendicular to the plane of support. Spinning is a spinning of a continuous filament and the relative displacement between the die and the support, according to its directions of movement, makes it possible to deposit the deposit of material at the desired location on the substrate carried by the support.

Le document WO-2012/158461 décrit divers procédés et systèmes pour la fabrication de membranes nanoporeuses. Dans une forme de réalisation, un système comprend des paires d’électrodes comprenant des électrodes sensiblement parallèles, un bloc d’alimentation pouvant être commandé pour commander le potentiel électrique de chacune des paires d'électrodes, et une seringue pour éjecter une solution chargée électriquement d'une aiguille pour former une nanofibre. L'orientation de ia nanohbre dans une couche de nanofibres est déterminée par les potentiels électriques des paires d'électrodes.WO-2012/158461 describes various methods and systems for the manufacture of nanoporous membranes. In one embodiment, a system includes pairs of electrodes including substantially parallel electrodes, a power supply controllable to control the electrical potential of each of the pairs of electrodes, and a syringe for ejecting an electrically charged solution a needle to form a nanofiber. The orientation of the nanorab in a layer of nanofibers is determined by the electrical potentials of the pairs of electrodes.

Le document WO-2014/079400 décrit des systèmes d'électrodes qui permettent d'infléchir la trajectoire de nanofibres courtes obtenues par electro-fiiage. Le document US-2009/152773 décrit, dans un dispositif d'électro-filage, un couple d'électrodes agencé entre un orifice de sortie de la filière ia filière et le support sur lequel est projeté la fibre. Ce couple d'électrode a pour but, avec un dispositif créant un champ magnétique, de stabiliser et de centrer la trajectoire de la fibre qui est créée, entre l'orifice de sortie de la filière la filière et le support. Le dispositif du document WO-2016/075688 décrit un dispositif portatif d'électro-filage dans lequel l'orifice de sortie est entouré d'une électrode auxiliaire périphérique, qui détermine un potentiel électrique unique tout autour de l'axe de projection des fibres, afin de gérer la dispersion ou la concentration des fibres courtes créées par ie dispositif.Document WO-2014/079400 describes electrode systems which allow the trajectory of short nanofibers obtained by electro-bending to be bent. Document US-2009/152773 describes, in an electro-spinning device, a pair of electrodes arranged between an outlet orifice of the die ia die and the support on which the fiber is projected. The purpose of this electrode couple, with a device creating a magnetic field, is to stabilize and center the path of the fiber which is created, between the outlet orifice of the die, the die and the support. The device of document WO-2016/075688 describes a portable electro-spinning device in which the outlet orifice is surrounded by a peripheral auxiliary electrode, which determines a single electrical potential all around the axis of projection of the fibers , in order to manage the dispersion or the concentration of short fibers created by the device.

Le document High-speed and drop-on-demand prindng with a puised eiectrohydrodynamic jet , S Mishra, K L Barton, A G Alleyne, P M Ferreira and J A Rogers, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 20 (2010) 095026 (8pp), doi: 10.1088/0960-1317/20/9/095026, décrit une technique de dépôt de gouttes de matière de dépôt sous champ électrique, de type « electro-spraying ». Le document Nanoscaie, Electrified Liquid Jets for High-Resoiution Printing of Chargé', Jang-Ung Park, Sangkyu Lee, Sakulsuk Unarunotai, Yugang Sun, Simon Dunham, Taeseup Song, Placid M.The document High-speed and drop-on-demand prindng with a pulsed eiectrohydrodynamic jet, S Mishra, KL Barton, AG Alleyne, PM Ferreira and JA Rogers, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 20 (2010) 095026 (8pp), doi: 10.1088 / 0960-1317 / 20/9/095026, describes a technique for depositing drops of deposition material under an electric field, of the “electro-spraying” type. The document Nanoscaie, Electrified Liquid Jets for High-Resoiution Printing of Chargé ', Jang-Ung Park, Sangkyu Lee, Sakulsuk Unarunotai, Yugang Sun, Simon Dunham, Taeseup Song, Placid M.

Ferreira, Andrew G. Alleyene, Ungyu Paik, John A, Rogers, Nano Letters. 2010, 10, 584-591, DOI: 10.1021/nl903495f, décrit aussi de telles techniques. Le document « Fabrication of high-resolution conductive Unes by combining inkjet printing with soft tithography», Jisu Sung, Byung Ju Kang, Je Hoon Oh, Microelectronic Engineering 110 (2013) 219-223, http://dx.doi.Org/10.1016/j.mee.2013.04.004, décrit un autre exemple de ces technologies.Ferreira, Andrew G. Alleyene, Ungyu Paik, John A, Rogers, Nano Letters. 2010, 10, 584-591, DOI: 10.1021 / nl903495f, also describes such techniques. The document "Fabrication of high-resolution conductive Unes by combining inkjet printing with soft tithography", Jisu Sung, Byung Ju Kang, Je Hoon Oh, Microelectronic Engineering 110 (2013) 219-223, http://dx.doi.Org/ 10.1016 / j.mee.2013.04.004, describes another example of these technologies.

De tels dispositifs peuvent être utilisés pour effectuer des dépôts avec de relativement grandes vitesses de dépôt, mesurées en termes de vitesse de déplacement relatif entre la filière et le support. Cependant, avec de telles vitesses, il apparaît que l'on atteint rapidement certaines limites quant à la précision de la localisation du dépôt, ou, notamment dans le cas d'un dépôt d'un filament continu, que l'on ne soit pas capable de faire suivre au filament déposé un rayon très serré, par exemple pour former un angle vif entre deux segments rectilignes du filament déposé.Such devices can be used to deposit with relatively high deposition rates, measured in terms of the speed of relative movement between the die and the support. However, with such speeds, it appears that certain limits are quickly reached as to the precision of the location of the deposit, or, in particular in the case of a deposit of a continuous filament, that one is not capable of making the deposited filament follow a very tight radius, for example to form a sharp angle between two rectilinear segments of the deposited filament.

Dans le but de répondre au moins en partie à ce problème, l'invention propose donc un dispositif de dépôt sous champ électrique d'une matière de dépôt sur un substrat :In order to respond at least in part to this problem, the invention therefore proposes a device for depositing, under an electric field, a material for deposition on a substrate:

- du type comportant un support pour le substrat et une filière ayant un orifice de sortie par lequel s'écoule la matière de dépôt destinée à être déposée sur le substrat porté par le support, l'orifice de sortie de la filière définissant un axe théorique de dépôt de la matière de dépôt ;- of the type comprising a support for the substrate and a die having an outlet orifice through which flows the deposition material intended to be deposited on the substrate carried by the support, the outlet orifice of the die defining a theoretical axis depositing the deposit material;

- du type dans lequel la filière et le support sont liés chacun à une source de potentiel électrique de manière à créer un champ électrique primaire entre la filière et le support ;- of the type in which the die and the support are each linked to a source of electrical potential so as to create a primary electric field between the die and the support;

- du type comprenant un déflecteur électrique qui comporte au moins un premier couple de pôles électriques, éloignés l'un de l'autre selon une première direction transversale dans un plan perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt, de part et d'autre de l'axe théorique de dépôt ;- of the type comprising an electrical deflector which comprises at least a first pair of electrical poles, spaced from one another in a first transverse direction in a plane perpendicular to the theoretical axis of deposition, on either side of the theoretical axis of deposition;

- et du type dans lequel chaque pôle électrique du couple de pôles électriques est relié à une source de potentiel électrique dont l'une au moins peut varier son potentiel ; ainsi, le premier couple de pôles peut créer, par une différence de potentiel entre les deux pôles électriques du couple, un premier champ électrique additionnel orienté selon la première direction transversale ;- And of the type in which each electric pole of the pair of electric poles is connected to a source of electric potential, at least one of which can vary its potential; thus, the first pair of poles can create, by a potential difference between the two electric poles of the couple, a first additional electric field oriented in the first transverse direction;

Le dispositif est caractérisé en ce que les pôles électriques du déflecteur électrique présentent un plan central de mi-hauteur, qui est agencé, par rapport au support, de l'autre côté d'un plan de référence comprenant l'orifice de sortie de la filière et perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt, ou dans ce plan de référence.The device is characterized in that the electrical poles of the electrical deflector have a central half-height plane, which is arranged, relative to the support, on the other side of a reference plane comprising the outlet of the die and perpendicular to the theoretical axis of deposition, or in this reference plane.

Selon d'autres caractéristiques optionnelles de l'invention, prises seules ou en combinaison :According to other optional features of the invention, taken alone or in combination:

- Les pôles électriques du déflecteur électrique présentent un point bas, le plus proche du support, qui est agencé, par rapport au support, de l'autre côté d'un plan de référence comprenant l'orifice de sortie de la filière et perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt, ou dans ce plan de référence.- The electrical poles of the electrical deflector have a low point, closest to the support, which is arranged, relative to the support, on the other side of a reference plane comprising the outlet outlet of the die and perpendicular to the theoretical axis of deposition, or in this reference plane.

- Le déflecteur électrique comporte un deuxième couple de pôles électriques, éloignés l'un de l'autre selon une deuxième direction transversale dans un plan perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt, non parallèle à la première direction, de part et d'autre de l'axe théorique de dépôt, chaque pôle électrique du deuxième couple de pôles électriques étant relié à une source de potentiel électrique dont l'une au moins peut varier son potentiel ; ainsi, le deuxième couple de pôle peut créer, par une différence de potentiel entre les deux pôles électriques du couple, un deuxième champ électrique additionnel orienté selon la deuxième direction transversale.- The electric deflector comprises a second pair of electric poles, spaced from each other in a second transverse direction in a plane perpendicular to the theoretical axis of deposition, not parallel to the first direction, on either side the theoretical deposition axis, each electric pole of the second pair of electric poles being connected to a source of electric potential, at least one of which can vary its potential; thus, the second pole couple can create, by a potential difference between the two electric poles of the couple, a second additional electric field oriented in the second transverse direction.

- Pour provoquer une déflexion de la trajectoire de la matière de dépôt entre l'orifice de sortie et le support, le dispositif est configuré pour appliquer une différence de potentiel entre les deux pôles électriques d'un même couple de pôles électriques en appliquant sur chacun des deux pôles des potentiels qui sont symétriques par rapport à un potentiel de base non nul.- To cause a deflection of the trajectory of the deposit material between the outlet orifice and the support, the device is configured to apply a potential difference between the two electric poles of the same pair of electric poles by applying to each of the two poles of the potentials which are symmetrical with respect to a non-zero base potential.

- L'axe théorique de dépôt est confondu avec un axe géométrique de la filière au niveau de son orifice de sortie.- The theoretical axis of deposition coincides with a geometric axis of the die at its exit orifice.

- La filière comporte une aiguille délimitant un canal interne d'écoulement de la matière de dépôt, lequel présente un tronçon rectiligne terminal qui se termine par l'orifice de sortie et qui présente un axe d'extension, et l'axe théorique de dépôt est confondu avec l'axe d'extension du tronçon rectiligne termina! du canal interne de l'aiguille de la filière, au niveau de son orifice de sortie.- The die comprises a needle defining an internal channel for the flow of the deposition material, which has a terminal rectilinear section which ends at the outlet orifice and which has an axis of extension, and the theoretical axis of deposition is confused with the axis of extension of the straight section ended! of the internal channel of the needle of the die, at the level of its outlet orifice.

- La filière et le support sont mobiles l'un par rapport à l'autre selon au moins deux directions de déplacement non parallèles entre elles et non parallèles à l'axe théorique de dépôt.- The die and the support are movable relative to each other in at least two directions of movement which are not parallel to each other and not parallel to the theoretical axis of deposition.

- Le dispositif comporte des moyens de déplacement permettant un déplacement relatif entre le support et la filière.- The device comprises displacement means allowing relative displacement between the support and the die.

- Le dispositif comporte des moyens de déplacement permettant un déplacement relatif entre le support et la filière selon la selon la première direction transversale.- The device comprises displacement means allowing relative displacement between the support and the die according to in the first transverse direction.

- Le dispositif comporte des moyens de déplacement permettant un déplacement relatif entre le support et la filière selon la selon la deuxième direction transversale.- The device comprises displacement means allowing a relative displacement between the support and the die according to the in the second transverse direction.

- Le dispositif comporte des moyens de déplacement permettant un déplacement relatif entre le support et la filière selon la direction de l'axe théorique de dépôt.- The device comprises displacement means allowing relative displacement between the support and the die in the direction of the theoretical axis of deposition.

- La matière de dépôt est une matière polymère.- The deposit material is a polymer material.

- La matière de dépôt est extrudée dans la filière sous la forme d'une solution de matière dans un solvant.- The deposit material is extruded in the die in the form of a solution of material in a solvent.

- La matière de dépôt est thermoplastique, et elle est filée dans la filière à une température à laquelle elle est malléable.- The deposit material is thermoplastic, and it is spun in the die at a temperature at which it is malleable.

- Le dispositif crée un filament de matière de dépôt continu.- The device creates a filament of continuous deposit material.

- Le dispositif crée un filament de matière de dépôt dont le diamètre est inférieur ou égal à 1 micron.- The device creates a filament of deposit material whose diameter is less than or equal to 1 micron.

- Le dispositif crée des filaments discontinus de matière de dépôt.- The device creates discontinuous filaments of deposit material.

- Le dispositif crée des gouttelettes de matière de dépôt.- The device creates droplets of deposit material.

- Le support est un support plan qui s'étend dans un plan transversal perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt, et, en tous points de l'axe théorique de dépôt entre la filière et !e support, le champ électrique primaire est parallèle à cet axe théorique.- The support is a planar support which extends in a transverse plane perpendicular to the theoretical axis of deposition, and, at all points of the theoretical axis of deposition between the die and! E support, the primary electric field is parallel to this theoretical axis.

Diverses autres caractéristiques ressortent de la description faite ci-dessous en référence aux dessins annexés qui montrent, à titre d'exemples non limitatifs, des formes de réalisation de l'objet de l'invention.Various other characteristics will emerge from the description given below with reference to the appended drawings which show, by way of nonlimiting examples, embodiments of the subject of the invention.

La Figure 1 est une vue schématique en perspective d'un dispositif de dépôt par filage sous champ électriqueFigure 1 is a schematic perspective view of an electric field spinning deposition device

Le Figure 2 est une vue schématique d'une partie d'un dispositif de dépôt par filage sous champ électrique tel qu'illustré à ia Fig. 1, muni d'un déflecteur électrique conformément à l'invention.Figure 2 is a schematic view of part of an electric field spinning deposition device as illustrated in FIG. 1, provided with an electric deflector according to the invention.

Le Figure 3 est une vue schématique de côté du dispositif de la Fig. 2, illustrant la position relative du déflecteur électrique par rapport à la filière.Figure 3 is a schematic side view of the device of FIG. 2, illustrating the relative position of the electric deflector relative to the die.

Le Figure 4 est une vue similaire à celle de la Fig- 3, illustrant la déviation d'un filament continu de matière créé par le dispositif, avec application d'un champ électrique additionnel par le déflecteur électrique.Figure 4 is a view similar to that of Fig- 3, illustrating the deflection of a continuous filament of material created by the device, with application of an additional electric field by the electric deflector.

Les Figures 5A à 5D sont des vues schématiques en perspective illustrant différentes variantes de géométrie pour les pôles électriques d'un déflecteur électrique.Figures 5A to 5D are schematic perspective views illustrating different geometry variants for the electrical poles of an electrical deflector.

On a illustré sur la Fig. 1 un dispositif 10 de dépôt par filage sous champ électrique d'une matière de dépôt sur un substrat 12 qui peut être mis en œuvre dans le cadre de l'invention. L'invention pourra aussi être mise en œuvre dans le cas d'un dispositif de dépôt sous champ électrique de type « electrospraying ».Illustrated in FIG. 1 a device 10 for depositing, by electrical field spinning, a material for depositing on a substrate 12 which can be used in the context of the invention. The invention may also be implemented in the case of an electric field deposition device of the “electrospraying” type.

De manière connue, le dispositif 10 comporte un support 14 pour le substrat 12. Le substrat 12 est par exemple un objet sur lequel on souhaite recueillir ia matière formée par le dispositif. Dans l'exemple illustré, le support 14 est un support plan qui s'étend selon deux directions orthogonales X et Y. Le support plan 14 présente une face de support 15 qui est plane selon le plan d'extension XY du support 14. Généralement, on prévoit que cette face de support 15 est horizontale, donc perpendiculaire à la direction de la gravité terrestre. Cependant, dans certaines applications, le support 14 peut ne pas être plan, ou éventuellement ne pas être horizontal.In known manner, the device 10 comprises a support 14 for the substrate 12. The substrate 12 is for example an object on which it is desired to collect the material formed by the device. In the example illustrated, the support 14 is a planar support which extends in two orthogonal directions X and Y. The planar support 14 has a support face 15 which is planar along the extension plane XY of the support 14. Generally , it is expected that this support face 15 is horizontal, therefore perpendicular to the direction of Earth's gravity. However, in certain applications, the support 14 may not be planar, or possibly not be horizontal.

Le dispositif 10 comporte aussi une filière 16 ayant un orifice de sortie 18 par lequel s'écoule la matière de dépôt destinée à être déposée sur le substrat 12 porté par le support 14. La filière 16 comporte une source de matière de dépôt. Suivant la technologie employée, la matière de dépôt peut se présenter sous la forme d'un matériau en solution dans un solvant, ou d'un matériau sous forme au moins partieliement fondue.The device 10 also comprises a die 16 having an outlet orifice 18 through which flows the deposition material intended to be deposited on the substrate 12 carried by the support 14. The die 16 comprises a source of deposition material. Depending on the technology used, the deposition material may be in the form of a material in solution in a solvent, or of a material in at least partially molten form.

La matière de dépôt peut être ou comprendre une matière polymère.The deposition material may be or include a polymeric material.

Dans certains des exemples de réalisation, le polymère est un solide de type polyéthylène glycoi, par exemple un Polyethylene oxide (PEO). Ce polymère peut présenter une masse molaire de 200 000 grammes par mole. Le PEO peut par exemple être solubilisé dans du chloroforme (CHCI3) de manière à obtenir une solution contenant 5% en masse de PEO.In some of the exemplary embodiments, the polymer is a solid of the polyethylene glycol type, for example a Polyethylene oxide (PEO). This polymer can have a molar mass of 200,000 grams per mole. PEO can for example be dissolved in chloroform (CHCl3) so as to obtain a solution containing 5% by mass of PEO.

Parmi les autres matières particulièrement adaptées au dépôt, notamment par filage, sous champ électrique, seules ou en mélange, on peut citer les polymères suivants : polyester, nylon, polysulfone, polyacétate de vinyle (PVA), polyacrylonitrile (PAN), poly vinyl pyrrolidone (PVP), chitosane, collagène, cellulose, fibrinogène. Ces polymères sont particulièrement adaptés au dépôt sous forme de solution dans un solvant. Dans tous les cas, la solution contenant du ou des polymère(s) et du solvant peut aussi comprendre d'autres molécules ou particules.Among the other materials which are particularly suitable for deposition, in particular by spinning, under an electric field, alone or as a mixture, mention may be made of the following polymers: polyester, nylon, polysulfone, polyvinyl acetate (PVA), polyacrylonitrile (PAN), poly vinyl pyrrolidone (PVP), chitosan, collagen, cellulose, fibrinogen. These polymers are particularly suitable for deposition in the form of a solution in a solvent. In all cases, the solution containing polymer (s) and solvent can also comprise other molecules or particles.

En variante, la matière de dépôt peut être ou comprendre une matière inorganique du type céramique.Alternatively, the deposition material may be or include an inorganic material of the ceramic type.

En variante, la matière de dépôt peut être ou comprendre un matériau thermopiastique. Dans ce cas, le processus de dépôt peut être analogue à un processus d'extrusion dans lequel la matière de dépôt est amenée, dans la filière, dans un état plastique, malléable, notamment par élévation de sa température au-dessus de son point de ramollissement VICAT, ou au-dessus de sa température de transition vitreuse ou de son point de fusion selon la nature des matériaux concernés. La matière de dépôt peut par exemple être ou comprendre du polyéthylène, du polypropylène, du polystyrène, du polyuréthane, etc....Alternatively, the deposition material may be or include a thermopiastic material. In this case, the deposition process can be analogous to an extrusion process in which the deposition material is brought into the die in a plastic, malleable state, in particular by raising its temperature above its point of VICAT softening, or above its glass transition temperature or its melting point depending on the nature of the materials concerned. The deposition material can for example be or comprise polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyurethane, etc.

La matière de dépôt peut par exemple comprendre plusieurs matériaux qui sont soit mélangés, soit non mélangés. Dans le cas de matériaux non mélangés, on a affaire à un dépôt analogue à une co-extrusion. Dans le cas d'electro-filage d'un filament multi-matériaux, on peut avoir plusieurs couches de matériaux différents disposées coaxialement le long de l'axe théorique de dépôt. Les matériaux peuvent comprendre des charges, organiques ou inorganiques.The deposition material may for example comprise several materials which are either mixed or not mixed. In the case of unmixed materials, we are dealing with a deposit similar to co-extrusion. In the case of electro-spinning of a multi-material filament, it is possible to have several layers of different materials arranged coaxially along the theoretical axis of deposition. Materials can include fillers, organic or inorganic.

La filière 16 comporte généralement des moyens pour conditionner la matière. Elle peut comporter par exemple des moyens de mise sous pression, notamment une ou plusieurs pompes pour une matière en solution liquide ou pour une matière visqueuse ou plastique, un ou plusieurs moyens d'entraînement mécaniques pour une matière initialement solide, etc... Elle peut comporter des moyens de chauffage, notamment résistance chauffante, bobine à induction, etc...,The die 16 generally comprises means for conditioning the material. It may for example include pressurizing means, in particular one or more pumps for a material in liquid solution or for a viscous or plastic material, one or more mechanical drive means for an initially solid material, etc. may include heating means, in particular heating resistance, induction coil, etc.,

La flière 16 se termine généralement par une aiguille 20 dont l'extrémité forme l'orifice de sortie 18 par lequel, en fonctionnement, s'écoule la matière de dépôt. L'aiguille peut être remplacée par une pointe dont l'extrémité forme l'orifice de sortie de la filière. Dans le cas d'une aiguille 20, on a affaire à un corps tubulaire qui délimite un canal interne d'écoulement de la matière de dépôt. L'extrémité de sortie de ce canal interne présente généralement un tronçon rectiligne terminal qui se termine par l'orifice de sortie 18. Ce tronçon rectiligne terminal présente un axe d'extension, généralement un axe de symétrie de ce tronçon rectiligne terminal, qui sera ci-après appelée axe d'aiguille. Le diamètre du canal interne peut être de 100 nanomètres à 1 millimètre, de préférence de 0,2 à 0,5 millimètres.The flier 16 generally ends with a needle 20, the end of which forms the outlet orifice 18 through which, in operation, the deposition material flows. The needle can be replaced by a point, the end of which forms the outlet opening of the die. In the case of a needle 20, we are dealing with a tubular body which delimits an internal channel for the flow of the deposition material. The outlet end of this internal channel generally has a straight rectilinear section which ends in the outlet orifice 18. This straight rectilinear section has an axis of extension, generally an axis of symmetry of this straight rectilinear section, which will be hereinafter called the needle axis. The diameter of the internal channel can be from 100 nanometers to 1 millimeter, preferably from 0.2 to 0.5 millimeters.

Le plus souvent, la filière 16 est orientée de manière à ce que l'axe d'aiguille soit orienté verticalement, selon la direction verticale de la gravité terrestre. Cependant, dans certains cas, l'orientation peut être différente.Most often, the die 16 is oriented so that the needle axis is oriented vertically, in the vertical direction of Earth's gravity. However, in some cases, the orientation may be different.

Le plus souvent, dans le cas d'un dispositif 10 comportant un support 14 plan, la filière est orientée de manière à ce que son axe d'aiguille soit orienté perpendiculairement au plan d'extension XY de la face de support plane 15 de ce support plan.Most often, in the case of a device 10 comprising a plane support 14, the die is oriented so that its needle axis is oriented perpendicular to the plane of extension XY of the plane support face 15 of this plan support.

Le plus souvent, la filière 16 est agencée au-dessus du support 14, par rapport à la direction d'attraction de !a gravité terrestre, de manière à ce que la gravité terrestre favorise le déplacement de la matière depuis l'orifice de sortie 18 de la filière 16 vers le support 14, plus précisément vers un substrat 12 porté par le support 14.Most often, the die 16 is arranged above the support 14, with respect to the direction of attraction of Earth gravity, so that Earth gravity promotes the movement of the material from the outlet 18 from the die 16 to the support 14, more precisely to a substrate 12 carried by the support 14.

On note que, dans un dispositif selon invention, la filière 16 et le support 14 sont positionnés i'un par rapport à i'autre, pendant le fonctionnement de la machine correspondant au temps de dépôt de ia matière de dépôt, de telle sorte que l'orifice de sortie 18 de la filière 16 se trouve agencé à une distance d'une surface du substrat sur laquelle on veut déposer la matière, cette distance étant généralement comprise entre 1 mm et 10 cm, notamment comprise entre 1 cm et 5 cm.It is noted that, in a device according to the invention, the die 16 and the support 14 are positioned one with respect to the other, during the operation of the machine corresponding to the deposition time of the deposition material, so that the outlet orifice 18 of the die 16 is arranged at a distance from a surface of the substrate on which the material is to be deposited, this distance generally being between 1 mm and 10 cm, in particular between 1 cm and 5 cm .

Ainsi, l'orifice de sortie 18 de la filière définit un axe théorique de dépôt Al de la matière de dépôt. Dans la suite du texte, on considère le cas où ia filière 16 présente une aiguille 20 et on considère que l'axe théorique de dépôt Al correspond à l'axe d'aiguille.Thus, the outlet orifice 18 of the die defines a theoretical axis of deposition A1 of the deposition material. In the following text, we consider the case where the die 16 has a needle 20 and we consider that the theoretical axis of deposition Al corresponds to the needle axis.

Dans le cas où la filière 16 présente une aiguille 20 dont l'axe d'aiguille est orienté perpendiculairement au support 14, l'axe théorique de dépôt Al est alors perpendiculaire au support et s'étend selon la direction de la plus courte dimension entre l'orifice de sortie 18 et le support 14.In the case where the die 16 has a needle 20 whose needle axis is oriented perpendicular to the support 14, the theoretical deposition axis A1 is then perpendicular to the support and extends in the direction of the shortest dimension between the outlet 18 and the support 14.

Dans le cas illustré à la Fig. 1, qui est le cas le plus fréquent, l'axe théorique de dépôt Al est confondu avec l'axe d'aiguille et avec la direction verticale de la gravité, en étant donc perpendiculaire au plan d'extension XY du support 14.In the case illustrated in FIG. 1, which is the most frequent case, the theoretical deposition axis A1 is coincident with the needle axis and with the vertical direction of gravity, therefore being perpendicular to the extension plane XY of the support 14.

Dans un dispositif 10 de dépôt sous champ électrique, ia filière 16 et !e support 14 sont liés chacun à une source de potentiel électrique de manière à créer un champ électrique primaire entre !a filière 16 et le support 14. La filière 16 est ainsi à un potentiel V16 et Se support 14 est à un potentiel V14,In a device 10 for depositing in an electric field, the die 16 and the support 14 are each linked to a source of electric potential so as to create a primary electric field between the die 16 and the support 14. The die 16 is thus at a potential V16 and the support 14 is at a potential V14,

Une source de potentiel électrique peut être une source de potentiel positif, une source de potentiel négatif, ou une source de potentiel neutre, comme une mise à la terre. L'une ou l'autre, ou les deux sources de potentiel électrique, peut ou peuvent être une source dont le potentiel est variable au cours du temps. Par exemple, comme dans l'exemple illustré, les sources de potentiel électrique liées respectivement à la filière 16 et au support 14 sont les deux bornes d'un générateur de tension 22. Cependant, l'une ou l'autre des sources de potentiel électrique peut être la terre. Dans tous les cas, les sources de potentiel électrique permettent de créer entre la filière 16 et le support 14 une différence de potentiel génératrice du champ électrique primaire. Notamment, la source de potentiel électrique liée à la filière 16 peut être électriquement liée à l'aiguille 20, laquelle est généralement en matériau conducteur de l'électricité ou recouverte d'un tel matériau, à minima au niveau de son canal interne. La différence de potentiel électrique entre la filière 16 et le support 14 est généralement supérieure à 500 V, par exemple supérieure à 5000 V. Elle est généralement inférieure à 20 000 V.A source of electrical potential can be a source of positive potential, a source of negative potential, or a source of neutral potential, such as grounding. Either or both sources of electrical potential can or can be a source whose potential is variable over time. For example, as in the example illustrated, the sources of electrical potential linked respectively to the die 16 and to the support 14 are the two terminals of a voltage generator 22. However, one or the other of the potential sources electric can be earth. In all cases, the sources of electric potential make it possible to create between the die 16 and the support 14 a difference in potential generating the primary electric field. In particular, the source of electrical potential linked to the die 16 can be electrically linked to the needle 20, which is generally made of an electrically conductive material or covered with such a material, at least at its internal channel. The difference in electrical potential between the die 16 and the support 14 is generally greater than 500 V, for example greater than 5000 V. It is generally less than 20 000 V.

Sous l'effet du champ électrique, une goutte de matière formée à l'orifice de sortie 18 de la filière 16, sous forme liquide ou au moins visqueuse, peut prendre (a forme d'un cône (appelé cône de Taylor) au bout duquel la matière de dépôt est étirée et accélérée vers le support sous forme d'un filament continu ou de filaments discontinus ou de gouttelettes. Dans le cas d'une aiguille comprenant un canal interne, le diamètre final du ou des filaments produits par la filière est généralement d'environ 1000 fois inférieur au diamètre interne du canal interne, Ainsi, le filament continu ou les filaments discontinus peuvent présenter un diamètre qui appartient à la gamme allant de 20 nanomètres à 10 microns, de préférence de 50 à 500 nanomètres.Under the effect of the electric field, a drop of material formed at the outlet orifice 18 of the die 16, in liquid or at least viscous form, can take (in the form of a cone (called Taylor cone) at the end from which the deposition material is stretched and accelerated towards the support in the form of a continuous filament or discontinuous filaments or droplets. In the case of a needle comprising an internal channel, the final diameter of the filament (s) produced by the die is generally about 1000 times smaller than the internal diameter of the internal channel. Thus, the continuous filament or the discontinuous filaments can have a diameter which belongs to the range going from 20 nanometers to 10 microns, preferably from 50 to 500 nanometers.

Dans le cas de l'« electrospraying », la viscosité de la matière de dépôt, qui est généralement en suspension dans un solvant, est généralement plus faible, si bien que (a matière de dépôt tend, sous l'effet du champ électrique, à former des gouttelettes qui s'échappent de l'orifice de sortie de la filière. Il en est de même pour les filaments discontinus dans certains procédés d'électro-fîlage. Dans les deux cas, la valeur du champ électrique primaire ou la température dans la filière sont aussi des facteurs qui peuvent intervenir dans la forme que prend la matière de dépôt entre la filière et le substrat (filament continu, filaments discontinus ou gouttelettes).In the case of "electrospraying", the viscosity of the deposit material, which is generally suspended in a solvent, is generally lower, so that the deposit material tends, under the effect of the electric field, to form droplets which escape from the die outlet, the same applies to discontinuous filaments in certain electro-spinning processes. In both cases, the value of the primary electric field or the temperature in the die are also factors which can intervene in the form that the deposit material takes between the die and the substrate (continuous filament, discontinuous filaments or droplets).

Un dispositif de dépôt par « electrospraying » est généralement identique à un dispositif de dépôt par filage sous champ électrique tel que décrit ci-dessus. Dans un dispositif de dépôt par « electrospraying », on nomme aussi par analogie « filière » l'émetteur par lequel ia matière s'écoule, le champ électrique étant établi entre l'émetteur et le support du substrat. Les gouttelettes peuvent avoir un diamètre allant de 10 nanomètres à 100 micromètres.A device for depositing by "electrospraying" is generally identical to a device for depositing by spinning under an electric field as described above. In an “electrospraying” deposition device, the emitter by which the material flows, the electric field being established between the emitter and the substrate support, is also called by analogy “die”. The droplets can have a diameter ranging from 10 nanometers to 100 micrometers.

On notera que, dans le cas de l'« electrospraying » ou de l'électro-filage de filaments discontinus, les gouttelettes ou les filaments discontinus sont, en cours de dépôt, en « vol libre » entre le moment de leur détachement de l'orifice de sortie de la filière et le moment de leur impact sur le substrat. Dans le cas de l'électro-filage d'un filament continu, le filament forme, en cours de dépôt, une colonne de matière continue qui est en permanence attachée d'une part à l'orifice de sortie de la filière et d'autre part au substrat.It will be noted that, in the case of “electrospraying” or the electro-spinning of discontinuous filaments, the droplets or discontinuous filaments are, during deposition, in “free flight” between the moment of their detachment from the 'outlet of the die and the moment of their impact on the substrate. In the case of electro-spinning of a continuous filament, the filament forms, during deposition, a column of continuous material which is permanently attached on the one hand to the outlet orifice of the die and on the other hand to the substrate.

La vitesse d'extrusion de la matière de dépôt au travers de la filière 16 peut par exemple varier de quelques dizaines de microlitres à quelques millilitres par heure.The speed of extrusion of the deposition material through the die 16 can for example vary from a few tens of microliters to a few milliliters per hour.

Le dispositif 10 de dépôt sous champ électrique est configuré pour que la filière 16 et le support 14 soient mobiles l'un par rapport à i'autre selon au moins deux directions de déplacement non parallèles entre elles et non parallèles à l'axe théorique de dépôt Al. De préférence, il est configuré pour que la filière 16 et te support 14 soient mobiles l'un par rapport à l'autre selon trois directions orthogonales, autrement dit selon les trois dimensions de l'espace.The device 10 for depositing in an electric field is configured so that the die 16 and the support 14 are movable relative to one another in at least two directions of movement which are not parallel to each other and not parallel to the theoretical axis of deposit A1. Preferably, it is configured so that the die 16 and the support 14 are movable relative to one another in three orthogonal directions, in other words according to the three dimensions of the space.

Généralement, le support 14 et la filière 16 sont reliés à un même châssis (non représenté) du dispositif. Par rapport à un tel châssis, on peut prévoir que seul le support 14 soit mobile par rapport au châssis, la filière étant fixe par rapport au châssis, ou que seule la filière 16 soit mobile par rapport au châssis, le support 14 étant alors fixe par rapport au châssis, ou encore que le support 14 et la filière 16 soit tous les deux mobiles par rapport au châssis.Generally, the support 14 and the die 16 are connected to the same chassis (not shown) of the device. With respect to such a chassis, it can be provided that only the support 14 is movable relative to the chassis, the die being fixed relative to the chassis, or that only the die 16 is movable relative to the chassis, the support 14 then being fixed relative to the chassis, or else that the support 14 and the die 16 are both movable relative to the chassis.

Le dispositif 10 comporte donc des moyens de déplacement 24 permettant un déplacement relatif entre le support 14 et la filière 16. Les moyens de déplacement peuvent comprendre des moyens de guidage du mouvement, par exemple un ou plusieurs éléments parmi des glissières, des articulations, des bras articulés, etc.... Les moyens de déplacement peuvent comprendre des moyens de motorisation, par exemple un ou plusieurs éléments parmi des moteurs électriques, des vérins pneumatiques ou hydrauliques, des actionneurs magnétiques, etc.... Les moyens de déplacement peuvent comprendre des moyens de détection de position, notamment des capteurs, par exemple des capteurs de position et/ou des capteurs d'images, etc...,, permettant de connaître, directement ou indirectement, la position relative de la filière 16 par rapport au support 14. Les moyens de déplacement 24 peuvent être agencés directement entre la filière 16 et le support 14, ou ils peuvent être indépendants pour la filière 16 et le support 14, avec par exemple des moyens de déplacement entre la filière 16 et un châssis du dispositif 10, et/ou des moyens de déplacement entre le support 14 et un châssis du dispositif 10.The device 10 therefore comprises displacement means 24 allowing relative movement between the support 14 and the die 16. The displacement means can comprise means for guiding the movement, for example one or more elements among slides, joints, articulated arms, etc. The displacement means can comprise motorization means, for example one or more elements from electric motors, pneumatic or hydraulic cylinders, magnetic actuators, etc. The displacement means can include position detection means, in particular sensors, for example position sensors and / or image sensors, etc., making it possible to know, directly or indirectly, the relative position of the die 16 with respect to to the support 14. The displacement means 24 can be arranged directly between the die 16 and the support 14, or they can be independent for the die 16 and the support 14, with for example displacement means between the die 16 and a chassis of the device 10, and / or displacement means between the support 14 and a chassis of the device 10.

Selon une conception éprouvée, le support 14 peut ainsi être monté sur des glissières permettant une translation du support 14 selon les directions X et Y orthogonales. Dans ce cas, la filière 16 est avantageusement mobile selon au moins une direction Z perpendiculaire aux deux directions X et Y, par exemple en étant montée sur une glissière. Dans ce cas, la filière 16 peut aussi être montée sur une articulation, par exemple autour de l'axe X ou de l'axe Y, ou une articulation sphérique. En variante, la filière 16 peut être installée à l'extrémité d'un bras articulé comprenant plusieurs articulations, ce bras pouvant lui-même être monté sur une ou plusieurs glissières. Dans le cas d'une filière 16 installée à l'extrémité d'un bras articulé, le support 14 peut être fixe, notamment fixe par rapport à un châssis du dispositif 10.According to a proven design, the support 14 can thus be mounted on slides allowing a translation of the support 14 in the X and Y directions orthogonal. In this case, the die 16 is advantageously movable in at least one direction Z perpendicular to the two directions X and Y, for example by being mounted on a slide. In this case, the die 16 can also be mounted on a joint, for example around the X axis or the Y axis, or a spherical joint. As a variant, the die 16 can be installed at the end of an articulated arm comprising several articulations, this arm itself being able to be mounted on one or more slides. In the case of a die 16 installed at the end of an articulated arm, the support 14 can be fixed, in particular fixed relative to a chassis of the device 10.

Le dispositif 10 comporte généralement une ou plusieurs unités électroniques 26 chargées du contrôle et du pilotage des différents paramètres de ia machine, notamment pour piloter la filière, par exemple le débit de matière de dépôt, la température, les potentiels électriques, et pour piloter le déplacement relatif de la filière 16 par rapport au support 14, y compris par exemple selon les directions X, Y et/ou Z.The device 10 generally includes one or more electronic units 26 responsible for controlling and controlling the various parameters of the machine, in particular for controlling the die, for example the flow rate of deposit material, the temperature, the electrical potentials, and for controlling the relative movement of the die 16 relative to the support 14, including for example in the directions X, Y and / or Z.

Le dispositif 10 qui est illustré en partie sur les Figs. 2 à 4 comporte toutes les caractéristiques décrites ci-dessus en référence au dispositif de la Fig. 1 ou aux variantes évoquées. Il comporte également un déflecteur électrique 28, dont un exemple de réalisation est décrit ci-dessous, notamment en référence aux Figs. 2, 3 et 4.The device 10 which is partially illustrated in Figs. 2 to 4 includes all the features described above with reference to the device of FIG. 1 or to the variants mentioned. It also includes an electric deflector 28, an exemplary embodiment of which is described below, in particular with reference to FIGS. 2, 3 and 4.

De manière générale, le déflecteur électrique 28 comporte au moins un premier couple de pôles électriques, ou électrodes, éloignés l'un de l'autre selon une première direction transversale dans un plan perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt, de part et d'autre de l'axe théorique de dépôt Al.In general, the electrical deflector 28 comprises at least a first pair of electrical poles, or electrodes, spaced from one another in a first transverse direction in a plane perpendicular to the theoretical axis of deposition, on both sides and d 'other of the theoretical axis of deposition Al.

Le déflecteur électrique 28 peut comporter plusieurs couples de pôles électriques, notamment 2, 3 ou 4 couples de pôles électriques, ou plus, dans lesquels chaque couple comporte deux pôles électriques éloignés l'un de l'autre selon une direction transversale dans un plan perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt, de part et d'autre de l'axe théorique de dépôt Al. Dans l'exemple des Figs. 2 à 4, le déflecteur électrique 28 comporte quatre pôles électriques distincts 31a, 31b, 32a, 32b, ou électrodes. Avantageusement, ces quatre pôles 31a, 31b, 32a, 32b peuvent être agencés en deux couples de pôles électriques, les pôles électriques de chaque couple étant disposés de manière symétrique par rapport à Taxe théorique de dépôt Al.The electrical deflector 28 may comprise several pairs of electrical poles, in particular 2, 3 or 4 pairs of electrical poles, or more, in which each pair comprises two electrical poles distant from each other in a transverse direction in a perpendicular plane to the theoretical axis of deposition, on either side of the theoretical axis of deposition A1. In the example of Figs. 2 to 4, the electrical deflector 28 comprises four separate electrical poles 31a, 31b, 32a, 32b, or electrodes. Advantageously, these four poles 31a, 31b, 32a, 32b can be arranged in two pairs of electrical poles, the electrical poles of each pair being arranged symmetrically with respect to the theoretical deposit tax A1.

Ainsi, l'exemple des Figs. 2 à 4 présente un premier couple de pôles électriques 31a, 31b, éloignés l'un de l'autre selon une première direction transversale dans un plan perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al, de part et d'autre de l'axe théorique de dépôt Al, et un deuxième couple de pôles électriques 32a, 32b, éloignés l'un de l'autre selon une deuxième direction transversale dans un plan perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al, non parallèle à îa première direction, de part et d'autre de l'axe théorique de dépôt Al.Thus, the example of Figs. 2 to 4 has a first pair of electrical poles 31a, 31b, spaced from each other in a first transverse direction in a plane perpendicular to the theoretical deposition axis A1, on either side of the axis theoretical deposition A1, and a second pair of electrical poles 32a, 32b, spaced from each other in a second transverse direction in a plane perpendicular to the theoretical deposition axis A1, not parallel to the first direction, on either side of the theoretical axis of deposition Al.

Dans le présent texte, on considère donc que la direction transversale séparant les deux pôles d'un couple de pôle est représentée par une droite perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al, coupant l'axe théorique de dépôt Al et joignant les deux pôles, et selon laquelle la distance séparant les deux pôles du couple est minimale.In the present text, it is therefore considered that the transverse direction separating the two poles of a pole pair is represented by a straight line perpendicular to the theoretical axis of deposition Al, intersecting the theoretical axis of deposition Al and joining the two poles , and according to which the distance separating the two poles of the couple is minimum.

Dans cet exemple, la première et la deuxième direction sont orientées à 90° l'une de l'autre, donc perpendiculaires. Cependant, d'autres orientations non parallèles sont possibles.In this example, the first and second directions are oriented 90 ° from each other, therefore perpendicular. However, other non-parallel orientations are possible.

Dans l'exemple illustré, les deux pôles électriques d'un même couple de pôles électriques sont identiques, mais agencés de manière opposée de part et d'autre de l'axe théorique de dépôt Al.In the example illustrated, the two electrical poles of the same pair of electrical poles are identical, but arranged in opposite directions on either side of the theoretical deposition axis A1.

De préférence, les deux pôles électriques d'un même couple de pôles électriques sont à égale distance de l'axe théorique de dépôt Al. Dans l'exemple illustré, tous les pôles électriques du déflecteur électrique 28 sont à égale distance de l'axe théorique de dépôt Al.Preferably, the two electrical poles of the same pair of electrical poles are equidistant from the theoretical deposition axis A1. In the example illustrated, all the electrical poles of the electrical deflector 28 are equidistant from the axis theoretical deposit Al.

Dans l'exemple illustré, les deux couples de pôles électriques sont identiques mais décalés angulairement l'un par rapport à l'autre autour de l'axe théorique de dépôt Al, en l'occurrence de 90°.In the example illustrated, the two pairs of electrical poles are identical but angularly offset relative to each other around the theoretical deposition axis A1, in this case 90 °.

Les deux pôles électriques d'un couple de pôles électriques sont de préférence agencés à une même hauteur selon la direction de l'axe théorique de dépôt Al. En présence de plusieurs couples de pôles électriques, les couples de pôles électriques sont de préférence agencés à la même hauteur selon la direction de l'axe théorique de dépôt Al. Toutefois, on peut, en variante, prévoir un décalage de hauteur entre deux couples de pôles électriques selon la direction de l'axe théorique de dépôt Al. Notamment, dans le cas de deux couples de pôles électrique, on peut avoir un premier couple à une première hauteur selon la direction de l'axe théorique de dépôt Al et le deuxième couple à une deuxième hauteur selon la direction de l'axe théorique de dépôt Al.The two electrical poles of a pair of electrical poles are preferably arranged at the same height in the direction of the theoretical axis of deposition A1. In the presence of several pairs of electrical poles, the pairs of electrical poles are preferably arranged at the same height along the direction of the theoretical deposition axis A1. However, it is possible, as a variant, to provide a height offset between two pairs of electrical poles according to the direction of the theoretical deposition axis A1. In particular, in the case of two pairs of electric poles, one can have a first couple at a first height in the direction of the theoretical axis of deposition Al and the second couple at a second height according to the direction of the theoretical axis of deposition Al.

Chaque pôle électrique est relié à une source additionnelle de potentiel électrique V3îa, V31b, V32a, V32b dont la valeur du potentiel peut être variée au cours du temps. Le potentiel de chacune des sources peut ainsi prendre au moins une première valeur et une deuxième valeur. L'une des deux valeurs peut être une valeur nulle, la source étant alors au potentiel de la terre. Toutefois, de préférence, le potentiel de chacune des sources additionnelles de potentiel électrique peut prendre, au cours du temps, au moins une multitude de valeurs distinctes comprises entre une valeur minimale et une valeur maximale. Plus préférentiellement, le potentiel de chacune des sources additionnelles de potentiel électrique peut varier de manière continue entre une valeur minimale et une valeur maximale. La valeur minimale peut être un potentiel négatif, positif ou neutre. La valeur maximale peut être un potentiel négatif, positif ou neutre. Chaque source de potentiel électrique est par exemple un générateur électrique, un convertisseur, etc.... Chaque pôle est relié à sa source additionnelle de potentiel électrique par un conducteur électrique.Each electrical pole is connected to an additional source of electrical potential V3îa, V31b, V32a, V32b, the value of the potential of which can be varied over time. The potential of each of the sources can thus take at least a first value and a second value. One of the two values can be a zero value, the source then being at the potential of the earth. However, preferably, the potential of each of the additional sources of electrical potential can take, over time, at least a multitude of distinct values comprised between a minimum value and a maximum value. More preferably, the potential of each of the additional sources of electrical potential can vary continuously between a minimum value and a maximum value. The minimum value can be a negative, positive or neutral potential. The maximum value can be a negative, positive or neutral potential. Each source of electrical potential is for example an electrical generator, a converter, etc. Each pole is connected to its additional source of electrical potential by an electrical conductor.

Chaque pôle électrique, ou électrode, du déflecteur électrique 28 est réalisé au moins en partie en matériau conducteur de l'électricité de telle sorte que, lorsqu'il est soumis à un potentiel électrique non nul, il génère un champ électrique additionnel dans l'espace environnant, notamment dans la zone d'écoulement de la matière de dépôt en cours de dépôt, notamment de filage, entre la filière 16 et le support 14. Dans le cadre de l'invention, ce champ électrique additionnel vient se superposer au champ électrique primaire, et éventuellement aux autres champs électriques additionnels créés par les autres pôles électriques du déflecteur électrique 28.Each electric pole, or electrode, of the electric deflector 28 is made at least in part from electrically conductive material so that, when it is subjected to a non-zero electric potential, it generates an additional electric field in the surrounding space, in particular in the zone of flow of the deposit material being deposited, in particular spinning, between the die 16 and the support 14. In the context of the invention, this additional electric field is superimposed on the field electric primary, and possibly to other additional electric fields created by the other electric poles of the electric deflector 28.

Les pôles électriques peuvent présenter différentes géométries et présenter différentes tailles. De préférence, les deux pôles d'un même couple de pôles présentent une géométrie symétrique en symétrie axiale par rapport à l'axe théorique de dépôt Al. Différentes géométries possibles pour un pôle électrique sont illustrées sur les Figs. SA à SD, à titre non limitatif. Sur ces figures, on représente la géométrie de la partie du pôle électrique qui est réalisée en matériau conducteur de l'électricité. Un pôle électrique peut être totalement ou en partie recouvert par un ou plusieurs matériaux isolants.The electric poles can have different geometries and have different sizes. Preferably, the two poles of the same pair of poles have a symmetrical geometry in axial symmetry with respect to the theoretical deposition axis A1. Different possible geometries for an electric pole are illustrated in Figs. SA to SD, without limitation. In these figures, the geometry of the part of the electric pole which is made of electrically conductive material is shown. An electrical pole can be totally or partially covered by one or more insulating materials.

Dans l'exemple des Figs. 2 à 4, les pôles électriques 31a, 31b, 32a, 32b présentent une géométrie telle qu'illustrée à la Fig. SA. Dans cet exemple, chaque pôle électrique présente une taille suffisamment petite pour être considéré comme ponctuel par rapport au champ électrique environnant. Notamment, dans ce mode de réalisation, chaque pôle électrique du déflecteur électrique 28 est inclus dans l'angle aigu formé par deux plans comprenant l'axe théorique de dépôt Al et formant entre eux un angle aigu TA inférieur ou égal à 20°.In the example of Figs. 2 to 4, the electrical poles 31a, 31b, 32a, 32b have a geometry as illustrated in FIG. HER. In this example, each electric pole has a size small enough to be considered as punctual with respect to the surrounding electric field. In particular, in this embodiment, each electrical pole of the electrical deflector 28 is included in the acute angle formed by two planes comprising the theoretical deposition axis A1 and forming between them an acute angle TA less than or equal to 20 °.

Dans l'exemple de la Fig. SA, un pôle 31a, 31b, 32a, 32b comporte un bloc parallélépipédique, par exemple de section rectangulaire ou carrée, présentant un axe de symétrie R orienté selon une direction radiale perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al, et dont l'extrémité tournée vers l'axe théorique de dépôt Al est prolongée par une pyramide à sommet tronqué, d'axe de symétrie R. Le pôle électrique présente ainsi une face terminale 38 qui est tournée vers l'axe théorique de dépôt Al et qui s'étend dans un plan perpendiculaire à l'axe de symétrie R, radial. Dans un exemple de réalisation, cette face terminale 38 présente par exemple un ratio de 2 entre sa dimension selon la direction de l'axe théorique de dépôt Al, par exemple 6 millimètres, et sa dimension selon la direction perpendiculaire, par exemple 3 millimètres.In the example of FIG. SA, a pole 31a, 31b, 32a, 32b comprises a parallelepiped block, for example of rectangular or square section, having an axis of symmetry R oriented in a radial direction perpendicular to the theoretical axis of deposition Al, and the end of which facing the theoretical axis of deposition Al is extended by a pyramid with a truncated apex, of axis of symmetry R. The electric pole thus has a terminal face 38 which is turned towards the theoretical axis of deposition Al and which extends in a plane perpendicular to the axis of symmetry R, radial. In an exemplary embodiment, this end face 38 has for example a ratio of 2 between its dimension in the direction of the theoretical deposition axis A1, for example 6 millimeters, and its dimension in the perpendicular direction, for example 3 millimeters.

Dans l'exemple de ia Fig. SB, un pôle 31a, 31b, 32a, 32b présente une géométrie composée d'un bloc cylindrique de révolution présentant un axe de symétrie R orienté selon une direction radiale perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt et dont l'extrémité tournée vers l'axe théorique de dépôt est prolongée par une calotte sphérique convexe 40 d'axe de symétrie R.In the example of ia Fig. SB, a pole 31a, 31b, 32a, 32b has a geometry composed of a cylindrical block of revolution having an axis of symmetry R oriented in a radial direction perpendicular to the theoretical axis of deposition and whose end turned towards the theoretical axis of deposition is extended by a convex spherical cap 40 of axis of symmetry R.

Cependant, des pôles électriques de plus grande taille, notamment de plus grande étendue angulaire autour de l'axe théorique de dépôt Al peuvent être envisagés.However, larger electrical poles, in particular of greater angular extent around the theoretical deposition axis A1 can be envisaged.

Dans l'exemple de la Fig. 5C, un pôle 31a, 31b, 32a, 32b présente une géométrie de plaque plane 42. La plaque plane est par exemple comprise dans un plan parallèle à l'axe Al, donc perpendiculaire à un axe R orienté selon une direction radiale perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al. La plaque plane peut présenter, comme dans l'exemple de la Fig. 5C, un contour rectangulaire, mais d'autres contours sont possibles. L'axe R orienté selon une direction radiale perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al peut être un axe de symétrie pour le contour de la plaque plane 42.In the example of FIG. 5C, a pole 31a, 31b, 32a, 32b has a plane plate geometry 42. The plane plate is for example included in a plane parallel to the axis Al, therefore perpendicular to an axis R oriented in a radial direction perpendicular to l theoretical axis of deposition A1. The flat plate may have, as in the example of FIG. 5C, a rectangular contour, but other contours are possible. The axis R oriented in a radial direction perpendicular to the theoretical deposition axis A1 can be an axis of symmetry for the contour of the planar plate 42.

Dans l'exemple de la Fig. 5D, un pôle 31a, 31b, 32a, 32b présente une géométrie courbe autour de l'axe théorique de dépôt Al, c'est-à-dire présentant un rayon de courbure dans un plan perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al. Dans l'exemple de la Fig. 5D, la courbure est tournée en direction de l'axe théorique de dépôt Al. La courbure peut être une courbure circulaire d'axe Al. Cette géométrie courbe pourrait être une géométrie surfacique, mais, dans l'exemple illustré, elle peut aussi présenter la forme d'un barreau 44 allongé selon une courbe curviligne. Cette courbe curviligne est par exemple comprise dans un plan perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al. Dans l'exemple de la Fig. 5D, un pôle électrique présente ainsi un barreau 44 en arc de cercle autour de l'axe théorique de dépôt Al, symétrique par rapport à un axe R orienté selon une direction radiale perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al.In the example of FIG. 5D, a pole 31a, 31b, 32a, 32b has a curved geometry around the theoretical axis of deposition Al, that is to say having a radius of curvature in a plane perpendicular to the theoretical axis of deposition Al. In the example of FIG. 5D, the curvature is turned in the direction of the theoretical deposition axis Al. The curvature can be a circular curvature of axis Al. This curved geometry could be a surface geometry, but, in the example illustrated, it can also have the shape of a bar 44 elongated according to a curvilinear curve. This curvilinear curve is for example included in a plane perpendicular to the theoretical axis of deposition A1. In the example of FIG. 5D, an electric pole thus has a bar 44 in an arc of a circle around the theoretical axis of deposition Al, symmetrical with respect to an axis R oriented in a radial direction perpendicular to the theoretical axis of deposition Al.

Dans les exemples des Figs. 5C et 5D, chaque pôle électrique du déflecteur électrique est inclus dans l'angle aigu formé par deux plans comprenant l'axe théorique de dépôt Al et formant entre eux un angle aigu TA compris par exemple entre 10 et 90°.In the examples of Figs. 5C and 5D, each electrical pole of the electrical deflector is included in the acute angle formed by two planes comprising the theoretical deposition axis A1 and forming between them an acute angle TA comprised for example between 10 and 90 °.

De préférence, dans le cas de plusieurs couples de pôles électriques, deux pôles électriques adjacents appartenant à deux comptes de pôles distincts sont séparés d'une distance non nulle, suffisante pour éviter notamment tout risque d'arc électrique.Preferably, in the case of several pairs of electric poles, two adjacent electric poles belonging to two separate pole accounts are separated by a non-zero distance, sufficient to avoid in particular any risk of electric arc.

De préférence, les deux pôles d'un même couple de pôles électriques du déflecteur électrique 28 sont liés l'un à l'autre par une armature 34, de préférence une armature isolante électriquement. Dans l'exemple illustré, tous les pôles électriques du déflecteur électrique 28 sont liés à la même armature 34. Dans certains modes de réalisation, l'armature 34 peut être liée mécaniquement à la filière 16 par un support 36. Ce support 36 peut être éventuellement réglable pour permettre un ajustement relatif de la position des pôles électriques du déflecteur électrique 28 par rapport à ia filière 16. Ce support 36 peut être éventuellement réglable pour permettre un ajustement relatif de la position des pôles électriques du déflecteur électrique 28 entre eux.Preferably, the two poles of the same pair of electric poles of the electric deflector 28 are linked to each other by a frame 34, preferably an electrically insulating frame. In the example illustrated, all the electric poles of the electric deflector 28 are linked to the same frame 34. In certain embodiments, the frame 34 can be mechanically linked to the die 16 by a support 36. This support 36 can be possibly adjustable to allow a relative adjustment of the position of the electric poles of the electric deflector 28 relative to the die 16. This support 36 can be optionally adjustable to allow a relative adjustment of the position of the electric poles of the electric deflector 28 between them.

On peut voir notamment sur la Fig. 3 que les pôles électriques 31a, 31b, 32a, 32b du déflecteur électrique 28 présentent un plan central de mi-hauteur Pcent perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al. Le plan central de mi-hauteur Pcent est le plan qui est équidistant d'un plan supérieur Psup et d'un plan inférieur Pinf. Le plan supérieur Pinf est le plan perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al qui contient un point bas du pôle considéré, le plus proche du support 14 selon la direction de l'axe théorique de dépôt Al, tandis que le plan supérieur Psup est le plan perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al qui contient un point haut du pôle considéré, le plus éloigné du support 14 selon la direction de l'axe théorique de dépôt Al.One can see in particular in FIG. 3 that the electric poles 31a, 31b, 32a, 32b of the electric deflector 28 have a central half-height plane Pcent perpendicular to the theoretical deposition axis A1. The central half-height plane Pcent is the plane which is equidistant from 'a higher Psup plane and a lower Pinf plane. The upper plane Pinf is the plane perpendicular to the theoretical axis of deposition Al which contains a low point of the pole considered, the closest to the support 14 in the direction of the theoretical axis of deposition Al, while the upper plane Psup is the plane perpendicular to the theoretical axis of deposition Al which contains a high point of the pole considered, the furthest from the support 14 in the direction of the theoretical axis of deposition Al.

Dans les exemples illustrés, le plan central de mi-hauteur Pcent est un plan dans lequel se trouve une droite perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al, coupant l'axe théorique de dépôt Al et joignant les deux pôles, et selon laquelle la distance séparant les deux pôles du couple est minimale. Cependant, avec d'autres géométries, une telle droite, dite de distance minimale, peut être en dehors du plan central de mi-hauteur.In the examples illustrated, the central mid-height plane Pcent is a plane in which there is a straight line perpendicular to the theoretical axis of deposition Al, intersecting the theoretical axis of deposition Al and joining the two poles, and according to which the distance separating the two poles of the couple is minimal. However, with other geometries, such a straight line, known as the minimum distance, can be outside the central plane of mid-height.

Selon l'invention, le plan central de mi-hauteur Pcent de chaque pôle 31a, 31b, 32a, 32b du déflecteur électrique 28 est agencé, par rapport au support, de l'autre côté d'un plan de référence Pref comprenant l'orifice de sortie 18 de la filière 16 et perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al, ou dans ce plan. En d'autres termes, dans l'exemple illustré, le plan de référence Pref est perpendiculaire à l'aiguille 20. De même, dans la configuration illustrée, si l'on considère que l'axe théorique de dépôt Al est un axe vertical et que le support 14 est agencé en dessous de la filière 16, les pôles électriques du déflecteur électrique 28 présentent un plan central de mi-hauteur Pcent qui est situé au-dessus du plan de référence Pref.According to the invention, the central half-height plane Pcent of each pole 31a, 31b, 32a, 32b of the electric deflector 28 is arranged, relative to the support, on the other side of a reference plane Pref comprising the outlet orifice 18 of the die 16 and perpendicular to the theoretical axis of deposition Al, or in this plane. In other words, in the example illustrated, the reference plane Pref is perpendicular to the needle 20. Likewise, in the configuration illustrated, if we consider that the theoretical deposition axis A1 is a vertical axis and that the support 14 is arranged below the die 16, the electrical poles of the electrical deflector 28 have a central plane of mid-height Pcent which is located above the reference plane Pref.

La distance H entre le plan central de mi-hauteur Pcent de chacun des pôles électrique et le plan de référence Pref est par exemple comprise dans la gamme allant de 0 à 100 mm.The distance H between the central mid-height plane Pcent of each of the electric poles and the reference plane Pref is for example comprised in the range going from 0 to 100 mm.

De préférence, une droite dite de distance minimale entre les pôles, c'est-à-dire perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al, coupant l'axe théorique de dépôt Al et joignant les deux pôles, et selon laquelle la distance séparant les deux pôles du couple est minimale, est elle aussi agencée, par rapport au support, de l'autre côté du plan de référence Pref, ou dans ce plan. Dans le cas où i! existe plusieurs de ces droites dites de distance minimale entre les pôles, on peut prévoir que chacune de ces droites soit agencée, par rapport au support, de l'autre côté du plan de référence Pref, ou dans ce plan.Preferably, a line known as the minimum distance between the poles, that is to say perpendicular to the theoretical axis of deposition Al, intersecting the theoretical axis of deposition Al and joining the two poles, and along which the distance separating the two poles of the torque is minimal, is also arranged, with respect to the support, on the other side of the reference plane Pref, or in this plane. In the event that i! there are several of these lines called minimum distance between the poles, it can be provided that each of these lines is arranged, relative to the support, on the other side of the reference plane Pref, or in this plane.

Dans l'exemple illustré, le point bas de chacun des pôles électriques du déflecteur électrique 28 est agencé en dehors de l'espace compris entre le pian de référence Pref et le support 14 Ainsi, les pôles électriques du déflecteur électrique présentent un point bas, le plus proche du support, qui est agencé, par rapport au support, de l'autre côté d'un plan de référence Pref, ou dans ce plan de référence. De préférence, chaque pôle électrique présente une étendue axiale selon la direction de l'axe théorique de dépôt, à savoir la distance entre le plan supérieur Psup et le plan inférieur Pinf, qui est par exemple comprise entre 1 millimètre et 10 centimètres.In the example illustrated, the low point of each of the electric poles of the electric deflector 28 is arranged outside the space between the reference plane Pref and the support 14 Thus, the electric poles of the electric deflector have a low point, closest to the support, which is arranged, with respect to the support, on the other side of a Pref reference plane, or in this reference plane. Preferably, each electric pole has an axial extent along the direction of the theoretical deposition axis, namely the distance between the upper plane Psup and the lower plane Pinf, which is for example between 1 millimeter and 10 centimeters.

Dans le cas fréquent où l'axe théorique de dépôt Al est confondu avec l'axe d'aiguille et avec la direction verticale de la gravité, en étant perpendiculaire au plan d'extension XY du support 14 plan, on peut dire que le plan central de mi-hauteur Pcent des pôles électriques du déflecteur électrique est agencé dans le plan de référence Pref ou au-dessus du plan de référence Pref.In the frequent case where the theoretical axis of deposition Al is coincident with the axis of needle and with the vertical direction of gravity, being perpendicular to the plane of extension XY of the support 14 plane, it can be said that the plane mid-height center Pcent of the electric poles of the electric deflector is arranged in the Pref reference plane or above the Pref reference plane.

Ce positionnement particulier des pôles électriques du déflecteur électrique 28 permet, de manière surprenante, d'obtenir une déflexion stable du filament, des filaments ou des gouttelettes de matière de dépôt entre i'orifice de sortie 18 de ia filière 16 et le substrat 12 porté par le support 14. Ce positionnement se révèle particulièrement avantageux en ce qu'il évite que le filament ou les filaments ou les gouttelettes de matière de dépôt en cours de dépôt, notamment de filage, entre l'orifice de sortie 18 et le substrat 12, ne viennent s'agglutiner sur l'un ou l'autre des pôles électriques. Ce positionnement permet d'agir sur la déflexion de la matière de dépôt dès son émission à la sortie de la filière 16, et ainsi de contrôler de manière optimale le dépôt de matière.This particular positioning of the electric poles of the electric deflector 28 makes it possible, surprisingly, to obtain a stable deflection of the filament, filaments or droplets of deposit material between the outlet orifice 18 of the die 16 and the substrate 12 carried by the support 14. This positioning proves to be particularly advantageous in that it prevents the filament or filaments or the droplets of deposit material being deposited, in particular spinning, between the outlet orifice 18 and the substrate 12 , do not clump on one or the other of the electric poles. This positioning makes it possible to act on the deflection of the deposition material as soon as it is emitted at the outlet of the die 16, and thus to optimally control the deposition of material.

Des essais ont été menés avec un dispositif tel qu'illustré schématiquement aux Figs. 2 à 4. Les paramètres suivant ont été utilisés :Tests have been carried out with a device as illustrated diagrammatically in FIGS. 2 to 4. The following parameters were used:

- distance D la plus courte entre les pôles électriques et l'axe théorique de dépôt Al : 9.5 millimètres- shortest distance D between the electric poles and the theoretical axis of deposition Al: 9.5 millimeters

- distance entre l'aiguille 20 et le substrat 14 : 30 millimètres.- distance between needle 20 and substrate 14: 30 millimeters.

- étendue axiale des pôles : 12 millimètres- axial extent of the poles: 12 millimeters

- distance H entre le plan de référence Pref et le plan central de mihauteur Pcent des pôles électriques 31a, 31b, 32a, 32b : H=6 millimètres (signifiant que le point bas des pôles électriques est dans le plan de référence Pref).- distance H between the reference plane Pref and the central plane of mid-height Pcent of the electric poles 31a, 31b, 32a, 32b: H = 6 millimeters (signifying that the low point of the electric poles is in the reference plane Pref).

Dans ces conditions, on a tout d'abord mis en oeuvre le dispositif de dépôt par filage sous champ électrique, sans application d'un champ électrique secondaire. En d'autres termes, chacun des pôles électriques du déflecteur électrique 28 est alors relié à la terre, donc au potentiel nul. Dans ces conditions, un filage stable est obtenu pour une différence de potentiel entre l'aiguille 20 et le support 14 de 13000 Volts. Pour cela, on peut par exemple relier l'aiguille à la terre, donc au potentiel nul, et relier le support à une source de potentiel négatif, au potentiel -13000 Volts. Ainsi, la différence de potentiel nécessaire à l'électro filage est relativement élevée, notamment du fait de la présence des pôles électriques qui, tout en étant reliés à un potentiel neutre, perturbent le champ électrique entre la filière 16 et le support 14.Under these conditions, we first implemented the device for depositing by spinning under an electric field, without applying a secondary electric field. In other words, each of the electric poles of the electric deflector 28 is then connected to earth, therefore to zero potential. Under these conditions, a stable spinning is obtained for a potential difference between the needle 20 and the support 14 of 13000 volts. For this, we can for example connect the needle to earth, therefore at zero potential, and connect the support to a source of negative potential, at potential -13000 Volts. Thus, the potential difference necessary for electro-spinning is relatively high, in particular due to the presence of the electric poles which, while being connected to a neutral potential, disturb the electric field between the die 16 and the support 14.

Dans un deuxième temps, on s'est aperçu qu'il était avantageux d'appliquer à chacun des deux pôles d'un couple de pôles électriques un même potentiel électrique Vbase compris entre le potentiel de l'aiguille de la filière 16 et le potentiel du support 14, par exemple un potentiel négatif de 2000 Volts dans l'exemple envisagé. Dans ces conditions, on s'est aperçu que l'électro filage était possible, dans les mêmes conditions de stabilité que précédemment, pour une différence de potentiel d'environ 6000 Volts entre l'aiguille 20 et le support 14. Ce potentiel électrique Vbase, commun aux deux pôles électriques d'un même couple électrique, qui favorise le processus d'électro filage est appelé potentiel de base. On remarque que, dans ces conditions, le filament de matière de dépôt qui s'écoule entre l'orifice de sortie 18 de la filière 16 et le support 14 n'est pas dévié, en tout cas pas de manière significative.In a second step, we realized that it was advantageous to apply to each of the two poles of a pair of electrical poles the same electrical potential Vbase comprised between the potential of the needle of the die 16 and the potential of the support 14, for example a negative potential of 2000 Volts in the example envisaged. Under these conditions, it was found that electro-spinning was possible, under the same conditions of stability as previously, for a potential difference of approximately 6000 volts between the needle 20 and the support 14. This electrical potential Vbase , common to the two electrical poles of the same electrical couple, which promotes the process of electro-spinning is called base potential. It will be noted that, under these conditions, the filament of deposit material which flows between the outlet orifice 18 of the die 16 and the support 14 is not deviated, in any case not significantly.

Dans un troisième temps, on a démontré qu'il était possible de provoquer une déflexion de la trajectoire du filament entre l'orifice de sortie 18 et le support 14 en appliquant une différence de potentiel « dVd » entre les deux pôles électriques d'un même couple de pôles électriques. Cette déflexion est orientée selon la direction transversale reliant les deux pôles électriques du couple de pôle électriques considéré.Thirdly, it has been shown that it is possible to cause a deflection of the path of the filament between the outlet orifice 18 and the support 14 by applying a potential difference "dVd" between the two electric poles of a same couple of electric poles. This deflection is oriented in the transverse direction connecting the two electric poles of the pair of electric poles considered.

Dans le cas où le déflecteur électrique 28 comporte deux couples de pôles électriques agencés selon deux directions transversales non parallèles, le déflecteur électrique 28 peut ainsi provoquer une déflexion ayant des composantes non nulles selon les deux directions transversales reliant respectivement les deux pôles électriques des deux couples de pôles électriques.In the case where the electric deflector 28 comprises two pairs of electric poles arranged in two non-parallel transverse directions, the electric deflector 28 can thus cause a deflection having non-zero components in the two transverse directions respectively connecting the two electric poles of the two couples of electric poles.

De préférence, cette différence de potentiel dVd entre les deux pôles électriques d'un même couple de pôles électriques, pour obtenir la déviation, est obtenue en appliquant, sur chacun des deux pôles, des potentiels qui sont symétriques par rapport au potentiel de base. Ainsi, la moyenne arithmétique des potentiels électriques appliqués aux deux pôles électriques d'un même couple est de préférence constante et égale au potentiel de base Vbase. Ainsi, ces potentiels symétriques peuvent s'écrire de la manière suivante Vbase + dVd/2 et Vbase - dVd/2. Cette différence de potentiei symétrique par rapport au potentiel de base permet de limiter l'impact du champ électrique créé par le couple de pôles électriques considéré selon la direction de l'axe théorique de dépôt. Cela évite de déstabiliser le filament de matière de dépôt en cours de dépôt, tout en assurant une déflexion effective.Preferably, this potential difference dVd between the two electric poles of the same pair of electric poles, to obtain the deviation, is obtained by applying, to each of the two poles, potentials which are symmetrical with respect to the base potential. Thus, the arithmetic mean of the electric potentials applied to the two electric poles of the same couple is preferably constant and equal to the basic potential Vbase. Thus, these symmetrical potentials can be written in the following manner Vbase + dVd / 2 and Vbase - dVd / 2. This symmetrical potentiei difference with respect to the base potential makes it possible to limit the impact of the electric field created by the pair of electric poles considered along the direction of the theoretical axis of deposition. This avoids destabilizing the filament of deposit material during deposition, while ensuring effective deflection.

Dans ie mode de réalisation particulier décrit ci-dessus, il a été obtenu, comme cela est illustré à la Fig. 4, pour une différence de potentiel de déviation de i'ordre de 3000 Volts appliquée aux bornes d'un couple de pôles électriques, une déviation « df » de plus de 4 millimètres, mesurée selon une direction perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt Al, entre l'axe théorique de dépôt Al et le point d'impact effectif de la matière de dépôt sur le substrat 12, pour une distance de 30 millimètres entre le substrat 12 et l'orifice de sortie 18.In the particular embodiment described above, it was obtained, as illustrated in FIG. 4, for a deviation potential difference of the order of 3000 Volts applied across a pair of electrical poles, a deviation "df" of more than 4 millimeters, measured in a direction perpendicular to the theoretical axis of deposition A1, between the theoretical deposition axis A1 and the effective point of impact of the deposition material on the substrate 12, for a distance of 30 millimeters between the substrate 12 and the outlet orifice 18.

Dans l'exemple de réalisation décrit ci-dessus en référence aux Figs. 2 à 4, utilisant quatre pôles 31a, 31b, 32a, 32b à 90° l'un par rapport à l'autre, les quatre pôles étaient initialement portés à un même potentiel de base Vbase. Une fois l'électro-filage lancé, les potentiels des quatre déflecteurs étaient pilotés suivant ies fonctions suivantes :In the embodiment described above with reference to Figs. 2 to 4, using four poles 31a, 31b, 32a, 32b at 90 ° to one another, the four poles were initially brought to the same base potential Vbase. Once the electro-spinning started, the potentials of the four deflectors were controlled according to the following functions:

V31a(t) = Vbase + A cos (2 x PI x f x t);V31a (t) = Vbase + A cos (2 x PI x f x t);

V31b(t) = Vbase - A cos (2 x PI x f x t);V31b (t) = Vbase - A cos (2 x PI x f x t);

V32a(t) = Vbase + A cos (2 x PI x f x t + PI/2) ;V32a (t) = Vbase + A cos (2 x PI x f x t + PI / 2);

V32b(t) = Vbase - A cos (2 x PI x f x t + PI/2) où A est une valeur de potentiel, et f une fréquence.V32b (t) = Vbase - A cos (2 x PI x f x t + PI / 2) where A is a potential value, and f is a frequency.

Cela s'est traduit par un déplacement, selon Ses deux directions avec déphasage de PI/2 entre les deux directions de déflexion, et on a obtenu un mouvement du fil de matière de dépôt permettant d'obtenir un dépôt en cercle. D'autres formes (sinusoïdes, lignes droites, courbes de Lissajous, ...) peuvent être obtenues en jouant sur les fréquences, les phases ou les fonctions utilisées pour exprimer le potentiel de chaque pôle.This resulted in a displacement, in Its two directions with phase shift of PI / 2 between the two deflection directions, and a movement of the deposit material wire was obtained, making it possible to obtain a deposit in a circle. Other shapes (sinusoids, straight lines, Lissajous curves, ...) can be obtained by playing on the frequencies, the phases or the functions used to express the potential of each pole.

Le dispositif illustré sur les figures comporte ainsi d'une part des moyens de déplacement 24 relatif entre la filière 16 et le support 14, et un déflecteur électrique 28. Les moyens de déplacement relatif génèrent un déplacement relatif selon au moins deux directions de déplacement non parallèles entre elles et non parallèles à l'axe théorique de dépôt. Le déflecteur électrique 28 est configuré, de par la disposition des pôles électriques, de telle sorte qu'il crée un champ électrique additionnel capable de dévier le filament ou les filaments ou les gouttelettes en cours de dépôt, notamment dans le cas du filage, entre la filière et le support, selon une direction qui comporte au moins une composante parallèle à une direction de déplacement des moyens de déplacement relatif, de préférence deux composantes dont chacune est parallèle à une des deux directions de déplacement relatif.The device illustrated in the figures thus comprises on the one hand relative displacement means 24 between the die 16 and the support 14, and an electric deflector 28. The relative displacement means generate relative displacement according to at least two directions of displacement not parallel to each other and not parallel to the theoretical axis of deposition. The electric deflector 28 is configured, by the arrangement of the electric poles, so that it creates an additional electric field capable of deflecting the filament or the filaments or the droplets being deposited, in particular in the case of spinning, between the die and the support, in a direction which comprises at least one component parallel to a direction of movement of the relative movement means, preferably two components each of which is parallel to one of the two directions of relative movement.

L'invention n'est pas limitée aux exemples décrits et représentés car diverses modifications peuvent y être apportées sans sortir de son cadre.The invention is not limited to the examples described and shown since various modifications can be made thereto without departing from its scope.

Claims (18)

REVENDICATIONS 1 - Dispositif (10) de dépôt sous champ électrique d'une matière de dépôt sur un substrat,1 - Device (10) for depositing, under an electric field, a material for deposition on a substrate, - du type comportant un support (14) pour le substrat (12) et une filière (16) ayant un orifice de sortie (18) par lequel s'écoule la matière de dépôt destinée à être déposée sur le substrat porté par le support, l'orifice de sortie (18) de la filière définissant un axe théorique de dépôt (Al) de ia matière de dépôt ;- of the type comprising a support (14) for the substrate (12) and a die (16) having an outlet orifice (18) through which flows the deposition material intended to be deposited on the substrate carried by the support, the outlet orifice (18) of the die defining a theoretical axis of deposition (A1) of the deposition material; - du type dans lequel la filière et le support sont liés chacun à une source de potentiel électrique (22) de manière à créer un champ électrique primaire entre la filière et le support,- of the type in which the die and the support are each linked to a source of electrical potential (22) so as to create a primary electric field between the die and the support, - du type comprenant un déflecteur électrique qui comporte au moins un premier couple de pôles électriques (31a, 31b, 32a, 32b), éloignés l'un de l'autre selon une première direction transversale dans un plan perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt (Al), de part et d'autre de l'axe théorique de dépôt (Al),- of the type comprising an electric deflector which comprises at least a first pair of electric poles (31a, 31b, 32a, 32b), spaced from one another in a first transverse direction in a plane perpendicular to the theoretical axis of deposit (Al), on either side of the theoretical axis of deposit (Al), - et du type dans lequel chaque pôle électrique du couple de pôles électriques est relié à une source de potentiel électrique (V31a, V31b, V32a, V32b) dont i'une au moins peut varier son potentiel ;- And of the type in which each electrical pole of the pair of electrical poles is connected to a source of electrical potential (V31a, V31b, V32a, V32b) of which at least one can vary its potential; caractérisé en ce que les pôles électriques du déflecteur électrique présentent un pian central (Pcent) de mi-hauteur, qui est agencé, par rapport au support (14), de l'autre côté d'un plan de référence (Pref) comprenant l'orifice de sortie de la filière et perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt (Al), ou dans ce pian de référence.characterized in that the electrical poles of the electrical deflector have a mid-height central plane (Pcent), which is arranged, with respect to the support (14), on the other side of a reference plane (Pref) comprising l 'outlet opening of the die and perpendicular to the theoretical axis of deposition (Al), or in this reference plane. 2 » Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les pôles électriques du déflecteur électrique présentent un point bas, le plus proche du support (14), qui est agencé, par rapport au support, de l'autre côté d'un plan de référence (Pref) comprenant l'orifice de sortie de la filière et perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt (Al), ou dans ce plan de référence.2 »Device according to claim 1, characterized in that the electric poles of the electric deflector have a low point, closest to the support (14), which is arranged, relative to the support, on the other side of a plane of reference (Pref) comprising the outlet orifice of the die and perpendicular to the theoretical axis of deposition (Al), or in this reference plane. 3 - Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le déflecteur électrique comporte un deuxième couple de pôles électriques (31a, 31b, 32a, 32b), éloignés l'un de l'autre selon une deuxième direction transversale dans un plan perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt (Al), non parallèle à la première direction, de part et d'autre de l'axe théorique de dépôt, chaque pôle électrique du deuxième couple de pôles électriques étant relié à une source de potentiel électrique (V31a, V31b, V32a, V32b) dont l'une au moins peut varier son potentiel.3 - Device according to claim 1 or 2, characterized in that the electric deflector comprises a second pair of electric poles (31a, 31b, 32a, 32b), distant from each other in a second transverse direction in a plane perpendicular to the theoretical axis of deposition (A1), not parallel to the first direction, on either side of the theoretical axis of deposition, each electric pole of the second pair of electric poles being connected to a source of electric potential (V31a, V31b, V32a, V32b) of which at least one can vary its potential. 4 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que, pour provoquer une déflexion de la trajectoire de la matière de dépôt entre l'orifice de sortie (18) et le support (14), le dispositif (10) est configuré pour appliquer une différence de potentiel entre les deux pôles électriques d'un même couple de pôles électriques en appliquant sur chacun des deux pôles des potentiels qui sont symétriques par rapport à un potentiel de base non nul.4 - Device according to any one of the preceding claims, characterized in that, to cause a deflection of the trajectory of the deposition material between the outlet orifice (18) and the support (14), the device (10) is configured to apply a potential difference between the two electrical poles of the same pair of electrical poles by applying to each of the two poles potentials which are symmetrical with respect to a non-zero base potential. 5 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'axe théorique de dépôt (Al) est confondu avec un axe géométrique de la filière (16) au niveau de son orifice de sortie (18).5 - Device according to any one of the preceding claims, characterized in that the theoretical axis of deposition (Al) coincides with a geometric axis of the die (16) at its outlet orifice (18). 6 » Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la filière comporte une aiguille (20) délimitant un canal interne d'écoulement de la matière de dépôt, leque! présente un tronçon rectiligne terminal qui se termine par l'orifice de sortie (18) et qui présente un axe d'extension, et en ce que l'axe théorique de dépôt (Al) est confondu avec l'axe d'extension du tronçon rectiligne terminal du canal interne de l'aiguille de la filière, au niveau de son orifice de sortie.6 »Device according to any one of the preceding claims, characterized in that the die comprises a needle (20) defining an internal channel for the flow of the deposit material, leque! has a terminal rectilinear section which ends in the outlet orifice (18) and which has an extension axis, and in that the theoretical deposition axis (Al) coincides with the extension axis of the section rectilinear terminal of the internal channel of the needle of the die, at the level of its outlet orifice. 7 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la filière (16) et le support (14) sont mobiles l'un par rapport à l'autre selon au moins deux directions de déplacement non parallèles entre elles et non parallèles à l'axe théorique de dépôt (Al).7 - Device according to any one of the preceding claims, characterized in that the die (16) and the support (14) are movable relative to each other in at least two directions of movement which are not parallel to each other and not parallel to the theoretical axis of deposition (Al). 8 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif (10) comporte des moyens de déplacement (24) permettant un déplacement relatif entre le support (14) et la filière (16).8 - Device according to any one of the preceding claims, characterized in that the device (10) comprises displacement means (24) allowing relative movement between the support (14) and the die (16). 9 - Dispositif selon les revendications 7 et 8 en combinaison, caractérisé en ce que le dispositif (10) comporte des moyens de déplacement (24) permettant un déplacement relatif entre le support (14) et la filière (16) selon la selon la première direction transversale.9 - Device according to claims 7 and 8 in combination, characterized in that the device (10) comprises displacement means (24) allowing relative movement between the support (14) and the die (16) according to the first transverse direction. 10 - Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que le dispositif comporte des moyens de déplacement (24) permettant un déplacement relatif entre le support (14) et la filière (16) selon la selon la deuxième direction transversale.10 - Device according to claim 9, characterized in that the device comprises displacement means (24) allowing relative movement between the support (14) and the die (16) according to in the second transverse direction. 11 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif (10) comporte des moyens de déplacement (24) permettant un déplacement relatif entre le support (14) et la filière (16) selon la direction de l'axe théorique de dépôt (Al).11 - Device according to any one of the preceding claims, characterized in that the device (10) comprises displacement means (24) allowing relative movement between the support (14) and the die (16) in the direction of the 'theoretical axis of deposition (Al). 12 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la matière de dépôt est une matière polymère.12 - Device according to any one of the preceding claims, characterized in that the deposition material is a polymeric material. 13 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que, dans la filière (16), la matière de dépôt est sous la forme d'une solution de matière dans un solvant.13 - Device according to any one of the preceding claims, characterized in that, in the die (16), the deposition material is in the form of a solution of material in a solvent. 14 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la matière de dépôt est thermoplastique, et en ce qu'elle est filée dans la filière (16) à une température à laquelle elle est malléable.14 - Device according to any one of the preceding claims, characterized in that the deposition material is thermoplastic, and in that it is spun in the die (16) at a temperature at which it is malleable. 15 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il crée un filament de matière de dépôt continu.15 - Device according to any one of the preceding claims, characterized in that it creates a filament of continuous deposition material. 16 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il crée un filament de matière de dépôt dont !e diamètre est inférieur ou égal à 1 micron.16 - Device according to any one of the preceding claims, characterized in that it creates a filament of deposition material whose! E diameter is less than or equal to 1 micron. 17 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, caractérisé en ce qu'il crée des filaments discontinus de matière de dépôt.17 - Device according to any one of claims 1 to 15, characterized in that it creates discontinuous filaments of deposition material. 18 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, caractérisé en ce qu'il crée des gouttelettes de matière de dépôt.18 - Device according to any one of claims 1 to 15, characterized in that it creates droplets of deposition material. 5 19 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le support (14) est un support plan qui s'étend dans un plan (XY) transversal perpendiculaire à l'axe théorique de dépôt (Al), et en ce que, en tous points de l'axe théorique de dépôt (Al) entre la filière (16) et le support (14), le champ électrique primaire est parallèle à5 19 - Device according to any one of the preceding claims, characterized in that the support (14) is a planar support which extends in a transverse plane (XY) perpendicular to the theoretical axis of deposition (Al), and in that, at all points on the theoretical deposition axis (Al) between the die (16) and the support (14), the primary electric field is parallel to 10 cet axe théorique.10 this theoretical axis.
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