FR2988905A1 - METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT HAVING A CONTACT SURFACE AND SENSOR FOR RECEIVING A DIRECTIONAL COMPONENT OF DIRECTIONAL MEASUREMENT SIZE - Google Patents

METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT HAVING A CONTACT SURFACE AND SENSOR FOR RECEIVING A DIRECTIONAL COMPONENT OF DIRECTIONAL MEASUREMENT SIZE Download PDF

Info

Publication number
FR2988905A1
FR2988905A1 FR1352757A FR1352757A FR2988905A1 FR 2988905 A1 FR2988905 A1 FR 2988905A1 FR 1352757 A FR1352757 A FR 1352757A FR 1352757 A FR1352757 A FR 1352757A FR 2988905 A1 FR2988905 A1 FR 2988905A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
sensor
cavity
plate
component
main extension
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR1352757A
Other languages
French (fr)
Other versions
FR2988905B1 (en
Inventor
Hubert Benzel
Christoph Schelling
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Publication of FR2988905A1 publication Critical patent/FR2988905A1/en
Application granted granted Critical
Publication of FR2988905B1 publication Critical patent/FR2988905B1/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3185Partial encapsulation or coating the coating covering also the sidewalls of the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/94Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561Batch processing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05556Shape in side view
    • H01L2224/05559Shape in side view non conformal layer on a patterned surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0556Disposition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/94Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/10155Shape being other than a cuboid
    • H01L2924/10156Shape being other than a cuboid at the periphery

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

Procédé de réalisation d'une surface de contact (104) d'un composant (100) consistant à utiliser une structure de surface dans la plaque ayant une première cavité dans le plan d'extension principale, une profondeur qui, correspond à la longueur souhaitée de la surface de contact (104). Dans la région de la structure de surface, la matière de support reçoit une couche conductrice. Dans la zone de séparation, on dégage la matière de support, et on réalise une cavité en enlevant la matière de support de la zone de tranchée jusqu'à une profondeur dépassant la profondeur de la cavité, et on coupe la plaque dans le prolongement d'une seconde cavité pour générer une surface latérale du composant (100), la surface de contact (104 étant alignée transversalement.A method of making a contact surface (104) of a component (100) comprising using a surface structure in the plate having a first cavity in the main extension plane, a depth which corresponds to the desired length of the contact surface (104). In the region of the surface structure, the support material receives a conductive layer. In the separation zone, the support material is released, and a cavity is made by removing the support material from the trench zone to a depth exceeding the depth of the cavity, and the plate is cut in the extension of the cavity. a second cavity for generating a side surface of the component (100), the contact surface (104 being transversely aligned.

Description

Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à un procédé de réali- sation d'au moins une surface de contact d'un composant réalisé sur une plaque d'une matière de support, le composant étant aligné dans le plan d'extension principale de la plaque. L'invention se rapporte également à un capteur réalisé selon ce procédé. Etat de la technique Les capteurs de champ magnétique sont combinés dans un boîtier à des capteurs d'accélération ou de vitesse de rotation pour servir à la navigation. Les composantes de champ magnétique suivant l'axe x et l'axe y sont mesurées par des capteurs à saturation de flux alors que le composant z se détermine par un circuit intégré Hall. Le document DE 10 2009 028 815 A 1 décrit un magné- tomètre ayant un substrat et un noyau magnétique. Le substrat a une bobine d'excitation générant un flux magnétique dans le noyau magnétique et la bobine d'excitation a une section qui est pratiquement perpendiculaire au plan d'extension principale du substrat. Le noyau magnétique se trouve à l'extérieur de la section de la bobine. Field of the Invention The present invention relates to a method of making at least one contact surface of a component made on a plate of a support material, the component being aligned in the extension plane main plate. The invention also relates to a sensor produced according to this method. State of the art Magnetic field sensors are combined in a housing with acceleration or rotational speed sensors for use in navigation. The magnetic field components along the x axis and the y axis are measured by flux saturation sensors while the z component is determined by a Hall integrated circuit. DE 10 2009 028 815 A1 discloses a magnetometer having a substrate and a magnetic core. The substrate has an excitation coil generating a magnetic flux in the magnetic core and the excitation coil has a section that is substantially perpendicular to the main extension plane of the substrate. The magnetic core is outside the section of the coil.

But de l'invention Dans ce contexte, la présente invention a pour but de développer un procédé de fabrication de deux surfaces de contact de deux composants voisins sur une plaque en une matière de support ainsi qu'un capteur pour recevoir une composante directionnelle d'une gran- deur de mesure directionnelle. 717-posé et avantages de l'invention A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de réalisa- tion d'au moins une surface de contact d'un composant réalisé sur une plaque d'une matière de support, le composant étant aligné dans le plan d'extension principale de la plaque, et consistant à: utiliser une structure de surface dans la plaque ayant au moins une première cavité réalisée dans la plaque et située dans le plan d'extension principale, * la première cavité ayant une profondeur qui, dans la plage de tolérance, correspond à la longueur souhaitée de la surface de contact, * au moins dans la région de la structure de surface, la matière de support reçoit une couche conductrice, * dans la zone de séparation, on dégage la matière de support, * la zone de séparation étant tournée vers le côté supérieur de la plaque et la première cavité se trouve au voisinage immédiat, - réaliser une première cavité en enlevant la matière de support de la zone de tranchée jusqu'à une profondeur dépassant la profondeur de la première cavité, et couper la plaque dans le prolongement de la seconde cavité pour générer une surface latérale du composant, - la surface de contact étant alignée transversalement au plan d'extension principale. Dans le cas d'un capteur de champ magnétique selon le principe de capteur à saturation de flux ou vanne de flux, par exemple une sonde à saturation de flux, on fait fonctionner un noyau à aimanta- tion douce en alternance périodiquement en saturation. Le noyau est entouré de deux bobines en sens opposé. Lorsqu'un courant alternatif en dents de scie traverse une bobine d'excitation, il induit par l'intermédiaire du noyau de bobine à aimantation douce, commun, lors du basculement de l'aimantation, un courant dans l'autre bobine (bo- bine de réception). La tension d'excitation et la tension de réception sont identiques en l'absence de champ extérieur et se compensent réci- proquement dans leurs effets. Mais en cas de champ magnétique externe, la composante vectorielle parallèle à la direction du noyau génère un signal résultant dans la bobine de réception. Ce signal est propor- tionnel au champ magnétique externe appliqué. Ce principe permet de mesurer même de très petits champs électromagnétiques. Comme le noyau peut avoir une composante de champ magnétique dépendant de la direction, l'installation de plusieurs noyaux avec des alignements différents permet d'avoir une résolution spatiale univoque du champ magnétique appliqué, en particulier dans les trois dimensions. De façon générale, on utilise un montage de trois noyaux perpendiculaires les uns aux autres pour obtenir à partir des trois composantes vectorielles du champ magnétique, la direction spatiale du champ magnétique. OBJECT OF THE INVENTION In this context, the present invention aims to develop a method of manufacturing two contact surfaces of two adjacent components on a plate of a support material and a sensor for receiving a directional component of a directional measurement quantity. SUMMARY OF THE INVENTION The invention relates to a method of producing at least one contact surface of a component made on a plate of a support material, the component being aligned in the main plane of extension of the plate, and comprising: using a surface structure in the plate having at least a first cavity made in the plate and located in the main extension plane, * the first cavity having a depth which, within the tolerance range, corresponds to the desired length of the contact surface, * at least in the region of the surface structure, the support material receives a conductive layer, * in the separation zone, releases the support material, * the separation zone being turned towards the upper side of the plate and the first cavity is in the immediate vicinity, - making a first cavity by removing the support material from the zone d trench to a depth exceeding the depth of the first cavity, and cut the plate in the extension of the second cavity to generate a side surface of the component, the contact surface being aligned transversely to the main extension plane. In the case of a magnetic field sensor according to the flux saturation sensor or flow valve principle, for example a flux saturation probe, a soft magnet core is alternately periodically alternating in saturation. The nucleus is surrounded by two coils in opposite directions. When a saw-tooth alternating current passes through an excitation coil, it induces, via the magnetisation coil core, common, during the switching of the magnetization, a current in the other coil (bo- reception). The excitation voltage and the reception voltage are identical in the absence of an external field and compensate each other in their effects. But in case of external magnetic field, the vector component parallel to the direction of the nucleus generates a signal resulting in the receiving coil. This signal is proportional to the external magnetic field applied. This principle makes it possible to measure even very small electromagnetic fields. Since the core may have a direction-dependent magnetic field component, the installation of multiple cores with different alignments allows for unambiguous spatial resolution of the applied magnetic field, especially in the three dimensions. In general, we use a montage of three nuclei perpendicular to each other to obtain from the three vector components of the magnetic field, the spatial direction of the magnetic field.

Les composants semi-conducteurs peuvent être branchés par des fils de liaison. Les fils de liaison sont fixés aux pattes de liaison qui ont un alignement commun, parallèle à la surface de base du composant semi-conducteur car la liaison se fait automatiquement et perpendiculairement à la surface de base. The semiconductor components can be connected by connecting wires. The bonding wires are attached to the bonding tabs which have a common alignment, parallel to the base surface of the semiconductor component because the bonding is done automatically and perpendicularly to the base surface.

L'invention repose sur la considération qu'un composant est tourné pour détecter une composante vectorielle d'une grandeur de mesure et qui est fixé sur une surface latérale, avantageusement sur une surface latérale, en regard de la surface latérale, peut avoir des surfaces de contact pour pouvoir brancher des fils électriques par des fils de liaison. La présente invention développe un procédé de réalisation d'au moins une surface de contact d'un composant installé sur une plaque en une matière de support alignée suivant un plan d'extension principale de la plaque, le procédé comprenant les étapes développées ci-dessus. Ce mode de réalisation du procédé permet d'obtenir d'une manière technique très simple, des surfaces de contact pour le composant, surfaces alignées transversalement au plan d'extension principale de la plaque dans laquelle est réalisé le composant. The invention is based on the consideration that a component is rotated to detect a vector component of a measurement quantity and which is fixed on a lateral surface, advantageously on a lateral surface, facing the lateral surface, may have surfaces contact to be able to connect electric wires with connecting wires. The present invention provides a method of making at least one contact surface of a component installed on a plate of a support material aligned along a main extension plane of the plate, the method comprising the steps developed above . This embodiment of the method makes it possible to obtain, in a very simple technical manner, contact surfaces for the component, surfaces aligned transversely to the main extension plane of the plate in which the component is made.

L'invention a également pour objet un capteur caractérisé en ce qu'il comprend : - un corps de base ayant une première surface de fixation pour fixer le capteur sur une structure de support dans une première direction de l'espace et au moins une seconde surface de fixation pour fixer le capteur à la structure de support dans une seconde direc- tion de l'espace, la première surface de fixation étant dirigée transversalement à la seconde surface de fixation, - un élément de capteur prévu sur la surface du capteur à l'opposé de la première surface de fixation, le capteur ayant une compo- sante directionnelle d'une grandeur de mesure directionnelle, et - au moins une surface de contact sur la surface latérale du capteur à l'opposé de la seconde surface de fixation et reliée électriquement à l'élément de capteur. L'expression « surface de contact » désigne une structure de surface électro-conductrice permettant de souder un conducteur électrique. La surface de contact peut être une patte de liaison pour fixer un fil de liaison. La matière de support est par exemple une matière semi-conductrice. La matière de support peut se présenter sous la forme d'un disque ou d'une plaque mince telle qu'une plaquette en sili- cium. La surface de la plaque est alignée dans le plan d'extension prin- cipale. Le composant peut être un composant semi-conducteur ayant une structure stratifiée formée de couches isolantes et de zones telles que des chemins conducteurs, des éléments fonctionnels, des couches conductrices et des zones. En particulier, le composant est un capteur enregistrant au moins une composante d'une grandeur de mesure. Le capteur peut avoir une caractéristique directionnelle. Le capteur peut être un capteur pour détecter des champs électriques, magnétiques et/ou électromagnétiques. Le capteur comporte alors une installation de mesure définie par la forme du capteur. On peut par exemple aligner un dipôle électro-conducteur ou un noyau de capteur comportant des bo- bines et qui définissent la direction de mesure. La structure de surface peut avoir un contour tridimen- sionnel et en particulier cette structure sera réalisée par enlèvement de matière dans la plaque. On peut également appliquer une ou plusieurs couches sur la plaque. Une cavité ou dégagement dans la plaque est une poche ou un enlèvement de matière. Une zone de tranchée est une zone dans laquelle on a enlevé de la matière du support pour séparer le composant. Dans l'étape de séparation, on réalise la seconde cavité plus profondément que la première cavité pour réaliser une fente de sépara- tion dans la zone de séparation. De manière avantageuse, on peut éga- lement avoir une troisième cavité, c'est-à-dire une première et une troisième cavité entre lesquelles se situe la zone de tranchée dans la direction d'extension principale dans une rangée et ayant des dimensions sensiblement identiques ou situées dans la plage de tolérance (par exemple entre 5 et 10 %) et qui correspondent à la longueur souhaitée pour les surfaces de contact et cela également dans la plage de tolérance (par exemple entre 5 et 10 %). L'entretoise peut être constituée par un résidu mince de matière de support entre les cavités. L'entretoise peut être dirigée transversalement c'est-à-dire dans une s autre direction que la direction d'extension de la surface de la matière de support, notamment elle peut être perpendiculaire à la surface de la matière de support. L'expression « alignement d'un élément transversalement à une direction » signifie ici que l'élément est aligné dans une direction 10 différente de la direction alternative, notamment perpendiculaire à cette direction alternative. La couche conductrice est par exemple une couche métallisée correspondant au contour de la surface supérieure. L'expression « enlèvement/dégagement » correspond à une opération de gravure ou d'érosion. L'enlèvement se fait entre les zones partielles de la 15 couche conductrice dans la zone des cavités d'une manière auto- ajustée. Entre les zones partielles de la couche conductrice, dans la zone de l'entretoise, on peut former une tranchée ou un canal. Cela permet d'enlever une zone située plus profondément dans la plaque et cela de manière directionnelle. L'enlèvement peut se faire dans la direc- 20 tion du plan médian de l'entretoise. L'expression « séparation » signifie découpe, meulage, sciage ou rupture. Le procédé comporte une étape d'application d'une couche métallique sur la couche conductrice. On peut déposer par exemple du métal par un procédé galvanique sur la couche conductrice 25 pour avoir une plus grande épaisseur de couche sur la surface de con- tact. Une telle réalisation permet d'obtenir d'une manière technique très simple un contact électrique entre le composant et la surface de contact. On peut avoir une couche isolante entre la couche con- 30 ductrice et la matière de support. La couche conductrice peut être ap- pliquée sur la matière de support avant d'appliquer la couche conductrice. En particulier, si la matière de support est un semiconducteur, la couche isolante assure la séparation électrique de la couche conductrice d'autres composants de l'élément. The invention also relates to a sensor characterized in that it comprises: a base body having a first fixing surface for fixing the sensor on a support structure in a first direction of the space and at least one second fixing surface for fixing the sensor to the support structure in a second direction of space, the first attachment surface being directed transversely to the second attachment surface; - a sensor element provided on the surface of the sensor to the opposite of the first fixing surface, the sensor having a directional component of a directional measuring quantity, and - at least one contact surface on the side surface of the sensor opposite the second fixing surface and electrically connected to the sensor element. The term "contact surface" refers to an electrically conductive surface structure for soldering an electrical conductor. The contact surface may be a connecting lug for securing a bonding wire. The support material is for example a semiconductor material. The support material may be in the form of a disc or a thin plate such as a silicon wafer. The surface of the plate is aligned in the main extension plane. The component may be a semiconductor component having a laminated structure formed of insulating layers and areas such as conductive paths, functional elements, conductive layers and zones. In particular, the component is a sensor recording at least one component of a measurement quantity. The sensor may have a directional characteristic. The sensor may be a sensor for detecting electric, magnetic and / or electromagnetic fields. The sensor then comprises a measuring installation defined by the shape of the sensor. For example, an electro-conductive dipole or a sensor core having bins and defining the measuring direction may be aligned. The surface structure may have a three-dimensional contour and in particular this structure will be achieved by removal of material in the plate. One or more layers can also be applied to the plate. A cavity or clearance in the plate is a pocket or a material removal. A trench zone is an area in which material from the support has been removed to separate the component. In the separation step, the second cavity is made deeper than the first cavity to provide a separation slot in the separation zone. Advantageously, it is also possible to have a third cavity, that is to say a first and a third cavity between which the trench zone is located in the main extension direction in a row and having dimensions substantially identical or in the tolerance range (for example between 5 and 10%) and which correspond to the desired length for the contact surfaces and this also in the tolerance range (for example between 5 and 10%). The spacer may be constituted by a thin residue of support material between the cavities. The spacer may be directed transversely, i.e., in a direction other than the direction of extension of the surface of the support material, in particular it may be perpendicular to the surface of the support material. The expression "alignment of an element transverse to a direction" means here that the element is aligned in a direction different from the alternative direction, in particular perpendicular to this alternative direction. The conductive layer is for example a metallized layer corresponding to the contour of the upper surface. The term "removal / disengagement" refers to an engraving or erosion operation. Removal takes place between the partial areas of the conductive layer in the cavity area in a self-adjusting manner. Between the partial areas of the conductive layer, in the region of the spacer, a trench or channel may be formed. This removes an area deeper in the plate directionally. The removal can be done in the direction of the median plane of the spacer. The term "separation" means cutting, grinding, sawing or breaking. The method comprises a step of applying a metal layer to the conductive layer. For example, metal may be deposited by a galvanic process on the conductive layer 25 to have a greater layer thickness on the contact surface. Such an embodiment makes it possible to obtain in a very simple technical manner an electrical contact between the component and the contact surface. An insulating layer may be provided between the conductive layer and the support material. The conductive layer may be applied to the support material prior to applying the conductive layer. In particular, if the support material is a semiconductor, the insulating layer provides electrical separation of the conductive layer from other components of the element.

Dans le prolongement de la seconde cavité, on peut réaliser une coupe en partant du dos de la plaque. On évite ainsi de perdre de la matière en coupant par le côté avant sensible de la plaque. Les composants peuvent être faiblement distants. En enlevant la matière de l'entretoise ainsi que de la matière sous l'entretoise, on pourra séparer la plaque par une coupe de moindre profondeur que l'épaisseur de la plaque. La couche conductrice peut être interrompue dans la zone de séparation pour dégager la matière de support. Au moment de la mise en oeuvre, on peut appliquer la couche conductrice sur le côté supérieur de l'entretoise et l'enlever de nouveau du côté supérieur. Par exemple la couche conductrice pourra s'enlever par gravure. Le côté supérieur de l'entretoise peut également être masqué pour éviter le dépôt de la couche métallique. In the extension of the second cavity, a cut can be made starting from the back of the plate. This avoids losing material by cutting through the sensitive front side of the plate. The components may be slightly distant. By removing the material from the spacer and the material under the spacer, the plate can be separated by a cut of less depth than the thickness of the plate. The conductive layer may be interrupted in the separation zone to disengage the support material. At the time of implementation, the conductive layer may be applied to the upper side of the spacer and removed again from the upper side. For example the conductive layer can be removed by etching. The upper side of the spacer may also be masked to prevent deposition of the metal layer.

La première cavité peut avoir dans une seconde direction d'extension principale du plan d'extension principale, une largeur qui correspond sensiblement à la profondeur des cavités, c'est-à-dire dans le cadre d'une plage de tolérance (par exemple entre 5 et 10 %). En limitant la largeur, on pourra avoir plusieurs cavités le long du futur com- posant pour obtenir plusieurs surfaces de contact, ce qui permet de contacter plusieurs branchements du composant. Selon un autre développement, l'invention a pour objet un procédé pour la réalisation d'au moins deux surfaces de contact de deux composants voisins, installés sur la plaque en matière de support, ces composants étant alignés dans le plan d'extension principale de la plaque, et on utilise une structure de surface ayant une troisième cavité dans la plaque qui se trouve dans le plan d'extension principale, la zone de coupe se trouvant entre la première et la troisième cavité, notamment la zone de coupe ayant une direction d'extension principale de la plaque de longueur inférieure à celle transversale à la direction d'extension principale, l'étape de génération consistant à générer la seconde cavité de façon que la matière de la zone de coupure soit enlevée jusqu'à une profondeur qui dépasse la profondeur de la première et/ou de la troisième cavité, et l'étape de coupe consiste à réaliser pour chaque surface latérale, des composants dont les surfaces de contact sont dirigées transversalement au plan d'extension principale. Ce mode de réalisation de l'invention a l'avantage de permettre une fabrication particulièrement efficace et économique de plusieurs composants. Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide d'un procédé de réalisation d'une surface de contact d'un composant installé sur une plaque ainsi qu'un capteur réalisé avec de tels composants représentés dans les dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 montre globalement un exemple de réalisation d'un cap- teur selon l'invention, - la figure 2 montre un ordinogramme d'un procédé de réalisation de deux surfaces de contact de deux composants voisins sur une plaque en un matériau de support correspondant à un premier exemple de l'invention, - les figures 3a et 3b montrent un capteur avec des surfaces de contact usuelles, - les figures 4a et 4b montrent un capteur avec des surfaces de contact correspondant à un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 5 montre un dispositif formé de capteurs selon un exemple de réalisation de l'invention, - les figures 6a-6g montrent des produits semi-finis après les étapes de fabrication d'un capteur selon un exemple de réalisation de l'invention, - les figures 7a-7e montrent des produits semi-finis après les étapes de fabrication d'un capteur selon un autre exemple de réalisation de l'invention. Description Ce modes e réalisation de l'invention La figure 1 est une vue en coupe d'un capteur 100 cor- respondant à un exemple de réalisation de l'invention. Le capteur 100 est en relation avec d'autres capteurs 100a, 100b et 100c (plusieurs sur une plaquette). Les capteurs 100-100c ont été réalisés dans une plaque d'une matière de support. Le capteur comporte un élément de capteur 102 et une surface de contact 104. L'élément de capteur 102 est installé sur le dessus du capteur 100. Le dessus ou côté supérieur s'oppose au côté inférieur du capteur 100. La surface supérieure est reliée au côté inférieur par les surfaces latérales du capteur 100. Le capteur 100 a une forme de cube. Le capteur 100 est un composant semi-conducteur. La surface de contact 104 est prévue au niveau d'une arête entre la sur- face supérieure et la surface latérale et possède des zones électro- conductrices à la fois sur la surface supérieure et sur la surface latérale. Entre le capteur 100 et le capteur voisin 100a, on a un intervalle 106. L'intervalle 106 est réalisé de manière chimique dans la région de la surface supérieure par dissolution de la matière de support. Dans la région du côté inférieur, l'intervalle 106 est réalisé par un procédé mécanique de séparation tel que par exemple une coupe faite avec une scie. Le procédé de réalisation de deux surfaces de contact selon ce mode de réalisation est fait avant de séparer les capteurs 100 dans la région 108 autour des surfaces de contact 104. Une région de détail pour un procédé de réalisation re- présenté à titre d'exemple dans les étapes de fabrication est présentée comme produit semi-fini aux figures 6a-6g et 7a-7e. La figure 2 montre l'ordinogramme d'un procédé 200 de réalisation de deux surfaces de contact entre deux composants voisins sur une plaque en un matériau de support correspondant à un exemple de réalisation de l'invention. Le procédé comprend une étape de développement 202, une étape de réalisation ou d'enlèvement 204 et une étape de séparation 206. Les composants sont alignés dans le plan d'extension principale de la plaque. Dans l'étape 202 de développement, on utilise ou on réalise une structure de surface dans la plaque. Cette structure présente deux cavités dégagées dans la plaque et qui sont voisines l'une de l'autre dans la direction principale d'extension du plan principal d'extension. Les cavités ont une profondeur qui, dans une plage de tolérance, correspond à la longueur souhaitée des surfaces de contact. Une entretoise subsiste entre les cavités ; elle a une extension plus faible dans la direction principale d'extension que dans la direction transversale à cette direction principale. Au moins dans une région de la structure de la surface, la matière de support comporte une couche conductrice. La matière de support est dégagée sur le côté supérieur de l'entretoise tourné vers le côté supérieur de la plaque. Dans l'étape 204 consistant à enlever, on dégage la matière de support de l'entretoise et la matière de support du prolongement de l'entretoise. L'expression « prolongement de l'entretoise » désigne la région dans la matière de support dans une direction qui est dans le prolongement de la direction principale de l'entretoise dans la matière de support. La matière de support est par exemple enlevée par le procédé de gravure de tranchée. Dans l'étape 206 de séparation, on sépare la plaque dans le prolongement de l'entretoise pour réaliser chaque fois une surface latérale du composant et les surfaces de contact ainsi dégagées sont alignées transversalement au plan d'extension principale. Les figures 3a et 3b représentent un capteur 300 ayant des surfaces de contact 302 usuelles. Comme décrit à la figure 1, le capteur 300 est un composant semi-conducteur réalisé sur et dans une plaque ou une puce en un matériau de support semi-conducteur par des étapes de fabrication physicochimiques. Pendant le procédé de fabrication, la plaque est plus grande que la partie représentée ici. Les structures ne peuvent être réalisées dans la plaque que dans la direction z. Les surfaces latérales x et y du capteur 300 résultent de la sépa- ration de la coupe de la plaque en ses différents capteurs 300. La figure 3a est une représentation dans l'espace du capteur 300 montrant trois surfaces visibles x, y, z. La surface z laisse apparaître quatre surfaces de contact 302 ainsi qu'un capteur de champ magnétique 304 raccordé à celles-ci. Aucune structure n'est prévue sur les côtés x et y. La figure 3b est une vue de dessus de la surface z donnant plus de détail du capteur 300. Le capteur de champ magnétique 304 est réalisé comme noyau aimanté ayant deux enroulements de bobines 306 installées de façon opposée sur le noyau. Les bobines 306 sont reliées par des pattes de liaison 302 aux lignes d'alimentation 308. Les figures 4a et 4b montrent un capteur 100 selon l'exemple de réalisation de l'invention. Le capteur 100 a deux éléments de capteur 102 qui détectent chacun une partie d'une grandeur de mesure (grandeur mesurable). Les éléments de capteur 102 sont perpendi- culaires l'un à l'autre pour qu'indépendamment de l'angle d'incidence de la grandeur de mesure, on puisse recevoir différents composants. Comme aux figures 3a-3c, les différents éléments de capteur 102 sont constitués par des enroulements en sens opposé sur un noyau susceptible d'être aimanté. Les enroulements sont reliés aux surfaces de con- tact 104 par des lignes d'alimentation 308. Dans cet exemple de réalisation, le capteur 100 présente le long d'une arête, huit surfaces de contact 104 ; quatre surfaces pour chaque élément de capteur 102. Les surfaces de contact offrent une surface pour le contact sur le côté supérieur du capteur 100 ainsi que sur une surface latérale du capteur 100. The first cavity may have in a second main extension direction of the main extension plane, a width that corresponds substantially to the depth of the cavities, that is to say within the scope of a tolerance range (for example between 5 and 10%). By limiting the width, it will be possible to have several cavities along the future component to obtain several contact surfaces, which makes it possible to contact several connections of the component. According to another development, the subject of the invention is a method for producing at least two contact surfaces of two adjacent components installed on the support plate, these components being aligned in the main extension plane of the plate, and using a surface structure having a third cavity in the plate which is in the main extension plane, the cutting zone being between the first and the third cavity, in particular the cutting zone having a direction main extension of the plate of length less than that transverse to the main extension direction, the generation step of generating the second cavity so that the material of the cutoff zone is removed to a depth which exceeds the depth of the first and / or third cavity, and the cutting step consists in producing for each lateral surface, components whose contact are directed transversely to the main extension plane. This embodiment of the invention has the advantage of allowing a particularly efficient and economical manufacture of several components. Drawings The present invention will be described hereinafter in more detail using a method of making a contact surface of a component installed on a plate and a sensor made with such components shown in the drawings. attached drawings in which: - Figure 1 shows an overall embodiment of a sensor according to the invention, - Figure 2 shows a flow chart of a method of producing two contact surfaces of two neighboring components on a plate of a support material corresponding to a first example of the invention, - Figures 3a and 3b show a sensor with usual contact surfaces, - Figures 4a and 4b show a sensor with contact surfaces corresponding to an example embodiment of the invention, - Figure 5 shows a device formed of sensors according to an exemplary embodiment of the invention, - Figures 6a-6g show semi-finished products after the steps for manufacturing a sensor according to an exemplary embodiment of the invention, - Figures 7a-7e show semi-finished products after the steps of manufacturing a sensor according to another embodiment of the invention. Description This embodiment of the invention Figure 1 is a sectional view of a sensor 100 corresponding to an embodiment of the invention. The sensor 100 is in relation with other sensors 100a, 100b and 100c (several on a plate). The 100-100c sensors were made in a plate of a support material. The sensor comprises a sensor element 102 and a contact surface 104. The sensor element 102 is installed on the top of the sensor 100. The top or upper side opposes the lower side of the sensor 100. The upper surface is connected the lower side by the side surfaces of the sensor 100. The sensor 100 has a cube shape. The sensor 100 is a semiconductor component. The contact surface 104 is provided at an edge between the top surface and the side surface and has electroconductive areas on both the top surface and the side surface. Between the sensor 100 and the adjacent sensor 100a, there is a gap 106. The gap 106 is chemically made in the region of the upper surface by dissolving the support material. In the region of the lower side, the gap 106 is made by a mechanical separation process such as for example a cut made with a saw. The method of making two contact surfaces according to this embodiment is made before separating the sensors 100 in the region 108 around the contact surfaces 104. A detail region for an exemplary embodiment shown in the manufacturing steps is presented as a semi-finished product in Figures 6a-6g and 7a-7e. FIG. 2 shows the flowchart of a method 200 for producing two contact surfaces between two neighboring components on a plate made of a support material corresponding to an exemplary embodiment of the invention. The method comprises a development step 202, an embodiment or removal step 204 and a separation step 206. The components are aligned in the main plane of extension of the plate. In step 202 of development, a surface structure is used or made in the plate. This structure has two cavities released in the plate and which are adjacent to each other in the main direction of extension of the main extension plane. The cavities have a depth which within a tolerance range corresponds to the desired length of the contact surfaces. A spacer remains between the cavities; it has a weaker extension in the main direction of extension than in the direction transverse to this principal direction. At least in one region of the surface structure, the support material has a conductive layer. The support material is disengaged on the upper side of the spacer facing the upper side of the plate. In step 204 of removing, the support material of the spacer and the support material of the extension of the spacer are disengaged. The term "spacer extension" refers to the region in the support material in a direction that is an extension of the main direction of the spacer in the support material. The support material is for example removed by the trench etching process. In the separation step 206, the plate is separated in the extension of the spacer to make each time a lateral surface of the component and the contact surfaces thus released are aligned transversely to the main extension plane. Figures 3a and 3b show a sensor 300 having usual contact surfaces 302. As depicted in FIG. 1, the sensor 300 is a semiconductor component made on and in a plate or chip of a semiconductor carrier material by physicochemical fabrication steps. During the manufacturing process, the plate is larger than the part shown here. The structures can be made in the plate only in the direction z. The x and y side surfaces of the sensor 300 result from separating the plate section from its various sensors 300. FIG. 3a is a spatial representation of the sensor 300 showing three visible surfaces x, y, z. The surface z reveals four contact surfaces 302 and a magnetic field sensor 304 connected thereto. No structure is provided on the x and y sides. Figure 3b is a top view of the z surface showing more detail of the sensor 300. The magnetic field sensor 304 is constructed as a magnetized core having two coil windings 306 oppositely mounted on the core. The coils 306 are connected by connecting tabs 302 to the supply lines 308. FIGS. 4a and 4b show a sensor 100 according to the embodiment of the invention. The sensor 100 has two sensor elements 102 which each detect a part of a measurement quantity (measurable quantity). The sensor elements 102 are perpendicular to each other so that, irrespective of the angle of incidence of the measurement variable, different components can be accommodated. As in Figures 3a-3c, the different sensor elements 102 are constituted by windings in opposite directions on a core capable of being magnetized. The windings are connected to the contact surfaces 104 by feed lines 308. In this exemplary embodiment, the sensor 100 has eight contact surfaces 104 along one edge; four surfaces for each sensor element 102. The contact surfaces provide a surface for contact on the upper side of the sensor 100 as well as on a side surface of the sensor 100.

La figure 4a est une vue de dessus de la surface supé- rieure du capteur 100. Les éléments de capteur 102 sont dirigés suivant un angle de 45° par rapport à l'arête du capteur. Les surfaces de contact sont en deux groupes sur l'arête. Les éléments de contact sont enroulés sur un noyau de bobine 102 avec deux bobines pour en tout quatre pattes de liaison 104. La figure 4b montre le détail d'une vue de côté du capteur 100. La figure représente un côté du capteur 100 muni de ses surfaces de contact 104. La figure montre les surfaces de contact 104 de l'un des capteurs. Les surfaces de contact 104 sont réparties à intervalle régulier le long de l'arête. Les surfaces de contact ou pattes de contact 104 se situent au niveau de l'arête de la puce. Les surfaces de contact 104 sont prévues dans la zone de l'arête avec la surface supérieure. Le côté est relié par des fils au niveau de la surface de contact 104 de la surface latérale. Figure 4a is a top view of the upper surface of the sensor 100. The sensor elements 102 are directed at an angle of 45 ° to the sensor edge. The contact surfaces are in two groups on the edge. The contact elements are wound on a coil core 102 with two coils for a total of four link tabs 104. FIG. 4b shows the detail of a side view of the sensor 100. The figure shows a side of the sensor 100 provided with its contact surfaces 104. The figure shows the contact surfaces 104 of one of the sensors. The contact surfaces 104 are distributed at regular intervals along the edge. The contact surfaces or contact tabs 104 are at the edge of the chip. The contact surfaces 104 are provided in the region of the ridge with the upper surface. The side is connected by wires at the contact surface 104 of the side surface.

La figure 5 est une vue d'un dispositif de capteurs 500 formé de capteurs 100 selon un exemple de réalisation de l'invention. Le dispositif de capteurs 500 se compose de trois capteurs 100. Les capteurs 100 sont alignés l'un par rapport à l'autre suivant des angles connus par rapport à la direction de mesure. Ainsi, chacun des cap- teurs 100 pourra détecter une composante dans l'espace d'une gran- deur de mesure. Globalement les signaux des capteurs 100 représentent correctement la grandeur de mesure car les capteurs 100 ont une structure identique et n'ont pas de sensibilité différente. Deux des capteurs 100 sont fixés par leur côté inférieur comme surface de fixation sur une structure de support 502 ou le fond du boîtier. Un troi- sième capteur 100 est fixé sur une surface latérale constituant la surface de fixation de la structure de support 502. Les capteurs 100 sont fixés à la structure de support 502 avec une couche de colle 504. Les capteurs 100 sont branchés électriquement par des fils de liaison 506. Figure 5 is a view of a sensor device 500 formed of sensors 100 according to an exemplary embodiment of the invention. The sensor device 500 consists of three sensors 100. The sensors 100 are aligned with each other at known angles to the measurement direction. Thus, each of the sensors 100 will be able to detect a component in the space of a measurement quantity. Overall, the signals from the sensors 100 correctly represent the measurement quantity because the sensors 100 have an identical structure and have no different sensitivity. Two of the sensors 100 are fixed by their lower side as attachment surface on a support structure 502 or the bottom of the housing. A third sensor 100 is attached to a lateral surface constituting the attachment surface of the support structure 502. The sensors 100 are attached to the support structure 502 with a layer of adhesive 504. The sensors 100 are electrically connected by means of connecting wires 506.

Les deux capteurs fixés sur le côté inférieur ont des fils de liaison 506 sur le côté supérieur. Dans le cas du capteur fixé sur une première surface latérale, les fils de liaison 506 sont fixés sur la seconde surface latérale, opposée. La liaison ne serait pas possible sans la surface de contact 104 sur la surface latérale. The two sensors attached on the lower side have connecting wires 506 on the upper side. In the case of the sensor fixed on a first lateral surface, the connecting wires 506 are fixed on the opposite second lateral surface. The connection would not be possible without the contact surface 104 on the side surface.

Au montage, pour réaliser un capteur de champ magné- tique 3D et 500, on peut dégager le capteur x100 de la plaquette et le placer dans un boîtier. Le capteur de champ magnétique sera alors aligné dans la direction x. Le capteur y100 peut également être dégagé de la plaquette et être placé dans un boîtier de sorte qu'il sera aligné dans la direction y. Le capteur z, 100, après avoir été dégagé du capteur 100 de la plaquette sera tourné de 90° pour que les pattes de liaison 104 dégagées soient tournées vers le haut. Le capteur de champ magnétique 100 est ainsi aligné dans la direction z ou être au moins en partie dirigé dans la direction z. Pour les capteurs x et y 100, on peut avantageusement utiliser des capteurs qui ne comportent pas de contacts latéraux. Les figures 6a-6g sont des vues de produits semi-finis après des étapes de fabrication de capteurs selon un exemple de réali- sation de l'invention. Dans les dessins, on a représenté une vue en coupe selon la ligne de coupe de la figure 4b pour la zone entourée. On a représenté la zone de la patte de liaison de deux puces voisines. Sur le côté gauche, on a une partie d'un premier capteur à réaliser, sur le côté droit une partie d'un second capteur. Les figures 6a-6g montrent cha- cune une partie d'une plaquette d'une matière de support 600 dans la- quelle on réalise un grand nombre de capteurs. Dans les figures, en haut, on a le côté supérieur de la plaquette avec un plan d'extension principale de la surface supérieure perpendiculaire au plan du dessin. L'autre direction d'extension principale de la surface supérieure est con- tenue dans le plan du dessin. During assembly, to make a 3D magnetic field sensor and 500, the x100 sensor can be released from the wafer and placed in a housing. The magnetic field sensor will then be aligned in the x direction. The sensor y100 can also be disengaged from the wafer and placed in a housing so that it will be aligned in the y direction. The sensor z, 100, after having been released from the sensor 100 of the wafer, will be rotated 90 ° so that the connecting lugs 104 are turned upwards. The magnetic field sensor 100 is thus aligned in the z direction or at least partly directed in the z direction. For the sensors x and y 100, it is advantageous to use sensors which do not have lateral contacts. Figures 6a-6g are views of semi-finished products after sensor manufacturing steps according to an exemplary embodiment of the invention. In the drawings, there is shown a sectional view along the section line of Figure 4b for the enclosed area. The area of the connecting leg of two neighboring chips is shown. On the left side, we have a part of a first sensor to realize, on the right side part of a second sensor. Figures 6a-6g each show a portion of a wafer of a carrier material 600 in which a large number of sensors are made. In the figures, at the top, there is the upper side of the plate with a main extension plane of the upper surface perpendicular to the plane of the drawing. The other main extension direction of the upper surface is contained in the plane of the drawing.

La figure 6a montre la matière de support 600 après une première étape consistant à réaliser une tranchée ou à dégager la matière de la plaquette 600. La surface supérieure comporte deux cavités 602 en forme de U ou d'auges ou des sillons de contact 602 ayant prin- cipalement une profondeur correspondant à la largeur planifiée des sur- faces de contact de la future surface latérale des capteurs. Les cavités 602 sont plus profondes que larges. Les cavités 602 sont voisines dans le plan d'extension principale. Entre les cavités 602, il subsiste une entretoise 604 en matière de support 600 qui n'a pas été enlevée. Pour ce- la, on aura par exemple appliqué un masque de vernis sur la surface de la plaquette 600, ce masque ayant des dégagements correspondant au contour des cavités 602. Les dégagements permettent d'enlever de manière précise la matière de support 600. Selon la figure 6b, on applique sur la structure de sur- face de la figure 6a une couche d'oxyde isolante 606. La couche d'oxyde 606 est par exemple appliquée par un procédé de dépôt à la vapeur, encore appelé procédé CVD ou par oxydation thermique. La couche d'oxyde 606 constitue un isolant pour la matière de support car en général, la matière de support 600 est un semi-conducteur. FIG. 6a shows the support material 600 after a first step of making a trench or disengaging the material of the wafer 600. The upper surface has two U-shaped cavities 602 or troughs or contact grooves 602 having mainly a depth corresponding to the planned width of the contact surfaces of the future lateral surface of the sensors. Cavities 602 are deeper than wide. The cavities 602 are adjacent in the main extension plane. Between the cavities 602, there remains a spacer 604 in support material 600 which has not been removed. For this purpose, for example, a varnish mask will have been applied to the surface of the wafer 600, this mask having clearances corresponding to the contour of the cavities 602. The clearances make it possible to accurately remove the support material 600. 6b, an insulating oxide layer 606 is applied to the surface structure of FIG. 6a. The oxide layer 606 is for example applied by a method of vapor deposition, also called CVD method or by thermal oxidation. The oxide layer 606 provides an insulator for the support material because generally the support material 600 is a semiconductor.

Selon la figure 6c, sur la couche d'oxyde 606, on applique une couche électro-conductrice 608 en métal. La métallisation et la mise en structure peuvent se faire par exemple par un procédé de pulvérisation de vernis. La surface de la plaquette de support 600 est ensuite de nouveau dégagée au niveau de la tranche (petit côté) de l'entretoise 604. Le métal 608 et l'oxyde 606 peuvent être gravés dans le sillon de gravure (c'est-à-dire le futur sillon de sillage). Dans cet état, la plaquette 600 peut être une ébauche pour le procédé de fabrication de deux surfaces de contact selon la solution présentée ici. A la figure 6d, la matière de support 600 de l'entretoise a été enlevée. Grâce aux faibles dimensions de l'entretoise, on réalise ain- si un canal ou une tranchée qui a un effet d'auto-ajustage si bien que dans le prolongement du plan médian de l'entretoise 604, on dégage une partie supplémentaire de matière 600. Le dégagement peut se faire par gravure de la matière de support 600. La tranchée peut se faire sans autre masque. Le métal 608 ou l'oxyde 606 servent de masque. Le procédé de tranchée est auto-ajusté. A la figure 6e, la couche d'oxyde 606 a été enlevée dans la zone où a déjà été enlevée l'entretoise. L'enlèvement peut se faire comme à la figure 6d par dissolution ou par gravure de la couche d'oxyde 606, par exemple par gravure en phase gazeuse HF. La couche métallique 608 n'est pas attaquée par cette opération, de même que la matière de support 600 n'est pas touchée. A la figure 6f, on a gravé la couche métallique 608. According to FIG. 6c, on the oxide layer 606, an electroconductive layer 608 of metal is applied. The metallization and the structuring can be done for example by a varnish spraying process. The surface of the support plate 600 is then again released at the edge (small side) of the spacer 604. The metal 608 and the oxide 606 can be etched in the etching groove (ie say the future wake path). In this state, the wafer 600 may be a blank for the method of manufacturing two contact surfaces according to the solution presented here. In Figure 6d, the support material 600 of the spacer has been removed. Thanks to the small dimensions of the spacer, a channel or trench is thus produced which has a self-adjusting effect, so that in the extension of the median plane of the spacer 604, an additional part of material is released. 600. The clearance can be done by etching the support material 600. The trench can be done without other mask. Metal 608 or oxide 606 serve as a mask. The trench process is self-adjusting. In Figure 6e, the oxide layer 606 has been removed in the area where the spacer has already been removed. The removal can be done as in Figure 6d by dissolution or etching of the oxide layer 606, for example by HF gas phase etching. The metal layer 608 is not attacked by this operation, just as the support material 600 is not affected. In FIG. 6f, the metal layer 608 has been etched.

Comme dans la région de l'ancienne entretoise, le métal 608 a été atta- qué simultanément des deux côtés, cela s'est traduit par un fort enlèvement de matière. Le canal dans la zone de l'entretoise est enlevé. La surface métallique résiduelle est également attaquée. De manière idéale, l'enlèvement de matière est toutefois inférieur à celui de l'épaisseur de couche appliquée précédemment. Une mince couche métallique 608 subsiste sur l'oxyde 606. Le métal 608 peut par exemple se travailler par une étape de gravure humide. Le temps de gravure est choisi pour que le métal 608 soit complètement dégagé de la paroi de la seconde tranchée qui a été attaquée sur les deux côtés lors de la gravure. Le mé- tal 608 de la paroi du substrat et dans la patte de liaison n'est toutefois gravé que d'un côté si bien qu'il n'est aminci que sensiblement sur sa demi-épaisseur. La figure 6g montre une coupe de séparation 610 partant du dos de la plaquette 600 jusque dans le dégagement décrit à la figure 6d qui sépare le premier capteur 100a du second capteur 100b. Les deux capteurs 100a et 100b ont alors une surface de contact 104 sur la surface latérale formée par la coupe de séparation 100. La séparation des capteurs peut se faire par exemple par une opération de sciage usuelle. Les surfaces de contact 104 sont chaque fois reliées électri- quement à l'élément de capteur. Les figures 7a-7e montrent des vues de produits semi- finis après les étapes de fabrication pour réaliser les capteurs selon un autre exemple de la présente invention. Sous une forme modifiée ou étendue les étapes de fabrication présentées correspondent aux étapes de fabrication déjà présentées aux figures 6d-6g. Les premières étapes sont analogues à celles du procédé de fabrication présentées aux figures 6a-6c. A la figure 7a, sur la couche métallique 608 décrite à la figure 6c, on a appliqué une autre couche métallique 700. Cette autre couche métallique 700 est plus épaisse que la couche métallique 608. Cette autre couche métallique 700 est déposée par un procédé électro- chimique de galvanoplastie sur la couche métallique 608 présente. Dans la région de l'entretoise 604, là où la matière de support 600 est dégagée, on n'a pas déposé de métal 700 ou encore ce métal a déjà été enlevé. Dans la région des cavités 602, on a déposé du métal 700 pour remplir de nouveau les cavités 602. Après la métallisation en surface comme cela est présenté à la figure 6c, on effectue une galvanisation de préférence sans courant consistant à remplir complètement la cavité 602 avec du métal 700. Les matériaux appliqués par galvanisation sont par exemple Cr, Ni, Pt, Au, Pd ou des combinaisons. Les avantages du métal 700 appliqué par un procédé galvanique sont des chemins conducteurs faiblement ohmiques sur la face avant et des pattes de liaison faiblement ohmiques sur les côtés. La figure 7b est analogue à la figure 6d ; dans la région de l'entretoise, on a réalisé une tranchée dans la matière de support 600. Le canal est auto-ajustant comme celui de la figure 6d et il a une faible largeur. Le métal 700 déposé par voie galvanique n'est pas influencé par cette caractéristique. La tranchée peut être réalisée sans masque supplémentaire dans la zone de la patte car le revêtement gal- vanique sert de masque. La figure 7c est présentée de manière analogue à la figure 6e montrant que dans la zone de l'entretoise, la couche d'oxyde 606 a été enlevée pour dégager la couche métallique 608. A la figure 7d, de façon analogue à la figure 6g, on a montré comment la plaquette 600 a été séparée par un trait de scie 610. Comme à la figure 6g, les surfaces de contact latérales 104 du premier capteur 100a et du second capteur 100b, sont devenues accessibles. Dans cet exemple de réalisation, les cavités étant de nouveau remplies, il est inutile d'enlever la couche métallique 608. La couche métallique 608 de cet exemple de réalisation constitue la surface supérieure de la surface de contact 104. La figure 7e est une vue de dessus de la coupe de la fi- gure 7d des capteurs 100a et 100b qui ont été séparés selon la figure 7d. Les arêtes de coupe du trait de scie, en partant du dos, sont repré- sentées comme arêtes cachées (trait en pointillés). Les surfaces de contact 104 sont sensiblement aussi larges que longues. La couche d'oxyde 606 isole les surfaces de contact 104 par rapport au silicium ou au substrat 600, même sur le côté. Selon les figures 7a-7d, les pattes de liaison 104 de cet exemple de réalisation sont en une matière première 608 et en métal galvanisé 700. Un chemin conducteur métallique 308 galvanisé est issu des surfaces de contact pour arriver à un élément de capteur non présenté des capteurs 100a et 100b. En d'autres termes, les figures 6 et 7 présentent des pro- cédés de fabrication d'un capteur de champ magnétique z 100 selon dif- férents exemples de réalisation de la présente invention. Les pattes de liaison latérales 104 permettent de basculer de manière ciblée le capteur 100 selon un angle défini. Le capteur peut être branché de manière habituelle au niveau des pattes de contact 104. L'élément de capteur 100 est tourné de 90° pour que les couches sensibles inclinées sur le côté arrivent en appui si, comme représenté à la figure 4a, deux capteurs de champ magnétique sont installés sur une puce. C'est ainsi que les composantes xz ou yz du champ magnétique pourront être mesurées par deux vannes de flux sur un capteur 100 sans élément Hall. La composante z est contenue dans les deux signaux de vannes de flux ; les directions x et y sont chacune contenues dans un signal. Dans le cas de l'intensité connue de champ magnétique ou en intégrant les signaux de deux portes de flux alignées dans la direction x et dans la direction y et l'angle de montage suivant des directions les unes par rapport aux autres, on définit les trois composantes du champ magné- tique. Le composant 100 selon la proposition présentée ici est caractérisé en ce que la première surface supérieure comporte un dispositif pour déterminer les grandeurs de mesures physiques 102, par exemple des champs magnétiques. Au moins une surface supérieure voisine, perpendiculaire, du substrat, comporte des pattes de contact 104 reliées au dispositif 102 du premier côté. Le composant peut être fixé et branché électriquement par les pattes de contact 104 sur un fond de boîtier. En variante, le composant 100 peut être fixé au fond du boîtier par la surface supérieure à l'opposé de celle munie des pattes de contact 104 en étant ainsi relié électriquement aux pattes de contact 104 par un fil de liaison. Pour réaliser un composant 100 selon la proposition pré- sentée ci-dessus et telle que développée aux figures 6 et 7 à l'aide des étapes de procédé pour la fabrication d'un produit semi-fini, on ap- plique les étapes de procédé suivantes : - réalisation d'une première tranchée 602 dans la zone prévue pour des trous de contact, - dépôt d'une couche d'isolation 606, - séparation et mise en structure de la première couche métallique 608, - enlèvement de la couche d'isolation 606 préalablement mise en place dans la région d'un second sillon de tranchée, - introduction de la seconde tranchée au moins au niveau des sillons de tranchée et entre la première tranchée de surface de contact 102, - enlèvement de la couche d'isolation 608 mise en place précédemment des parois verticales du second sillon de tranchée, - en option, la couche métallique 608 peut être gravée pendant la durée permettant d'enlever par gravure sensiblement plus de la moitié de l'épaisseur de la couche déposée, - sciage de l'épaisseur résiduelle du substrat 600 par rapport au coté arrière jusque dans le sillon de tranchée. En option, la couche métallique 608 peut être renforcée avant son sciage en appliquant un procédé de dépôt galvanique. La première couche métallique structurée 608 peut être renforcée par un procédé de dépôt galvanique avant que la couche d'isolation 606 ne soit enlevée du second sillon de tranchée. Le procédé de fabrication présenté ci-dessus permet de réaliser de manière économique un capteur pour une mesure en 3D d'un champ magnétique avec seulement deux substrats de capteur différents. On pourra supprimer l'élément Hall servant à mesurer la composante perpendiculaire. Les capteurs selon la proposition présentée ci-dessus peuvent servir par exemple de compas magnétique pour des ap- pareils de navigation, des montres, des téléphones ou des calepins élec- troniques. Les exemples de réalisation décrits et présentés dans les figures n'ont été choisis qu'à titre d'exemple. Des exemples de réalisation différents peuvent être combinés en totalité ou en partie pour les différentes caractéristiques. Un exemple de réalisation peut être complé- té par les caractéristiques d'un autre exemple de réalisation. En outre, on peut répéter les étapes de procédé selon l'invention ainsi que l'ordre dans lequel elles sont décrites.15 NOMENCLATURE 100 Capteur 100a, 100b, 100c Capteurs 102 Elément de capteur 104 Surface de contact 106 Intervalle / fente 108 Zone autour des surfaces de contact 104 200 Procédé de fabrication de deux surfaces de contact 10 de deux composants sur une plaque de matière de support 202, 204, 206 Etapes du procédé 200 300 Capteur 302 Surface de contact 15 304 Capteur de champ magnétique 306 Bobinage 308 Ligne d'alimentation 500 Dispositif de capteur 502 Structure de support 20 504 Couche de colle 506 Fil de liaison 600 Matière de support/ substrat 602 Cavité/dégagement en forme de U 604 Entretoise 25 606 Couche d'oxyde isolante 608 Couche électro-conductrice/ couche de métal 610 Coupe de séparation 700 Couche métallique 30 As in the region of the old spacer, the metal 608 was attacked simultaneously on both sides, which resulted in a strong removal of material. The channel in the spacer area is removed. The residual metal surface is also attacked. Ideally, the removal of material is, however, less than that of the previously applied layer thickness. A thin metal layer 608 remains on the oxide 606. The metal 608 can for example be worked by a wet etching step. The etching time is chosen so that the metal 608 is completely clear of the wall of the second trench which has been etched on both sides during etching. The metal 608 of the wall of the substrate and in the connecting lug, however, is etched only on one side so that it is thinned only substantially on its half-thickness. Figure 6g shows a separation section 610 from the back of the wafer 600 to the clearance depicted in Figure 6d which separates the first sensor 100a from the second sensor 100b. The two sensors 100a and 100b then have a contact surface 104 on the lateral surface formed by the separation cup 100. The separation of the sensors can be done for example by a usual sawing operation. The contact surfaces 104 are each electrically connected to the sensor element. Figs. 7a-7e show views of semifinished products after the manufacturing steps for making the sensors according to another example of the present invention. In a modified or extended form, the manufacturing steps presented correspond to the manufacturing steps already presented in FIGS. 6d-6g. The first steps are analogous to those of the manufacturing process shown in Figures 6a-6c. In FIG. 7a, on the metal layer 608 described in FIG. 6c, another metal layer 700 has been applied. This other metal layer 700 is thicker than the metal layer 608. This other metal layer 700 is deposited by an electro-electric process. - electroplating chemical on the metal layer 608 present. In the region of the spacer 604, where the support material 600 is disengaged, no metal 700 has been deposited or this metal has already been removed. In the region of the cavities 602, metal 700 has been deposited to refill the cavities 602. After the surface metallization as shown in FIG. 6c, a preferably electroless galvanization is carried out consisting of filling the cavity 602 completely. with metal 700. The materials applied by galvanization are for example Cr, Ni, Pt, Au, Pd or combinations. The advantages of the metal 700 applied by a galvanic process are weakly ohmic conductor paths on the front side and weakly ohmic connection tabs on the sides. Figure 7b is similar to Figure 6d; in the region of the spacer, a trench was made in the support material 600. The channel is self-adjusting like that of Figure 6d and has a small width. The galvanically deposited metal 700 is not influenced by this characteristic. The trench can be made without an additional mask in the area of the tab because the galvanic coating serves as a mask. FIG. 7c is shown analogously to FIG. 6e showing that in the spacer zone, the oxide layer 606 has been removed in order to disengage the metal layer 608. In FIG. 7d, in a similar manner to FIG. It has been shown how the wafer 600 has been separated by a kerf 610. As in FIG. 6g, the lateral contact surfaces 104 of the first sensor 100a and the second sensor 100b have become accessible. In this embodiment, the cavities being filled again, it is unnecessary to remove the metal layer 608. The metal layer 608 of this embodiment forms the upper surface of the contact surface 104. FIG. 7e is a view of the section of FIG. 7d of the sensors 100a and 100b which have been separated according to FIG. 7d. The cutting edges of the kerf, starting from the back, are represented as hidden edges (dotted line). The contact surfaces 104 are substantially as wide as they are long. The oxide layer 606 isolates the contact surfaces 104 from the silicon or substrate 600, even on the side. According to FIGS. 7a-7d, the connecting lugs 104 of this embodiment are made of a raw material 608 and of galvanized metal 700. A galvanized metal conductor path 308 comes from the contact surfaces to arrive at a sensor element that is not shown. sensors 100a and 100b. In other words, Figs. 6 and 7 show methods of manufacturing a z 100 magnetic field sensor according to various exemplary embodiments of the present invention. The lateral connection tabs 104 make it possible to switch the sensor 100 in a targeted manner at a defined angle. The sensor can be connected in the usual way to the contact tabs 104. The sensor element 100 is rotated by 90 ° so that the sensitive layers inclined on the side come to rest if, as shown in FIG. 4a, two sensors Magnetic field are installed on a chip. Thus the xz or yz components of the magnetic field can be measured by two flow valves on a sensor 100 without Hall element. The component z is contained in the two flow valve signals; the directions x and y are each contained in a signal. In the case of the known intensity of the magnetic field or by integrating the signals of two flux gates aligned in the x direction and in the y direction and the mounting angle according to the directions relative to each other, the three components of the magnetic field. The component 100 according to the proposition presented here is characterized in that the first upper surface comprises a device for determining the physical measurement quantities 102, for example magnetic fields. At least one adjacent upper surface, perpendicular to the substrate, has contact tabs 104 connected to the device 102 of the first side. The component can be fixed and electrically connected by the contact tabs 104 on a housing bottom. Alternatively, the component 100 may be attached to the bottom of the housing by the upper surface opposite the one provided with the contact tabs 104 and thus being electrically connected to the contact tabs 104 by a connecting wire. To produce a component 100 according to the proposal presented above and as developed in FIGS. 6 and 7 using the process steps for the manufacture of a semi-finished product, the process steps are applied. following: - realization of a first trench 602 in the area provided for contact holes, - deposition of an insulation layer 606, - separation and structuring of the first metal layer 608, - removal of the insulation 606 previously placed in the region of a second trench trench, - introducing the second trench at least at the trench furrows and between the first contact surface trench 102, - removing the trench layer; insulation 608 previously installed vertical walls of the second trench trench, - optionally, the metal layer 608 can be etched for the duration to remove by burning substantially more than half of the thick of the deposited layer, - sawing the residual thickness of the substrate 600 relative to the rear side into the trench trench. Optionally, the metal layer 608 can be reinforced before sawing by applying a galvanic deposition process. The first structured metal layer 608 may be reinforced by a galvanic deposition process before the insulation layer 606 is removed from the second trench trench. The manufacturing method presented above makes it possible to economically produce a sensor for a 3D measurement of a magnetic field with only two different sensor substrates. The Hall element used to measure the perpendicular component can be removed. The sensors according to the proposal presented above can serve for example as a magnetic compass for navigation apparatus, watches, telephones or electronic notebooks. The exemplary embodiments described and presented in the figures were chosen only as examples. Different embodiments may be combined in whole or in part for the different features. An exemplary embodiment may be supplemented by the features of another exemplary embodiment. In addition, the method steps according to the invention and the order in which they are described can be repeated.15 NOMENCLATURE 100 Sensor 100a, 100b, 100c Sensors 102 Sensor element 104 Contact surface 106 Interval / slot 108 Area around contact surfaces 104 200 Method of manufacturing two contact surfaces 10 of two components on a support material plate 202, 204, 206 Process steps 200 300 Sensor 302 Contact surface 15 304 Magnetic field sensor 306 Coil 308 Line 500 Sensor device 502 Support structure 20 504 Glue layer 506 Connecting wire 600 Support material / substrate 602 U-shaped cavity / clearance 604 Spacer 25 606 Insulating oxide layer 608 Electro-conductive layer / layer metal 610 Separation cup 700 Metal layer 30

Claims (1)

REVENDICATIONS1°) Procédé (200) de réalisation d'au moins une surface de contact (104) d'un composant (100) réalisé sur une plaque (600) d'une matière de support, le composant étant aligné dans le plan d'extension principale de la plaque (600), procédé (200) comprenant les étapes suivantes consistant à : - utiliser (202) une structure de surface dans la plaque (600) ayant au moins une première cavité (602) réalisée dans la plaque (600) et située dans le plan d'extension principale, - la première cavité (602) ayant une profondeur qui, dans la plage de tolérance, correspond à la longueur souhaitée de la surface de contact (104), - au moins dans la région de la structure de surface, la matière de support reçoit une couche conductrice (608), - dans la zone de séparation (604), on dégage la matière de support, - la zone de séparation (604) étant tournée vers le côté supérieur de la plaque (600) et la première cavité se trouvant au voisinage immédiat, - réaliser (204) une première cavité en enlevant la matière de sup- port de la zone de tranchée (604) jusqu'à une profondeur dépassant la profondeur de la première cavité, et - couper (206) la plaque (600) dans le prolongement de la seconde cavité (604) pour générer une surface latérale du composant (100), - la surface de contact (104) étant alignée transversalement au plan d'extension principale. 2°) Procédé (200) selon la revendication 1 comportant une étape consistant à appliquer une couche métallique (700) sur la couche conductrice (608). 3°) Procédé (200) selon la revendication 1, caractérisé en ce quel'étape d'utilisation (202) consiste à utiliser comme structure de surface une structure ayant une couche isolante (606) entre la couche conductrice (608) et la matière du support. 4°) Procédé (200) selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans l'étape de coupe (206), on réalise une coupe (610) en partant du dos de la plaque (600) dans le prolongement de la seconde cavité. 5°) Procédé (200) selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans l'étape d'utilisation (202), on utilise comme structure de surface une structure dont la couche conductrice (608) est interrompue dans la région de la zone de coupure (604) pour dégager la matière de support. 6°) Procédé (200) selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans l'étape d'utilisation (202), la première cavité (602) se développe dans la seconde direction d'extension principale du plan d'extension principale avec une largeur dans la plage de tolérance correspondant à la profondeur de la première cavité (602). 7°) Procédé (200) selon la revendication 1 pour la réalisation d'au moins deux surfaces de contact (104) de deux composants voisins, installés sur la plaque (600) en matière de support, ces composants étant alignés dans le plan d'extension principale de la plaque (600), et - l'étape d'utilisation (202), consiste à utiliser une structure de sur- face ayant une troisième cavité (602) dans la plaque (600) qui se trouve dans le plan d'extension principale, - la zone de coupe (602) se trouvant entre la première et la troisième cavité, notamment la zone de coupe (602) ayant une direction d'extension principale de la plaque (600) avec une longueur inférieure à celle transversale à la direction d'extension principale, l'étape de génération (204) consistant à générer la seconde cavité (602) de façon que la matière de la zone de coupure (604) soit enle-vée jusqu'à une profondeur qui dépasse la profondeur de la première et/ou de la troisième cavité (602), et l'étape de coupe (206) consistant à réaliser pour chaque surface latérale des composants (100) dont les surfaces de contact (104) sont dirigées transversalement au plan d'extension principale. 8°) Capteur (100) caractérisé en ce qu'il comprend : - un corps de base ayant une première surface de fixation pour fixer le capteur (100) sur une structure de support (502) dans une pre- mière direction de l'espace et au moins une seconde surface de fixation pour fixer le capteur (100) à la structure de support (502) dans une seconde direction de l'espace, la première surface de fixation étant dirigée transversalement à la seconde surface de fixation, - un élément de capteur prévu sur la surface du capteur (100) à l'opposé de la première surface de fixation, le capteur (100) ayant une composante directionnelle d'une grandeur de mesure direc- tionnelle, et - au moins une surface de contact (104) prévue sur la surface laté- rale du capteur (100) à l'opposé de la seconde surface de fixation en étant reliée électriquement à l'élément de capteur.25 CLAIMS1) Method (200) for producing at least one contact surface (104) of a component (100) made on a plate (600) of a support material, the component being aligned in the plane of main extension of the plate (600), method (200) comprising the following steps: - using (202) a surface structure in the plate (600) having at least a first cavity (602) made in the plate (600) ) and located in the main extension plane, - the first cavity (602) having a depth which, within the tolerance range, corresponds to the desired length of the contact surface (104), - at least in the region of the surface structure, the support material receives a conductive layer (608), - in the separation zone (604), the support material is disengaged, - the separation zone (604) is turned towards the upper side of the plate (600) and the first cavity being in the immediate vicinity, making (204) a first cavity by removing the support material from the trench zone (604) to a depth exceeding the depth of the first cavity, and - cutting (206) the plate (600) into the extension the second cavity (604) for generating a side surface of the component (100), the contact surface (104) being aligned transversely to the main extension plane. The method (200) of claim 1 including a step of applying a metal layer (700) to the conductive layer (608). The method (200) of claim 1, characterized in thatthe step of using (202) is to use as a surface structure a structure having an insulating layer (606) between the conductive layer (608) and the material of the support. 4) Method (200) according to claim 1, characterized in that in the cutting step (206), a cut (610) is made starting from the back of the plate (600) in the extension of the second cavity . Method (200) according to claim 1, characterized in that in the utilization step (202) a structure is used as the surface structure, the conductive layer (608) of which is interrupted in the region of the zone. cutoff (604) to disengage the support material. Method (200) according to claim 1, characterized in that in the utilization step (202), the first cavity (602) develops in the second main extension direction of the main extension plane with a width in the tolerance range corresponding to the depth of the first cavity (602). Method (200) according to claim 1 for producing at least two contact surfaces (104) of two adjacent components installed on the support plate (600), these components being aligned in the plane of main extension of the plate (600), and - the use step (202), consists in using a surface structure having a third cavity (602) in the plate (600) which is in the plane main extension, - the cutting zone (602) lying between the first and the third cavity, in particular the cutting zone (602) having a main extension direction of the plate (600) with a length less than that transverse to the main extension direction, the generating step (204) of generating the second cavity (602) such that the material of the cutoff zone (604) is raised to a depth that exceeds the depth of the first and / or third cavity (602), and the cutting blade (206) consisting of producing for each lateral surface components (100) whose contact surfaces (104) are directed transversely to the main extension plane. Sensor (100) characterized in that it comprises: - a base body having a first attachment surface for fixing the sensor (100) to a support structure (502) in a first direction of the space and at least a second attachment surface for securing the sensor (100) to the support structure (502) in a second direction of space, the first attachment surface being directed transversely to the second attachment surface; sensor element provided on the surface of the sensor (100) opposite the first attachment surface, the sensor (100) having a directional component of a directional measurement quantity, and - at least one contact surface (104) provided on the side surface of the sensor (100) opposite the second attachment surface being electrically connected to the sensor element.
FR1352757A 2012-03-30 2013-03-27 METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT HAVING A CONTACT SURFACE AND SENSOR FOR RECEIVING A DIRECTIONAL COMPONENT OF DIRECTIONAL MEASUREMENT SIZE Expired - Fee Related FR2988905B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012205268A DE102012205268A1 (en) 2012-03-30 2012-03-30 Method for producing at least one contacting surface of a component and sensor for receiving a directional component of a directional measured variable

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2988905A1 true FR2988905A1 (en) 2013-10-04
FR2988905B1 FR2988905B1 (en) 2016-09-02

Family

ID=47722231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1352757A Expired - Fee Related FR2988905B1 (en) 2012-03-30 2013-03-27 METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT HAVING A CONTACT SURFACE AND SENSOR FOR RECEIVING A DIRECTIONAL COMPONENT OF DIRECTIONAL MEASUREMENT SIZE

Country Status (4)

Country Link
CN (1) CN104221141B (en)
DE (1) DE102012205268A1 (en)
FR (1) FR2988905B1 (en)
WO (1) WO2013143724A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10914796B2 (en) * 2016-02-05 2021-02-09 Texas Instruments Incorporated Integrated fluxgate device with three-dimensional sensing

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08255810A (en) * 1995-03-15 1996-10-01 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
US5606198A (en) * 1993-10-13 1997-02-25 Yamaha Corporation Semiconductor chip with electrodes on side surface
US20070090529A1 (en) * 2005-10-14 2007-04-26 Honeywell International Inc. Method of fabricating a vertically mountable IC package
US7608919B1 (en) * 2003-09-04 2009-10-27 University Of Notre Dame Du Lac Interconnect packaging systems
US20110147867A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-23 Everspin Technologies, Inc. Method of vertically mounting an integrated circuit

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003347476A (en) * 2002-05-22 2003-12-05 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor integrated device and its manufacturing method
CN101080359A (en) * 2004-11-04 2007-11-28 微芯片公司 Compression and cold weld sealing methods and devices
DE102009028815A1 (en) 2009-08-21 2011-02-24 Robert Bosch Gmbh Magnetic field sensor and method for producing a magnetic field sensor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5606198A (en) * 1993-10-13 1997-02-25 Yamaha Corporation Semiconductor chip with electrodes on side surface
JPH08255810A (en) * 1995-03-15 1996-10-01 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
US7608919B1 (en) * 2003-09-04 2009-10-27 University Of Notre Dame Du Lac Interconnect packaging systems
US20070090529A1 (en) * 2005-10-14 2007-04-26 Honeywell International Inc. Method of fabricating a vertically mountable IC package
US20110147867A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-23 Everspin Technologies, Inc. Method of vertically mounting an integrated circuit

Also Published As

Publication number Publication date
FR2988905B1 (en) 2016-09-02
CN104221141A (en) 2014-12-17
DE102012205268A1 (en) 2013-10-02
CN104221141B (en) 2018-05-01
WO2013143724A1 (en) 2013-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0267069B1 (en) Method for producing a piezo resistor strain gauge and an accelerometer with such a gauge
EP2053646B1 (en) Method for vertical interconnection inside 3D electronic modules using vias
EP1966825B1 (en) Process for the collective fabrication of 3d electronic modules
EP0157663B1 (en) Acceleration sensor with a flat pendular structure
FR2992467A1 (en) METHOD FOR MAKING A COMPONENT WITH A THROUGH ELECTRIC CONTACT AND COMPONENT OBTAINED
EP2823273B1 (en) Method for producing a pressure sensor
FR3035220A1 (en) "ELECTRONIC DEVICE FOR MEASURING AT LEAST ONE ELECTRICAL CHARACTERISTIC OF AN OBJECT"
EP1031844A2 (en) Process for forming an electrical current sensor
FR2954854A1 (en) PHOTODETECTOR WITH PLASMON STRUCTURE
EP3476284B1 (en) Biocompatible integrated monolithic sensor, notably for an active implantable medical device
EP2546188B1 (en) Method for forming a structure with a suspended membrane and a buried electrode
FR3103630A1 (en) FUNCTIONAL CHIP SUITABLE TO BE ASSEMBLED TO WIRED ELEMENTS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A CHIP
EP0983609B1 (en) Method for making a machined silicon micro-sensor
FR2903812A1 (en) INTEGRATED CIRCUIT DISTRIBUTED TO AT LEAST TWO NON-PARALLEL PLANS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
EP0443941A1 (en) Hall effect horizontal magnetic head and its production method
EP0269485B1 (en) Combination of a fluxmeter and a temperature-sensing device incorporating a multilayed structure, and process for preparing such a device and such a multilayed structure
FR2860594A1 (en) MAGNETOMETER WITH OPEN MAGNETIC CIRCUIT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
FR2988905A1 (en) METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT HAVING A CONTACT SURFACE AND SENSOR FOR RECEIVING A DIRECTIONAL COMPONENT OF DIRECTIONAL MEASUREMENT SIZE
FR2993873A1 (en) MICROMECHANICAL STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
JP2006194733A (en) Magnetometric sensor and its manufacturing method
EP0744623B1 (en) Electromagnetic accelerometer
CH701487B1 (en) Structural bonding pads for electronic component.
EP0392945B1 (en) Micromagnetometer with capacitive detection
EP2247956B1 (en) Method for making a magnetic field sensor and magnetic field sensor thus obtained
WO2005071394A1 (en) Electrode system for an electrochemical sensor

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 4

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 5

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 6

ST Notification of lapse

Effective date: 20191106