FR2980041A1 - Transistor a effet de champ comprenant un limiteur de courant de fuite - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 150000002898 organic sulfur compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 80
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 5
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 5
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- AGBQKNBQESQNJD-SSDOTTSWSA-N (R)-lipoic acid Chemical compound OC(=O)CCCC[C@@H]1CCSS1 AGBQKNBQESQNJD-SSDOTTSWSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M Thiocyanate anion Chemical compound [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 description 2
- AGBQKNBQESQNJD-UHFFFAOYSA-N alpha-Lipoic acid Natural products OC(=O)CCCCC1CCSS1 AGBQKNBQESQNJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N hydrogen thiocyanate Natural products SC#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019136 lipoic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229960002663 thioctic acid Drugs 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000025 triisopropylsilyl group Chemical group C(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)* 0.000 description 2
- OXFSTTJBVAAALW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydroimidazole-2-thione Chemical compound SC1=NC=CN1 OXFSTTJBVAAALW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- PBZHKWVYRQRZQC-UHFFFAOYSA-N [Si+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O Chemical compound [Si+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O PBZHKWVYRQRZQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006251 butylcarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N ethenamine Chemical compound NC=C UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [Sn+4].[O-2].[In+3] GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- GDJYIXGPYCKDOV-UHFFFAOYSA-N n-phenylthiohydroxylamine Chemical compound SNC1=CC=CC=C1 GDJYIXGPYCKDOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- WHMDPDGBKYUEMW-UHFFFAOYSA-N pyridine-2-thiol Chemical compound SC1=CC=CC=N1 WHMDPDGBKYUEMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/474—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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Abstract
Ce transistor à effet de champ (1) comprend au moins un substrat inférieur (2) sur lequel sont déposées deux électrodes (3, 4), respectivement une électrode de source (3) et une électrode de drain (4), une couche diélectrique (6) réalisée en un matériau diélectrique et une électrode de grille (7) déposée sur la couche diélectrique (6). Il comporte en outre une couche intermédiaire (10) réalisée en un matériau comprenant des molécules présentant un moment dipolaire, déposée entre l'électrode de grille (7) et la couche diélectrique (6), ladite couche intermédiaire (10) s'étendant au moins sous toute la surface occupée par l'électrode de grille (7).
Description
- 1 - TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP COMPRENANT UN LIMITEUR DE COURANT DE FUITE DOMAINE TECHNIQUE La présente invention à trait au domaine des transistors organiques, comme par exemple les transistors à film mince, plus communément connu sous l'expression anglo-saxonne « Organic Thin Film Transistor » (OTFT). Elle concerne plus particulièrement un transistor organique comprenant des moyens permettant de limiter les courants de fuite apparaissant entre la grille et le semi-conducteur dudit transistor. ART ANTERIEUR On a représenté en relation avec la figure 1, un transistor organique à film mince de l'art antérieur présentant une structure dite à « grille haute » et « contacts bas ». En l'espèce, ledit transistor 1 comporte : - un substrat inférieur 2, sur la face supérieure duquel sont formés deux électrodes 3, 4, une première électrode de source 3 et une seconde électrode de drain 4, - une couche semi-conductrice 5 obtenue dans un matériau semi-conducteur et déposée sur le substrat inférieur 2, l'électrode de source 3 et l'électrode de drain 4, - et une couche diélectrique 6 obtenue dans un matériau diélectrique et déposée sur la couche semi-conductrice 5, et sur laquelle est formée une électrode de grille 7. L'effet transistor est obtenu, de manière connue, en appliquant une tension entre la grille 7 et le substrat inférieur 2, de manière à créer, dans la couche semi-conductrice 5 un canal de conduction 8 entre l'électrode de source 3 et l'électrode de drain 4. Toutefois, les transistors à effet de champ intégrant une couche semi-conductrice réalisée en un matériau organique comportent une couche diélectrique dont les propriétés isolantes ne sont pas parfaites de sorte qu'un courant de fuite 9, schématiquement représenté sur la figure 1, apparaît entre l'électrode de grille 7 et les électrodes 3 et 4, altérant le fonctionnement dudit transistor. - 2 - En effet, le courant de fuite 9, qui est un courant qui passe à travers la couche diélectrique 6 depuis l'électrode de grille 7 vers l'électrode de source 3, dégrade fortement le courant Ioff du transistor à effet de champ.
Lorsque le courant de fuite est trop grand, on observe le claquage du transistor et on ne mesure plus le courant Ion et Ioff mais uniquement le courant de fuite, l'effet de champ du transistor ayant alors disparu. Une telle dégradation du courant Ioff du transistor à effet de champ, en raison du courant de fuite apparaissant entre l'électrode de grille et l'électrode de source dans la couche diélectrique, ne permet pas d'utiliser ce type de transistor organique à effet de champ pour la réalisation de circuits électriques. Afin de diminuer ce courant de fuite, il peut être envisagé de modifier les propriétés intrinsèques de la couche diélectrique 6 et/ou d'augmenter l'épaisseur de ladite couche diélectrique 6. On entend par « propriétés intrinsèques de la couche diélectrique 6 », les propriétés isolantes de ladite couche diélectrique et/ou la qualité de la couche diélectrique déposée.
Néanmoins, en modifiant les propriétés intrinsèques de la couche diélectrique 6 ou en augmentant son épaisseur, on surenchérit les coûts de fabrication de ces transistors et on modifie également les autres caractéristiques du transistor telles que, notamment, la capacité de la couche diélectrique, qui est alors susceptible de générer des capacités parasites altérant également le bon fonctionnement du transistor.
EXPOSE DE L'INVENTION L'un des buts de l'invention est donc de remédier à ces inconvénients en proposant un transistor à effet de champ de conception simple et peu onéreuse et procurant une limitation du courant de fuite entre l'électrode de grille et l'électrode de source ou de drain sans modifier les caractéristiques intrinsèques de la couche diélectrique. - 3 - A cet effet, et conformément à l'invention, il est proposé un transistor à effet de champ comprenant au moins un substrat inférieur sur lequel sont déposées deux électrodes, une électrode de source et une électrode de drain, une couche dite diélectrique réalisée en un matériau diélectrique, et une électrode de grille déposée sur la couche diélectrique. Selon l'invention, ce transistor comporte en outre une couche intermédiaire dite couche de blocage, réalisée en un matériau comprenant des molécules présentant un moment dipolaire, déposée entre l'électrode de grille et la couche diélectrique, ladite couche intermédiaire s'étendant au moins sous toute la surface occupée par l'électrode de grille.
Cette couche intermédiaire créée une barrière énergétique sous l'électrode de grille qui limite le passage des charges Ainsi, et par exemple, la charge négative en surface des molécules de la couche intermédiaire de blocage repousse les électrons qui veulent passer de l'électrode de grille vers la couche diélectrique quand le transistor est de type N..
Le matériau constitutif de la couche intermédiaire mis en oeuvre consiste dans au moins un composé organique comprenant au moins une fonction d'accroche sur l'électrode de grille. Avantageusement, il comporte un espaceur R, constitué d'une chaîne carbonée linéaire, branchée ou cyclique et pouvant également comprendre au moins un hétéro atome.
Selon un mode de réalisation de l'invention, l'électrode de grille est métallique et ledit matériau constitutif de la couche intermédiaire est constitué d'un composé organosoufré, les composés organosoufrés procurant une accroche avec les molécules d'or, constituant le plus généralement les électrodes de source et de drain.
Par ailleurs, au moins une partie des molécules du matériau constitutif de la couche intermédiaire présente un moment dipolaire dirigé vers l'électrode de grille lorsque le transistor est de type N. De telles molécules permettent de bloquer les électrons présents sur l'électrode de grille.30 - 4 - Selon une variante de l'invention, au moins une partie des molécules du matériau constitutif de la couche intermédiaire présente un moment dipolaire dirigé vers la couche diélectrique lorsque le transistor est de type P, ce qui permet de bloquer les trous, limitant ainsi leur passage de l'électrode de grille vers la couche diélectrique.
Un autre objet de l'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ comprenant au moins une étape du dépôt de deux électrodes sur un substrat, une électrode de source et une électrode de drain, une étape de dépôt d'une couche diélectrique, et une étape de dépôt d'une électrode de grille sur ladite couche diélectrique.
Ce procédé consiste, préalablement au dépôt de l'électrode de grille, à déposer sur la couche diélectrique une couche intermédiaire réalisée en un matériau comprenant des molécules présentant un moment dipolaire, l'électrode de grille étant déposée sur ladite couche intermédiaire.
De préférence, la couche intermédiaire est déposée sur la couche diélectrique par jet d'encre. DESCRIPTION SOMMAIRE DES FIGURES D'autres avantages et caractéristiques de l'invention ressortiront mieux de la description qui suit, de plusieurs variantes d'exécution, données à titre d'exemples non limitatifs en référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 est une vue en coupe schématique d'un transistor à effet de champ dit à « grille haute » et à « contact bas » de l'art antérieur, - la figure 2 est une vue en coupe schématique d'un transistor à effet de champ de type à « grille haute » et à « contact bas » comportant des moyens de limitation du courant de fuite conformément à l'invention, - la figure 3 est une vue en coupe schématique de l'interface entre l'électrode de grille et la couche diélectrique du transistor à effet de champ conforme à l'invention, - la figure 4 est une vue en coupe schématique de l'interface entre l'électrode de grille et la couche diélectrique d'une variante d'exécution du transistor à effet de champ de l'invention, - 5 - - la figure 5 est une vue en coupe schématique de l'électrode de grille et d'une couche obtenue dans un matériau comprenant des molécules à moment dipolaire du transistor à effet de champ selon l'invention, - la figure 6 est une représentation graphique schématique des différentes molécules du matériau dans lequel est obtenue la couche intermédiaire du transistor à effet de champ selon l'invention, - la figure 7 est une vue en coupe schématique d'une variante d'exécution du transistor à effet de champ de type à « grille basse » suivant l'invention.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Par souci de clarté, dans la suite de l'invention, les mêmes éléments ont été désignés par les mêmes références aux différentes figures. De plus, les diverses vues en coupe ne sont pas nécessairement tracées à l'échelle.
En référence à la figure 2, le transistor à effet de champ 1 selon l'invention présente une structure de type à « grille haute » et à « contacts bas ». Il comprend un substrat inférieur 2 sur lequel sont déposées deux électrodes 3, 4, une électrode de source 3 et une électrode de drain 4. Il comprend en outre une couche semi-conductrice 5 réalisée en un matériau semi-conducteur, et déposée sur le substrat inférieur 2, l'électrode de source 3 et l'électrode de drain 4. Il comprend ensuite une couche diélectrique 6 réalisée en un matériau diélectrique et déposée sur la couche semi-conductrice 5. Enfin, une électrode de grille 7 est formée sur la couche diélectrique 6.
Selon une caractéristique essentielle de l'invention, le transistor 1 comporte également une couche intermédiaire 10 dite aussi de blocage, réalisée en un matériau comportant des molécules présentant un moment dipolaire, et déposée entre l'électrode de grille 7 et la couche diélectrique 6, ladite couche intermédiaire 10 s'étendant sous toute la surface de l'électrode de grille 7.
Il est bien évident que la couche intermédiaire 10 peut s'étendre sur toute la surface de la couche diélectrique 6 sans pour autant sortir du cadre de l'invention. - 6 - Le substrat inférieur 2 est réalisé en un matériau choisi dans le groupe comprenant : le verre, le silicium dopé ou non, les polymères tels que le polyéthylène téréphtalate (PET), le polyéthylène naphtalate (PEN), le polyimide (PI), le polycarbonate, le polystyrène, les acrylates, etc...
Le substrat inférieur 2 peut cependant être réalisé en tout autre matériau bien connu de l'homme du métier. La couche semi-conductrice 5 est réalisée en un matériau organique semi-conducteur choisi dans le groupe comprenant : les molécules organiques semi-conductrices telles que tetracène, pentancène, phtalocyanine, les polymères semi-conducteurs tels que polytiophène, polyfluorène, polyphenylene vinylene ou leurs dérivés tels que poly (3- octyl), thiophene, poly [2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-], phenylene, vynilene ou oligomère tel que a-sexithiophènes.
Bien que l'invention soit particulièrement adaptée aux transistors organiques, c'est-à-dire aux transistors dans lesquels la couche semi-conductrice 5 est réalisée en un matériau organique, l'invention peut également s'appliquer aux transistors dits inorganiques Ainsi, la couche semi-conductrice 5 peut également être obtenue dans un matériau inorganique semi-conducteur bien connu de l'homme du métier tel que le silicium ou l'arséniure de gallium (GaAs) par exemple. Par ailleurs, la couche diélectrique 6 est réalisée en un matériau choisi dans le groupe comprenant : le dioxyde de silicium, le nitrate de silicium, le dioxyde de titane, les oxydes d'aluminium, le dioxyde d'hafnium, les polyimides, polyvinyle, pyrrolidone, polyméthylméthacrylate, polyamide, parylène, le polystyrène, le polyvinylphénol, un fluoropolymère, ou dans tout autre matériau diélectrique bien connus de l'homme du métier De plus, les électrodes de source 3, de drain 4 et de grille 7 sont avantageusement réalisées en métal, tel que l'aluminium, le titane, le nickel, l'or, le chrome, etc.... Elles peuvent également être réalisées à base de particules métalliques, d'oxydes métalliques tels que l'oxyde d'indium-étain, l'oxyde d'indium-zinc, etc..., les polymères conducteurs - 7 - tels que 3, 4 - polyéthylène dioxythiophène-polystirène, sulfonate (PEDOT : PSS) ou polyaniline, etc..., ou les matériaux en silicium dopé. La couche intermédiaire caractéristique de l'invention est avantageusement réalisée en un matériau composé de molécules présentant un moment dipolaire, c'est-à-dire dont les charges négatives et positives sont concentrées les unes à l'opposé des autres, définissant un moment dipolaire Ainsi, une molécule est polaire si elle contient au moins une liaison covalente polarisée et si le barycentre des charges partielles positives ne coïncide pas avec le barycentre des charges partielles négatives.
En référence aux figures 3 et 4, et en l'espèce s'agissant d'un transistor de type N, la couche intermédiaire 10 située sous l'électrode de grille 7 est réalisée en un matériau constitué de molécules dont le moment dipolaire est dirigé vers la grille. De cette manière, la couche intermédiaire 10 créée une barrière énergétique sous l'électrode de grille 7 qui bloque le passage des électrons. La charge négative en surface des molécules de la couche intermédiaire 10 repousse les électrons qui veulent passer de l'électrode de grille 7 en direction de la couche diélectrique 6. Dans cet exemple de réalisation, le barycentre N du matériau constitutif de la couche intermédiaire 10 est positionné au droit de la surface inférieure de l'électrode de gille 7 bloquant ainsi les électrons au niveau de ladite électrode de grille. Selon une variante d'exécution, non représentée sur les figures, le barycentre P du matériau constitutif de la couche intermédiaire 10 peut être positionné au droit de la surface inférieure de l'électrode de grille 7. De cette manière, ledit matériau bloque les trous de la couche diélectrique 6 empêchant le passage des électrons issus de l'électrode de grille 7 dans la couche diélectrique 6, et donc l'apparition d'un courant de fuite dans ladite couche diélectrique 6, même si les électrons passent dans la couche intermédiaire 10.
Alternativement, en référence à la figure 4, la couche intermédiaire 10 située sous l'électrode de grille 7 est constituée d'une monocouche auto-assemblée dite SAM selon l'acronyme anglo-saxon « Self Assembled Monolayer » comportant un déséquilibre électrique au sein des molécules constituant ladite monocouche. Ce déséquilibre - 8 - électrique des molécules de la couche auto-assemblée permet ainsi de bloquer une partie des électrons au niveau de l'électrode de grille 7 et de bloquer les trous de la couche diélectrique 6, évitant toute apparition d'un courant de fuite dans la couche diélectrique même si une partie des électrons passe dans la couche intermédiaire 10.
De préférence, en référence à la figure 5, le matériau constitutif de la couche intermédiaire consiste dans au moins un composé organique comprenant au moins une fonction d'accroche 11 sur l'électrode de grille 7 et un espaceur R. Ledit espaceur R peut consister dans une chaîne carbonée linéaire, branchée ou cyclique et peut également comprendre au moins un hétéroatome. On observera que la fonction d'accroche 11 n'est pas nécessairement une molécule générant une liaison chimique avec les molécules de l'électrode de grille 7. En effet, la fonction d'accroche avec l'électrode de grille 7 peut être assurée par des forces de Van der Waals par exemple. En référence à la figure 6, le matériau constitutif de la couche intermédiaire peut par exemple consister dans un composé organosoufré, c'est-à-dire une molécule organique comportant un groupement thiol (SH). Les composés organosoufrés procurent une accroche sous la forme d'une liaison chimique avec les molécules d'or, lorsque les électrodes de source et de drain sont réalisées en ce métal. Le composé organosoufré peut par exemple est constitué d'alcanathiol, de triophénol, de mercaptopyridine, de mercaptoaniline, de mercaptoimidazole, de cystéine ou de Tripode-Thiol.
Néanmoins, ledit matériau peut être constitué d'autres composés organosoufrés, tels que par exemple, des composés comportant un groupement dialkylsulfure, diakyldisulfure, alkylxanthate, dialkylthiocarbonate, thiophène, thiourée, acide thioctique, thiocyanate, pyridine-éthyle, nitrile ethylique (CNE), Triméthyle-silice, éthyle (TMSE), Acétyl ou TertioButylOcarbonyle.30 - 9 - On notera que les composés organosoufrés comportant un groupement Acétyl (Ac), TertioButylOcarbonyle (Boc), Triméthyle-silice- éthyle (TMSE), pyridine-éthyle, nitrile ethylique (CNE), thiocyanate, acide thioctique et Tripode-Thiol sont particulièrement adaptés pour l'élaboration d'une monocouche auto-assemblée (SAM) sur or.
EXEMPLE DE REALISATION : En référence à la figure 7, le transistor à effet de champ 1 est obtenu par dépôt sur un substrat de polyéthylène naphthalate (PEN) d'une épaisseur d'environ 125 micromètres, formant le substrat inférieur 2 du transistor, et de 3 nanomètres d'or (Au). La couche d'or (Au) est alors gravée pour obtenir une électrode de source 3 et une électrode de drain 4.
On dépose alors par héliogravure une couche semi-conductrice 5 en triisopropylsilyl (TIPS) pentacène d'environ 90 nanomètres d'épaisseur, qui est ensuite recouverte d'une couche diélectrique 6 de fluoropolymère, commercialisé sous la marque CYTOP® par exemple, sur une épaisseur d'environ 800 nanomètres.
Ensuite, on dépose par jet d'encre des molécules de cystéine de formule générale HSNH2COOH sur une partie de la surface supérieure de la couche diélectrique 6 au droit de la zone de l'électrode de grille 7 pour former une couche intermédiaire 10. Finalement on dépose 50 nanomètres d'or sur ladite couche intermédiaire 10 pour former l'électrode de grille 7. La couche intermédiaire 10 peut être déposée par tout autre procédé de dépôt bien connu de l'homme du métier tel que par évaporation thermique ou par un procédé photolithographique par exemple, sans pour autant sortir du cadre de l'invention.30
Claims (5)
- REVENDICATIONS1. Transistor à effet de champ (1) comprenant au moins un substrat inférieur (2) sur lequel sont déposées deux électrodes (3, 4), respectivement une électrode de source (3) et une électrode de drain (4), une couche diélectrique (6) réalisée en un matériau diélectrique et une électrode de grille (7) déposée sur la couche diélectrique (6), caractérisé en ce qu'il comporte une couche intermédiaire (10) réalisée en un matériau comprenant des molécules présentant un moment dipolaire, déposée entre l'électrode de grille (7) et la couche diélectrique (6), ladite couche intermédiaire (10) s'étendant au moins sous toute la surface occupée par l'électrode de grille (7). Transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (10) est réalisée en un composé organique comprenant au moins une fonction d'accroche (11) sur l'électrode de grille (7). Transistor à effet de champ selon la revendication 2, caractérisé en ce que le composé organique constitutif de la couche intermédiaire (10) comporte en outre un espaceur R constitué d'une chaîne carbonée linéaire, branchée ou cyclique et pouvant également comprendre au moins un hétéroatome. Transistor à effet de champ selon l'une des revendications 2 et 3, caractérisé en ce que l'électrode de grille est métallique et en ce que le composé organique comprend au moins un composé organosoufré. Transistor à effet de champ selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'au moins une partie des molécules constitutives de la couche intermédiaire (10) présente un moment dipolaire dirigé vers l'électrode de grille lorsque le transistor est de type N. Transistor à effet de champ selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'au moins une partie des molécules constitutives de la couche intermédiaire (10) présente un moment dipolaire dirigé vers la couche diélectrique lorsque le transistor est de type P. 10
- 2. 15
- 3. 20
- 4. 25
- 5. 306.. Procédé pour la réalisation d'un transistor à effet de champ (1) comprenant : - au moins le dépôt de deux électrodes (3, 4), respectivement une électrode de source (3) et une électrode de drain (4) sur un substrat (2), - le dépôt d'une couche diélectrique (6), et - le dépôt d'une électrode de grille (7) sur la couche diélectrique (6), caractérisé en ce que, préalablement au dépôt de l'électrode de grille (7), il consiste à déposer sur la couche diélectrique (6) une couche intermédiaire (10) réalisée en un matériau comprenant des molécules présentant un moment dipolaire, l'électrode de grille (7) étant déposée sur ladite couche intermédiaire (10) de telle manière que toute la surface inférieure de l'électrode de grille (7) soit en contact avec la couche intermédiaire (10). 8. Procédé pour la réalisation d'un transistor à effet de champ (1) selon la revendication 7, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (10) est déposée sur la couche diélectrique (6) par jet d'encre. 9. Procédé pour la réalisation d'un transistor à effet de champ (1) selon l'une quelconque des revendications 7 et 8, caractérisé en ce que le matériau constitutif de la couche intermédiaire (10) est constitué d'un composé organique comprenant au moins une fonction d'accroche (11) sur l'électrode de grille (7) et un espaceur R consistant dans une chaîne carbonée linéaire, branchée ou cyclique et pouvant également comprendre un hétéroatome. 10. Procédé pour la réalisation d'un transistor à effet de champ (1) selon l'une des revendications 7 à 9, caractérisé en ce que le matériau constitutif de la couche intermédiaire (10) est constitué au moins d'un composé organosoufré et en ce que l'électrode de grille est métallique. 11. Procédé pour la réalisation d'un transistor à effet de champ (1) selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé en ce qu'une partie des molécules du matériau constitutif de la couche intermédiaire présente un moment dipolaire dirigé vers la grille lorsque le transistor est de type N.- 12 - 12. Procédé pour la réalisation d'un transistor à effet de champ (1) selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé en ce qu'une partie des molécules du matériau constitutif de la couche intermédiaire présente un moment dipolaire dirigé vers la couche diélectrique lorsque le transistor est de type P.5
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1158182A FR2980041B1 (fr) | 2011-09-14 | 2011-09-14 | Transistor a effet de champ comprenant un limiteur de courant de fuite |
| PCT/FR2012/051798 WO2013038082A1 (fr) | 2011-09-14 | 2012-07-30 | Transistor a effet de champ comprenant un limiteur de courant de fuite |
| EP12753770.2A EP2756532A1 (fr) | 2011-09-14 | 2012-07-30 | Transistor a effet de champ comprenant un limiteur de courant de fuite |
| US14/200,577 US9112160B2 (en) | 2011-09-14 | 2014-03-07 | Field-effect transistor comprising a leakage-current limiter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1158182A FR2980041B1 (fr) | 2011-09-14 | 2011-09-14 | Transistor a effet de champ comprenant un limiteur de courant de fuite |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2980041A1 true FR2980041A1 (fr) | 2013-03-15 |
| FR2980041B1 FR2980041B1 (fr) | 2016-02-05 |
Family
ID=46785759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR1158182A Expired - Fee Related FR2980041B1 (fr) | 2011-09-14 | 2011-09-14 | Transistor a effet de champ comprenant un limiteur de courant de fuite |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9112160B2 (fr) |
| EP (1) | EP2756532A1 (fr) |
| FR (1) | FR2980041B1 (fr) |
| WO (1) | WO2013038082A1 (fr) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2003052841A1 (fr) * | 2001-12-19 | 2003-06-26 | Avecia Limited | Transistor a effet de champ organique dote d'un dielectrique organique |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6998068B2 (en) * | 2003-08-15 | 2006-02-14 | 3M Innovative Properties Company | Acene-thiophene semiconductors |
| JP4635410B2 (ja) * | 2002-07-02 | 2011-02-23 | ソニー株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2005086147A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Sony Corp | 金属単層膜形成方法、配線形成方法、及び、電界効果型トランジスタの製造方法 |
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| US8686404B2 (en) * | 2008-12-08 | 2014-04-01 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Organic semiconductors capable of ambipolar transport |
-
2011
- 2011-09-14 FR FR1158182A patent/FR2980041B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-07-30 EP EP12753770.2A patent/EP2756532A1/fr not_active Withdrawn
- 2012-07-30 WO PCT/FR2012/051798 patent/WO2013038082A1/fr unknown
-
2014
- 2014-03-07 US US14/200,577 patent/US9112160B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9112160B2 (en) | 2015-08-18 |
| WO2013038082A1 (fr) | 2013-03-21 |
| FR2980041B1 (fr) | 2016-02-05 |
| EP2756532A1 (fr) | 2014-07-23 |
| US20140183513A1 (en) | 2014-07-03 |
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