FR2977709A1 - Procede de fabrication d'un dispositif microelectronique a memoire programmable - Google Patents
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- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 9
- -1 silver ions Chemical class 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 8
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 6
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 4
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 4
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 238000001565 modulated differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- UKUVVAMSXXBMRX-UHFFFAOYSA-N 2,4,5-trithia-1,3-diarsabicyclo[1.1.1]pentane Chemical compound S1[As]2S[As]1S2 UKUVVAMSXXBMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004390 Auger electron microscopy Methods 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005842 GeS2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 210000004985 myeloid-derived suppressor cell Anatomy 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 150000004771 selenides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- VDNSGQQAZRMTCI-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenegermanium Chemical group [Ge]=S VDNSGQQAZRMTCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
- C03C17/09—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals by deposition from the vapour phase
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/002—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by ultraviolet light
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/32—Non-oxide glass compositions, e.g. binary or ternary halides, sulfides or nitrides of germanium, selenium or tellurium
- C03C3/321—Chalcogenide glasses, e.g. containing S, Se, Te
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- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
- H10N70/026—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by physical vapor deposition, e.g. sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/041—Modification of switching materials after formation, e.g. doping
- H10N70/046—Modification of switching materials after formation, e.g. doping by diffusion, e.g. photo-dissolution
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
- H10N70/245—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies the species being metal cations, e.g. programmable metallization cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8822—Sulfides, e.g. CuS
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8825—Selenides, e.g. GeSe
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- Materials Engineering (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique à mémoire programmable comprenant les étapes consistant à : i. déposer sur une première électrode, une couche intermédiaire d'un matériau comprenant un chalcogénure, ii. irradier par rayonnements ultra-violets la couche intermédiaire de l'étape i, iii. déposer une couche métallique ionisable sur la couche intermédiaire obtenue à l'étape ii, iv. diffuser les ions métalliques, provenant de la couche métallique ionisable de l'étape iii, dans la couche intermédiaire pour former un matériau chalcogénure contenant des ions métalliques, et v. déposer une deuxième électrode sur la couche de matériau chalcogénure contenant des ions métalliques obtenue à l'étape iv, pour former ledit dispositif microélectronique.
Description
Procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique à mémoire programmable
La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique à mémoire programmable, ainsi qu'à un dispositif microélectronique à mémoire programmable obtenu à partir dudit procédé. Les dispositifs microélectroniques à mémoire programmable sont typiquement, mais non exclusivement, des cellules programmables à conduction ionique (métallisation), qui sont des mémoires d'ordinateurs dites « non-volatiles ». Ces cellules programmables à conduction ionique sont bien connues sous la dénomination CBRAM, pour l'anglicisme « Conductive-Bridging Random Access Memory », ou PMC, pour l'anglicisme « Programmable Metallization Ce/1 ». Ce type de structure microélectronique (CBRAM ou PMC) est bien 15 connu de l'homme du métier, et est par exemple décrit dans le document US 6 084 796. Une CBRAM (ou PMC) comporte typiquement un empilement vertical de couches, formé d'un substrat à base d'un semi-conducteur du type silicium, sur lequel se trouvent les couches successives suivantes : une électrode dite 20 inférieure (« bottom electrode »), une couche d'un verre de chalcogénure dopé avec de l'argent (Le. électrolyte solide), et une électrode dite supérieure (« top electrode ») en argent. La couche d'un verre de chalcogénure est ainsi intercalée entre l'électrode inférieure et l'électrode supérieure. Ces électrodes sont configurées pour faire croître une dendrite 25 métallique (i.e. formation d'un pont de conduction électrique) du négatif des deux électrodes vers le positif des deux électrodes à travers la couche de verre de chalcogénure dopé, lorsqu'une tension est appliquée entre lesdites électrodes. En appliquant une tension opposée entre ces deux électrodes, on obtient le phénomène inverse, à savoir la disparition de la dendrite métallique 30 (i.e. disparition du pont de conduction électrique) au sein de la couche de verre de chalcogénure dopé. Ainsi, lorsque le pont de conduction électrique est créé (étape dite « d'écriture »), l'état logique du dispositif peut être représenté par « 1 », ou peut correspondre à l'état « ON », tandis que lorsque le pont de conduction électrique disparaît, l'état logique de la cellule peut être représenté par « 0 », ou peut correspondre à l'état « OFF ». Une première fonctionnalité recherchée dans les CBRAM est d'avoir une structure microélectronique présentant un temps de rétention (de l'information dans la mémoire) le plus élevé possible, qui peut être notamment induit par une couche compacte d'un verre de chalcogénure. Une fois le pont de conduction électrique formé grâce à l'application d'une tension entre les deux électrodes, le temps de rétention correspond à la durée de vie du pont de conduction électrique lorsque ladite tension n'est plus appliquée. Une seconde fonctionnalité recherchée dans les CBRAM est d'avoir une structure microélectronique présentant un rendement électrique le plus élevé possible. Le rendement électrique de la structure mémoire peut dépendre de la stoechiométrie du chalcogénure, ou en d'autres termes du pourcentage atomique des différents éléments qui composent le chalcogénure. Ladite stoechiométrie est un facteur essentiel pour obtenir des performances électriques optimales dans les cellules programmables à conduction ionique. Par exemple, en considérant un chalcogénure à base de germanium et de soufre, de formule Ge,Sloo_, dans laquelle x est un nombre entier, plus la teneur en soufre est grande par rapport au germanium, meilleure seront notamment les performances électriques des cellules programmables formées à partir de ce chalcogénure. On peut citer par exemple le GeS2 comme chalcogénure ayant une stoechiométrie élevée. La particularité de cette stoechiométrie revêt plusieurs avantages. Elle permet d'améliorer la stabilité thermique du chalcogénure, et d'augmenter le point de solubilité de l'élément métallique dopant dans le chalcogénure lors de la fabrication desdites cellules programmables, et ainsi d'augmenter les performances électriques desdites cellules. Ainsi, plus le chalcogénure est dit « stoechiométrique », plus le rendement électrique de la structure microélectronique CBRAM peut être élevé. Ceci étant, il est connu qu'une structure microélectronique CBRAM avec un rendement élevé, ou en d'autres termes avec une stoechiométrie élevée, peut notamment présenter une mobilité élevée des ions argent au sein de la couche de verre de chalcogénure dopé. Or, une mobilité élevée des ions argent tend à perturber le temps de rétention du pont de conduction électrique. Le but de la présente invention est de pallier les inconvénients des techniques de l'art antérieur en proposant notamment un procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique à mémoire programmable, ce dernier présentant un rendement ainsi qu'un temps de rétention optimales. de préférence les plus élevés possible.
La présente invention a pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique à mémoire programmable comprenant les étapes consistant à : i. déposer sur une première électrode, une couche intermédiaire d'un matériau comprenant un chalcogénure, ii. irradier par rayonnements ultra-violets la couche intermédiaire de l'étape i (Le. couche intermédiaire irradiée), déposer une couche métallique ionisable sur la couche intermédiaire obtenue à l'étape ii, iv. diffuser les ions métalliques, provenant de la couche métallique ionisable de l'étape iii, dans la couche intermédiaire, pour former un matériau chalcogénure contenant des ions métalliques (i.e. couche intermédiaire dopée), et v. déposer une deuxième électrode sur la couche de matériau chalcogénure contenant des ions métalliques obtenue à l'étape iv, pour former 25 ledit dispositif microélectronique. Il a été découvert de façon surprenante que l'étape ii permet d'obtenir un dispositif microélectronique à mémoire programmable présentant un temps de rétention élevé, tout en garantissant une stoechiométrie optimisée. L'étape ii d'irradiation est notamment réalisée sous atmosphère non 30 oxydante (Le. exempte d'oxygène (02)), et de préférence sous atmosphère inerte, pour éviter toute oxydation photo-induite du chalcogénure. Par exemple, elle peut être réalisée sous atmosphère d'azote, ou d'un ou plusieurs gaz nobles (colonne 18 du tableau périodique des éléments), ou sous vide. 4 L'étape ii d'irradiation est notamment réalisée pendant un temps d'exposition suffisant et avec une intensité suffisante pour que la couche intermédiaire irradiée à l'étape ii ait une structure plus compacte, ou en d'autres termes une structure limitant de façon significative, voire évitant, une migration non-contrôlée des ions métalliques, notamment lors des cycles thermiques durant la fabrication du dispositif microélectronique (e.g. étapes postérieures à l'étape v). Ce changement de compacité peut être facilement identifiable par l'homme du métier en comparant le pourcentage atomique d'ions métalliques diffusés (ou dissous) dans une couche intermédiaire ayant subi les étapes i, iii et iv, et une couche intermédiaire de nature identique n'ayant pas subi l'étape ii (ou en d'autres termes ayant uniquement subi les étapes i, iii, et iv). Ainsi, la couche intermédiaire obtenue après irradiation de l'étape ii et diffusion de l'étape iv a une teneur en ions métalliques diminuée d'au moins 20%, de préférence d'au moins 40%, par rapport à la teneur en ions métalliques dans une même couche intermédiaire obtenue après diffusion de l'étape iv, sans avoir subi l'irradiation de l'étape ii. Dans un premier mode de réalisation particulier de l'étape ii, l'intensité des rayonnements ultra-violets est d'au moins 80 mW/cm2, et de préférence 20 d'au moins 150 W/cm2. Dans un second mode de réalisation particulier de l'étape ii, la durée d'irradiation est supérieure à 5 minutes, et de préférence elle est d'au moins 10 minutes. Les rayonnements ultra-violets ont classiquement une longueur d'onde 25 inférieure ou égale à 405 nm. Le procédé de l'invention peut comprendre en outre une étape de traitement thermique réalisée préalablement à l'étape iii, cette étape consistant à chauffer la couche intermédiaire à une température inférieure ou égale à la température de transition vitreuse de ladite couche intermédiaire. 30 Cette étape est effectuée de préférence à une température supérieure à 25°C. On appelle typiquement cette étape une étape de traitement thermique à haute température (Le. étape de cuisson).
La température de transition vitreuse de la couche intermédiaire de l'invention peut être mesurée par MDSC pour l'anglicisme « Modulated Differential Scanning Calorimetry », avec une rampe de température de 3°C/min et une rapidité de modulation de 1°C/100s.
A titre d'exemple, les documents « P. Boolchand, X. Feng, W.J. Bresser. Rigidity transition in binary Ge-Se glasses and intermediate phase. J.Non-Cryst. Solids., 293, 348 (2001) » ; « P. Boolchand, D. E. Georgiev, M. Micoulaut. Nature of giass transition in chicogenides. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, Vol. 4, No. 4, 823 (2002) » ; et « S. Mamedov, D. E. Georgiev, Tao Qu and P. Boochland. Evidence for nanoscaie phase separation of stressed-rigid glasses. J. Phys.: Condens. Matter 15 (2003) » donnent des exemples de température de transition vitreuse de verre de chalcogénure. Dans un mode de réalisation particulier, l'étape de traitement thermique est réalisée concomitamment et/ou postérieurement à l'étape ii. Lorsque cette étape de traitement thermique est effectuée concomitamment à l'étape d'irradiation ii, c'est généralement le support (ou « porte-tranche » ou « porte-échantillon »), sur lequel est positionné au moins la première l'électrode ensemble avec la couche intermédiaire (non encore dopée), qui est chauffé à une température inférieure ou égale à la température de transition vitreuse de la couche intermédiaire. Lorsque cette étape de traitement thermique est effectuée postérieurement à l'étape ii, la couche intermédiaire (non encore dopée) déposée sur la première l'électrode peuvent être positionnées dans un four permettant de chauffer ledit dispositif à une température inférieure ou égale à la température de transition vitreuse de la couche intermédiaire. Cette étape supplémentaire permet avantageusement d'optimiser la compacité et/ou la densification de la couche intermédiaire, avant l'étape iii de déposition de la couche métallique ionisable.
Dans un mode de réalisation particulier, la température de cette étape supplémentaire (de traitement thermique) peut aller de 150°C à 450 °C, et de préférence de 200°C à 400°C en tenant compte de la température de transition vitreuse de la couche intermédiaire du chalcogénure (qui dépend de la stoechiométrie initiale du chalcogénure). En outre, la durée de cette étape supplémentaire peut aller de 5 à 30 minutes (min), et de préférence de 5 à 20 min.
Dans la présente invention, l'étape iv de diffusion permet de diffuser les ions métalliques, issus de la couche métallique ionisable, à travers la couche intermédiaire, afin de former une couche intermédiaire dopée ou en d'autres termes afin de former un matériau chalcogénure contenant des ions métalliques.
Dans un mode de réalisation préféré de l'étape iv, la diffusion des ions métalliques est réalisée par irradiation par rayonnements ultra-violets et/ou par traitement thermique, ces deux types de diffusion étant bien connus de l'homme du métier. Par ailleurs, les étapes iii et iv du procédé de fabrication selon l'invention peuvent être au moins répétées n fois, n étant un entier supérieur ou égal à 1, de préférence n 5, de préférence n 7, et de façon particulièrement préférée n 20. Dans la présente invention, la première électrode peut être classiquement déposée sur un substrat. On entend par « substrat » tout type de structures, telles que notamment les substrats semi-conducteurs, pouvant être classiquement à base de silicium et/ou de quartz. A titre d'exemple, le substrat semi-conducteur peut être choisi parmi les substrats de silicium, d'oxyde de silicium, et de quartz. Le substrat semi-conducteur peut comprendre par exemple des semi- conducteurs de type silicium sur isolant ("sil/con on insulator", SOI), silicium sur saphir ("silicon on sapphire", SOS), des semi-conducteurs dopés ou non dopés, des couches de silicium épitaxiées sur une base semi-conductrice. Des étapes de procédé pourront avoir été utilisées pour former des régions ou des jonctions dans ou au-dessus de la base semi-conductrice.
Le substrat n'est pas nécessairement semi-conducteur, mais peut être n'importe quel type de structure support adapté pour supporter un circuit intégré. Par exemple, le substrat peut être en céramique ou à base de polymère.
A titre d'exemple, le substrat peut avoir une épaisseur allant de 150 dam à 400 dam, voire allant jusqu'à 800 dam. La couche intermédiaire selon l'invention est typiquement destinée à former, une fois dopé, l'électrolyte solide du dispositif microélectronique à mémoire programmable. Ainsi, à l'étape i, cette couche intermédiaire est de préférence une couche non dopée, mais destinée à être dopée par des ions métalliques, provenant de la couche métallique ionisable de l'étape iii. La couche de chalcogénure dopée est classiquement intercalée entre la première et la deuxième électrode afin de pouvoir former des ponts de conductions électriques lorsqu'une tension est appliquée entre ces deux électrodes. Par conséquent, la couche de chalcogénure doit être en contact physique avec les deux électrodes. Ainsi, si une couche intermédiaire est positionnée entre une électrode et la couche de chalcogénure, il est essentiel que la couche de chalcogénure soit en contact électrique avec ladite électrode, par exemple par l'intermédiaire de matériaux conducteurs permettant de relier électriquement la couche de chalcogénure à ladite électrode. Selon l'invention, le matériau de la couche intermédiaire est notamment un matériau amorphe.
Il comprend un chalcogénure, qui est de préférence un verre de chalcogénure. Un chalcogénure est classiquement composé d'au moins un ion chalcogène et d'au moins un élément électropositif. Les chalcogènes, constitutifs des ions chalcogènes, sont rassemblés dans le groupe 16 du tableau périodique des éléments, et ceux utilisés de préférence dans l'invention sont le soufre (S), le sélénium (Se) et le tellure (Te). L'élément électropositif constitutif du chalcogénure peut être notamment un métal du groupe 1 ou du groupe 2 du tableau périodique des 30 éléments, et de préférence le germanium (Ge) ou l'arsenic (As). On peut citer à titre d'exemple de chalcogénure, le séléniure de germanium Ge,Seloo-X, le sulfure de germanium Ge,Sloo-X, ou le sulfure d'arsenic As,Sloo-X, x étant un nombre entier, notamment compris entre 1 et 99, et de préférence entre 18 et 50. Le chalcogénure préféré est le sulfure de germanium Ge,Sloo_, avec notamment 33 x 44, et de façon particulièrement préférée avec x = 33.
La couche intermédiaire peut être typiquement déposée par un procédé bien connu de l'homme du métier tel que la pulvérisation cathodique. A titre d'exemple, l'épaisseur de la couche intermédiaire peut aller de 15 à 100 nm, et de préférence peut aller de 20 à 50 nm. La couche métallique ionisable selon l'invention est une couche comprenant un élément métallique, cet élément métallique étant destiné à doper la couche intermédiaire. De préférence, la couche métallique comprend uniquement un ou plusieurs éléments métalliques (i.e. un alliage), de préférence elle comprend uniquement un élément métallique. Cet élément métallique peut être choisi parmi l'argent (Ag), le 15 cuivre (Cu) et le zinc (Zn), ou un de leur mélange, l'élément particulièrement préféré étant l'argent ou un alliage d'argent. L'étape iii selon l'invention peut être réalisée de préférence par pulvérisation cathodique, notamment sous argon, ce procédé étant bien connu de l'homme du métier notamment sous l'anglicisme « sputtering ». 20 Les première et deuxième électrodes de l'invention sont notamment des électrodes métalliques réalisées et déposées par des techniques bien connues de l'homme du métier. Elles correspondent respectivement à une anode et à une cathode, ou inversement. Plus particulièrement, pour les CBRAM (ou PMC), ces deux électrodes 25 sont configurées pour faire croître une dendrite métallique (i.e. formation d'un pont de conduction électrique) du négatif des deux électrodes vers le positif des deux électrodes à travers la couche intermédiaire dopée lorsqu'une tension est appliquée entre lesdites électrodes. En appliquant une tension opposée entre ces deux électrodes, on obtient le phénomène inverse, à savoir 30 la disparition de la dendrite métallique (Le. disparition du pont de conduction électrique) au sein de la couche intermédiaire dopée. La première électrode peut être typiquement une électrode de nickel, de tungstène, d'un alliage de nickel, ou d'un alliage de tungstène.
La deuxième électrode est typiquement une électrode d'argent ou d'un alliage d'argent. Un autre objet de l'invention concerne un dispositif microélectronique à mémoire programmable obtenu par le procédé tel que défini dans la présente 5 invention. Ce dispositif microélectronique comprend ainsi une couche intermédiaire irradiée par des rayonnements ultra-violets avant dopage, telle que définie dans l'invention, intercalée entre deux électrodes, ce qui lui garantit une compacité améliorée de façon significative tout en gardant un 10 rendement optimal. Dans un mode de réalisation préféré, le dispositif microélectronique à mémoire programmable de l'invention est une cellule programmable à conduction ionique (CBRAM ou PMC), ce type de structure ayant été préalablement décrit dans la présente invention. 15 D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lumière des exemples qui vont suivre en référence aux figures annotées, lesdits exemples et figures étant donnés à titre illustratif et nullement limitatif. La figure 1 représente un organigramme du procédé de fabrication 20 d'un dispositif microélectronique à mémoire programmable selon l'invention. La figure 2 représente le pourcentage atomique d'argent dissout dans une couche de Ge42S58 par photo-dopage selon l'art antérieur et selon la présente invention. La figure 3 représente le pourcentage atomique de soufre et de 25 germanium d'une couche de Ge42S58 selon l'art antérieur et selon la présente invention.
Le procédé 1 qui suit fait référence à la figure 1.
Procédé 1 (selon l'invention) Après avoir réalisé une première électrode du type électrode de tungstène sur la surface d'un substrat de silicium de 200 mm de diamètre, une couche d'une épaisseur de 30 nm d'un verre de chalcogénure du type Ge42S58 est déposée (étape i) sur la surface de ladite première électrode. Le dépôt du verre de chalcogénure est réalisé par pulvérisation cathodique sous atmosphère d'argon. Ensuite, le verre de chalcogénure est irradié (étape ii) sous vide par des rayonnements ultra-violets de 400 nm de longueur d'ondes, avec une intensité de 150mW/cm2 et pendant une durée de 10 minutes.
Puis, on dépose (étape iii) une couche d'argent (Ag(°» d'une épaisseur de 15 nm par pulvérisation cathodique, sur la couche de verre de chalcogénure ainsi irradié. La couche d'argent est alors irradiée par rayonnements ultra-violets, avec une intensité Iuv de 20 mW/cm2 et pendant 300 secondes, afin que les ions argent (Ag+) diffusent (étape iv) dans la couche de verre de chalcogénure et forme ainsi une couche de verre de chalcogénure contenant des ions argent (Le. couche de verre de chalcogénure dopées aux ions argent).
Procédé 2 (selon l'art antérieur) Un second procédé est réalisé, identiquement au procédé 1, mais ne comprenant pas l'étape consistant à irradier le verre de chalcogénure par des rayonnements ultra-violets de 400 nm de longueur d'ondes, avec une intensité de 150mW/cm2 et pendant une durée de 10 minutes (cf. étape ii).
Les résultats des pourcentages atomiques d'argent dans les couches de chalcogénure obtenues selon les procédés 1 et 2, sont représentés par le graphique de la figure 2. 10 Ces pourcentages atomiques ont été déterminés par la méthode analytique connue sous l'anglicisme « Auger Linescan » utilisant un appareillage du type Auger/Microscopie Electronique à Balayage (MEB), modèle PHI670 (Physical Electronics) avec les conditions d'analyse Auger et d'observations MEB suivantes : Tension = 10kV ; Courant = 10nA ; Taille de spot en imagerie MEB = 50nm ; Taille de spot en analyse Auger (Linescan) _ 10pm. La figure 2 montre clairement que la teneur en argent diffusé au sein du matériau chalcogénure est moins importante pour le procédé 1 (procédé selon l'invention) que pour le procédé 2 (procédé de l'art antérieur). On obtient pour le procédé 1 une teneur en argent de 10 %atomique, tandis que pour le procédé 2 une teneur de 22 %atomique. Ainsi, le verre de chalcogénure du type Ge42Ss8 dopé argent ayant été irradié avant l'étape de dépôt de la couche d'argent (cf. procédé 1) a une teneur en argent diminuée de 45% par rapport à la teneur en argent de la couche intermédiaire obtenue par le procédé 2.
Ces résultats sont d'autant plus intéressants en démontrant que la stoechiométrie du verre de chalcogénure du type Ge42Ss8 non dopé n'a sensiblement pas évolué au cours du procédé selon l'invention (procédé 1). Pour ce faire, on compare le pourcentage atomique de soufre et de germanium de la couche de chalcogénure Ge42Ss8 obtenue à partir uniquement des étapes i et ii du procédé 1, et de l'étape i du procédé 2. Les valeurs de pourcentage atomique (Le. stoechiométrie) des éléments S et Ge sont obtenues par Spectrométrie à Dispersion d'Énergie couplé à la Microscopie Electronique à Balayage (MEB). Les mesures sont réalisées grâce à un appareillage de type Hitachi F2360N avec un faisceau d'énergie de 7keV dans un vide secondaire de 1.33 Pa, à température ambiante.
Ces mesures ont été effectuées en prélevant des échantillons de couche de verre de chalcogénure dopées aux ions argent selon les procédés 1 et 2, en deux points différents : un prélèvement au centre et un prélèvement en périphérie à 14 mm du bord de la couche en question (couche dont la surface a un diamètre de 200 mm). La figure 3 montre clairement que la stoechiométrie de la couche de chalcogénure Ge42S58 au niveau du soufre et du germanium est sensiblement 5 identique entre le procédé 1 et le procédé 2.
Par conséquent, le procédé 1 a permis, grâce à l'étape d'irradiation préalablement à l'étape de dépôt de la couche d'argent, de changer l'état de stress du verre de chalcogénure Ge42S58 en réorganisant les liaisons Ge-S, 10 sans modifier la stoechiométrie dudit verre de chalcogénure. Ainsi, le matériau obtenu par le procédé 1 présente une structure plus compacte permettant l'inhibition de toute migration non-contrôlée des ions métalliques (e.g. ions argent) par effet thermique durant le processus de fabrication du dispositif microélectronique ou mémoire CBRAM. La création 15 d'un pont de conduction électrique n'est ainsi pas perturbée et le temps de rétention dudit pont est augmenté. En outre, le matériau obtenu par le procédé 1 présente une stoechiométrie toujours aussi optimale et donc un rendement optimisé.
Claims (9)
- REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique à mémoire programmable comprenant les étapes consistant à : i. déposer sur une première électrode, une couche intermédiaire d'un matériau comprenant un chalcogénure, ii. irradier par rayonnements ultra-violets la couche intermédiaire de l'étape i, déposer une couche métallique ionisable sur la couche intermédiaire obtenue à l'étape ii, iv. diffuser les ions métalliques, provenant de la couche métallique ionisable de l'étape iii, dans la couche intermédiaire pour former un matériau chalcogénure contenant des ions métalliques, et v. déposer une deuxième électrode sur la couche de matériau chalcogénure contenant des ions métalliques obtenue à l'étape iv, pour former ledit dispositif microélectronique.
- 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche intermédiaire obtenue après irradiation de l'étape ii et diffusion de l'étape iv a une teneur en ions métalliques diminuée d'au moins 20% par rapport à la teneur en ions métalliques dans une même couche intermédiaire obtenue après diffusion de l'étape iv, sans avoir subi l'irradiation de l'étape ii.
- 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'irradiation de l'étape ii est réalisé sous atmosphère non oxydante.
- 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'intensité des rayonnements ultra-violets de l'étape ii est d'au moins 80 mW/cm2, et de préférence d'au moins 150 W/cm 2.
- 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la durée d'irradiation de l'étape ii est supérieur à 5 minutes, et de préférence d'au moins 10 minutes.
- 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de traitement thermique réalisée préalablement à l'étape iii, cette étape consistant à chauffer la couche intermédiaire à une température inférieure ou égale à la température de transition vitreuse de ladite couche intermédiaire.
- 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la diffusion des ions métalliques à l'étape iv est réalisée par irradiation par rayonnements ultra-violets et/ou par traitement thermique.
- 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif microélectronique à mémoire programmable est une cellule programmable à conduction ionique (CBRAM ou PMC).
- 9. Dispositif microélectronique à mémoire programmable obtenu par le procédé tel que défini à l'une quelconque des revendications 1 à 8.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1156033A FR2977709B1 (fr) | 2011-07-05 | 2011-07-05 | Procede de fabrication d'un dispositif microelectronique a memoire programmable |
| US13/539,751 US8597975B2 (en) | 2011-07-05 | 2012-07-02 | Method of fabricating a microelectronic device with programmable memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1156033A FR2977709B1 (fr) | 2011-07-05 | 2011-07-05 | Procede de fabrication d'un dispositif microelectronique a memoire programmable |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2977709A1 true FR2977709A1 (fr) | 2013-01-11 |
| FR2977709B1 FR2977709B1 (fr) | 2015-01-02 |
Family
ID=44543505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR1156033A Expired - Fee Related FR2977709B1 (fr) | 2011-07-05 | 2011-07-05 | Procede de fabrication d'un dispositif microelectronique a memoire programmable |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8597975B2 (fr) |
| FR (1) | FR2977709B1 (fr) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030155606A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Campbell Kristy A. | Method to alter chalcogenide glass for improved switching characteristics |
| US20080217670A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-11 | Faiz Dahmani | Methods of manufacturing a semiconductor device; method of manufacturing a memory cell; semiconductor device; semiconductor processing device; integrated circuit having a memory cell |
| WO2010012683A1 (fr) * | 2008-07-29 | 2010-02-04 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif memoire et memoire cbram a fiabilite amelioree |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5761115A (en) | 1996-05-30 | 1998-06-02 | Axon Technologies Corporation | Programmable metallization cell structure and method of making same |
-
2011
- 2011-07-05 FR FR1156033A patent/FR2977709B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-07-02 US US13/539,751 patent/US8597975B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030155606A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Campbell Kristy A. | Method to alter chalcogenide glass for improved switching characteristics |
| US20080217670A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-11 | Faiz Dahmani | Methods of manufacturing a semiconductor device; method of manufacturing a memory cell; semiconductor device; semiconductor processing device; integrated circuit having a memory cell |
| WO2010012683A1 (fr) * | 2008-07-29 | 2010-02-04 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif memoire et memoire cbram a fiabilite amelioree |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| MESSADDEQ S H ET AL: "Above bandgap induced photoexpansion and photobleaching in Ga-Ge-S based glasses", JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, NORTH-HOLLAND PHYSICS PUBLISHING. AMSTERDAM, NL, vol. 284, no. 1-3, 1 May 2001 (2001-05-01), pages 282 - 287, XP004249974, ISSN: 0022-3093, DOI: 10.1016/S0022-3093(01)00415-X * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130126813A1 (en) | 2013-05-23 |
| FR2977709B1 (fr) | 2015-01-02 |
| US8597975B2 (en) | 2013-12-03 |
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| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 6 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 7 |
|
| TP | Transmission of property |
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|
| PLFP | Fee payment |
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|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 10 |
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| ST | Notification of lapse |
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