FR2970267A1 - Procede de traitement thermique reactif avec enrichissement en element vi d'un materiau en couche mince. - Google Patents
Procede de traitement thermique reactif avec enrichissement en element vi d'un materiau en couche mince. Download PDFInfo
- Publication number
- FR2970267A1 FR2970267A1 FR1150191A FR1150191A FR2970267A1 FR 2970267 A1 FR2970267 A1 FR 2970267A1 FR 1150191 A FR1150191 A FR 1150191A FR 1150191 A FR1150191 A FR 1150191A FR 2970267 A1 FR2970267 A1 FR 2970267A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- gas
- enrichment
- container
- reactor
- reactive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 152
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 44
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 41
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 38
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 36
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 27
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 23
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 4
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 3
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 27
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003570 air Substances 0.000 description 4
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 241001101998 Galium Species 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5846—Reactive treatment
- C23C14/5866—Treatment with sulfur, selenium or tellurium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (12)
- REVENDICATIONS1. Procédé de traitement thermique réactif avec enrichissement en élément VI d'un matériau (1) en couche mince, le procédé comprenant une ou plusieurs étapes d'enrichissement pendant lesquelles le matériau (1) est mis en contact avec un gaz réactif (5a) comprenant de l'élément VI à une pression partielle contrôlée, le procédé étant caractérisé en ce que, pour chaque étape d'enrichissement, le matériau (1) est placé dans un réacteur (3, 4, 5, 6, 7) où est injecté le gaz réactif de l'étape d'enrichissement, le gaz réactif de l'étape d'enrichissement étant obtenu par la mise en oeuvre des sous-étapes suivantes : a) on place dans un conteneur (16) une charge (16a) comprenant de l'élément VI et on maintient dans le conteneur des conditions de température et de pression telles que la charge soit essentiellement liquide, le conteneur comprenant en outre une atmosphère gazeuse (16c) ; b) on injecte dans le conteneur (16) un gaz vecteur (16b) et on le fait barboter dans la charge (16a) liquide ; et c) on extrait du gaz (16d) de l'atmosphère gazeuse (16c) pour constituer tout ou partie du gaz réactif (5a) de l'étape d'enrichissement ; les conditions de température et de pression à la sous-étape a) étant en outre choisies pour que le gaz réactif (5a) mis en contact avec le matériau comprenne de l'élément VI dans une fraction massique prédéterminée (Xs) pour l'étape d'enrichissement.
- 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, à la sous-étape a), on réalise dans chaque conteneur (16) un appoint d'élément VI par injection d'élément VI à l'état liquide obtenu en faisant fondre de l'élément VI en poudre ou en granulés.
- 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la pression dans chaque conteneur (16) utilisé pour la sous-étape b) et la pression dans chaque réacteur (3, 4, 5, 6, 7) utilisé pour laou les étapes d'enrichissement sont maintenues au dessus de la pression atmosphérique.
- 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le gaz vecteur (16b) injecté dans le conteneur (16) à la sous-étape b) comprend un gaz majoritairement inerte.
- 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'on extrait un gaz usé (6a) issu de la mise en contact du gaz réactif (5a) avec le matériau (1) durant l'étape d'enrichissement, le gaz usé (6a) comprenant une fraction d'élément VI n'ayant pas réagi avec le matériau (1), puis on retraite ledit gaz usé (6a) pour en extraire la fraction d'élément VI.
- 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'obtention du gaz réactif (5a) de chaque étape d'enrichissement met en oeuvre une sous-étape d) de récupération d'un gaz usé (6a) issu de la mise en contact du gaz réactif (5a) avec le matériau (1) durant l'étape d'enrichissement, le gaz usé constituant tout ou partie du gaz vecteur (16b) utilisé à la sous-étape b).
- 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'il comporte une étape, préalable à la ou aux étapes d'enrichissement, dans laquelle on chauffe le matériau dans un four de traitement thermique (3) sous atmosphère inerte.
- 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le ou les réacteurs (4, 5, 6) utilisés pour la ou les étapes d'enrichissement est ou sont un ou des fours résistifs à moufle.
- 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape de refroidissement du matériau sous atmosphère inerte, l'étape de refroidissement étant postérieure à la ou aux étapes d'enrichissement.
- 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que l'élément VI est, selon l'étape d'enrichissement, du soufre et/ou du sélénium. 2970267 24
- 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'on fait passer le matériau (1) dans un ensemble de réacteurs (3, 4, 5, 6, 7) successifs, chaque étape mettant en oeuvre un réacteur dans lequel on injecte le gaz inerte ou le gaz réactif de l'étape pour la mise en 5 contact du matériau (1) avec ledit gaz inerte ou ledit gaz réactif, deux réacteurs successifs étant séparés par un rideau de gaz (8', 9', 10', 11', 12', 13') et/ou un sas (8, 9, 10, 11, 12, 13) pour limiter le mélange des gaz injectés dans les deux réacteurs successifs.
- 12. Installation comprenant au moins un réacteur (5) connecté 10 fluidiquement à un conteneur (16) comprenant une charge contenant de l'élément VI pour la mise en oeuvre d'un procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1150191A FR2970267B1 (fr) | 2011-01-10 | 2011-01-10 | Procede de traitement thermique reactif avec enrichissement en element vi d'un materiau en couche mince. |
PCT/FR2012/050047 WO2012095597A1 (fr) | 2011-01-10 | 2012-01-09 | Procédé de traitement thermique réactif avec enrichissement en élément vi d'un matériau en couche mince. |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1150191 | 2011-01-10 | ||
FR1150191A FR2970267B1 (fr) | 2011-01-10 | 2011-01-10 | Procede de traitement thermique reactif avec enrichissement en element vi d'un materiau en couche mince. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2970267A1 true FR2970267A1 (fr) | 2012-07-13 |
FR2970267B1 FR2970267B1 (fr) | 2019-07-26 |
Family
ID=44484869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR1150191A Active FR2970267B1 (fr) | 2011-01-10 | 2011-01-10 | Procede de traitement thermique reactif avec enrichissement en element vi d'un materiau en couche mince. |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR2970267B1 (fr) |
WO (1) | WO2012095597A1 (fr) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3024162A1 (fr) * | 2014-07-28 | 2016-01-29 | Nexcis | Dispositif et procede pour la formation d'une couche mince sur un substrat |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008008518A1 (de) * | 2008-02-11 | 2009-08-13 | Avancis Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Solarzellen und -modulen, insbesondere Dünnschicht-Solarmodulen |
WO2010060646A1 (fr) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | Volker Probst | Procédé de fabrication de couches semi-conductrices ou de substrats revêtus, traités par du sélénium et/ou du soufre élémentaire, en particulier de substrats bidimensionnels |
WO2010100561A1 (fr) * | 2009-03-06 | 2010-09-10 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Procédé et dispositif utilisant une source de chalcogènes pour la transformation thermique de couches de précurseur métallique en couches semi-conductrices |
-
2011
- 2011-01-10 FR FR1150191A patent/FR2970267B1/fr active Active
-
2012
- 2012-01-09 WO PCT/FR2012/050047 patent/WO2012095597A1/fr active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008008518A1 (de) * | 2008-02-11 | 2009-08-13 | Avancis Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Solarzellen und -modulen, insbesondere Dünnschicht-Solarmodulen |
WO2010060646A1 (fr) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | Volker Probst | Procédé de fabrication de couches semi-conductrices ou de substrats revêtus, traités par du sélénium et/ou du soufre élémentaire, en particulier de substrats bidimensionnels |
WO2010100561A1 (fr) * | 2009-03-06 | 2010-09-10 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Procédé et dispositif utilisant une source de chalcogènes pour la transformation thermique de couches de précurseur métallique en couches semi-conductrices |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3024162A1 (fr) * | 2014-07-28 | 2016-01-29 | Nexcis | Dispositif et procede pour la formation d'une couche mince sur un substrat |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012095597A1 (fr) | 2012-07-19 |
FR2970267B1 (fr) | 2019-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1458902B1 (fr) | Procede et installation de densification de substrats poreux par infiltration chimique en phase gazeuse | |
EP1620577B1 (fr) | Commande ou modelisation de procede d'infiltration chimique en phase vapeur pour la densification de substrats poreux par du carbone. | |
Katamreddy et al. | ALD and characterization of aluminum oxide deposited on Si (100) using tris (diethylamino) aluminum and water vapor | |
EP2642267B1 (fr) | Appareil de dépôt sous vide à cellules à vanne comportant un dispositif de détection de fuite et procédé de détection d'une fuite dans un appareil de dépôt sous vide | |
FR2884523A1 (fr) | Procede et four de carbonitruration a basse pression | |
EP2417621A1 (fr) | Procede de dopage au bore de plaquettes de silicium. | |
TW201415654A (zh) | 薄膜太陽能電池吸收層之製造方法 | |
FR2970267B1 (fr) | Procede de traitement thermique reactif avec enrichissement en element vi d'un materiau en couche mince. | |
FR2681332A1 (fr) | Procede et dispositif de cementation d'un acier dans une atmosphere a basse pression. | |
EP2285935B1 (fr) | Procede et dispositif de carbonisation | |
US9343305B2 (en) | Method and device for continuously coating substrates | |
EP2278625A1 (fr) | Procédé et appareil pour le dépôt d'une couche de chalcogénure d'indium dans un substrat | |
FR2515426A1 (fr) | Procede de traitement de tranches de silicium pour composants electroniques | |
EP1099084A1 (fr) | Reacteur de retification du bois | |
US4762576A (en) | Close space epitaxy process | |
EP3109339A1 (fr) | Procede de traitement d'une pièce en tantale ou en un alliage de tantale | |
FR3084737A1 (fr) | Installation pour reactions chimiques en phase vapeur a chargement facilite | |
EP1522809B1 (fr) | Procédé de traitement thermique d'une série d'objets et appareil associé | |
Young | GaNAs and GaAsBi: Structural and electronic properties of two resonant state semiconductor alloys | |
CN105206704B (zh) | Na剂量控制方法 | |
FR2975107A1 (fr) | Traitement d'un precurseur par injection d'un element reactif en phase vapeur. | |
WO2015044562A1 (fr) | Installation industrielle pour infiltration chimique en phase gazeuse de substrats poreux avec circuit de refroidissement accelere | |
RU2354006C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ ДИСЕЛЕНИДА МЕДИ И ИНДИЯ CuInSe2 | |
US20130130432A1 (en) | Rapid thermal processing system and sulfidation method thereof | |
JP6467581B2 (ja) | I−iii金属前駆体の熱処理およびカルコゲン化によるi−iii−vi2半導体層の形成 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 5 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 6 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 7 |
|
TP | Transmission of property |
Owner name: ELECTRICITE DE FRANCE, FR Effective date: 20170905 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 8 |
|
CA | Change of address |
Effective date: 20180115 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 9 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 10 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 11 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 12 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 13 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 14 |