FR2955786A1 - Procede de capture selective de sif4 - Google Patents

Abstract

Procédé de capture sélective de tétrafluorure de silicium (SiF4) comprenant au moins une étape d'introduction d'un flux gazeux comprenant de 60% à 75% d'azote (N2), de 20% à 35% d'hydrogène (H2), de 1,5% à 4% de silane (SiH4) et de 100 ppm à 0,3% de tétrafluorure de silicium (SiF4), dans un réacteur de piégeage contenant au moins un fluorure de métal ne réagissant qu'avec le SiF4, caractérisé en ce que ledit fluorure de métal est un adsorbant solide de type nF2/nM, où n = 2 lorsque M est un métal alcalin choisi parmi Li, Na, K, Rb, Cs, Fr et n = 1 lorsque M est un métal alcalino terreux choisi parmi Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra.

Description

La présente invention concerne un procédé de piégeage du SiF4 de manière sélective par rapport à d'autres gaz actifs, par exemple du SiH4 et sa mise en oeuvre. Elle concerne aussi l'application de ce procédé pour le recyclage de gaz, en particulier le silane (SiH4). Dans ce dernier cadre, la première application visée est le dépôt de couches minces de silicium, en particulier pour la production de cellules photovoltaïques. Cependant, ce système peut être utilisé pour d'autres applications dont les spécifications sont proches. La réduction du coût de l'énergie solaire passe par la réduction du coût de fabrication des cellules photovoltaïques. Pour la filière technologique dite « couches minces », notamment pour l'application où le silicium est déposé en couche mince, et plus particulièrement pour la solution silicium micro cristallin et amorphe, la réduction de la consommation des gaz utilisés pour les dépôts des couches actives contribue à la diminution globale du coût de fabrication. La production des couches minces de silicium pour les piles solaires exige le dépôt séquentiel de couches de silicium dopées p, non dopées et dopées n sur un substrat. Chaque dépôt de silicium est conduit dans une chambre dans laquelle une méthode choisie parmi CVD, (dont MOCVD, PECVD, ALD, HWCVD, APCVD, VTD ...) ou PVD (en particulier évaporation et pulvérisation) est exécutée. La production de cellules photovoltaïques avec couches minces de silicium micro cristallin et / ou amorphe nécessite la mise en oeuvre des gaz tels que H2, SiH4, des gaz dopants tels que TMB - TriMethyl Bore, PH3 û phosphine, B2H6 - diborane et aussi N2, argon... Par exemple, le substrat est situé dans une première chambre dans laquelle un mélange de gaz contenant du silane, un dopant tel que le TMB et l'hydrogène comme gaz porteur est fourni pour façonner une couche de silicium de type p sur le substrat. Le substrat est alors déplacé vers une deuxième chambre dans laquelle un mélange de gaz d'hydrogène et de silane est fourni pour la conception d'une couche non dopée. Le substrat peut alors être déplacé vers une troisième chambre dans laquelle un mélange de gaz comportant de l'hydrogène comme gaz porteur, du silane et un dopant tel que la phosphine PH3 est fourni pour la réalisation d'une couche dopée n sur le substrat. Il y a une évolution dans ce type de fabrication de tels dispositifs : les substrats sur lesquels sont effectués ces dépôts sont de plus en plus grands. Ainsi, la taille des chambres de dépôt et les débits d'introduction des gaz, en particulier de l'hydrogène en tant que gaz porteur doivent également être augmentés. Dans les dispositifs actuels, les gaz non utilisés dans les chambres de dépôt sont aspirés à l'aide d'une pompe avant d'être traités afin de détruire les effluents dangereux. Les quantités de gaz nécessaires aux dépôts des couches actives cibles sont très importantes. Du fait de la taille des usines en projet et du besoin intrinsèque en gaz lié à la nature de la technologie, les débits nécessaires vont atteindre des dizaines, voire des centaines de m3 par heure pour l'hydrogène. La fourniture de gaz devient donc problématique pour l'hydrogène mais aussi pour le silane. Les volumes requis sont un frein au déploiement de ces technologies.

Une façon de réduire le coût de la fourniture et de la logistique du silane (SiH4) et de l'hydrogène (H2) est de recycler ces gaz à leur sortie des réacteurs de dépôt. Cependant, les gaz réintroduits dans le réacteur doivent répondre aux spécifications requises pour obtenir des couches de bonne qualité.

Les spécifications principales sont les suivantes : concentrations en H2O, 02 et N2 < 1 ppm dans SiH4 et H2 afin d'éviter la formation d'oxydes et/ou de nitrures; concentrations en gaz dopants tels PH3, B2H6, TMB maîtrisées en fonction du type et du niveau de dopage souhaité. De plus, des poudres peuvent se former en grandes quantités au cours de la réaction ; leur concentration doit donc être rapportée à une valeur acceptable, c'est-à-dire à un niveau suffisamment faible pour être compatible par exemple: avec le mode de fonctionnement des différents composants dans lesquels les gaz contenant ces poudres vont circuler, et avec l'application visée (par exemple le dépôt de couches minces pour la réalisation de cellules solaires). Ces composants sont par exemple des compresseurs, des unités d'adsorption.... En outre, le rapport SiH4/H2 et le débit de ces gaz doivent pouvoir être contrôlés. Du fait de la technologie actuelle, la problématique énoncée ci-dessus est apparue nouvelle. Cependant, la littérature révèle quelques caractéristiques. Un recyclage des gaz de rejet est par exemple décrit dans le document JP58223612A « Apparatus for forming amorphous silicon film ». La demande de brevet publiée en 1983, présente une solution pour améliorer le taux d'utilisation du silane lors du dépôt d'un film de silicium amorphe par CVD assistée par plasma (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) : il s'agit d'une séparation de l'hydrogène des gaz récupérés en sortie du réacteur de dépôt puis d'un recyclage du silane en entrée de ce même réacteur. Ce document expose une solution où la séparation et le recyclage nécessitent notamment la mise en oeuvre d'un piège froid utilisant de l'azote liquide. Mais il n'aborde pas la problématique du recyclage de l'hydrogène. D'autre part, le procédé est mis en oeuvre sous vide ce qui présente un danger difficile à maîtriser parfaitement pour la manipulation du silane qui est un réducteur très violent, donc avide d'oxydant comme l'oxygène contenu dans l'air qui pourrait rentrer dans le procédé par exemple. Dans le domaine photovoltaïque, jusqu'à présent, la solution détaillée dans la demande de brevet JP58223612A commentée ci-dessus n'a pas été mise en oeuvre pour séparer puis recycler les gaz utilisés comme précurseurs des dépôts de couches minces. D'autre part, aucune solution n'est actuellement industrialisée pour réaliser la récupération des gaz silane et / ou hydrogène et assurer leur réutilisation dans le procédé de dépôt de couches de silicium. Les gaz rejetés sont simplement traités et évacués. Par ailleurs, le brevet US 5,785,741 « Process and system for separation and recovery of perfluorocompounds gases » présente une solution pour la séparation des gaz PFC en vue de leur recyclage. Cette solution peut être mise en oeuvre dans l'industrie de la microélectronique. Des laveurs, des filtres, des membranes, des pièges froids et des PSA (Pressure Swing Adsorber) sont requis pour aboutir au recyclage de ces gaz PFC. Cette solution est intéressante mais une forme améliorée et simplifiée de cette méthode est indispensable pour mettre en oeuvre d'autres gaz (silane et hydrogène par exemple) et dans un autre domaine (cas de l'industrie photovoltaïque par exemple).

Pour la séparation du silane de l'hydrogène, des solutions sont écrites dans le document EP 0 644 153 « Procédé de séparation du silane à l'aide d'une membrane » et « Separation of hydrogen from silane via membranes : a step in the production of ultra-high purity silicon » traitant de l'utilisation d'une membrane pour séparer le silane de l'hydrogène utilisé dans de la fabrication du silicium de haute pureté. Cet élément peut être mis en oeuvre pour la solution développée pour le recyclage du silane et de l'hydrogène pour l'application relative au dépôt de silicium amorphe en couches minces. Néanmoins, il s'agit d'une brique de la solution technologique élaborée pour réaliser ce recyclage. D'autre part, la séparation par membrane ne peut pas fournir des gaz de haute pureté, ce qui est pourtant indispensable dans les applications visées ci-dessus. Pour finir, dans le brevet EP 0 645 345, il est décrit un procédé de séparation par membrane d'un hydrure gazeux ou d'un mélange d'hydrures gazeux (tels que PH3, AsH3, Si2H6), d'un milieu gazeux contenant au moins de l'argon, de l'hélium et / ou de l'hydrogène. La solution proposée permet donc de concentrer, d'un côté les hydrures gazeux (en l'occurrence les gaz utilisés pour le dopage dans le cas d'une application pour l'industrie photovoltaïque) et de ne laisser passer à travers la membrane, de l'autre côté appelé aussi perméat, que le mélange argon, hélium et / ou hydrogène. Une telle séparation est réalisée avec une membrane polymère de type polyimide ou polyaramide. Cette problématique du recyclage du silane pour l'industrie du photovoltaïque est abordée dans divers documents, en particulier les demandes de brevet WO2008/154293 et WO2009/079314. Il est décrit une manière d'implémenter une machine de recyclage de silane en aval d'un procédé de fabrication de cellule solaire, sans aborder le procédé de recyclage en lui-même. La demande de brevet WO09112730 présente un état de l'art sur le recyclage du silane et détaille un procédé de recyclage du silane innovant dont une des applications est la production de cellules solaires.

Vu les spécifications à atteindre en terme de pureté des gaz à recycler à leur sortie des réacteurs de dépôt, la voie cryogénique est privilégiée pour réaliser ce recyclage. Cependant, cette technologie ne peut accepter des espèces se solidifiant aux températures de travail utilisées. C'est le cas du tétrafluorure de silicium (SiF4) qui, en plus d'être un produit nocif, a une température de solidification de - 86,8°C à 2,24 bars ce qui peut alors conduire au bouchage des systèmes dans lesquels passe ce gaz et se retrouve en quantité non négligeable dans les flux à traiter en sortie des réacteurs de dépôt (pouvant atteindre des concentrations de l'ordre de 500 ppm à 2000 ppm voire plus). En effet, suite à la réaction de dépôt dans le réacteur, ce dernier est nettoyé à l'aide de substances fluorées (par exemple NF3 ou F2) ; il en résulte que les parois des circuits de sortie dudit réacteur de dépôt contiennent des produits fluorés à leur surface, ces derniers réagissant avec les produits de la réaction issus du réacteur forment du SiF4. Le protocole de nettoyage du réacteur après dépôt consiste à injecter du trifluorure d'azote (NF3) ou du fluore (F2) sous plasma qui va réagir avec le silane déposé et former majoritairement le tetrafluorosilane SiF4 gazeux ainsi que plusieurs sous-produits fluorés (HF, F2). Néanmoins, ces composés fluorés vont partiellement se redéposer après avoir quitté la zone d'effet du plasma en particulier dans les lignes d'évents. Lors de l'étape de dépôt, une partie de la fraction de silane SiH4 injecté ne se décomposant pas va réagir avec ces composés fluorés et se transformer en SiF4. Il est donc nécessaire de piéger le SiF4 sans retenir le SiH4 avant l'envoi dudit flux dans la partie cryogénique dédiée au recyclage évoqué ci-dessus. Le retrait du SiF4 aura aussi comme intérêt d'éviter de mettre en oeuvre des matériaux compatibles avec ce produit fluoré. Le procédé objet de la présente invention peut aussi être utilisé pour toute autre application pour laquelle le retrait du SiF4 est nécessaire. Or, aucune solution satisfaisante n'a été proposée ou mise en oeuvre jusqu'à présent pour réaliser de manière efficace et intégrée les différentes étapes nécessaires à la réalisation du recyclage de gaz utilisés dans la fabrication de structures notamment formées de films de silicium, dopés ou non, et déposés en couches minces, issus d'un flux de gaz contenant du SiF4. En particulier, les documents cités ci-dessus n'apportent pas de réponses à cette problématique.

Plusieurs voies peuvent être envisagées. Par exemple, la voie du piégeage cryogénique consistant à liquéfier ou solidifier le SiF4 par refroidissement conduirait à la fois au piégeage du SiF4 mais aussi au piégeage au moins partiel du SiH4 ce qui doit être évité pour les applications de la présente invention. De plus cela nécessite la mise en oeuvre de matériel cryogénique et l'utilisation d'un liquide réfrigérant tel que l'azote liquide et donc toutes les contraintes liées à l'utilisation de système à basse température. En résumé, afin de réduire la consommation en hydrogène et / ou silane pour la fabrication de systèmes composés de couches minces de silicium déposées par exemple par CVD ou PVD, tels que notamment les cellules photovoltaïques en couches minces de silicium, les bénéfices que la solution objet de l'invention doit apporter sont par exemple: - La séparation de tétrafluorure de silicium d'un effluent gazeux (effluent récupéré en sortie d'un réacteur de dépôt de couches minces de silicium amorphe) ; - La séparation des poudres d'un effluent gazeux (effluent récupéré en sortie d'un réacteur de dépôt de couches minces de silicium amorphe) ; - La concentration du silane dans un mélange silane / hydrogène ; - La séparation des gaz à recycler de l'azote utilisé dans le groupe de pompage soit en ballaste soit en dilution en aval de(s) la chambre(s) ; - La séparation des gaz dopants du silane ou de l'hydrogène ; - La mise à disposition des gaz silane et hydrogène en vue de leur réintroduction dans le réacteur de dépôt et de leur réutilisation pour lesdits dépôts. Une des difficultés consiste à extraire le SiF4 du flux gazeux sans retenir le silane (SiH4) que l'on cherche à récupérer par ailleurs. Dans l'application visée en premier lieu, la composition du flux issu du réacteur de dépôt est de l'ordre de 70% d'azote (N2), 27,9% d'hydrogène (H2), 2% de silane (SiH4) et 0,1 % de tétrafluorure de silicium (SiF4). Cette composition peut variée suivant le réacteur et la recette de dépôt utilisés.

Un objectif est de produire un flux gazeux comprenant un taux de SiF4 inférieur à 10 ppm, voire inférieur encore, tout en conservant un taux de SiH4 proche de sa valeur initiale, 2% dans le cas cité ci-dessus. Un but de la présente invention est de pallier tout ou partie des inconvénients de l'art antérieur relevés ci-dessus. En particulier, la présente invention a pour but de réaliser la séparation sélective de SiF4 et SiH4 dans le mélange gazeux en sortie de réacteur afin de recycler le flux de SiH4 en piégeant le SiF4 sous forme solide par le biais d'un adsorbant et en régénérant ledit adsorbant. En particulier, l'invention est appliquée dans le cadre du recyclage SiH4 appliqué aux procédés de dépôt de couches minces de silicium, par exemple pour la production de cellule solaires. A cette fin, l'invention a pour objet un procédé de capture sélective de tétrafluorure de silicium (SiF4) comprenant au moins l'étape suivante : - Introduction d'un flux gazeux comprenant de 60% à 75% d'azote (N2), de 20% à 35% d'hydrogène (H2), de 1,5% à 4% de silane (SiH4) et de 100ppm à 0,3% de tétrafluorure de silicium (SiF4), dans un réacteur de piégeage contenant au moins un fluorure de métal ne réagissant qu'avec le SiF4, caractérisé en ce que ledit fluorure de métal est un adsorbant solide de type nF2,nM, où n = 2 lorsque M est un métal alcalin choisi parmi Li, Na, K, Rb, Cs, Fr et n = 1 lorsque M est un métal alcalino terreux choisi parmi Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra. Par ailleurs, les modes de réalisation de l'invention peuvent comporter l'une ou l'autre des caractéristiques suivantes : - Procédé tel que défini ci-dessus, caractérisé en ce que ledit flux gazeux comprend 70% d'azote (N2), 27,9% d'hydrogène (H2), 2% de silane (SiH4) et 0,1% de tétrafluorure de silicium (SiF4). - Procédé tel que défini ci-dessus, caractérisé en ce que l'adsorbant est le fluorure de sodium (NaF). - Procédé tel que défini ci-dessus, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape de régénération dudit adsorbant solide par activation thermique à une température supérieure ou égale à 400°C, sous balayage d'un gaz neutre tel que N2, H2, Ar, He ou tout autre gaz neutre vis-à-vis de la réaction ayant lieu dans le réacteur. - Procédé tel que défini ci-dessus, caractérisé en ce que le réacteur de piégeage comporte au moins un réacteur fluidisé, contenant ledit adsorbant solide de type nF2,nM. - Procédé tel que défini ci-dessus, caractérisé en ce que le réacteur de piégeage contient deux réacteurs fluidisés en série de manière à régénérer dans le second réacteur l'adsorbant en provenance du premier réacteur où il adsorbe le SiF4. Ce piégeage se fait par l'adsorption du SiF4 sur un sel ne réagissant pas avec les autres gaz qui, eux, doivent être laissés passer. Cette adsorption se fait grâce à la réaction du SiF4 avec le sel considéré formant ainsi un produit solide.

Une variante de l'invention est l'application de ce procédé de piégeage sélectif de SiF4 au recyclage du SiH4 sortant des procédés de dépôts de couches minces de silicium. Selon un aspect particulier, l'invention a pour objet un procédé de recyclage de silane comprenant les étapes successives suivantes: a) Injection d'un mélange silane pur/hydrogène pur (SiH4/H2) dans une chambre de réaction (7) pour fabriquer des couches minces contenant du silicium; b) Extraction du mélange : excès de silane non utilisé à l'étape a) / hydrogène (SiH4/H2), au moyen d'une pompe (8) mettant en oeuvre l'azote comme gaz d'alimentation ; c) Refoulement de ladite pompe (8) à une pression proche de la pression atmosphérique, d'un mélange comprenant au moins du silane (SiH4), de l'hydrogène (H2), du tétrafluorure de silicium (SiF4) et une quantité non nulle d'azote; d) procédé de séparation du tétrafluorure de silicium (SiF4) du mélange silane/hydrogène/azote issus du mélange issu de l'étape c) selon le procédé objet de l'invention tel que défini ci-dessus; caractérisé en ce qu'au moins 50%, de préférence 70%, et de préférence encore 80% du silane (SiH4) issu de l'étape b) est réutilisé après l'étape d) pour une nouvelle étape a).

Par ailleurs, les modes de réalisation de l'invention peuvent comporter l'une ou l'autre des caractéristiques suivantes : - Procédé de recyclage de silane et d'hydrogène tel que défini ci-dessus comprenant en outre une étape de: e) Séparation du silane (SiH4) du mélange hydrogène/azote issus du mélange 20 issu de l'étape d), ledit silane obtenu comprenant moins de 100 ppm d'azote, de préférence moins de 10 ppm d'azote, de préférence moins de 1 ppm d'azote.

- Procédé tel que défini ci-dessus, caractérisé en ce que le flux de silane (SiH4) issu de l'étape e) contient moins de 10 ppm de tétrafluorure de silicium (SiF4), 25 et de préférence moins de 1 ppm.

Procédé tel que défini ci-dessus, comprenant en outre une étape de: f) Purification de l'hydrogène (H2) issu de l'étape e) telle que le taux d'azote dans l'hydrogène n'est pas supérieur à 100 ppm, de préférence pas supérieur à 10 30 ppm et de préférence encore pas supérieur à 1 ppm; caractérisé en ce qu'au moins 50% de l'hydrogène (H2) et de préférence au moins 85% de l'hydrogène issu de l'étape b) est réutilisé après l'étape f) pour une nouvelle étape a). - Procédé tel que défini ci-dessus, caractérisé en ce que l'étape e) est effectuée par séparation et/ou distillation cryogénique.

Une caractéristique essentielle du procédé selon l'invention est le recyclage du silane et si nécessaire de l'hydrogène, effectué autrement que sous vide. En effet, le silane est un gaz très réactif avec l'air donc il est très difficile à manipuler autrement qu'en utilisant des membranes ou alors par absorption mais ces techniques ne sont pas satisfaisantes lorsqu'un gaz à recycler requière une exigence de pureté. De plus, la manipulation du silane sous vide représente un grand danger en termes de sécurité dû au risque de la pénétration d'air, d'oxygène ou d'humidité. D'autre part, le fait de mettre en oeuvre un procédé à une pression relativement élevée (à pression atmosphérique ou plus) permet d'optimiser les blocs de l'appareil permettant la réalisation du procédé selon l'invention. L'appareil mettant en oeuvre le procédé objet de l'invention, fonctionne à une pression au moins égale à la pression atmosphérique, de recyclage d'au moins un gaz mis en oeuvre dans une chambre de réaction sous vide au cours d'un procédé de dépôt pour couche mince comprenant : - une pompe à vide alimentée en gaz d'alimentation ; - au moins un moyen de purification du mélange de gaz aspiré par 20 ladite pompe; - au moins un moyen de séparation des gaz issus du mélange purifié ; - au moins un moyen de recyclage des gaz séparés vers ladite chambre de réaction. 25 Par ailleurs, des modes de réalisation de l'appareil mettant en oeuvre le procédé objet de l'invention peuvent comporter l'une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : - Appareil tel que défini précédemment, comprenant en outre un moyen de compression situé en aval du moyen de purification et en amont du moyen de 30 séparation. - Appareil tel que défini précédemment, caractérisé en ce que le moyen de séparation consiste en un appareil pour séparation de phase cryogénique et/ou distillation cryogénique.

Appareil tel que défini précédemment, caractérisé en ce que ledit gaz d'alimentation est l'azote (N2). Un autre objet de l'invention est l'utilisation de l'appareil défini ci-dessus pour la mise en oeuvre d'un procédé défini selon l'invention.

L'invention concerne aussi un procédé de dépôt d'un film contenant du silicium mettant en oeuvre au moins un gaz recyclé selon le procédé défini ci-dessus. De manière préférée, ce dépôt est fait à l'aide d'un mélange SiH4 (précurseur)/H2 comprenant moins de 50% de silane, de préférence moins de 25%. Le gaz recyclé décrit dans le procédé ci-dessus employé dans le procédé de dépôt selon l'invention est soit le silane précurseur, soit le silane précurseur et l'hydrogène. L'invention s'appuie sur la réaction chimique de certains fluorures avec le SiF4 pour former des complexes solides. Par exemple, d'après les propriétés des hexafluorosilicates il apparait que le tétrafluorure de silicium est susceptible d'être transformé en hexafluorosilicate à température ambiante.

Ainsi lorsqu'on souhaite éliminer le SiF4 dudit courant de fluide à traiter, l'adsorption chimique suivante est envisagée : SiF4 (g)+nF2,1zM(s) -Mn[SiF6](s) Avec n=2 si M est un métal alcalin : Li, Na, K, Rb, Cs, Fr Avec n=1 si M est un métal alcalino terreux : Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra.

D'autres métaux peuvent donner lieu aux hexafluorosilicates, mais leur stabilité est moindre. Tous les fluorures de ce type sont des solides blancs cristallins. La régénération du lit d'adsorbant solide est obtenue par réchauffement et balayage avec un gaz sec et inerte. Une température minimale de 400°C permet d'éliminer 85%, et de préférence 90%, du tetrafluorure de silicium capturé. Le gaz inerte utilisé peut être N2, H2, Ar et tout gaz inerte, et de préférence N2. Par exemple, lors de l'étape de régénération du lit d'adsorbant, lorsque l'adsorbant est le NaF, la réaction chimique suivante se produit : Nat [SiF6 ] chaleur > SiF4 T +2NaF . Deux colonnes en fonctionnement alterné sont nécessaires pour une opération continue. Dans l'application visée en premier lieu, le recyclage du silane, l'emplacement de ces lits d'adsorbants est en amont du dispositif de séparation cryogénique.

D'autres particularités et avantages apparaîtront à la lecture de la description ci-après, faite en référence à la figure 1: - la figure 1 représente un schéma d'un exemple de circuit de recyclage apte à mettre en oeuvre le procédé objet de la présente invention.

Sur la figure 1 est représenté un circuit de recyclage (C) comprenant une source 1 de précurseur de silicium, en particulier le gaz silane (SiH4), une source d'hydrogène 2. L'hydrogène peut-être employé en tant que gaz porteur. L'appareil comprend également une source 3 de gaz dopants tels que TMB - TriMethyl Bore, PH3 û phosphine, B2H6 û diborane destinés à la fabrication des couches minces pour les applications mentionnées ci-dessus. D'autres gaz peuvent-être utilisés en fonction de l'application visée. Les gaz issus de ces sources sont ensuite injectés, via les lignes de gaz 4, 5, 6 dans la chambre de réaction 7 où a lieu le dépôt des couches minces. Par exemple, ledit mélange comporte au plus 50% de silane dans l'hydrogène, de préférence moins de 25% de silane. La concentration en éléments dopants est généralement inférieure à 5% et dépend du niveau de dopage voulu et de l'efficacité de dopage du précurseur utilisé. Ainsi, le rapport, en concentrations, entre H2 et SiH4 est choisi avec précision et doit être contrôlé avant d'être introduit dans la chambre de réaction 7.

Une fois ledit mélange injecté dans la chambre de réaction 7, le dépôt a lieu. Au cours du dépôt, une quantité du précurseur de silicium, en particulier le silane, préalablement introduit pouvant atteindre jusqu'à 85% n'est pas utilisée lors de la réaction à l'intérieur de la chambre. Un objectif de la présente invention étant de recycler la totalité ou la quasi-totalité de cette quantité non utilisée, les autres composants de l'appareil ont pour utilité le recyclage de ce silane. Selon une variante du procédé selon l'invention, outre le silane, l'hydrogène est également recyclé. En aval de la chambre de réaction 7, une pompe 8 est présente. Cette pompe 8 aspire un mélange : excès de silane non utilisé dans la chambre 7 / hydrogène (SiH4/H2) à travers un conduit 9 dans lequel la pression est de quelques millibars. Ledit mélange peut comprendre en outre des impuretés telles que par exemple H2O, 02, des traces de dopants comme PH3, B2H6, TMB, des particules formées dans le réacteur issues de la décomposition du plasma introduit, ainsi que du tétrafluorure de silicium (SiF4) issu de la réaction du SiH4 n'ayant pas réagi dans la chambre 7 avec les éléments fluorés tels que NF3 ou encore F2 ayant servi à nettoyer ladite chambre 7 au préalable et présents sur les parois des conduits de sortie de la chambre 7. La pompe 8 est par exemple alimentée en azote (N2) (utilisé ici comme « gaz d'alimentation » comme défini ci-dessus) en particulier pour ces qualités d'inertage, de lubrifiant et d'entrainement des gaz légers. Il en résulte qu'en sortie de la pompe 8, un mélange comprenant, entre autre, du tétrafluorure de silicium, de l'azote, du silane (en général de 0.01% à 15%) et de l'hydrogène (de 10% à 80 %) circule à une pression proche de la pression atmosphérique dans un conduit 10. Une vanne trois voies 11 peut-être installée afin de diriger le mélange soit vers la canalisation 12 afin de le recycler, soit vers la canalisation 13 et les équipements de retraitement et l'évent. Ceci permet, par exemple, de sélectionner les mélanges, sortant de la chambre de réaction 7, à recycler en fonction des mélanges injectés dans cette même chambre de réaction 7. La vanne 11 permet aussi l'évacuation du mélange venant de la canalisation 10 vers la canalisation 13 en cas de défaillance du circuit de recyclage, de sorte que si le procédé de recyclage selon l'invention ne peut pas fonctionner, l'évacuation des gaz issus de la chambre de réaction 7 a lieu comme dans les systèmes standards de l'état de la technique. Le mélange circulant dans la canalisation 12 peut également comporter des impuretés comme celles qui ont été décrites précédemment. Les exigences de pureté dans les applications visées par la présente invention nécessitent donc une élimination maximale de ces impuretés, c'est pourquoi, un filtre 14 peut être placé à l'extrémité du conduit 12. Ledit filtre 14 est par exemple du type séparateur à effet centrifuge, séparateur inertiel et par sédimentation, séparateur électrique, électrofiltre, filtre à manches, séparateurs humide, laveur. La position du filtre peut être en aval ou en amont d'un moyen de compression 16 (par exemple un compresseur) en fonction des caractéristiques dudit moyen de compression 16. En effet dans le cas ou la force de succion du compresseur est suffisante, le filtre peut être placé en amont, avec cependant un risque de dépression en aval des filtres. Si la force de succion du compresseur est insuffisante, les filtres doivent être placés en aval du compresseur. Le mélange ainsi filtré circule dans un conduit 15 vers un moyen de compression 16. En sortie de ce moyen de compression 16, la pression du mélange comportant au moins du silane, de l'hydrogène et de l'azote est comprise entre 2 bars et 35 bars, de préférence comprise entre 8 bars et 10 bars. La pression préférée est celle qui permet d'aboutir au meilleur compromis entre la taille des équipements de l'appareil (C) selon l'invention et le coût de l'énergie permettant d'élever la pression de travail. Ladite taille des équipements étant réduite lorsque la pression est élevée, mais le coût de l'énergie à dépenser pour aboutir à une pression élevé est à prendre en considération. 1 bar = 105 Pa. En amont du compresseur 16, le circuit comporte un réacteur de piégeage 40 comprenant par exemple au moins une colonne d'adsorbant de type fluorure de métal nF2,nM, où n = 2 lorsque M est un métal alcalin choisi parmi Li, Na, K, Rb, Cs, Fr et n = 1 lorsque M est un métal alcalino terreux choisi parmi Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra. Le flux gazeux circulant en amont de ce réacteur de piégeage 40 contient du silane, du tétrafluorure de silicium, de l'hydrogène et de l'azote. Seul le SiF4 réagit avec l'adsorbant, selon le bilan réactionnel: SiF4 (g)+nF2,1zM(s) -Mn[SiF6](s) De préférence, le réacteur de piégeage 40 contient au moins deux colonnes situées en parallèle de sorte que lorsqu'une colonne est régénérée, l'autre sert à adsorber le flux de SiF4. Ainsi, la présente invention a pour but de réaliser la séparation sélective de SiF4 et SiH4 dans le mélange gazeux en sortie de réacteur 7 afin de recycler le flux de SiH4 en piégeant le SiF4 sous forme solide par le biais d'un adsorbant 40 et en régénérant ledit adsorbant. Plusieurs types d'adsorption sont décrits ci-dessous : 1) Cas où le moyen d'adsorption, le réacteur de piéqeaqe 40 est une technoloqie type TSA (Temperature swinq adsorption).

L'adsorbant proposé est le fluorure de sodium. : SiF4(g) +2NaF(s) Na2SiF6(s) Na2SiF6(s) 400°c ~2NaF(s) +SiF4(g) Le système est composé d'au moins deux bidons contenant l'adsorbant considéré. Ce dernier pourra être utilisé en masse ou bien déposé sur substrat. Le cycle typique pour l'un des bidons pourra se dérouler comme suit. Dans une première phase, le mélange gazeux N2/H2/SiH4/SiF4 est injecté dans le bidon. Le flux gazeux traversera ainsi la charge d'adsorbant où la réaction entre le fluorure de sodium et le SiF4 pourra avoir lieu. La longueur et la section du bidon devront être calculées afin que le temps de passage du gaz dans cette section soit suffisant pour que la totalité du SiF4 réagisse. Un flux gazeux N2/H2/SiH4 est ainsi récupéré en tête de bidon. Dans la seconde phase du cycle, l'injection de N2/H2/SiH4/SiF4 est arrêtée. Un flux de gaz dit neutre, par exemple N2, Ar ou H2, est alors injecté dans le bidon. Celui-ci est chauffé à la température de régénération souhaitée (par exemple 400°C). En sortie du réacteur est alors récupéré le gaz neutre chargé en SiF4 libéré par l'adsorbant. Ce flux de gaz est alors dirigé, par exemple, vers des équipements de retraitement. Lorsque la régénération est terminée, le bidon est refroidi et peut-être réutilisé pour l'adsorption. Ce type de cycle est utilisé de manière alternée sur deux bidons ou plus afin qu'il y ait toujours un bidon disponible pour la phase d'adsorption. 2) Cas où le moyen d'adsorption, le réacteur de piéqeaqe 40 est une technoloqie de lit fluidisé. Le mélange gazeux SiH4/SiF4 issu du filtre 14 est injecté dans le moyen 40 d'adsorption contenant un premier réacteur contenant une charge solide d'adsorbant. Par exemple, l'adsorbant est composé de fluorure de sodium en masse ou déposé sur substrat. L'injection du mélange gazeux se fera de façon à créer un régime de bulles : la charge solide est fluidisée mais pas entraînée par le courant gazeux. La réaction suivante aura lieu: SiF4(g) +2NaF(s) Na2SiF6(s) Ce premier lit fluidisé est connecté à un second par un sous-tirage continu de solide en pied de réacteur. L'entraînement de solide à travers la connexion pourra se faire par fluidisation à l'azote ou par un système mécanique de déplacement de solide. Le solide est alors fluidisé par un courant d'azote au-delà de la vitesse de minimum de fluidisation afin de créer un riser : le solide est entraîné par le flux gazeux dans le réacteur jusqu'à son sommet. Afin de régénérer le lit, les parois du réacteur sont chauffées à 400°C pour favoriser la réaction de décomposition de l'hexafluorure de sodium : 0°C 2NaF(s) + SiF4(g) Na2SiF6(s) 15 Le mélange de gaz et de solides est alors séparé par un cyclone : les gaz chargés de tetrafluorosilane SiF4 sont collectés pour traitement alors que le solide sera réinjecté dans le premier réacteur. Pour éviter toute fuite de gaz du cyclone (chargé en SiF4) vers le premier réacteur (chargé en SiH4), la connexion entre le cyclone et le premier réacteur intégrera un siphon dont la perte de charge sera suffisante pour éviter le mélange entre les gaz de qualités différentes.

3) Cas où le moyen d'adsorption, le réacteur de piéqeaqe 40 est une technoloqie de lit dense. L'adsorbant proposé est le fluorure de sodium. Il a été sélectionné pour réagir avec les SiF4 et pour la réversibilité de cette réaction : SiF4(g) +2NaF(s) Na2SiF6(s) Na2SiF6(s) 400°C ~ 2NaF(s) + SiF4(g) L'adsorbant est donc injecté en entrée de réacteur et son écoulement pourra être assuré par son injection continue ou par déplacement mécanique. Il pourra être utilisé en masse ou bien déposé sur substrat. Le mélange gazeux N2/H2/SiH4/SiF4 est injecté à contre-courant de l'écoulement de solides au premier tiers du réacteur. Le flux gazeux traversera ainsi à contre-courant le premier tiers du réacteur, où la réaction entre le fluorure de sodium et le SiF4 pourra avoir lieu. La longueur de cette section du réacteur et la vitesse d'injection du gaz devront être calculées afin que le temps de passage du gaz dans cette section soit suffisant pour que la totalité du SiF4 réagisse. Un flux gazeux N2/H2/SiH4 est ainsi récupéré en tête de réacteur. Au niveau de l'injection du gaz à traiter, le lit dense est ainsi constitué d'un mélange NaF/Na2SiF6. La seconde moitié du réacteur est alors chauffée à 400°C pour favoriser la réaction de régénération de l'adsorbant. Un courant gazeux d'azote est également introduit à co-courant du solide pour contrôler le flux gazeux dans cette seconde moitié du réacteur et éviter que le silane libéré par la régénération ne puisse se mélanger de nouveau au gaz injecté. Une zone tampon entre l'injection du gaz initial et l'injection d'azote peut également être considérée pour maximiser cet effet.

En sortie de réacteur, le lit dense est majoritairement constitué de NaF qui pourra alors être injecté de nouveau en tête de réacteur et le mélange gazeux SiF4/N2 sera collecté pour traitement. Ce moyen de mise en oeuvre du procédé de l'invention est proposé pour un écoulement piston horizontal du lit fluidisé et a également été envisagé pour un réacteur vertical : le solide serait alors injecté au sommet du réacteur et son écoulement se ferait par gravité sans nécessité de moyen mécanique ni d'injection intermédiaire d'azote. 4) Cas où le moyen d'adsorption, le réacteur de piéqeaqe 40 est une technoloqie lit dense multi-étaqé. Dans un lit dense unique, le mélange gazeux N2/H2/SiH4/SiF4 est injecté simultanément avec l'adsorbant en entrée du réacteur et à co-courant de l'écoulement. L'avancement du solide à travers le réacteur sera assuré par son injection continue et par entraînement gazeux. En cas de transport insuffisant, on pourra adjoindre un dispositif de déplacement mécanique. L'adsorbant pourra être utilisé en masse ou bien déposé sur substrat. Dans une première section du réacteur, non chauffée, la réaction entre NaF et SiF4 se déroulera. La longueur de cette section devra être calculée pour atteindre un rendement d'adsorption de 100%. Les paramètres influents seront le débit de solide, le débit de gaz et la teneur en SiF4 du gaz. Un flux gazeux N2/H2/SiH4 est ainsi récupéré en fin de première section. A ce point, le lit est donc constitué d'un mélange NaF/Na2SiF6. La seconde moitié du réacteur est alors chauffée à 400°C pour favoriser la réaction de régénération de l'adsorbant. Une zone tampon entre le début de la zone de chauffe et la sortie du mélange N2/H2/SiH4 est prévue afin d'éviter un reflux du gaz SiF4. On prévoit également une sortie gaz en entrée de la zone de chauffe afin de récupérer les gaz résiduels et le SiF4 présent. En sortie de réacteur, le lit dense est majoritairement constitué de NaF qui pourra alors être injecté de nouveau en tête de réacteur et le gaz, constitué majoritairement de SiF4 sera collecté pour traitement. Cette approche exploitant un seul lit dense requiert une très grande précision de contrôle et de conception du réacteur pour que les zones réactionnelles soient bien définies. Cela implique également une flexibilité moindre du procédé vis-à-vis des variations de débits du gaz ainsi que de la teneur en SiF4 du gaz injecté. Une méthode permettant de s'affranchir de ces inconvénients consiste à adopter un procédé à double lit dense. Cette configuration simplifie la gestion des flux gazeux dans les lits de particules et évite le risque de contamination du flux gazeux nettoyé.

En contrepartie, il requiert l'injection d'azote dans le second lit pour maintenir l'écoulement gazeux et l'entraînement du SiF4 dégagé par régénération de l'adsorbant.

5) Cas où le moyen d'adsorption, le réacteur de piéqeaqe 40 comprend au moins une cartouche rotative d'adsorbants. La cartouche d'adsorbants est constituée de fluorure de sodium compacté et divisée en plusieurs sections, certaines chauffées et d'autres non. Le mélange gazeux N2/H2/SiH4/SiF4 est injecté dans les sections non chauffées pour adsorber le SiF4 qui va réagir et former Na2SiF6. Le gaz purifié N2/H2/SiH4 est ainsi récupéré. L'adsorbant pourra être utilisé en masse ou bien déposé sur substrat. Le principe du système est de tourner à une vitesse donnée autour de son axe central, ce qui permettra ainsi au solide de passer progressivement de zones froides à des zones chauffées à 400°C puis retourner aux zones froides. Ce procédé propose d'adsorber le SiF4 dans la zone froide en injectant le gaz à purifier parallèlement à l'axe. Le solide tournant se charge progressivement en Na2SiF6 et entre progressivement dans les zones chauffées. Une fois la température optimale de régénération de l'adsorbant atteinte (estimée à 400°C), un courant gazeux d'azote préchauffé est injecté parallèlement à l'axe mais à contre-courant de l'injection initiale pour minimiser la migration du SiF4 dans la cartouche. A la sortie de cette zone chauffée, l'adsorbant retourne progressivement à la zone froide d'adsorption en se refroidissant. Pour optimiser ce refroidissement, la vitesse de rotation de la cartouche est le principal paramètre. On peut également accélérer ce refroidissement en prévoyant l'injection d'azote froid dans l'adsorbant, ce qui présenterait l'avantage d'entraîner les traces de SiF4 dans l'adsorbant. Les principaux paramètres de dimensionnement de cette unité seront : • Le débit du flux de gaz N2/H2/SiH4/SiF4 et sa composition ; • La granulométrie du solide NaF ; • La hauteur de la cartouche ; • La vitesse de rotation de la cartouche.

Selon une variante de l'invention, une capacité tampon 18 peut-être installée afin de lisser les variations de flux du mélange circulant dans la canalisation 17 en aval dudit moyen de compression 16. La taille et la manière de connecter cette capacité 16 à la canalisation 17 dépendent des flux utilisés et du mode de fonctionnement désiré. Selon une variante de l'invention, un ou plusieurs systèmes d'élimination d'impuretés pourra être disposé autour du module de compression. En effet, la localisation exacte permettra d'éliminer une majorité d'une ou de plusieurs impuretés préjudiciables à la suite du procédé. La présence de fluorés peut engendrer des problèmes par exemple de corrosion ou de tenue mécanique des matériaux présents dans l'appareil selon l'invention. Le coût peut être aussi élevé si la présence de composés fluorés nécessite l'utilisation de matériaux particulièrement adaptés donc chers. Le compresseur 16 est particulièrement visé par ces possibles problèmes. Alors, un système d'élimination 19 sera de préférence placé en amont du système de compression 16.

Bien entendu, en l'absence d'impuretés préjudiciables, aucun système d'élimination nécessaire n'est à ajouter. Selon une variante de l'invention, un moyen de séparation 19 fonctionnant par exemple sur le principe de l'adsorption (par exemple, PSA, TSA : en anglais, Pressure or Thermal Swing Absorption) est situé en aval du moyen de compression 16 dans le but est d'adsorber les impuretés telles que par exemple H2O, 02 ou des composés fluorés voire chlorés. Dans le conduit 20 en sortie du moyen de séparation 19, circule un mélange azote/silane/hydrogène, la pression étant de quelques bars. Un des objectifs de la présente invention est de recycler des gaz, tels que le silane et l'hydrogène, purs. Par gaz pur on entend des gaz comprenant moins de 100 ppm d'impuretés, par exemple moins de 100 ppm d'azote, voire moins de 1 ppm d'impureté, par exemple moins de 1 ppm d'azote. Ces spécifications dépendent de l'application visée. Or le recyclage à une pression de quelques bars d'un mélange de gaz (silane/hydrogène) comprenant moins de 100 ppm d'azote, de préférence moins de 1 ppm d'azote, issu d'un mélange initial (silane/hydrogène) pouvant contenir jusqu'à 90% d'azote est un problème technique à résoudre par la présente invention. C'est pourquoi, un dispositif de séparation cryogénique 21 est situé en aval dudit conduit 20. Un système cryogénique 21, permet de condenser, voire solidifier, le silane (SiH4) et assure donc la séparation de SiH4. En fonction des conditions de séparation (pression et température), la phase de silane condensée peut contenir plus ou moins d'azote et d'autres produits lourds. Une purification supplémentaire du silane (colonne à distiller ou TSA par exemple) peut être envisagée suivant les spécifications demandées. En particulier, l'obtention d'un taux d'azote inférieur à 1 ppm peut être efficacement obtenue à l'aide d'une colonne à distiller 23 qui est alimentée par le mélange condensé dans le séparateur 21 et circulant dans la canalisation 22. Par exemple, la colonne à distiller 23 peut-être configurée pour permettre d'éliminer les impuretés dites légères par la canalisation 25 et les impuretés dites lourdes par la canalisation 26. Le silane ayant la pureté souhaitée est alors récupéré dans la canalisation 24. Il existe différentes méthodes pour réinjecter le SiH4 purifié dans le réacteur. Soit de manière directe en renvoyant directement le flux dans le système de distribution de SiH4, soit en passant par des capacités tampon voire du remplissage de bouteilles. De manière préférée, la solution selon l'invention met en oeuvre des capacités tampon (27) qui permettent d'adapter les flux de sortie de la colonne à la demande en gaz du système de distribution. En particulier, un système mettant en oeuvre deux capacités tampon en parallèle, permet de remplir une capacité pendant que l'autre se vide et d'avoir donc un découplage total entre le flux de sortie de la colonne et le flux demandé par le système de distribution. Le remplissage de ces capacités peut par exemple se faire par cryo-remplissage, mode bien connu dans le domaine des gaz produits par voies cryogéniques. Selon une variante de l'invention, le silane ainsi recyclé et purifié est réinjecté dans la canalisation 4 via la canalisation 28. Le mélange N2/H2 ressortant à quelques bars, de l'étape de séparation effectuée par le système 21, à travers un conduit 29 peut ensuite être séparé à l'aide d'une membrane 30 pour permettre le recyclage de l'hydrogène H2 si nécessaire. En effet, la distillation du mélange hydrogène/azote n'est pas très aisée du fait des très faibles températures nécessaires. L'obtention d'hydrogène pur avec moins de 100 ppm d'azote, voire moins de 1 ppm d'azote, est classiquement obtenue en utilisant des systèmes basés sur l'adsorption (PSA, adsorption cryogénique ...). Cependant, pour être pleinement opérationnels, ces types d'équipements nécessitent un flux d'entrée ayant des taux d'azote limités (inférieur à environ 20% pour un PSA ou inférieur à 5000 ppm pour un système de cryo-adsorption). L'utilisation d'une membrane permet, à moindre cout, d'appauvrir le mélange en azote de manière à le faire correspondre aux spécifications d'un éventuel système de purification se trouvant en aval. L'azote issu de la séparation avec l'hydrogène pur est de préférence évacué du système (C) au moyen par exemple, d'un évent 31. Une partie de l'azote issu de cette séparation peut également être employé par recyclage pour alimenter la pompe 8, au moyen d'un conduit de recyclage 32. La réutilisation de l'azote n'est probablement financièrement pas pertinente du fait du faible coût de l'azote. On préférera donc mettre l'azote à l'évent 31 plutôt que de le recycler vers la pompe à vide 8 de la chambre de réaction 7. A la sortie de la membrane 30 par laquelle circule l'hydrogène purifié, l'hydrogène sortant de la membrane peut être utilisé pour la régénération du système de séparation 19 via une canalisation non représentée sur la figure 1 ou alors être aussi réinjecté (recyclé) dans la chambre de réaction 7 via une conduite 33 après avoir subit une purification supplémentaire si nécessaire. Cette purification supplémentaire peut se faire, par exemple par PSA ou par cryoadsoprtion en fonction des spécifications de pureté requises. Selon une variante de l'invention, l'hydrogène circulant dans la canalisation 33 est compressé à l'aide d'un moyen de compression 34 puis acheminé vers le système de purification 36 via la canalisation 35. Le fait de compresser le gaz permet d'optimiser la purification. Par exemple, en cas d'utilisation d'un PSA, la pression de fonctionnement de l'ordre de 25 bars.

L'hydrogène ainsi recyclé et purifié peut être, par exemple réinjecté dans la canalisation 5 à l'aide de la canalisation 37. Selon une variante de l'invention, une ou plusieurs capacités 38 peuvent être utilisées afin de stocker l'hydrogène et de découpler ainsi le flux d'hydrogène recyclé du flux demandé par l'application. Selon une autre variante de l'invention, l'hydrogène recyclé peut être réinjecté dans la capacité servant de source d'hydrogène 2. Selon une variante de l'invention, la composition des flux de gaz recyclés peut être contrôlée par un système adéquat (FTIR, catharomètre ...) connecté soit sur les canalisations 28 et/ou 37, soit sur les capacités 27 et/ou 38. Les différentes grandeurs mesurées peuvent ainsi être renvoyées à un système de supervision qui peut agir sur les débits des gaz frais injectés afin de contrôler le procédé. Une autre methode de contrôle de la qualité des gaz recyclés consiste à effectuer un prélèvement des dits gaz sur les lignes 28 et/ou 37 ou dans les capacités 27 et/ou 38, puis de réaliser une analyse ex-situ des ces prélèvements. Selon un mode de l'invention, l'appareil comporte des réservoirs ou chambres de mélanges (non représentés sur la figure 1). Ces chambres sont destinées à mélanger les gaz recyclés avec des gaz purs issus par exemple des sources 1 et 2. Ces types de mélanges permettent, par exemple, d'amortir les fluctuations de qualité de la composition des gaz recyclés à mélanger avant d'être réinjectés dans la chambre de réaction 7. Afin que le mélange silane/hydrogène soit injecté dans la chambre de réaction 7 dans les mêmes proportions que le mélange silane/hydrogène circulant dans les conduits 4 et 5 contenant les gaz issus des sources 1 et 2, le rapport silane sur hydrogène en concentrations est contrôlé avant injection dans la chambre de réaction 7. Selon une variante, le système de séparation cryogénique 21 comprend des échangeurs permettant de réduire la température du mélange. Ces échangeurs sont conçus et dimensionnés afin d'optimiser le bilan énergétique. Le principe repose sur la liquéfaction du silane. Pour ce faire, la température du gaz contenant le silane à liquéfier est conduite à une température inférieure à la température de liquéfaction (température de bulle) du silane en utilisant des échangeurs refroidis en mettant en oeuvre de l'azote étendu par exemple. En effet, il permet facilement de moduler cette température. D'autres sources froides sont utilisables. Ensuite, lorsque le silane se trouve en majorité sous forme liquide, il est nécessaire de séparer les gouttes du gaz résiduaire. On utilise alors un pot de séparation, éventuellement muni d'un ou de plusieurs systèmes de récupération des gouttes afin de récupérer un maximum de gouttes. Une partie de l'azote contenu dans le gaz se liquéfie et/ou se solubilise dans le silane liquide. Or, il est nécessaire de recycler un silane produit de haute pureté, il est donc préférable de purifier ce mélange azote/silane (principalement). De préférence une colonne de distillation dont l'une des sorties sera constituée de silane de haute pureté sera utilisée.

De tels systèmes de séparation cryogénique permettent de mettre en oeuvre le procédé selon l'invention de manière continue.

Claims (11)

1. REVENDICATIONS1. Procédé de capture sélective de tétrafluorure de silicium (SiF4) comprenant au moins l'étape suivante : - Introduction d'un flux gazeux comprenant de 60% à 75% d'azote (N2), de 20% à 35% d'hydrogène (H2), de 1,5% à 4% de silane (SiH4) et de 100 ppm à 0,3% de tétrafluorure de silicium (SiF4), dans un réacteur de piégeage (40) contenant au moins un fluorure de métal ne réagissant qu'avec le SiF4, caractérisé en ce que ledit fluorure de métal est un adsorbant solide de type nF2,nM, où n = 2 lorsque M est un métal alcalin choisi parmi Li, Na, K, Rb, Cs, Fr et n = 1 lorsque M est un métal alcalino terreux choisi parmi Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra.
2. 2. Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que ledit flux gazeux comprend 70% d'azote (N2), 27,9% d'hydrogène (H2), 2% de silane (SiH4) et 0,1% de tétrafluorure de silicium (SiF4).
3. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que l'adsorbant est le fluorure de sodium (NaF).
4. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape de régénération dudit adsorbant solide par activation thermique à une température supérieure ou égale à 400°C, sous balayage d'un gaz neutre tel que N2, H2, Ar, He ou tout autre gaz neutre vis-à-vis de la réaction ayant lieu dans le réacteur.
5. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le réacteur de piégeage (40) comporte au moins un réacteur fluidisé, contenant ledit adsorbant solide de type nF2,nM.
6. 6. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le réacteur de piégeage (40) contient deux réacteurs fluidisés en série de manière à régénérer dans le second réacteur l'adsorbant en provenance du premier réacteur où il adsorbe le SiF4.
7. 7. Procédé de recyclage de silane comprenant les étapes successives suivantes: a) Injection d'un mélange silane pur/hydrogène pur (SiH4/H2) dans une chambre de réaction (7) pour fabriquer des couches minces contenant du silicium ; b) Extraction du mélange : excès de silane non utilisé à l'étape a) / hydrogène (SiH4/H2), au moyen d'une pompe (8) mettant en oeuvre l'azote comme gaz d'alimentation ; c) Refoulement de ladite pompe (8) à une pression proche de la pression atmosphérique, d'un mélange comprenant au moins du silane (SiH4), de l'hydrogène (H2), du tétrafluorure de silicium (SiF4) et une quantité non nulle d'azote; d) procédé de séparation du tétrafluorure de silicium (SiF4) du mélange silane/hydrogène/azote issus du mélange issu de l'étape c) selon l'une des revendications 1 à 6; caractérisé en ce qu'au moins 50%, de préférence 70%, et de préférence encore 80% du silane (SiH4) issu de l'étape b) est réutilisé après l'étape d) pour une nouvelle étape a).
8. 8. Procédé de recyclage de silane et d'hydrogène selon la revendication 7 comprenant en outre une étape de: e) Séparation du silane (SiH4) du mélange hydrogène/azote issu du mélange issu de l'étape d), ledit silane obtenu comprenant moins de 100 ppm d'azote, de préférence moins de 10 ppm d'azote, de préférence moins de 1 ppm d'azote.
9. 9. Procédé selon l'une des revendications 7 et 8, caractérisé en ce que le flux de silane (SiH4) issu de l'étape e) contient moins de 10 ppm de tétrafluorure de silicium (SiF4), et de préférence moins de 1 ppm.
10. 10. Procédé selon l'une des revendications 7 à 9 comprenant en outre une étape de: f) Purification de l'hydrogène (H2) issu de l'étape e) telle que le taux d'azote dans l'hydrogène n'est pas supérieur à 100 ppm, de préférence pas supérieur à 10 ppm et de préférence encore pas supérieur à 1 ppm;caractérisé en ce qu'au moins 50% de l'hydrogène (H2) et de préférence au moins 85% de l'hydrogène issu de l'étape b) est réutilisé après l'étape f) pour une nouvelle étape a).
11. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 10, caractérisé en ce que l'étape e) est effectuée par séparation et/ou distillation cryogénique.10