FR2950482A1 - Procede pour generer une difference de potentiel a l'aide d'une couche mince de graphene, et dispositifs faisant application - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 43
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 17
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 23
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- AKUCEXGLFUSJCD-UHFFFAOYSA-N indium(3+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Se-2].[In+3].[In+3] AKUCEXGLFUSJCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013087 polymer photovoltaic Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
L'invention es relative à un procédé pour produire une différence de potentiel électrique entre deux bornes, comprenant l'étape d'éclairer, au moyen d'un rayonnement électromagnétique rayonnant au moins dans l'infrarouge, une couche mince de graphène électriquement reliée auxdites bornes.
Description
L'invention est relative à un procédé pour générer une différence de potentiel à l'aide d'une couche mince de graphène, ainsi qu'à des dispositifs faisant application.
ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE On connaît des dispositifs photovoltaïques, notamment des cellules généralement constituées de semi-conducteurs, principalement à base de silicium et plus rarement d'autres semi-conducteurs, tels que le sélénure de cuivre et d'indium ou le tellurure de cadmium. Le dispositif comporte une couche dopée P recouverte d'une couche dopée N, et l'éclairage des couches par un rayonnement électromagnétique dans le visible provoque l'apparition d'une différence de potentiel entre des bornes reliées respectivement à chacune des couches. D'autres dispositifs photovoltaïques sont également connus, à base de polymères. OBJET DE L'INVENTION L'invention a pour objet de proposer un nouveau procédé de génération d'une différence de potentiel au moyen de graphène. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION En vue de la réalisation de ce but, on propose un procédé pour produire une différence de potentiel électrique entre deux bornes, comprenant l'étape d'éclairer au moyen d'un rayonnement électromagnétique rayonnant au moins dans l'infrarouge une couche mince de graphène électriquement reliée auxdites bornes. La couche mince de graphène (typiquement une ou quelques épaisseurs atomiques) est ainsi utilisée directement comme un élément actif générant une différence de potentiel.
On notera que l'utilisation de graphène dans les dispositifs photovoltaïques a déjà été envisagée, comme dans T. Oka, H. Aoki, "Photovoltaic hall effect in graphene", Physical Review B, Vol. 79, pp. 81406, 2009, ou dans Q. Liu, Z. Liu, X. Zhang, L. Yang, N. Zhang, G. Pan, S. Yin, Y. Chen, J. Wei, "Polymer photovoltaic cells based on solution-processable graphene and P3HT", Advanced Functional Materials, Vol. 19, pp. 894-904, 2009. Cependant, dans ces publications, le graphène n'est utilisé que comme conducteur électrique ou comme support, mais n'est pas exploité comme l'élément actif du dispositif photovoltaïque. DESCRIPTION DE QUELQUES APPLICATIONS DE L'INVENTION Les inventeurs ont en effet constaté que l'éclairage d'un échantillon de graphène par une source infrarouge donne lieu à l'apparition d'une différence de potentiel entre deux bornes auxquelles l'échantillon de graphène est électriquement relié. En pratique, cet effet peut être constaté simplement par l'expérience suivante. Un échantillon de graphène en couche mince est préparé et fixé sur un substrat borosillicaté, selon par exemple le procédé décrit dans « Graphene made easy », Abhay Shukla et al, Solid State Communications 149 (2009), pp. 718-721. Cet échantillon comporte une ou quelques couches monoatomiques. On approche deux sondes à extrémités en tungstène jusqu'au contact du graphène. Les sondes font office de bornes électriques. Puis l'échantillon est éclairé au moyen d'un laser rayonnant dans l'infrarouge. On mesure alors une différence de potentiel entre les deux sondes qui dépend de l'intensité du rayonnement et de la surface éclairée. Si on connecte les sondes à un circuit électrique, on constate la circulation d'un courant électrique.
Le procédé de l'invention est alors susceptible d'être mis en œuvre dans diverses applications, exploitant la variation de caractéristiques électriques du graphène, et notamment sa conductivité électrique apparente, lors de son éclairage par un rayonnement électromagnétique infrarouge. Dans une première application, on réalise un capteur infrarouge en insérant un tel échantillon de graphène dans un circuit électrique de façon à produire un signal électrique dont une caractéristique (tension, intensité) dépend directement de la quantité de rayonnement infrarouge frappant l'échantillon de graphène. On exploite ainsi la variation de conductivité électrique apparente du graphène causée par son éclairage par un rayonnement infrarouge. Les variations du signal électriques peuvent alors être exploitées pour commander des dispositifs variés. On peut ainsi réaliser des récepteurs infrarouges, par exemple pour des télécommandes.
A cet effet, on recouvre un support d'une couche mince de graphène, et des bornes électriques (ou électrodes) sont avantageusement réalisées par pulvérisation locale d'encre chargée de particules métalliques, par exemple de l'or, en deux zones de l'échantillon de graphène. Il suffit alors de relier ces bornes à un circuit électrique permettant de faire circuler un courant dont les caractéristiques dépendent de la conductivité électrique apparente de l'échantillon de graphène, elle-même dépendant de la quantité de rayonnement infrarouge que l'échantillon de graphène reçoit. Dans une deuxième application, on revêt un support susceptible d'être chauffé par une source de chaleur d'une couche mince de graphène et on recueille la différence de potentiel à des bornes reliées à la couche mince en réponse à une exposition de l'élément aux rayonnements infrarouges émis par la source de chaleur. Ainsi, et selon cette application, on exploitera avantageusement des vitrages de bâtiments ou de véhicules revêtus au moins localement d'une couche de graphène permettant de générer de l'électricité sous l'effet de la chaleur rayonnée par le soleil sous forme infrarouge, ou par tout autre source de chaleur. La couche de graphène est mince et ne diminue que de manière infime la transparence du vitrage aux rayonnements visibles. Dans une troisième application, on recouvre d'une couche mince de graphène une cellule photovoltaïque, pour rendre celle-ci sensible au rayonnement infrarouge et ainsi augmenter le potentiel de production d'électricité de la cellule photovoltaïque. A cet effet, la couche de graphène est électriquement reliée au reste de la cellule de sorte que la différence de potentiel générée par la couche de graphène en réponse à son éclairage par la partie infrarouge du rayonnement s'ajoute à la différence de potentiel générée par la cellule photovoltaique proprement dite en réponse à son éclairage par la partie visible du rayonnement. On augmente ainsi très facilement le rendement des cellules photovoltaïques classiques. En outre, le graphène peut lui-même servir d'électrode de la cellule photovoltaïque, ce qui en augmente encore l'intérêt de son utilisation dans les dispositifs photovoltaïques. Dans une quatrième application, on identifie le nombre de couches atomiques composant un échantillon de graphène en éclairant une zone donnée de l'échantillon de graphène au moyen d'un rayonnement infrarouge pour générer une différence de potentiel induite. On quantifie alors la responsivité du graphène, c'est-à-dire le nombre de volts généré par watt de puissance délivrée par le laser, qui dépend du nombre de couches atomiques constituant l'échantillon à l'endroit soumis au rayonnement infrarouge. A cet effet, et selon un mode préféré de mise en œuvre, on soumet l'échantillon à l'impact d'un rayonnement laser infrarouge ciblé sur la région de l'échantillon à explorer, et on mesure aux bornes de l'échantillon les évolutions de la différence de potentiel résultant de cet éclairage. Les bornes sont avantageusement matérialisées par les pointes de deux sondes métalliques approchées au contact de l'échantillon de graphène. On en déduit la responsivité du graphène. La responsivité dépend directement de l'épaisseur de l'échantillon à l'endroit éclairé, et donc du nombre de couches monoatomiques, qu'il est donc simple de déterminer. Cette méthode est très simple à mettre en œuvre et remplace avantageusement l'identification de nombre de couches atomiques par spectroscopie Raman. L'invention n'est pas limitée à ce qui vient d'être décrit et englobe toute variante entrant dans le cadre défini par les revendications.
Claims (5)
- REVENDICATIONS1. Procédé pour produire une différence de potentiel électrique entre deux bornes, comprenant l'étape d'éclairer, au moyen d'un rayonnement électromagnétique rayonnant au moins dans l'infrarouge, une couche mince de graphène électriquement reliée auxdites bornes.
- 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche mince de graphène est déposée sur un substrat transparent formant vitrage, de sorte à produire une différence de potentiel en réponse à l'éclairage du vitrage par le soleil.
- 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche mince de graphène est déposée sur un élément photovoltaïque apte à générer une différence de potentiel en réponse à son éclairage par un rayonnement dans le visible, la couche mince de graphène et l'élément photovoltaïque étant reliés de sorte que la différence de potentiel générée par la couche mince de graphène en réponse à son éclairage par un rayonnement dans l'infrarouge s'ajoute à la différence de potentiel générée par l'élément photovoltaïque en réponse à son éclairage par un rayonnement dans le visible.
- 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel on relie les bornes à un circuit électrique pour générer un signal électrique ayant une caractéristique dépendant d'une intensité du rayonnement infrarouge auquel l'échantillon de graphène est soumis.
- 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel on quantifie la responsivité du graphène pour déterminer le nombre de couches monoatomiques dans la partie du graphène éclairée par le rayonnement infrarouge.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0904466A FR2950482A1 (fr) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | Procede pour generer une difference de potentiel a l'aide d'une couche mince de graphene, et dispositifs faisant application |
| PCT/EP2010/005746 WO2011032726A1 (fr) | 2009-09-18 | 2010-09-20 | Procede pour generer une difference de potentiel a l'aide d'une couche mince de graphene, et dispositifs faisant application |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0904466A FR2950482A1 (fr) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | Procede pour generer une difference de potentiel a l'aide d'une couche mince de graphene, et dispositifs faisant application |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2950482A1 true FR2950482A1 (fr) | 2011-03-25 |
Family
ID=42139012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR0904466A Pending FR2950482A1 (fr) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | Procede pour generer une difference de potentiel a l'aide d'une couche mince de graphene, et dispositifs faisant application |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2950482A1 (fr) |
| WO (1) | WO2011032726A1 (fr) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070137697A1 (en) * | 2005-08-24 | 2007-06-21 | The Trustees Of Boston College | Apparatus and methods for solar energy conversion using nanoscale cometal structures |
| WO2008112639A2 (fr) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Cellules photovoltaiques a base de graphite |
-
2009
- 2009-09-18 FR FR0904466A patent/FR2950482A1/fr active Pending
-
2010
- 2010-09-20 WO PCT/EP2010/005746 patent/WO2011032726A1/fr active Application Filing
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070137697A1 (en) * | 2005-08-24 | 2007-06-21 | The Trustees Of Boston College | Apparatus and methods for solar energy conversion using nanoscale cometal structures |
| WO2008112639A2 (fr) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Cellules photovoltaiques a base de graphite |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ZHU H ET AL: "Applications of carbon materials in photovoltaic solar cells", SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS, AMSTERDAM, NL LNKD- DOI:10.1016/J.SOLMAT.2009.04.006, vol. 93, no. 9, 1 September 2009 (2009-09-01), pages 1461 - 1470, XP026251021, ISSN: 0927-0248, [retrieved on 20090509] * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2011032726A1 (fr) | 2011-03-24 |
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