FR2911447A1

FR2911447A1 - Reconfigurable power amplifier e.g. class AB power amplifier, for mobile telephone set, has CPU with bias circuits adapting to gain of pilotage and power stages to increase power added efficiency of stages for modified compression points

Info

Publication number: FR2911447A1
Application number: FR0752699A
Authority: FR
Inventors: Didier Belot; Yann Deval; Nathalie Deltimple; Eric Kerherve; Pierre Jarry
Original assignee: STMicroelectronics SA
Current assignee: STMicroelectronics SA
Priority date: 2007-01-16
Filing date: 2007-01-16
Publication date: 2008-07-18
Anticipated expiration: 2027-01-16
Also published as: WO2008099113A3; FR2911447B1; US20100109770A1; EP2102981A2; WO2008099113A2; JP2010516214A; JP5095755B2; US8115547B2

Abstract

The amplifier has a CPU for controlling a pilotage stage and a power stage based on a high frequency input signal (RFin), which is applied to the CPU. The CPU has bias circuits (4, 5) for modifying compression points of the stages, where the bias circuits adapt to gain of the stages to increase a power added efficiency of the stages for the modified compression points. The bias circuits respectively adapt to function of the stages. Switches (7, 8) selectively connect a capacitor (C') and an inductor (L') that are mounted in parallel to an output of the power stage.

Description

Amplificateur de puissance reconfigurable et utilisation d'un telReconfigurable power amplifier and use of such

amplificateur pour la réalisation d'un étage d'amplification multistandard pour la téléphonie mobile L'invention se rapporte aux amplificateurs de puissance à haute fréquence et concerne plus particulièrement les amplificateurs de puissance reconfigurables. Une application particulièrement intéressante de tels amplificateurs concerne l'élaboration d'un étage d'amplification pour poste de téléphonie mobile et, plus particulièrement, la conception d'amplificateurs de puissance reconfigurables multistandard, c'est-à-dire capable de s'adapter aux spécifications de différents standards de télécommunications. Ainsi, par exemple, un tel amplificateur de puissance reconfigurable doit pouvoir être capable de fonctionner aussi bien selon les standards UMTS (WCDMA) que selon les standards GSM, DCS ou PCS. La notion de reconfigurabilité indique que ces amplificateurs doivent être capables de modifier dynamiquement leurs propriétés en fonction du standard utilisé à un moment donné mais également du niveau de puissance d'un signal incident qui lui est appliqué afin qu'il travaille à un niveau de puissance optimum. En effet, selon certains standards, en particulier les standards GSM et GSM 1800 (DCS), en raison du type de modulation utilisée, la puissance des signaux est relativement élevée, ce qui implique une contrainte particulière pour les applications RF. C'est ainsi que le but de l'invention est de proposer un amplificateur de puissance reconfigurable, en particulier en puissance, afin de répondre dynamiquement aux contraintes spécifiques qui lui sont imposées. L'invention a donc pour objet, selon un premier aspect, un amplificateur de puissance reconfigurable, comprenant au moins un circuit d'amplification et des moyens de commande dudit circuit d'amplification pour adapter son fonctionnement selon un signal d'entrée qui lui est appliqué. Selon une caractéristique générale de cet amplificateur, les moyens de commande comprennent des moyens pour modifier le point de compression dudit circuit d'amplification et pour adapter le gain du circuit de manière à augmenter le rendement à puissance ajoutée (PAE pour Power Added Efficiency, en anglais) du circuit pour le point de compression modifié. Ainsi, on fait varier le point de compression de manière à adapter la linéarité de l'amplificateur en fonction des conditions de fonctionnement et l'on modifie dynamiquement la PAE de manière à obtenir une PAE maximale au point de compression modifié. I1 a en effet été constaté que le rendement de l'amplificateur est maximum pour le maximum de puissance de sortie, le rendement étant plus faible pour des niveaux de puissance de sortie plus faibles. Régler la PAE maximale au niveau du point de compression modifié permet ainsi d'améliorer le rendement de l'amplificateur aux faibles puissances. Selon une autre caractéristique de l'invention, les moyens de commande comprennent des moyens pour adapter le niveau d'un courant de polarisation appliqué audit circuit. De préférence, l'amplificateur de puissance est un amplificateur bi-étagé et comporte un premier étage d'amplification et un deuxième étage d'amplification. Les moyens de commande comprennent alors des premier et deuxième moyens de commande pour adapter respectivement le fonctionnement des premier et deuxième étages d'amplification. Ainsi, par exemple, les premiers moyens de commande comprennent des moyens pour adapter le point de compression du premier étage. En ce qui concerne les deuxièmes moyens de commande, ceux-ci comprennent avantageusement des moyens pour adapter le gain du deuxième étage. The invention relates to high frequency power amplifiers and more particularly relates to reconfigurable power amplifiers. A particularly interesting application of such amplifiers relates to the development of a amplification stage for a mobile telephone station and, more particularly, the design of reconfigurable power amplifiers multistandard, that is to say able to adapt to the specifications of different telecommunication standards. Thus, for example, such a reconfigurable power amplifier must be able to operate as well according to UMTS standards (WCDMA) and according to GSM, DCS or PCS standards. The concept of reconfigurability indicates that these amplifiers must be able to dynamically modify their properties according to the standard used at a given time but also the power level of an incident signal applied to it so that it works at a power level. optimum. Indeed, according to certain standards, in particular the GSM and GSM 1800 (DCS) standards, because of the type of modulation used, the power of the signals is relatively high, which implies a particular constraint for RF applications. Thus, the aim of the invention is to propose a reconfigurable power amplifier, in particular power, in order to respond dynamically to the specific constraints imposed on it. The object of the invention is therefore, according to a first aspect, a reconfigurable power amplifier, comprising at least one amplification circuit and means for controlling said amplification circuit to adapt its operation according to an input signal which is applied. According to a general characteristic of this amplifier, the control means comprise means for modifying the compression point of said amplification circuit and for adapting the gain of the circuit so as to increase the power-added efficiency (PAE) for English) of the circuit for the modified compression point. Thus, the compression point is varied so as to adapt the linearity of the amplifier as a function of the operating conditions and the PAE is dynamically modified so as to obtain a maximum PAE at the modified compression point. It has indeed been found that the efficiency of the amplifier is maximum for the maximum power output, the efficiency being lower for lower power output levels. Setting the maximum PAE at the modified compression point thus improves the performance of the amplifier at low power. According to another characteristic of the invention, the control means comprise means for adapting the level of a bias current applied to said circuit. Preferably, the power amplifier is a two-stage amplifier and comprises a first amplification stage and a second amplification stage. The control means then comprise first and second control means for respectively adapting the operation of the first and second amplification stages. Thus, for example, the first control means comprise means for adapting the compression point of the first stage. As regards the second control means, these advantageously comprise means for adapting the gain of the second stage.

Selon une autre caractéristique de l'invention, l'amplificateur comporte en outre des moyens pour modifier la classe d'amplification dudit circuit d'amplification. Dans un mode de réalisation, ces moyens comprennent des moyens pour modifier l'impédance équivalente d'un réseau de sortie du circuit. Par exemple, l'amplificateur comporte ainsi des moyens de commutation pour raccorder sélectivement une capacité et une inductance montée en parallèle à la sortie du circuit. According to another characteristic of the invention, the amplifier further comprises means for modifying the amplification class of said amplification circuit. In one embodiment, these means comprise means for modifying the equivalent impedance of an output network of the circuit. For example, the amplifier thus comprises switching means for selectively connecting a capacitance and an inductance connected in parallel with the output of the circuit.

En ce qui concerne les moyens pour adapter le niveau du courant de polarisation, ceux-ci comprennent avantageusement, dans un mode de réalisation, un ensemble de sources de courant sélectivement raccordables en parallèle les unes aux autres. D'autres buts, caractéristique et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description suivante, donnée uniquement à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 est un tableau illustrant les spécifications de différents standards de télécommunication (GSM, DCS et UMTS) ; - la figure 2 est un schéma synoptique illustrant la structure générale d'un amplificateur de puissance reconfigurable conforme à l'invention ; - la figure 3 illustre le principe général de la compensation dynamique mise en oeuvre au sein de l'amplificateur de la figure 1 ; - la figure 4 est un schéma synoptique illustrant l'élaboration du courant de polarisation des circuits d'amplification de l'amplificateur de la figure 2 ; - les figures 5 et 6 illustrent la variation du point de compression du premier étage d'amplification de l'amplificateur de la figure 2 ; et - les figures 7 et 8 illustrent l'évolution de la puissance additionnée efficace de l'amplificateur de la figure 2. As regards the means for adapting the level of the bias current, these advantageously comprise, in one embodiment, a set of current sources selectively connectable in parallel to each other. Other objects, features and advantages of the invention will appear on reading the following description, given solely by way of nonlimiting example, and with reference to the appended drawings in which: FIG. 1 is a table illustrating the specifications of different telecommunication standards (GSM, DCS and UMTS); FIG. 2 is a block diagram illustrating the general structure of a reconfigurable power amplifier according to the invention; FIG. 3 illustrates the general principle of dynamic compensation implemented within the amplifier of FIG. 1; FIG. 4 is a block diagram illustrating the development of the bias current of the amplification circuits of the amplifier of FIG. 2; FIGS. 5 and 6 illustrate the variation of the compression point of the first amplification stage of the amplifier of FIG. 2; and FIGS. 7 and 8 illustrate the evolution of the effective added power of the amplifier of FIG. 2.

En se référant tout d'abord à la figure 1, un amplificateur de puissance reconfigurable doit satisfaire à plusieurs exigences spécifiques à chaque standard de télécommunication selon lequel il est destiné à fonctionner. Referring first to FIG. 1, a reconfigurable power amplifier must satisfy several requirements specific to each telecommunication standard according to which it is intended to operate.

Les standards actuels utilisent en effet des modulations de types différents qui impliquent des différences en ce qui concerne les formes des signaux RF véhiculés. A titre d'exemple, les standards GSM et GSM 1800 (DCS) utilisent une modulation de type GMSK ( Gaussian Minimum Shift Keying , en anglais) tandis que le standard UMTS utilise la modulation QPSK ( Quaternary Phase Shift Keying , en anglais). En ce qui concerne le standard UMTS, les signaux transmis ont une enveloppe non constante, ce qui signifie que l'enveloppe du signal RF varie en fonction du temps. Mais elle doit être préservée afin d'éviter que l'information qu'elle contient ne soit altérée. I1 est donc nécessaire que les amplificateurs RF utilisés pour le traitement des signaux présentent une bonne linéarité afin d'éviter que n'apparaisse une distorsion de l'enveloppe au cours de l'amplification. Mais les exigences en termes de puissance de sortie sont moins contraignantes. Current standards indeed use different types of modulation that imply differences in the forms of the RF signals conveyed. By way of example, the GSM and GSM 1800 (DCS) standards use GMSK (Gaussian Minimum Shift Keying) modulation whereas the UMTS standard uses QPSK (Quaternary Phase Shift Keying). As far as the UMTS standard is concerned, the transmitted signals have a non-constant envelope, which means that the envelope of the RF signal varies as a function of time. But it must be preserved in order to prevent the information contained in it from being altered. It is therefore necessary that the RF amplifiers used for the signal processing have good linearity in order to avoid the appearance of distortion of the envelope during the amplification. But the demands in terms of power output are less restrictive.

Au contraire, en ce qui concerne les standards GSM et GSM 1800 (DCS), selon la modulation GMSK utilisée, l'enveloppe est relativement constante de sorte qu'il n'est pas nécessaire de prévoir une amplification ayant une très grande linéarité. Par contre, comme l'indique le tableau visible que la figure 1, la puissance de sortie doit être relativement élevée. Afin de réduire la consommation, ce qui est un critère relativement contraignant lorsqu'il s'agit de réaliser un amplificateur de puissance reconfigurable pour poste de téléphonie mobile, l'efficacité de l'ampli et son rendement doivent être suffisants. On the contrary, with regard to the GSM and GSM 1800 (DCS) standards, according to the GMSK modulation used, the envelope is relatively constant so that it is not necessary to provide an amplification having a very high linearity. On the other hand, as indicated by the visible table as in FIG. 1, the output power must be relatively high. In order to reduce the consumption, which is a relatively restrictive criterion when it comes to realizing a reconfigurable power amplifier for a mobile telephone station, the efficiency of the amplifier and its efficiency must be sufficient.

C'est la raison pour laquelle on utilise généralement des classes de fonctionnement sinusoïdales, en particulier des amplificateurs de puissance de classe A ou de classe AB pour la réalisation d'étages de puissance pour poste de télécommunication destiné à fonctionner selon le standard UMTS, en raison de leur bonne linéarité, tandis que l'on utilise plutôt des amplificateurs de puissance de classe F pour l'élaboration d'étages de puissance pour équipements de télécommunication destinés à fonctionner selon les standards GSM, DCS ou PCS. This is why sinusoidal operating classes, in particular class A or class AB power amplifiers, are generally used for the realization of power stages for a telecommunications station intended to operate according to the UMTS standard, in Because of their good linearity, whereas class F power amplifiers are used instead for the development of power stages for telecommunications equipment designed to operate according to the GSM, DCS or PCS standards.

On a représenté sur la figure 2 un amplificateur de puissance reconfigurable capable de répondre aux contraintes spécifiques de chaque standard et, en particulier, de privilégier soit le critère de linéarité, soit le critère de rendement, en fonction du standard utilisé. Comme cela sera détaillé par la suite, cet amplificateur de puissance à haute fréquence est adapté pour modifier, de manière dynamique, le point de compression (CP) du ou des étages d'amplification qu'il comporte et de modifier la classe d'amplification de ces étages afin, soit d'améliorer la linéarité de l'amplificateur, soit d'améliorer le rendement. FIG. 2 shows a reconfigurable power amplifier capable of responding to the specific constraints of each standard and, in particular, of privileging either the linearity criterion or the efficiency criterion, depending on the standard used. As will be detailed below, this high frequency power amplifier is adapted to dynamically modify the compression point (CP) of the amplifier stage (s) it comprises and to modify the amplification class. of these stages in order either to improve the linearity of the amplifier or to improve the efficiency.

Dans l'exemple de réalisation représenté à la figure 2, l'amplificateur comporte deux étages d'amplification E l et E2 constituant l'un un étage de pilotage (El) et l'autre un étage de puissance (E2). Comme cela est classique, chaque étage comprend un transistor, respectivement Qd et Qp. Comme on le voit sur la figure, le transistor Qd du premier étage El est associé à deux inductances L11 et L12 raccordées l'une à une source de tension continue Vcc et l'autre à la masse. De même, le transistor Qp est associé à deux inductances L21 et L22 raccordées l'une à la tension Vcc et l'autre à la masse. L'électrode de commande du transistor Qd du premier étage reçoit un signal RF,,, à haute fréquence par l'intermédiaire d'un réseau d'adaptation d'entrée 1. Le noeud commun entre l'inductance L11 et le transistor Qd est raccordé à l'électrode de commande du transistor Qp du deuxième étage 2 par l'intermédiaire d'un réseau d'adaptation inter-étages 2 conventionnel. In the exemplary embodiment shown in FIG. 2, the amplifier comprises two amplification stages E 1 and E 2 constituting one a driving stage (E1) and the other a power stage (E2). As is conventional, each stage comprises a transistor, respectively Qd and Qp. As can be seen in the figure, the transistor Qd of the first stage E1 is associated with two inductors L11 and L12 connected to a DC voltage source Vcc and the other to ground. Similarly, the transistor Qp is associated with two inductors L21 and L22 connected to one voltage Vcc and the other to ground. The control electrode of the transistor Qd of the first stage receives a high frequency signal RF ,, via an input matching network 1. The common node between the inductor L11 and the transistor Qd is connected to the control electrode of the transistor Qp of the second stage 2 via a conventional interstage matching network 2.

Le noeud commun entre l'inductance L21 et le transistor Qp fournit un signal amplifié S par l'intermédiaire d'un réseau de sortie 3 comprenant, essentiellement, un réseau RLC. Par ailleurs, chaque étage est pourvu d'un circuit de polarisation, respectivement 4 et 5, servant à polariser le transistor Qd ou Qp. L'amplificateur est complété par une unité de traitement 6 recevant, en entrée, le signal RF,,, et pilotant les circuits de polarisation 4 et 5 pour polariser les transistors Qd et Qp des étages d'amplification El et E2 en fonction du signal d'entrée impliqué à l'amplificateur. Plus particulièrement, le premier circuit de polarisation 4 du premier étage El est adapté pour élaborer un courant de polarisation Ibiasd destiné à l'électrode de commande du transistor Qd afin de faire varier son point de compression (CP). Le deuxième circuit de polarisation 5 du deuxième étage E2 est, quant à lui, destiné à élaborer un courant de polarisation Ibiasp destiné au deuxième transistor Qp. En outre, l'unité de traitement 6 agit sur le réseau de sortie 3 afin de modifier la classe de fonctionnement de l'étage de puissance en modifiant l'impédance équivalente de ce réseau de sortie 3. Ainsi, selon l'amplificateur visible sur la figure 2, il s'agit essentiellement de modifier le point de compression de l'amplificateur et la classe de fonctionnement afin soit d'améliorer la linéarité, soit d'améliorer le rendement à puissance ajoutée (PAE). Ce paramètre de fonctionnement PAE est en effet constitué par le rapport entre la puissance ajoutée, c'est-à-dire la différence linéaire entre la puissance de sortie et la puissance d'entrée, à une fréquence RF désirée sur le produit de la somme des courants traversant chaque étage et de la tension continue Vcc. En d'autres termes, la PAE est donnée, pour un amplificateur à deux étages, par la relation suivante : PRF (out) ùP() 7 (1) dans laquelle : - PRF(out) désigne la puissance de sortie de l'amplificateur à la fréquence RF ; - P,(in) désigne la puissance du signal d'entrée RF,,, ; et - I1 et I2 désignent les courants traversant les transistors Qd et Qp. The common node between the inductor L21 and the transistor Qp provides an amplified signal S via an output network 3 essentially comprising an RLC network. Furthermore, each stage is provided with a bias circuit, respectively 4 and 5, for biasing the transistor Qd or Qp. The amplifier is completed by a processing unit 6 receiving, as input, the signal RF ,,, and driving the bias circuits 4 and 5 to bias the transistors Qd and Qp of the amplification stages E1 and E2 as a function of the signal input involved with the amplifier. More particularly, the first bias circuit 4 of the first stage El is adapted to develop a bias current Ibiasd for the control electrode of the transistor Qd in order to vary its compression point (CP). The second bias circuit 5 of the second stage E2 is, in turn, for developing a bias current Ibiasp for the second transistor Qp. In addition, the processing unit 6 acts on the output network 3 in order to modify the operating class of the power stage by modifying the equivalent impedance of this output network 3. Thus, according to the amplifier visible on Figure 2 essentially changes the compression point of the amplifier and the class of operation to either improve the linearity or to improve the power efficiency (PAE). This PAE operating parameter is in fact constituted by the ratio between the added power, that is to say the linear difference between the output power and the input power, at a desired RF frequency on the product of the sum currents flowing through each stage and DC voltage Vcc. In other words, the PAE is given, for a two-stage amplifier, by the following relation: PRF (out) ùP () 7 (1) in which: - PRF (out) designates the output power of the RF amplifier; - P, (in) denotes the power of the RF input signal ,,,; and - I1 and I2 denote currents flowing through transistors Qd and Qp.

Comme indiqué précédemment, les amplificateurs de classe sinusoïdale, tels que les amplificateurs de classe A, B, AB et C présentent une bonne linéarité mais un rendement relativement faible. Au contraire, les transistors de commutation, de classe D, E et F selon laquelle les transistors fonctionnent en mode de commutation, présentent une moins bonne linéarité mais un rendement plus important. C'est la raison pour laquelle on utilise généralement en standard UMTS un amplificateur de classe A pour réaliser l'étage de pilotage et un amplificateur de classe AB pour réaliser l'étage de puissance, tandis qu'il est préférable d'utiliser un amplificateur de classe AB pour réaliser l'étage de pilotage et un amplificateur à haut rendement (classe F) pour réaliser l'étage de puissance en standard GSM, DCS ou PCS. Afin de pouvoir faire fonctionner l'amplificateur en multistandard, il est souhaitable de pouvoir faire passer la configuration classe A/classe AB en classe AB/classe F. Dans la suite de la description, on considérera ainsi qu'il s'agit essentiellement de pouvoir dynamiquement faire passer la configuration d'un amplificateur bi-étagé des classes A/AB en classe AB/F. Mais l'invention s'applique également mutatis mutandis à la reconfiguration d'amplificateurs de puissance fonctionnant selon d'autres standards de télécommunications. PAE = (Il+12)'Vcc Les architectures des transistors des classes AB et F sont relativement proches. Elles ne diffèrent essentiellement que de par leur point de polarisation et leur impédance de sortie. Ainsi, en agissant sur le courant de polarisation Ibiasd et Ibiasp et en modifiant la configuration de l'étage de sortie, il est possible de modifier la classe de fonctionnement de chaque transistor Qd et Qp. En se référant à la figure 3, sur laquelle la courbe I désigne l'évolution de la puissance de sortie Pout en fonction de la puissance d'entrée Pin et la courbe II désigne l'évolution de la PAE en fonction de la puissance d'entrée, l'amplificateur, et en particulier le circuit de polarisation 4 du premier étage El modifie le courant de polarisation Ibiasd du transistor Qd de manière à abaisser le point de compression CP1 correspondant à un point de fonctionnement (Pour, a ; Pin, a) vers le point de fonctionnement CP1', correspondant au point de fonctionnement (Pour, b ; Pin, b) comme illustré par la flèche F. Mais, comme cela est connu en soi, la PAE est maximale pour le maximum de puissance de sortie, tandis que pour les niveaux de puissance plus bas, le rendement est plus faible. Aussi, la modification du point de compression est combinée à une compensation de gain afin d'ajuster la courbe de PAE de manière à obtenir une PAE maximale au point de compression CP1' ainsi modifié. En se référant aux figures 4 et 5 et à la figure 6, sur laquelle OCP1 et ICP1 désignent respectivement la puissance de sortie et la puissance d'entrée au point de compression à 1 dB, comme précédemment indiqué, la variation du point de compression est obtenue en modifiant le courant de polarisation Ibiasd• Par exemple, le circuit de polarisation 4 peut être constitué par une succession de sources de courant Il, I2, ...In agencées en parallèle et associées chacune à un commutateur Cl, C2, C3, As previously indicated, sinusoidal class amplifiers, such as class A, B, AB and C amplifiers exhibit good linearity but relatively low efficiency. In contrast, the switching transistors, of class D, E and F, in which the transistors operate in switching mode, have a lower linearity but a higher output. This is the reason why a class A amplifier is usually used in UMTS standard to realize the control stage and a class AB amplifier to realize the power stage, while it is preferable to use an amplifier. of class AB to realize the control stage and a high efficiency amplifier (class F) to realize the stage of power in standard GSM, DCS or PCS. In order to be able to operate the amplifier in multistandard, it is desirable to be able to pass the configuration class A / class AB class AB / class F. In the remainder of the description, it will thus be considered that it is essentially a question of ability to dynamically change the configuration of a Class A / AB two-stage amplifier into Class AB / F. But the invention also applies mutatis mutandis to the reconfiguration of power amplifiers operating according to other telecommunications standards. PAE = (Il + 12) 'Vcc The architectures of transistors of classes AB and F are relatively close. They differ essentially only by their point of polarization and their output impedance. Thus, by acting on the Ibiasd and Ibiasp bias current and by modifying the configuration of the output stage, it is possible to modify the operating class of each transistor Qd and Qp. Referring to FIG. 3, in which the curve I designates the evolution of the output power Pout as a function of the input power Pin and the curve II designates the evolution of the PAE as a function of the power of input, the amplifier, and in particular the bias circuit 4 of the first stage El modifies the bias current Ibiasd of the transistor Qd so as to lower the compression point CP1 corresponding to an operating point (For, a; ) to the operating point CP1 ', corresponding to the operating point (For, b, Pin, b) as illustrated by the arrow F. But, as is known per se, the PAE is maximum for the maximum output power , while for the lower power levels, the efficiency is lower. Also, the modification of the compression point is combined with a gain compensation in order to adjust the PAE curve so as to obtain a maximum PAE at the compression point CP1 'thus modified. Referring to FIGS. 4 and 5 and FIG. 6, in which OCP1 and ICP1 respectively denote the output power and the input power at the 1 dB compression point, as previously indicated, the variation of the compression point is obtained by modifying the bias current Ibiasd • For example, the bias circuit 4 may consist of a succession of current sources Il, I2, ... In arranged in parallel and each associated with a switch C1, C2, C3,

.CN, piloté par l'unité centrale 6 en fonction du signal RF,u de manière à élaborer le courant de polarisation Ibiasd appliqué au transistor Qd. A cet effet, l'unité de traitement 6 est pourvue d'un détecteur assurant une détection du niveau de puissance du signal d'entrée RF,u afin, par exemple, d'abaisser le point de compression lorsque la puissance d'entrée diminue. En se référant à la figure 5, ceci peut être effectué en augmentant ou en abaissant le courant de polarisation Ibiasd en fonction du niveau de puissance d'entrée...DTD: De même, en se référant aux figures 7 et 8, la PAE peut être modifiée en augmentant ou en abaissant le courant de polarisation Ibiasd• En se référant à nouveau à la figure 2, la modification de classe d'amplification de l'amplificateur, et en particulier du deuxième étage E2, est réalisée en modifiant l'impédance équivalente du réseau de sortie 3. Ainsi, comme le montre la figure 2, le réseau de sortie 3 du deuxième étage E2 est pourvu d'un résonateur formé par l'association en parallèle d'une inductance L' et d'une capacité C' en sortie du deuxième étage E2 associé à deux commutateurs 7 et 8 interposés l'un, à savoir le commutateur désigné par la référence 7 entre le deuxième étage E2, avec interposition d'une capacité de découplage C" et le résonateur L'C', et l'autre entre le résonateur L'C' et l'impédance de sortie RLC du réseau de sortie 3. .CN, driven by the central unit 6 according to the RF signal, u so as to develop the Ibiasd bias current applied to the transistor Qd. For this purpose, the processing unit 6 is provided with a detector ensuring detection of the power level of the RF input signal u, for example, to lower the compression point when the input power decreases. . Referring to FIG. 5, this can be done by increasing or lowering the bias current Ibiasd as a function of the input power level ... DTD: Similarly, referring to FIGS. 7 and 8, the PAE can be modified by increasing or lowering the bias current Ibiasd • Referring again to FIG. 2, the amplification class modification of the amplifier, and in particular of the second stage E2, is carried out by modifying the Equivalent impedance of the output network 3. Thus, as shown in Figure 2, the output network 3 of the second stage E2 is provided with a resonator formed by the parallel association of an inductance L 'and a capacitance C 'at the output of the second stage E2 associated with two switches 7 and 8 interposed one, namely the switch designated by the reference 7 between the second stage E2, with interposition of a decoupling capacitor C "and the resonator L' C ', and the other one e the resonator C 'and the output impedance RLC of the output network 3.

Les commutateurs 7 et 8 sont pilotés par l'unité centrale 6 de manière à court-circuiter le résonateur LC par l'intermédiaire d'une ligne de dérivation 9. Le réseau de sortie 3 peut ainsi être sélectivement configuré, sous le contrôle de l'unité centrale 6 de manière à configurer l'étage de puissance 2 soit sous la forme d'un transistor de classe AB, soit sous la forme d'un transistor de classe F, par exemple en fonction du niveau de puissance détecté du signal d'entrée RFi,,. The switches 7 and 8 are controlled by the central unit 6 so as to short-circuit the resonator LC via a bypass line 9. The output network 3 can thus be selectively configured, under the control of the central unit 6 so as to configure the power stage 2 either in the form of a class AB transistor, or in the form of a class F transistor, for example as a function of the detected power level of the signal of FIG. RFi input.

Claims

Reconfigurable power amplifier, comprising at least one amplification circuit (E1, E2), and control means (6) of said amplification circuit for adapting its operation according to an input signal (RF ,,,) applied thereto, characterized in that the control means comprise means (4) for modifying the compression point (CP1, CP1 ') of said amplification circuit and for adjusting the gain of the circuit so as to increase the efficiency at added power (PAE) of the circuit for the modified compression point.

2. Amplifier according to claim 1, characterized in that the control means comprise means for adapting the level of a bias current (IBIASD) applied to said circuit.

3. Amplifier according to one of claims 1 and 2, characterized in that it comprises a first amplification stage (El) and a second amplification stage (E2), the control means comprising first and second means (4, 5) for respectively adapting the operation of the first and second stages (E1, E2) of amplification.

4. Amplifier according to claim 3, characterized in that the first control means comprise means for adapting the compression point of the first stage (El).

5. Amplifier according to one of claims 3 and 4, characterized in that the second control means comprise means (5) for adjusting the gain of the second stage.

6. Amplifier according to any one of claims 1 to 5, characterized in that it further comprises means for modifying the operating class of said amplification circuit.

7. Amplifier according to claim 6, characterized in that the means for modifying the operating class of the amplification circuit comprise means for modifying the equivalent impedance of an output network (3) of the circuit.

8. Amplifier according to claim 7, characterized in that it comprises switching means (7, 8) for selectively connecting a capacitor (C ') and an inductor (L') connected in parallel to the output of said circuit.

9. Amplifier according to any one of claims 2 to 8, characterized in that the means for adjusting the level of the bias current comprises a set of current sources (Il, I2, ... In) selectively connectable in parallel to each other.

10. Use of a power amplifier according to any one of claims 1 to 9, for the production of a multistandard amplification stage for mobile telephone.