FR2896621A1 - Systeme electro-optique integre - Google Patents
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Abstract
L'invention propose un circuit intégré 1 comprenant au moins un élément photosensible 2 capable de délivrer un signal électrique lorsqu'il est atteint par au moins une longueur d'onde du spectre visible, et un système électro-optique 20. Le système électro-optique 20 est situé sur le trajet d'au moins un rayon lumineux capable d'atteindre l'élément photosensible 2 et possède au moins une propriété optique qui peut être modifiée par une commande électrique.
Description
Système électro-optique intégré
La présente invention concerne les circuits intégrés, et plus particulièrement les circuits intégrés comprenant des éléments photosensibles exposés de manière temporaire au rayonnement visible. Les éléments photosensibles intégrés sont actuellement largement utilisés pour les appareils photographiques, les caméras ou les détecteurs dits numériques. En théorie, et contrairement aux pellicules argentiques, les éléments photosensibles intégrés peuvent détecter, quasiment en continu, un rayonnement visible sans être irréversiblement modifiés par ledit rayonnement. Il est alors possible d'exposer les éléments photosensibles intégrés pendant les phases de réglages ou pendant toute autre période durant laquelle l'image détectée n'est pas enregistrée. Durant ces périodes, l'image détectée peut être visualisée, par exemple à l'aide d'un écran, et l'enregistrement a lieu au moment voulu par l'utilisateur, lorsque l'image détectée correspond à celle souhaitée. Une des conséquences du fonctionnement de ces éléments photosensibles est l'absence d'obturateur : l'enregistrement de l'image se fait électroniquement et non plus mécaniquement. Les éléments photosensibles intégrés sont donc exposés en continu et doivent rester opérationnels durant toute la durée de vie de l'appareil. Or, il est apparu que les éléments photosensibles intégrés tels que les photodiodes, peuvent se dégrader sous l'effet de la lumière. En effet, les photons atteignant une photodiode créent normalement des paires électron-trou à l'origine d'un courant électrique proportionnel au nombre de photons reçus par la photodiode. Or, il arrive qu'une paire électron-trou se recombine au sein même de la photodiode en libérant une énergie susceptible d'endommager les liaisons moléculaires du matériau formant la photodiode. Il s'ensuit que l'élément photosensible peut perdre sa sensibilité ou son efficacité à cause d'une exposition prolongée au rayonnement. Il est donc nécessaire de diminuer l'exposition de ces éléments.
Jusqu'à présent, les systèmes permettant de contrôler l'ouverture et la fermeture d'un appareil photographique agissaient comme des obturateurs qui s'ouvrent temporairement et se referment. De tels systèmes ne sont pas envisageables pour les appareils équipés de photodiodes car ils empêcheraient de détecter l'image en dehors des périodes d'enregistrement. Il ne serait donc plus possible d'effectuer les réglages en visualisant l'image détectée à l'aide d'un écran. Il est par conséquent nécessaire de fournir un équipement permettant de profiter des avantages des photodiodes tout en limitant le vieillissement dû à une exposition prolongée desdites photodiodes à la lumière. L'invention vise à remédier aux inconvénients évoqués ci-dessus. La présente invention propose un circuit intégré capable de détecter une image en continu tout en limitant la détérioration du circuit intégré. L'invention propose un circuit intégré comprenant au moins un élément photosensible capable de délivrer un signal électrique lorsqu'il est atteint par au moins une longueur d'onde du spectre visible, et un système électro-optique. Le système électro-optique est situé sur le trajet d'au moins un rayon lumineux capable d'atteindre l'élément photosensible et possède au moins une propriété optique qui peut être modifiée par une commande électrique. De plus, la propriété optique modifiée du système électro-optique est avantageusement le coefficient de transmission.
Ainsi, il est possible de transmettre ou de couper électriquement une gamme de longueurs d'onde capable d'atteindre l'élément photosensible et susceptible de le dégrader. Le coefficient de transmission du système électro-optique varie de manière réversible entre deux états selon la commande électrique. Dans l'un des états, le système électro-optique est presque transparent pour la gamme de longueurs d'onde considérée et permet à l'élément photosensible de détecter une lumière peu ou pas altérée par le système électro-optique. Dans l'autre état, le système électro-optique absorbe ou réfléchit la totalité ou une partie de la gamme de longueurs d'onde considérée afin de limiter la dégradation de l'élément photosensible. Selon un aspect de l'invention, l'élément photosensible comprend une photodiode. De plus, la photodiode comprend du silicium hydraté amorphe ou polymorphe. Il s'agit là d'un élément photosensible dont la dégradation à la lumière est due à la recombinaison d'une paire électron-trou. La recombinaison de la paire électron-trou au sein du silicium hydraté amorphe ou polymorphe est susceptible de provoquer la rupture des liaisons faibles entre atomes de silicium et donc de créer des liaisons pendantes. Ces liaisons pendantes diminuent la sensibilité du matériau et donc sa durée de vie. Selon un mode de réalisation de l'invention, le système électrooptique est capable de filtrer à plus de 80% l'ensemble des longueurs d'onde du spectre visible. Ce mode de réalisation permet de filtrer presque l'ensemble du spectre visible. On obtient alors un système optique à deux états, ouvert ou fermé, qui est commandé électriquement. Le système électro-optique remplit donc le même rôle qu'un obturateur mécanique en contrôlant l'exposition d'un élément photosensible. Selon un mode de réalisation préféré de l'invention, le système électro-optique est capable de filtrer à plus de 80% les longueurs d'onde élevées du spectre visible. Il s'agit ici de filtrer les longueurs d'onde proches de 600- 800nm et qui correspondent aux couleurs rouges orangées du spectre visible. Selon ce mode de réalisation, le système électro-optique permet, dans un état, de laisser passer une lumière peu ou pas altérée et, dans l'autre état, de filtrer les longueurs d'onde proches de la couleur rouge. Dans ce dernier cas, le système est transparent surtout pour les longueurs d'onde plus courtes proches de la couleur bleue, c'est-à-dire présente une couleur bleue en transmission. En effet, les longueurs d'onde proches de la couleur rouge provoquent une baisse du champ électrique plus grande au sein de la photodiode que les autres longueurs d'onde. Or, c'est ce champ électrique qui permet de séparer l'électron et le trou qui se forment lorsqu'un photon est absorbé. Si l'électron et le trou ne sont pas séparés suffisamment rapidement, ils risquent de se recombiner et de dégrader la photodiode. En d'autres termes, les longueurs d'onde élevées du spectre visible provoquent une dégradation plus rapide de la photodiode que les longueurs d'onde plus courtes. Le système électro-optique tel que proposé selon un aspect de l'invention permet de filtrer les longueurs d'onde qui provoquent la dégradation la plus rapide de l'élément photosensible.
Selon un mode de réalisation préféré de l'invention, le système électro-optique comprend un matériau électro-optique comprenant de l'oxyde de tungstène (WO3). L'oxyde de tungstène est choisi car, dans son état réduit (HWO3), il présente une couleur bleue en transmission et permet donc de filtrer les longueurs d'onde élevées du spectre visible. Par contre, dans son état oxydé, l'oxyde de tungstène WO3 est presque incolore en transmission, et ne perturbe donc pas ou peu la lumière transmise. Il est également avantageux d'utiliser dans ce même mode de réalisation, un électrolyte comprenant une couche d'oxyde de tantale (Ta2O5) hydratée. L'hydratation de l'électrolyte permet de conduire les ions H+ plus rapidement. Elle permet donc d'augmenter la vitesse d'oxydation ou de réduction de l'oxyde de tungstène et par conséquent d'augmenter la vitesse de réponse du système. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, le système électro-optique est capable, selon la commande électrique, de filtrer à plus de 80% les longueurs d'onde élevées du spectre visible ou les longueurs d'onde d'une autre gamme du spectre visible. Ainsi, durant la période de réglage, le système électro-optique est bleu en transmission pour presque toutes les photodiodes et durant la période d'enregistrement de l'image, les systèmes électro-optiques filtrent chacun une gamme de longueurs d'onde de manière à remplacer la matrice de filtres colorés qui permet de détecter la couleur.
Selon un aspect de l'invention, il est proposé un procédé de réalisation d'un circuit intégré comprenant un élément photosensible délivrant un signal électrique lorsqu'il est atteint par au moins une longueur d'onde du spectre visible, et un système électro-optique. Le système électro-optique est réalisé par dépôt d'au moins un matériau dont au moins une propriété optique varie lors d'une réaction électrochimique, le circuit intégré ayant une transmission élevée entre ledit système électro-optique et ledit élément photosensible. Selon un mode de mise en oeuvre préféré du procédé, on dépose également un électrolyte comprenant de l'oxyde de tantale hydraté, pour réaliser le système électro-optique. Selon un mode préféré de mise en oeuvre, on réalise l'électrolyte comprenant de l'oxyde de tantale par dépôt à une température comprise entre 100 C et 400 C et avec une pression partielle de précurseurs comprise entre 1 mPa et 130 Pa, voire 200 Pa. De plus, l'oxyde de tantale est immergé après son dépôt dans une solution aqueuse pendant une durée comprise entre 1 seconde et 10 heures. Les conditions de dépôt de la couche d'oxyde de tantale permettent d'obtenir une couche avec une porosité importante. Cette porosité va permettre, dans un second temps, lors de son immersion dans une solution aqueuse, d'hydrater également de manière importante, l'oxyde de tantale. Ainsi, la couche d'oxyde de tantale qui forme l'électrolyte dans le système électro-optique, va conduire plus facilement et plus rapidement les ions H+ à la base de la réaction électro-chimique provoquant le changement du coefficient de transmission optique de l'oxyde de tungstène. Il sera ainsi possible de changer le coefficient de transmission du système électro-optique plus rapidement.
L'invention se rapporte également à l'utilisation d'un circuit intégré comprenant un élément photosensible et un système électrooptique situé sur le trajet d'au moins un rayon lumineux atteignant ledit élément photosensible. Le système électro-optique possède au moins une propriété optique pouvant prendre deux valeurs différentes en fonction d'une commande électrique afin de filtrer différemment une gamme du spectre visible, et on fait passer la propriété optique du système électrooptique d'une valeur à une autre selon que l'on souhaite atténuer ou non une partie de ladite gamme du spectre visible.
L'utilisation d'un système électro-optique au sein d'un circuit intégré pouvant détecter un rayonnement lumineux permet de limiter le vieillissement de l'élément photosensible. En effet, pendant la phase de réglage ou d'attente de la prise de vue, le système électro-optique peut être placé dans un état dans lequel il filtre une gamme du spectre visible à plus de 80%, de manière à ne laisser passer que les longueurs d'ondes les moins dangereuses pour l'élément photosensible. Par contre, lorsque l'image doit être enregistrée, le système électrooptique bascule dans un autre état dans lequel il transmet à plus de 80% la même gamme du spectre visible, de façon à altérer peu l'enregistrement par l'élément photosensible. Une fois l'enregistrement effectué, le système électro-optique peut être basculé de nouveau dans le premier état. Ainsi, l'élément photosensible ne se trouve exposé à la gamme de longueurs d'onde dangereuses que ponctuellement, ce qui préserve sa durée de vie. Cependant, il reste exposé à une partie du spectre visible durant la période de réglage ce qui permet de visualiser ou de régler l'appareil avant l'enregistrement tout en limitant la détérioration des éléments photosensibles. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée d'un mode de mise en oeuvre et de réalisation, nullement limitatif, et des dessins annexés sur lesquels les figures 1 à 8 illustrent de manière schématique différents modes de réalisation ainsi que les étapes d'un mode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention. La figure 1 est une vue en coupe d'une partie d'un circuit intégré comprenant un élément photosensible comprenant un système électro-optique. Les figures 2 à 4 sont des variantes de la figure 1. Les figures 5 à 8 représentent les différentes étapes de réalisation d'un mode de mise en oeuvre du procédé.
Sur la figure 1, le circuit intégré 1 comprend un élément photosensible 2 qui est par exemple une photodiode, une photodiode de référence 3, une région d'interconnexion 30 et un système électrooptique 20. Les photodiodes 2 et 3 recouvrent au moins partiellement la région 30 d'interconnexion, tandis que la photodiode 2 est recouverte au moins partiellement par le système électro-optique 20. Chaque photodiode 2 comprend une première couche conductrice 4 comprenant avantageusement du chrome et qui constitue une première électrode. La couche 4 est placée sur une partie de la région d'interconnexion 30 et est recouverte en grande partie par une seconde couche 5 qui comprend par exemple du silicium hydraté, amorphe ou polymorphe, non-dopé. Une troisième couche 6 comprenant du silicium hydraté, amorphe ou polymorphe, dopé p est placée sur la seconde couche 5 et une quatrième couche conductrice 7 est placée sur la couche 6. La couche 7 comprend avantageusement de l'oxyde d'indium et d'étain (ITO) qui est presque transparent et constitue la deuxième électrode de la photodiode. Une couche 12 recouvre au moins partiellement la couche conductrice 7 et comprend avantageusement du tétraéthylorthosilicate (TEOS) qui est un matériau diélectrique et presque transparent. La photodiode de référence 3 comprend aussi une première couche conductrice 11 placée sur une partie de la région d'interconnexion 30 et comprenant avantageusement du chrome. La couche 11, qui constitue la première électrode, est recouverte également par les couches 5, 6, 7 et 12 décrites précédemment qui sont communes aux deux photodiodes 2 et 3. La photodiode de référence 3 est également recouverte latéralement par la couche diélectrique 12 qui est déposée sur au moins une extrémité des couches 5, 6 et 7 et sur une partie de la région d'interconnexion 30.
Une troisième couche 13 comprenant avantageusement du chrome et recouvrant partiellement la région d'interconnexion 30 se situe à côté des photodiodes 2 et 3 et est également recouverte au moins partiellement par la couche diélectrique 12. La couche diélectrique 12 est recouverte au niveau de la photodiode 3, de la couche 13 et de la paroi latérale de la photodiode 3, par une couche 10 conductrice et opaque. La couche 10 est reliée à la deuxième électrode 7 commune aux deux photodiodes par l'intermédiaire d'un via 8 qui traverse la couche 12, et à la couche 13 par l'intermédiaire d'un via 9 qui traverse également la couche diélectrique 12. La photodiode de référence 3 a la même structure que les photodiodes 2 mise à part qu'elle est recouverte par la couche opaque 10. La photodiode 3 permet donc de connaître le courant délivré par une photodiode lorsqu'il n'y a pas de photon et sert donc de référence pour le courant délivré par la photodiode 2. La région d'interconnexion 30 comprend une région diélectrique 32 contenant du TEOS et au moins trois pistes conductrices 31, 33 et 34 qui comprennent chacune avantageusement de l'aluminium ou du cuivre. La piste conductrice 34 est reliée à la première électrode 4 de la photodiode 2. La piste conductrice 31 est reliée à la première électrode 11 de la photodiode de référence 3. Enfin, la piste conductrice 33 est reliée à la couche 13, et par conséquent à la deuxième électrode 12 des photodiodes 2 et 3, par l'intermédiaire des vias 8 et 9 et de la couche conductrice 10. Ainsi, les pistes 34 et 33 acheminent le courant produit par la photodiode 2 au système de traitement du signal, tandis que les pistes 31 et 33 acheminent le courant de la photodiode 3 au système de traitement du signal qui l'utilisera comme référence optique pour traiter le courant de la photodiode 2. La référence 50 désigne la partie du circuit intégré qui comprend la photodiode de référence 3, la couche 13 et les pistes 31 et 33. La couche conductrice opaque 10 est limitée, à une de ses extrémités, à la frontière entre la photodiode 2 et la photodiode 3. En effet, la couche 10 opaque recouvre la photodiode 3 de manière à ce que quasiment aucun photon ne parvienne à la photodiode 3 de référence, tout en évitant de recouvrir la photodiode 2 qui est utilisée pour détecter les photons incidents. La couche diélectrique 12 n'est donc pas recouverte par la couche opaque 10 sur la partie située au niveau de la photodiode 2. Ainsi, au-dessus de la couche 12, au droit de la photodiode 2, est disposé le système électro-optique 20. Le système 20 comprend un électrolyte 21 placé entre deux électrodes 22, 23 qui comprennent avantageusement de l'ITO.
L'électrode 22 recouvre au moins partiellement la partie de la couche 12 située au droit de la photodiode 2. Entre l'électrode 23 et l'électrolyte 21 est placé un premier matériau 24 électro-chimique comprenant avantageusement de l'oxyde de tungstène. Le matériau 24 filtre les longueurs d'onde proches du rouge dans son état réduit et est presque transparent dans son état oxydé. Entre l'électrolyte 21 et l'électrode 22 peut être placé de manière optionnelle un deuxième matériau 25 électro-chimique. Le matériau 25 peut comprendre par exemple de l'oxyde d'iridium Ir02 qui est transparent, en couche mince, dans son état réduit et dans son état oxydé.
Ainsi, par exemple, la couche 24 peut comprendre l'oxyde de tungstène oxydé (W03) et la couche 25, l'oxyde d'iridium réduit (HIr02). De cette manière, lors de la première utilisation du système 20, la tension appliquée entre les électrodes fait migrer les ions H+ de la couche 25 vers la couche 24 via la couche 21 qui est conductrice pour les ions H+. On a alors une réaction d'oxydation dans la couche 25 dans laquelle HIrO2 forme l'oxyde d'iridium IrO2, tandis que dans la couche 23 a lieu une réaction de réduction dans laquelle l'oxyde de tungstène W03 est réduit en HWO3 qui est bleu en transmission. Le système est alors stable et permet de filtrer les longueurs d'onde élevées. La tension appliquée peut alors être arrêtée. Pour revenir à l'état initial, il suffit d'appliquer une tension inverse au système. Les ions H+ migrent alors de la couche 23 où a lieu la réduction de HWO3 vers la couche 22 où a lieu l'oxydation de Ir02. Lorsque ces deux réactions sont finies, le système est de nouveau stable et presque transparent. On peut alors arrêter d'appliquer une tension. Il est également possible de former le système 20 avec une couche 24 qui comprend l'oxyde de tungstène réduit (HWO3) et avec une couche 25 qui comprend l'oxyde d'iridium oxydé (Ir02). Dans ce cas, lors de la première utilisation du système 20, la tension appliquée entre les électrodes fait migrer les ions H+ de la couche 24 vers la couche 25 via la couche 21. Sur la figure 2, le circuit intégré 1 comprend une matrice 40 de photodiodes 2 réalisées sur une région d'interconnexion 30, et la partie 50 correspondant à la photodiode de référence 3. Les photodiodes 2 et 3 peuvent être semblables à celles illustrées sur la figure 1. Le circuit intégré 1 comprend un système de commande 60 et un système électrooptique 20 situé au-dessus des photodiodes 2. Le système 60 est relié aux électrodes du système 20 électro-optique et applique ou non, selon les cas, une tension positive ou négative. Le système 60 commande l'ensemble du système électro-optique 20. Ainsi, lorsque les photodiodes 2 sont utilisées durant une période de réglage, le système 60 impose temporairement une tension, par exemple positive, au système électro-optique 20 de manière à ce qu'il soit bleu en transmission. Les photodiodes 2 exposées sont donc moins altérées par la lumière détectée et l'utilisateur peut visualiser (éventuellement en nuances de gris) l'image détectée par les photodiodes. Lorsque l'utilisateur décide d'enregistrer l'image, le système de commande impose temporairement une première tension négative de manière à rendre le système électro-optique 20 transparent durant l'enregistrement de l'image, puis impose temporairement une deuxième tension positive pour que le système électro-optique 20 redevienne bleu en transmission. De cette manière, il est possible de profiter des avantages des éléments photosensibles intégrés tout en limitant leur détérioration par la lumière. On peut noter que le système électro-optique 20 peut se superposer à une matrice de trois filtres colorés comme par exemple le rouge, le vert et le bleu, pour permettre la détection des couleurs. Dans ce cas, les photodiodes 2 associées aux filtres rouges et verts ne détecteront rien pendant la durée de réglage. Sur la figure 3, un circuit intégré 1 comprend une matrice 40 de photodiodes 2 réalisées sur une région d'interconnexion 30, et la partie 50 correspondant à la photodiode de référence 3. Le circuit intégré 1 comprend trois systèmes de commande 601, 602, 603 et trois systèmes électro-optiques 201, 202, 203 situés au-dessus des photodiodes 2. Les systèmes 601, 602, 603 sont reliés respectivement aux électrodes des systèmes électro-optiques 201, 202, 203. Les systèmes électrooptiques 201, 202, 203 peuvent ainsi être associés à trois catégories de photodiodes. Il est alors possible d'associer les systèmes 201, 202, 203 à trois régions successives de la matrice 40 comprenant chacune plusieurs photodiodes 2. Durant la période de réglage précédant l'enregistrement d'une image, les systèmes de commande 601, 602, 603 sont paramétrés de manière à ce que les trois systèmes électrooptiques 201, 202, et 203 ne soient pas tous bleus en transmission en même temps. De cette façon, il est possible d'utiliser les signaux des photodiodes .2 non-protégées temporairement pour afficher sur un écran l'image détectée. L'utilisateur peut ainsi faire ses réglages. Tout au long de la période de réglages, les systèmes 601, 602, 603 peuvent être paramétrés de manière que le système électro-optique qui est transparent, par exemple le système 201, ne soit pas toujours le même et commute avec les deux autres systèmes 202, 203. L'image ainsi détectée a une résolution moindre uniquement pendant la période de réglage. Lors de l'enregistrement de l'image, les trois systèmes électro-optiques 201, 202, 203 sont basculés de manière à être tous les trois transparents. Il est également possible d'associer les trois systèmes électrooptiques 201, 202, 203 aux trois couleurs détectées : rouge, vert et bleu. Dans ce cas, le second matériau électro-chirnique compris dans le système électro-optique (et correspondant à la couche 25 sur la figure 1) peut être choisi de manière à être rouge ou vert lorsque le système est en mode d'enregistrement. Ainsi, il n'est plus utile de disposer une matrice de filtres colorés sur les photodiodes : il suffit que, dans un état, tous les systèmes électro-optiques soient bleus en transmission (période de réglage) et que, dans l'autre état, les systèmes électrooptiques soient colorés de manière à recréer la matrice de filtres qui permet de détecter les couleurs. Il n'y a donc plus besoin de matrice supplémentaire de filtres colorés et, de plus, les photodiodes associées aux filtres rouges ou aux filtres verts restent opérationnelles durant la phase de réglage. L'image détectée pendant la phase de réglage est en nuances de gris et a une meilleure résolution car presque toutes les photodiodes peuvent être utilisées. On peut noter également que ce mode de réalisation peut être réalisé également à l'aide de matériaux électro-chimiques qui sont bleus en transmission dans un état (pour la période de réglage), et qui sont rouges ou verts en transmission dans l'autre état (pour la période d'enregistrement). Sur la figure 4, un circuit intégré 1 comprend une matrice 40 de photodiodes 2 réalisées sur une région d'interconnexion 30, et la partie 50 correspondant à la photodiode de référence 3. Le circuit intégré 1 comprend un système de commande 60 et deux systèmes électrooptiques 201, 202 situés au-dessus de certaines photodiodes 2. Le système 60 est relié aux électrodes des systèmes électro-optiques 201, et 202. Les systèmes électro-optiques 201, 202 sont disposés au-dessus des photodiodes 2 utilisées pour détecter le rouge et le vert. En effet, lorsque l'un des filtres utilisés pour détecter les couleurs est le filtre bleu, il n'est pas utile de disposer, au-dessus des photodiodes 2 associées, un système électro-optique puisque les photodiodes détectent déjà que de la lumière filtrée dans les longueurs d'onde élevées. De plus, dans ce mode de réalisation, il est également possible d'utiliser des systèmes électro-optiques bleu en transmission dans un état, et rouge ou vert en transmission dans l'autre. Ainsi, on peut remplacer la matrice de filtres colorés utilisée pour détecter la couleur. La couleur en transmission du système électrooptique dépend de la nature des matériaux choisis pour les couches électrochromes (qui correspondent aux couches 24 et 25 sur la figure 1), ainsi que du degré d'oxydation ou de réduction utilisé. Les figures 5 à 8 représentent les différentes étapes de réalisation d'un système électro-optique selon un aspect de l'invention. Sur la figure 5, le circuit intégré 1 comprend une matrice 40 de photodiodes 2 réalisées à la surface d'une région d'interconnexion 30.
Sur la matrice 40, on réalise successivement les différentes couches 22, 25, 21, 24, 23 constituant le système électro-optique. La première couche 22 est l'électrode conductrice comprenant de l'oxyde d'indium et d'étain (ITO). La couche 22 est réalisée par exemple par dépôt physique en phase vapeur (PVD) à partir d'une cible comprenant de l'oxyde d'indium et d'étain ou bien à partir d'une cible comprenant de l'indium et de l'étain, avec un plasma comprenant de l'argon et de l'oxygène. Le dépôt s'effectue sur une épaisseur comprise entre 0,1 et 100 nm, et de préférence 50nm. Une fois la couche comprenant l'ITO réalisée à la surface des photodiodes 2, on peut réaliser de manière optionnelle une couche électro-chimique 25 comprenant de l'oxyde d'iridium transparent (IrO2) ou bien un autre matériau pouvant être rouge ou vert en transmission dans l'état réduit selon le mode de réalisation que l'on souhaite réaliser. L'iridium peut être déposé par dépôt physique en phase vapeur (PVD), à partir d'une cible d'iridium ou d'oxyde d'iridium, avec un plasma d'argon et d'oxygène. Le dépôt s'effectue sur une épaisseur comprise entre 0.1 et 500nm. On réalise ensuite l'électrolyte 21. L'électrolyte comprend de l'oxyde de tantale (Ta2O5) poreux. L'oxyde de tantale est déposé par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), par dépôt par couches atomiques (ALD) ou par dépôt par couches atomiques assisté par plasma (PEALD). Le dépôt s'effectue sur une épaisseur comprise entre 0,1 et 200nm, et de manière préférentielle égale à environ 30nm. La température de dépôt est avantageusement choisie entre 100 C et 400 C et la pression partielle en précurseurs est également choisie entre 1 mPa et 130 Pa, voire 200 Pa. De cette manière, il est possible d'obtenir une couche d'oxyde de tantale avec une porosité importante. La couche poreuse est alors immergée dans une solution aqueuse pendant une durée comprise entre 1 seconde et 10 heures pour obtenir uneconductivité pour les H+ élevée. Cette méthode de dépôt permet de déposer une seule monocouche d'oxyde de tantale pour former l'électrolyte 21. De plus, l'électrolyte 21 ainsi formé présente une conductivité pour les H+ importante, ce qui diminue le temps de réponse du système. On dépose alors une seconde couche 24 d'un matériau électro-chimique. Il s'agit de l'oxyde de tungstène hydraté HWO3 déposé par dépôt physique en phase vapeur (PVD) à partir d'une cible de tungstène ou d'oxyde de tungstène, avec un plasma d'argon et d'eau ou avec un plasma d'argon, d'hydrogène et d'oxygène. La couche peut également être déposée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à partir d'une source de tungstène telle que l'hexafluorure de tungstène (WF6) avec un plasma d'eau ou d'hydrogène et d'oxygène. La couche peut aussi être obtenue par dépôt d'une couche de tungstène, traitée dans un second temps par un plasma comprenant de l'eau ou de l'hydrogène ou de l'oxygène ou du monoxyde de diazote. La couche est déposée sur une épaisseur de 0.1 à 500nm. Enfin, on dépose une couche d'ITO comme précédemment pour former la seconde électrode conductrice transparente 23 (cf. figure 6).
Une fois les couches 22, 25, 21, 24, 23 déposées, on dépose une résine 70 qui est insolée pour former une ouverture 71 au-dessus de la photodiode de référence 3 (cf. figure 7). On grave les couches constituants le système électro-optique 20 au niveau de l'ouverture 71 pour obtenir le circuit intégré tel que représenté sur la figure 8. En particulier, l'électrode 22 est gravée de manière à ne plus être en contact avec la couche conductrice opaque 10 située au droit de la photodiode de référence 3. Le circuit ainsi obtenu présente ainsi de nombreux avantages. Il apparaît également, au vu du procédé de réalisation, qu'il n'est pas nécessaire de disposer des substrats en verre de part et d'autre du système électro-optique pour assurer sa rigidité, ce qui permet de réduire le poids et l'encombrement du système électro-optique.
Claims (13)
1. Circuit intégré (1) caractérisé en ce qu'il comprend au moins un élément photosensible (2) capable de délivrer un signal électrique lorsqu'il est atteint par au moins une longueur d'onde du spectre visible, et un système électro-optique (20) situé sur le trajet d'au moins un rayon lumineux capable d'atteindre l'élément photosensible (2) et dont au moins une propriété optique peut être modifiée par une commande électrique.
2. Circuit intégré (1) selon la revendication 1 dans lequel la propriété optique modifiée du système électro-optique (20) est le coefficient de transmission.
3. Circuit intégré (1) selon l'une des revendications précédentes clans lequel l'élément photosensible (2) comprend une photodiode comprenant du silicium hydraté amorphe ou polymorphe.
4. Circuit intégré (1) selon l'une des revendications précédentes dans lequel le système électro-optique (20) est capable de filtrer à plus de 80% les longueurs d'onde élevées du spectre visible.
5. Circuit intégré (1) selon l'une des revendications précédentes dans lequel le système électro-optique (20) est capable de filtrer à plus de 80% l'ensemble des longueurs d'onde du spectre visible.
6. Circuit intégré (1) selon l'une des revendications précédentes dans lequel le système électro-optique (20) comprend un matériau électro-optique comprenant de l'oxyde de tungstène.
7. Circuit intégré (1) selon l'une des revendications précédentes dans lequel le système électro-optique (20) comprend un électrolyte comprenant une couche (21) d'oxyde de tantale hydraté.
8. Circuit intégré (1) selon l'une des revendications précédentes dans lequel le système électro-optique (20) est capable, selon la commande électrique, de filtrer à plus de 80% les longueurs d'onde élevées du spectre visible ou les longueurs d'onde d'une autre gamme du spectre visible.
9. Procédé de réalisation d'un circuit intégré (1) comprenant un élément photosensible (2) délivrant un signal électrique lorsqu'il est atteint par au moins une longueur d'onde du spectre visible, dans lequel on réalise un système électro-optique (20) par dépôt d'au moins un matériau dont au moins une propriété optique varie lors d'une réaction électro-chimique, le circuit intégré (1) ayant une transmission élevée entre ledit système électro-optique (20) et ledit élément photosensible (2).
10. Procédé selon la revendication 9 dans lequel on dépose également un électrolyte comprenant de l'oxyde de tantale hydraté, pour réaliser le système électro-optique (20).
11. Procédé selon la revendication 10 dans lequel l'oxyde de tantale est déposé à une température comprise entre 100 C et 400 C et avec une pression partielle de précurseur comprise entre 1 mPa et 200 Pa.
12. Procédé selon la revendication 11 dans lequel l'oxyde de tantale est immergé après son dépôt dans une solution aqueuse pendant une durée comprise entre 1 seconde et 10 heures.
13. Utilisation d'un circuit intégré (1) comprenant un élément photosensible (2) et un système électro-optique (20) situé sur le trajet d'au moins un rayon lumineux atteignant ledit élément photosensible (2) et dont au moins une propriété optique peut prendre deux valeurs différentes en fonction d'une commande électrique afin de filtrer différemment une gamme du spectre visible, dans lequel : on fait passer la propriété optique du système électro-optique (20) d'une valeur à une autre selon que l'on souhaite atténuer ou non une partie de ladite gamme du spectre visible.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103187460A (zh) * | 2011-12-27 | 2013-07-03 | 联相光电股份有限公司 | 薄膜太阳能电池 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100822217B1 (ko) * | 2007-04-10 | 2008-04-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 유기발광 소자 |
| JP5585339B2 (ja) | 2010-07-30 | 2014-09-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法並びに電子機器 |
| US10139693B2 (en) | 2015-06-19 | 2018-11-27 | International Business Machines Corporation | Synaptic electronic devices with electrochromic device |
| US20170084643A1 (en) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | Intermolecular, Inc. | Storage Capacitors for Displays and Methods for Forming the Same |
| JP6614662B2 (ja) * | 2016-03-02 | 2019-12-04 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | 電界イメージング装置 |
| EP3577512A1 (fr) * | 2017-02-06 | 2019-12-11 | Chromera, Inc. | Affichages électro-optiques polymorphes |
| US11417568B2 (en) * | 2020-04-10 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Methods for selective deposition of tungsten atop a dielectric layer for bottom up gapfill |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6388709B1 (en) * | 1995-04-21 | 2002-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus with optical modulation elements having transmission characteristics controllable by pixel |
| EP1394598A1 (fr) * | 2002-08-29 | 2004-03-03 | Murakami Corporation | Dispositif électrochromique à l'état solide ayant des états incolores |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5132098B2 (fr) | 1974-09-18 | 1976-09-10 | ||
| JPS5459350U (fr) | 1977-10-03 | 1979-04-24 | ||
| US4354754A (en) | 1980-06-09 | 1982-10-19 | Nippon Kogaku K.K. | Indicator device within the viewfinder of a camera |
| FR2746934B1 (fr) | 1996-03-27 | 1998-05-07 | Saint Gobain Vitrage | Dispositif electrochimique |
| WO1998035267A1 (fr) | 1997-02-06 | 1998-08-13 | University College Dublin | Systeme electrochromique |
| US6631022B1 (en) * | 1999-05-28 | 2003-10-07 | Sony Corporation | Optical device, a fabrication method thereof, a driving method thereof and a camera system |
| DE60017440T2 (de) | 1999-10-11 | 2006-03-02 | University College Dublin | Elektrochrome vorrichtung |
| JP4360663B2 (ja) | 2000-09-01 | 2009-11-11 | 新日本石油株式会社 | エレクトロクロミックミラー |
| US20030103151A1 (en) * | 2001-12-03 | 2003-06-05 | Xiaodong Luo | Image sensor having photosensitive color filters |
| US6940627B2 (en) * | 2002-10-30 | 2005-09-06 | Finisar Corporation | Control system for electrochromic devices |
-
2006
- 2006-01-23 FR FR0600561A patent/FR2896621B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-19 US US11/655,773 patent/US7667173B2/en active Active
-
2010
- 2010-01-11 US US12/685,598 patent/US8013284B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6388709B1 (en) * | 1995-04-21 | 2002-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus with optical modulation elements having transmission characteristics controllable by pixel |
| EP1394598A1 (fr) * | 2002-08-29 | 2004-03-03 | Murakami Corporation | Dispositif électrochromique à l'état solide ayant des états incolores |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103187460A (zh) * | 2011-12-27 | 2013-07-03 | 联相光电股份有限公司 | 薄膜太阳能电池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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