FR2857508A1 - Procede pour la realisation d'un detecteur de rayonnements electromagnetiques, et notamment de rayonnements infrarouges, et detecteur ontenu au moyen de ce procede - Google Patents
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Abstract
Ce procédé pour la réalisation d'un bloc de détection de rayonnements électromagnétiques, ledit bloc étant constitué d'un circuit électronique de détection dudit rayonnement associé à un circuit de lecture, ledit circuit de détection étant aminci et solidarisé au circuit de lecture au moyen d'un joint de colle, notamment époxy, consiste :• à réaliser un sillon (15) ou équivalent à la périphérie au moins partielle du circuit de détection ;• à revêtir le circuit de détection, y compris le sillon (15) d'un matériau de planarisation (17) ;• à retirer ledit matériau de planarisation (17) au niveau de la zone de détection effective du circuit de détection à hybrider ;• à hybrider la zone active du circuit de détection sur le circuit de lecture ;• à enrober la zone de connectique entre le circuit de détection et le circuit de lecture d'un joint de colle notamment époxy (19) ;• à amincir le substrat constitutif du circuit de détection ;• et enfin, à retirer au moins partiellement du sillon le matériau de planarisation.
Description
PROCEDE POUR LA REALISATION D'UN DETECTEUR DE RAYONNEMENTS
ELECTROMAGNETIQUES, ET NOTAMMENT DE RAYONNEMENTS INFRAROUGES, ET DETECTEUR OBTENU AU MOYEN DE CE PROCEDE.
L'invention concerne un détecteur de rayonnements électromagnétiques, et plus particulièrement un détecteur de rayonnements infrarouges. Elle concerne également un procédé de réalisation d'un tel détecteur.
Les détecteurs de rayonnements électromagnétiques sont classiquement constitués d'un circuit électronique de détection des ondes électromagnétiques à détecter, et donc sensibles à la gamme de longueurs d'onde correspondante, transformant de manière connue un rayonnement électromagnétique en un signal électrique. Ledit circuit de détection est associé à un circuit électronique de lecture, destiné à transformer les signaux électriques générés par le circuit de détection, notamment en les amplifiant pour les rendre susceptibles de subir un traitement ultérieur.
De manière connue, le circuit de détection est composé d'un matériau transparent ou peu absorbant du rayonnement à détecter, et en l'espèce du rayonnement infrarouge, et par exemple constitué de CdTe, CdZnTe, voire de Germanium, etc., et dont l'épaisseur varie classiquement de 200 à 800 micromètres, et sur lequel est déposé par épitaxie (en phase liquide, en phase vapeur, voire par jets moléculaires, etc.) une couche mince absorbante de HgCdTe, constituant le circuit de détection proprement dit.
De fait, lorsque des photodiodes (n/p ou p/n) sont mises en oeuvre pour assurer la fonction de détection, celles-ci sont réalisées sur cette couche de détection.
Le circuit de détection peut également être réalisé en une couche d'antimoniure d'indium InSb aminci, les photodiodes faisant fonction de détection (n/p ou p/n) étant 30 réalisées au sein de ce matériau, préalablement à son amincissement.
Le circuit de détection peut enfin être constitué d'un ensemble de couches AsGa/AsGa Al élaborées par épitaxie par jets moléculaires sur un substrat AsGa, et constituent des puits quantiques.
Le circuit électrique de lecture est le plus souvent réalisé sur un substrat en silicium, ledit circuit étant couplé aux photodiodes du circuit de détection ou aux puits quantiques, notamment au moyen de microbilles d'indium, ou d'étain/plomb, voire en tout alliage fusible ou non-fusible.
On obtient ainsi un détecteur mettant en oeuvre la technologie dite d'hybridation par billes, et également dénommée sous l'expression en langue anglaise flip chip , et par exemple décrite dans le document FRA-2 646 558.
Dans le domaine de la détection des rayonnements infrarouges, il est bien connu que les circuits de détection doivent fonctionner à basses températures, notamment comprises entre 50 et 200 Kelvins, afin notamment de minimiser le bruit de fond qui se superpose au signal à détecter.
Un tel détecteur est par exemple décrit en liaison avec la figure 1, qui constitue donc un élément de l'art antérieur.
De fait, le bloc de détection, constitué du circuit de détection (8) et du circuit de lecture (7), associés à leur support respectif (10, 11), est généralement installé au sein d'une enceinte cryostatique (1), dont le doigt froid (4) contient, selon la température d'utilisation, de l'azote liquide ou de l'air liquide, et de manière générale tout autre dispositif cryogénérateur. Le support (11) du circuit de lecture est solidarisé, notamment par collage, au plan froid (5) du doigt froid (4). Le plan froid (5) assure également le rôle de maintien d'un diaphragme (3) en amont du bloc de détection, et destiné, de manière connue, à limiter les rayonnements parasites. Cette enceinte cryostatique (1) est obturée en face supérieure par une fenêtre (2), assurant la fonction d'organe filtrant de la gamme de longueur d'ondes que l'on souhaite détecter. Cette fenêtre est centrée sur l'axe optique dudit détecteur.
Le support (11) du circuit de lecture assure tout d'abord fondamentalement la fonction d'interface avec le plan froid du cryostat. Par ailleurs, il sert également de routage des commandes de pilotage du circuit de lecture, mais peut également faire fonction de support d'écran, de filtre froid, de diaphragme, lorsqu'il remplace le plan froid.
La conception de ce support impacte sur la fiabilité du composant hybridé (durée de vie de la connectique) et sur le caractère géométrique du plan focal (planéité, etc...).
L'un des problèmes techniques qui se posent dans le cadre de l'exploitation de tels détecteurs, réside dans les conséquences des mises en froid successives de l'enceinte cryostatique, et partant du détecteur.
En effet, compte-tenu des valeurs différentes des coefficients de dilatation thermique d'une part, du circuit de détection proprement dit, et d'autre part, du circuit de lecture, on aboutit à des phénomènes de cisaillement et de traction/compression, susceptibles de se traduire au niveau du détecteur par la rupture des microbilles d'hybridation (9), et partant à des pertes de la liaison électrique assurée par les microbilles, au Io délaminage dudit détecteur, outre à la dégradation des performances de détection.
La dégradation de ces performances se traduit généralement par un manque de reproductibilité et d'uniformité entre les différentes photodiodes d'une barrette ou d'une matrice, voire dans une diminution générale des capacités propres de détection.
Ces phénomènes sont en outre exacerbés pour des matrices de grandes dimensions. En effet, de telles matrices voient leur complexité augmenter, notamment par la diminution du pas inter - pixels, et donc inter photosites, induisant corollairement une réduction des dimensions des microbilles d'hybridation, et partant leur fragilisation.
Afin de surmonter cet inconvénient rédhibitoire, il convient sinon d'éliminer, du moins de réduire de manière importante toute déformation tant en traction/compression (déformation linéaire) qu'en flexion (courbure inhérente aux effets bilame).
A cet effet, différentes solutions ont été proposées à ce jour mais qui ne donnent pas satisfaction.
La première d'entre elles consiste à augmenter la taille, et notamment la hauteur des microbilles d'hybridation. Ce faisant, on confère davantage de flexibilité, et notamment une plus grande amplitude de débattement auxdites microbilles dans le plan parallèle au plan du circuit de détection ou du circuit de lecture, permettant ainsi dans une certaine mesure, d'absorber les phénomènes de dilatation thermique. On a cependant montré qu'une telle augmentation de hauteur est incompatible avec des matrices complexes ou de grandes dimensions.
On a également proposé, afin de résoudre ce problème, d'amincir sinon de supprimer le support transparent ou peu absorbant au rayonnement infrarouge, auquel est solidarisé le circuit de détection infrarouge, et typiquement d'amincir la couche de Cd7nTe ou de CdTe. Cette solution technique a fait, par exemple, l'objet du document FR-A-2 715 002. Cet amincissement ou cette suppression du support du circuit de détection est généralement lié au remplissage de la zone de connectique située entre le circuit de détection et le circuit de lecture, par de la colle de type epoxy.
Ainsi, on joue sur la relation entre l'élasticité du circuit de détection et son épaisseur.
En effet, pour un circuit de détection suffisamment fin, on obtient une élasticité suffisante, propre à permettre l'absorption par les caractéristiques élastiques dudit circuit de détection des dilatations thermiques effectives, et notamment celles inhérentes au circuit de lecture.
En d'autres termes, on diminue les contraintes imposées aux microbilles assurant l'hybridation entre le circuit de détection et le circuit de lecture Dans ce cas, la colle de remplissage assure une liaison rigide entre le circuit de lecture d'épaisseur nominale et le circuit de détection aminci (typiquement quelques 20 micromètres). Ce dernier suit en dilatation le circuit de lecture.
Cette technique fait donc appel à un retrait total du matériau support de la couche de détection et à un remplissage par de la colle époxy de la zone de connectique. Ces étapes d'amincissement (retrait du support du circuit de détection) et d'enrobage ne sont pas sans effet sur les performances du produit final, et affectent tout particulièrement les rendements de fabrication. Les risques connus sont les suivants: É actions mécaniques (polissage) sur un ensemble de détection fragile et particulièrement sensible aux contraintes (propagation des dislocations) ; É maîtrise parfaite, pour toutes géométries, du nettoyage de la zone de connectique et de la cinétique d'enrobage (pénétration et adhérence de la colle et absence de bulles d'air dans le joint de colle) ; É contraintes générées en bordure du bourrelet de colle, susceptible de se traduire par le pelage des métallisations gravées sur le circuit de lecture.
Cette technique met en oeuvre, en périphérie de la couche de détection, un bourrelet de colle, notamment époxy, ladite colle intervenant lors de la phase d'enrobage, c'est à dire lors de la formation de liaison du substrat silicium avec le substrat en matériau transparent ou peu absorbant au rayonnement, notamment CdTe ou CdZnTe, voire Germanium. Or, l'expérience démontre que ce bourrelet périphérique de colle induit des contraintes de compression sur la couche de détection proprement dite, lors des différents cycles thermiques, auxquels est soumis le détecteur proprement dit.
L'objectif de la présente invention vise à résoudre ce problème technique lié aux 10 contraintes de compression ainsi générées, inhérentes à la dilatation thermique lors des mises en froid successives du détecteur.
Selon l'invention, la suppression de ces contraintes thermiques est obtenue par la création d'une zone exempte de colle, entre le bourrelet de ladite colle époxy, et les 15 premières diodes actives du circuit de détection aminci.
L'invention consiste dans tous ses modes de réalisation à créer un sillon à la périphérie de la zone active du détecteur, préalablement à l'assemblage de ce dernier avec le circuit de lecture.
Ainsi, ce procédé pour la réalisation d'un bloc de détection de rayonnements électromagnétiques, et notamment de rayonnements infrarouges, ledit bloc étant constitué d'un circuit électronique de détection dudit rayonnement associé à un circuit de lecture par la technologie d'hybridation, mettant en oeuvre des microbilles d'indium ou d'étain/plomb, ledit circuit de détection étant aminci et solidarisé au circuit de lecture au moyen d'un joint de colle, notamment époxy, ledit circuit de lecture étant lui-même solidarisé à un support conducteur thermique directement ou indirectement relié à une source froide, consiste: É à réaliser un sillon ou équivalent à la périphérie au moins partielle du circuit de 30 détection; É à revêtir le circuit de détection, y compris le sillon d'un matériau de planarisation; É à retirer ledit matériau de planarisation au niveau de la zone de détection effective du circuit de détection à. hybrider; É à hybrider la zone active du circuit de détection sur le circuit de lecture; É à enrober la zone de connectique entre le circuit de détection et le circuit de lecture d'une colle notamment époxy; É à amincir le substrat constitutif du circuit de détection; É et enfin, à retirer du sillon le matériau de planarisation.
Selon une caractéristique de l'invention, la profondeur du sillon est supérieure ou égale 5 à l'épaisseur de la zone active du circuit de détection.
Selon l'invention, le procédé est de nature collective, dans la mesure où il peut être mis en oeuvre au niveau d'une tranche comprenant une pluralité de circuits de détection, préalablement à leur individualisation.
La manière dont l'invention peut être réalisée et les avantages qui en découlent ressortiront mieux des exemples de réalisation qui suivent, donnés à titre indicatif et non limitatif à l'appui des figures annexées.
La figure 1 déjà décrite représente un détecteur de rayonnements infrarouges selon l'art antérieur.
La figure 2 est une vue en plan d'une tranche de circuits de détection, conforme à l'invention.
Les figures 3a à 3d sont des représentations schématiques en section visant à illustrer 20 un premier mode de réalisation du détecteur conforme à l'invention.
Les figures 4a à 4f sont des représentations schématiques en section visant à illustrer un second mode de réalisation de l'invention.
La description qui suit concerne de manière privilégiée les détecteurs infrarouges. Il est cependant bien entendu que l'invention ne saurait se limiter à cette seule application, et qu'elle est transférable à la détection de tout type de rayonnements électromagnétiques.
Le circuit de détection du détecteur conforme à l'invention est constitué classiquement d'un bilame, obtenu par croissance métallurgique d'un alliage de HgCdTe sur un support transparent aux infrarouges ou absorbant de manière très limitée ces rayonnements, et notamment de CdTe, de CdZnTe, voire de Germanium. Cette croissance s'effectue par épitaxie en phase liquide, en phase vapeur, voire par épitaxie par jets moléculaires.
Dans certaines formes de réalisation de l'invention, le support même du circuit de détection proprement dite peut être supprimé.
La phase ou zone active de cet ensemble de détection, comportant donc notamment la couche de HgCdTe, est destinée à entrer en contact électrique avec un circuit de lecture décrit ci-après plus en détail.
L'association de l'ensemble de détection et du circuit de lecture s'effectue par la technologique dite de l'hybridation, déjà décrite précédemment. Cette hybridation est réalisée au moyen de microbilles d'indium ou d'alliage étain/plomb, assurant à la fois la solidarisation mécanique de l'ensemble de détection au circuit de lecture, mais également la conduction électrique, permettant ainsi d'assurer le transfert des signaux électriques résultant de l'interaction des rayonnements infrarouges avec le circuit de détection au circuit de lecture, destiné quant à lui à assurer le traitement à tout le moins partiel de ces signaux électriques.
Le circuit de lecture (7) est constitué d'une couche de silicium, dont l'épaisseur nominale est comprise entre 380 et 680 m. Il est associée à un substrat de contrainte, lui-même destiné à être solidarisé au plan froid (5) du doigt froid (4) d'un cryostat. L'ensemble ainsi réalisé constitue le bloc de lecture.
Selon une première caractéristique de l'invention, on réalise un sillon (15) à la périphérie de chacune des zones (16) de la tranche de substrat CdTe munie de la zone de détection HgCdTe. Ce sillon n'est pas en contact avec cette zone active de détection.
Sa profondeur est au moins égale à l'épaisseur de la zone résiduelle du circuit de 25 détection après amincissement.
Ce sillon (15) peut être réalisé selon différentes techniques: gravure chimique, gravure réactive (c'est à dire décomposition chimique sous plasma d'espèces chimiques susceptibles de graver les divers matériaux; exemple mélange de CF4 et d'hydrogène en plasma microondes pour graver de l'HgCdTe), usinage ionique, etc. En fonction de la technologie mise en oeuvre, on obtient un sillon de plus ou moins grande largeur.
La délimitation des sillons (15) au sein du circuit de détection (8) peut être réalisée au moyen d'une résine photosensible préalablement apposée. Cette résine est ensuite 35 développée, selon les procédés classiques de micro-électronique.
La première étape du procédé de l'invention a donc été schématisée sur la figure 3a. On peut notamment observer la réalisation de sillons, selon une profondeur dépassant la hauteur définitive du circuit de détection après amincissement.
Selon l'invention, on procède ensuite (voir figure 3b), au revêtement du circuit de détection (8) et au comblement des sillons (15) réalisés par un matériau de planarisation (17). Ce matériau est choisi de telle sorte qu'il puisse être retiré complètement, en fin de procédé, desdits sillons, sans interférence avec les autres matériaux constitutifs du détecteur.
En outre, la nature de ce matériau (résine de photolithographie, polymères de planarisation tels que par exemple le BCB: butyle cyclobenzène, polyimides photosensibles ou non) ainsi que le mode de dépôt et les conditions de recuit associé doivent assurer une parfaite planarisation sur l'ensemble de la tranche de circuits de détection.
En outre, les conditions de recuit doivent également assurer une élimination complète des solvants éventuels que ledit matériau est susceptible de renfermer. Ainsi, à titre d'exemple, le recuit d'une résine positive s'effectue en étuve ou sur hot plate à une température comprise entre 80 et 120 C. Ces températures sont plus élevées, et en général supérieures à 180 C pour des polymères ou des polyimides.
Parmi ces conditions de recuit, il importe également que la température soit compatible avec les autres matériaux constitutifs du détecteur.
Enfin, la nature du matériau de planarisation doit également être compatible avec les conditions, de température notamment, de réalisation du détecteur, consécutives à son couchage, tel qu'un passage rapide (une dizaine de secondes) à haute température (par exemple 180 C) ou contact avec milieu acide.
L'étape suivante (figure 3c) consiste à ôter le matériau de planarisation (17), sauf au niveau des sillons (15). A cet effet, on soumet la zone de détection à un plasma oxygène, ou à des gravures réactives (plasma fluoré par exemple). On peut également soumettre l'ensemble à un ozoneur.
Lorsque le matériau de planarisation est constitué par une résine photosensible, afin d'aboutir à l'enlèvement dudit matériau, on peut réaliser une insolation contrôlée des zones où ledit matériau est présent en faible épaisseur, c'est à dire au niveau des zones actives de détection. La phase de développement qui suit permet alors de n'éliminer le matériau de planarisaltion qu'au niveau de ces zones, et n'affecte pas les sillons. Bien évidemment, le retrait du matériau de planarisation doit être compatible avec les matériaux apparents en fin de retrait, et notamment les matrices ou barrettes de photodiodes de la zone active de détection.
L'étape suivante, non représentée, consiste à individualiser les circuits de détection alors obtenus, en réalisant un sciage au niveau des zones de sciage (18) matérialisées sur la tranche comportant une pluralité de ces circuits. Pour chacun de ces circuits de détection alors individualisés, le sillon (15) comblé par le matériau de planarisation (17) est situé entre la zone active (16) dudit circuit, et la voie de sciage (18). Le sciage est réalisé de telle sorte qu'il n'affecte pas le comblement desdits sillons, et notamment qu'il n'engendre pas son retrait hors de ceux-ci. Un tel sciage est par exemple réalisé au moyen d'une lame diamentée à grains fins. Deux possibilités sont envisageables: É sciage dans le sillon comblé par le produit de planarisation: dans cette configuration, les conditions de découpe sont adaptées pour ne pas conduire à la dégradation du produit de planarisation dans les zones situées de part et d'autre de la lame; É sciage dans une zone exempte de produit de planarisation: consommation préalable du produit de planarisation dans la zone de passage de la lame.
On procède alors à la réalisation de composants fiabilisés (figure 3d), par exemple de la manière suivante.
On réalise tout d'abord une hybridation collective des circuits de détection (8) sur une tranche de silicium, destinée à constituer les circuits de lecture (7), et ce, selon la 30 technique classique d'hybridation, mentionnée en préambule.
On procède ensuite à un nettoyage de la zone de connectique, c'est à dire de la zone située entre les circuits de détection et les circuits de lecture. Un tel nettoyage s'effectue par circulation forcée (aspiration sur l'un des côtés du circuit hybridé) : É de produits susceptibles d'assurer la mise en solution des résidus de flux utilisés lors de l'opération d'hybridation; É de produits pour le rinçage des précédents produits.
On enrobe ces zones de connectique de colle (19) choisie dans la famille des époxy.
Et l'on procède alors à l'amincissement des circuits de détection: É soit par un retrait du substrat CdTe, lorsque la zone active est constituée de 5 HgCdTe épitaxiée sur ledit substrat CdTe, É soit par un retrait de Germanium, lorsque la zone active est constituée de HgCdTe épitaxiée sur ledit substrat Germanium, É soit par un retrait de AsGa, lorsque la zone active est constituée de puits quantiques élaborés sur des couches épitaxiées sur substrat AsGa, É soit par amincissement de InSb.
L'amincissement effectif s'effectue par polissage mécanique, rodage, polissage mécano-chimique voire par abrasion ou par sciages successifs. Quelle que soit la méthode mise en oeuvre, on souhaite disposer d'un bon contrôle de la cote finale, c'est à dire de l'épaisseur du circuit de détection. Cet amincissement après hybridation sur le circuit de lecture peut avoir pour finalité d'aboutir à une épaisseur dudit matériau, notamment de HgCdTe, propre à permettre la détection en éclairement en face arrière.
Une fois cette opération effectuée, on peut déposer une couche antireflet sur le circuit 20 de détection.
Enfin, on retire le matériau de planarisation présent dans les sillons, en procédant par la face arrière dudit circuit. Ce retrait s'effectue soit par la mise en oeuvre de solvants (lorsque ledit matériau est constitué de résine), soit par gravures (plasmas chlorés par exemple pour le retrait de polymères type BCB).
Sur la figure 3d, on peut observer le bourrelet de colle (20), présent de part et d'autre du circuit de détection. Les contraintes générées par ce bourrelet de colle, lors des cyclages thermiques sont largement amoindries de par la présence du sillon entre le bourrelet et la zone active (16) du circuit de détection, qui absorbe en quelque sorte ces contraintes.
Le bourrelet de colle, inévitable lors de l'opération d'enrobage, se trouve lié rigidement: É au circuit de lecture (silicium en général) par sa base; É au circuit de détection (HgCdTe, InSb, AsGa) sur une zone limitée au chant de ce circuit de détection.
Le bourrelet de colle, dont la hauteur peut atteindre une centaine de gm (donc très largement supérieure à l'épaisseur du circuit de détection), constitue autour du circuit de détection un ensemble monolithique. Les produits d'enrobage (ou d' underfilling présentent des propriétés thermomécaniques, et en particulier des coefficients de dilatation très différents (20 à 40 fois plus importants) de ceux des matériaux constituant le composant hybridé. Ces différences se traduisent, lors du passage température ambiante température de l'azote liquide, par une contraction très importante du bourrelet, et donc par une pression latérale appliquée à l'élément de détection. Cette contrainte appliquée peut se traduire par une dégradation irréversible de la matrice de détection (clivage, délamination des couches, ).
La présence d'une zone exempte de matière entre le bourrelet de colle et la matrice de détection isole cette matrice active des effets liés à la contraction du bourrelet de colle, et donc supprime les effets indésirables précédemment mentionnés.
Les résultats expérimentaux obtenus avec le procédé conforme à l'invention montrent une fiabilité accrue des détecteurs, dans la mesure où les microbilles d'hybridation ne sont plus soumises à des contraintes risquant d'aboutir à un défaut de planéité du circuit de détection et du circuit de lecture, voire un délaminage du détecteur proprement dit.
En outre, on a pu montrer qu'en soumettant le détecteur ainsi obtenu à de nombreux cycles thermiques entre 20 C et 80K, on maintenait l'intégrité du détecteur et ses caractéristiques.
On a représenté en relation avec les figures 4a à 4f une variante du procédé conforme à l'invention.
Selon cette variante, le sillon est réalisé au niveau de la voie de sciage (18). La largeur 30 du sillon (15) est dans ce cas sensiblement égale à celle de la voie de sciage.
En revanche, lors de l'étape de retrait du matériau de planarisation hors du sillon, on procède à une gravure localisée (21) dudit matériau, selon une profondeur supérieure ou égale à celle du circuit de détection en fin de réalisation du détecteur, mais selon une largeur inférieure à celle de la voie de sciage (figure 4e).
On procède alors au sciage, selon sensiblement la médiane des voies de sciage ou chemins de découpe, typiquement selon une largeur de découpe (empreinte de la lame) de 40 m, la largeur initiale de la voie de sciage étant typiquement comprise entre 120 m et 1601.1m.
Selon cette variante, il subsiste de fait une partie dudit matériau de planarisation au niveau de la périphérie du circuit de détection. Cependant, après opération de sciage, visant à l'individualisation desdits circuits de détection, il subsiste également, à la périphérie du matériau de planarisation résiduel, une zone désertée, ayant pour effet IO d'isoler mécaniquement la zone active de détection dudit circuit de détection du bourrelet de colle, et donc de soustraire cette dernière des évolutions géométriques dudit bourrelet inhérentes aux cyclages thermiques.
L'invention se révèle donc particulièrement avantageuse dans le cadre de la réalisation de ces ensembles de détection de rayonnements, notamment de rayonnements infrarouges, permettant de réaliser de nombreux cycles thermiques entre des températures ambiantes et des températures de fonctionnement de ce type de détecteur, sans affecter leurs performances, ni leur intégrité.
Claims (10)
1. Procédé pour la réalisation d'un bloc de détection de rayonnements électromagnétiques, et notamment de rayonnements infrarouges, ledit bloc étant constitué d'un circuit électronique de détection (8) dudit rayonnement associé à un circuit de lecture (7) par la technologie d'hybridation, mettant en oeuvre des microbilles d'indium ou d'étain/plomb (9), ledit circuit de détection (8) étant aminci et solidarisé au circuit de lecture (7) au moyen d'un joint de colle, notamment époxy, ledit circuit de lecture étant lui-même solidarisé à un support conducteur thermique directement ou indirectement relié à une source froide, caractérisé en ce qu'il consiste: É à réaliser un sillon (15) ou équivalent à la périphérie au moins partielle du circuit de détection (8) ; É à revêtir le circuit de détection (8), y compris le sillon (15) d'un matériau de 15 planarisation (17) ; É à retirer ledit matériau de planarisation (17) au niveau de la zone de détection effective du circuit de détection à hybrider; É à hybrider la zone active du circuit de détection sur le circuit de lecture; É à enrober la zone de connectique entre le circuit de détection et le circuit de 20 lecture d'un joint de colle notamment époxy (19) ; É à amincir le substrat constitutif du circuit de détection; É et enfin, à retirer au moins partiellement du sillon le matériau de planarisation.
2. Procédé pour la réalisation d'un bloc de détection de rayonnements électromagnétiques, et notamment de rayonnements infrarouges selon la revendication 1, caractérisé en ce que la profondeur du sillon (15) est supérieure ou égale à l'épaisseur de la zone active du circuit de détection.
3. Procédé pour la réalisation d'un bloc de détection de rayonnements électromagnétiques, et notamment de rayonnements infrarouges selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la réalisation du sillon (15) est effectuée sur une tranche de matériau comportant une pluralité de circuits de détection non encore individualisés.
4. Procédé pour la réalisation d'un bloc de détection de rayonnements électromagnétiques, et notamment de rayonnements infrarouges selon la revendication 3, caractérisé en ce que le sillon (15) est réalisé au niveau des voies de sciage (18), dont est munie la tranche, délimitant les différents circuits de détection avant individualisation.
5. Procédé pour la réalisation d'un bloc de détection de rayonnements électromagnétiques, et notamment de rayonnements infrarouges selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'après sciage réalisé au niveau des voies de sciage (18), une partie du matériau de planarisation (17) est conservée à la périphérie de chacun des circuits de détection, et en ce qu'il subsiste une zone exempte de tout matériau à la périphérie dudit matériau de planarisation résiduel.
6. Détecteur de rayonnements électromagnétiques, et notamment infrarouges, 15 comprenant: É un circuit de détection (8) desdits rayonnements, associé ou non à un support transparent audit rayonnement ou les absorbant de manière limitée; É un circuit de lecture (7), connecté électriquement audit circuit de détection, et destiné à traiter en partie les signaux électriques générés par le circuit de 20 détection, ledit circuit de lecture étant solidarisé à un substrat, lui même relié directement ou indirectement à une source froide; É le circuit de lecture et le circuit de détection étant solidarisé l'un à l'autre par hybridation au moyen de microbilles (9) d'indium ou à base d'alliage Etain/plomb, ladite zone de connectique située entre le circuit de lecture (7) et le circuit de détection étant remplie par un joint de colle de la famille des époxy, caractérisé en ce que le circuit de détection est pourvu à la périphérie de sa zone active d'un sillon (15) exempt de tout matériau, dont la profondeur est au moins égale à l'épaisseur de ladite zone active.
7. Détecteur de rayonnements électromagnétiques, et notamment infrarouges selon la revendication 6, caractérisé en ce que le circuit de détection (8) est constitué de barrettes ou de matrices de diodes photovoltaïques réalisées au sein d'un matériau massif de HgCdTe, aminci après hybridation sur le circuit de lecture jusqu'à aboutir à une épaisseur dudit matériau permettant la détection en éclairement en face arrière.
8. Détecteur de rayonnements électromagnétiques, et notamment infrarouges selon la revendication 6, caractérisé en ce que le circuit de détection (8) est constitué de barrettes ou de matrices de diodes photovoltaïques réalisées au sein d'un matériau HgCdTe déposé en couche mince par épitaxie sur un substrat CdTe, CdZnTe ou en Germanium, ledit substrat étant retiré après hybridation dudit circuit de détection sur le circuit de lecture.
9. Détecteur de rayonnements électromagnétiques, et notamment infrarouges selon la revendication 6, caractérisé en ce que le circuit de détection (8) est constitué de barrettes ou de matrices de diodes photovoltaïques réalisées au sein d'un matériau massif de InSb, ledit matériau étant aminci après hybridation du circuit de détection sur le circuit de lecture.
10. Détecteur de rayonnements électromagnétiques, et notamment infrarouges selon la revendication 6, caractérisé en ce que le circuit de détection (8) est constitué d'une pluralité de puits quantiques GaAs ou GaAlAs réalisés sur un substrat AsGa, ledit substrat étant retiré après hybridation du circuit de détection sur le circuit de lecture.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2921201A1 (fr) * | 2007-09-19 | 2009-03-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede de collage de puces sur un substrat de contrainte et procede de mise sous contrainte d'un circuit de lecture semi-conducteur |
| FR3114819A1 (fr) * | 2020-10-06 | 2022-04-08 | Raphaël PESCI | Alliage pour brasure utilisation dans un detecteur d'un tel alliage |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264699A (en) * | 1991-02-20 | 1993-11-23 | Amber Engineering, Inc. | Infrared detector hybrid array with improved thermal cycle reliability and method for making same |
| FR2715002A1 (fr) * | 1994-01-07 | 1995-07-13 | Commissariat Energie Atomique | Détecteur de rayonnement électromagnétique et son procédé de fabrication. |
| US5470761A (en) * | 1993-09-13 | 1995-11-28 | Westinghouse Electric Corporation | Process for fabricating a front surface resonant mesh array detector |
| FR2737566A1 (fr) * | 1995-08-02 | 1997-02-07 | Sofradir | Procede pour realiser l'assemblage d'un bloc de detection d'ondes electromagnetiques, notamment infrarouges, avec un support conducteur thermique, et detecteur d'ondes electromagnetiques mettant en oeuvre ce procede |
| FR2810454A1 (fr) * | 2000-06-15 | 2001-12-21 | Sofradir | Detecteur de rayonnements electromagnetiques, et notamment de rayonnements infrarouges, et procede pour la realisation d'un tel detecteur |
| US6417514B1 (en) * | 2000-02-10 | 2002-07-09 | Raytheon Company | Sensor/support system having a stabilization structure affixed to a side of a platform oppositely disposed from a sensor assembly |
-
2003
- 2003-07-09 FR FR0308377A patent/FR2857508B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264699A (en) * | 1991-02-20 | 1993-11-23 | Amber Engineering, Inc. | Infrared detector hybrid array with improved thermal cycle reliability and method for making same |
| US5470761A (en) * | 1993-09-13 | 1995-11-28 | Westinghouse Electric Corporation | Process for fabricating a front surface resonant mesh array detector |
| FR2715002A1 (fr) * | 1994-01-07 | 1995-07-13 | Commissariat Energie Atomique | Détecteur de rayonnement électromagnétique et son procédé de fabrication. |
| FR2737566A1 (fr) * | 1995-08-02 | 1997-02-07 | Sofradir | Procede pour realiser l'assemblage d'un bloc de detection d'ondes electromagnetiques, notamment infrarouges, avec un support conducteur thermique, et detecteur d'ondes electromagnetiques mettant en oeuvre ce procede |
| US6417514B1 (en) * | 2000-02-10 | 2002-07-09 | Raytheon Company | Sensor/support system having a stabilization structure affixed to a side of a platform oppositely disposed from a sensor assembly |
| FR2810454A1 (fr) * | 2000-06-15 | 2001-12-21 | Sofradir | Detecteur de rayonnements electromagnetiques, et notamment de rayonnements infrarouges, et procede pour la realisation d'un tel detecteur |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2921201A1 (fr) * | 2007-09-19 | 2009-03-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede de collage de puces sur un substrat de contrainte et procede de mise sous contrainte d'un circuit de lecture semi-conducteur |
| EP2040291A1 (fr) * | 2007-09-19 | 2009-03-25 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de collage de puces sur un substrat de contrainte et procédé de mise sous contrainte d'un circuit de lecture semi-conducteur |
| US7645686B2 (en) | 2007-09-19 | 2010-01-12 | Commissariat A L'energie Atomique | Method of bonding chips on a strained substrate and method of placing under strain a semiconductor reading circuit |
| FR3114819A1 (fr) * | 2020-10-06 | 2022-04-08 | Raphaël PESCI | Alliage pour brasure utilisation dans un detecteur d'un tel alliage |
| WO2022074324A1 (fr) * | 2020-10-06 | 2022-04-14 | Pesci Raphael | Alliage pour brasure, utilisation dans un detecteur d'un tel alliage |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20130329 |