FR2823011A1 - Connexion par depot de cordon conductrice sur zone de raccordement delimitee par masque isolant - Google Patents
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Abstract
La connexion électrique par dépôt de matière visqueuse d'une puce (3) à un plot d'interface (13) de communication prévoit :. le dépôt d'une barrière (14) de délimitation en matière isolante visqueuse, et délimitant sur une zone de raccordement (15; 20) sur la face active (7) de la puce, ses flancs et le substrat (4); puis. sur cette zone (15, 20), voire en empiétant sur la barrière (14), le dépôt d'une cordon (16) de matière conductrice visqueuse, qui relie les plot de sortie (6) et d'interface (13) pour les connecter électriquement.
Description
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L'invention concerne la réalisation de connexions électriques, dans le cadre de la fabrication d'un dispositif électronique à circuit intégré.
Bien qu'elle s'applique à la fabrication d'autres dispositifs électroniques, l'invention est décrite ici dans son application aux objets portables intelligents, comme les cartes à puces ou étiquettes électroniques.
Une telle connexion est étendue entre-et relie électriquement-un plot de sortie de circuit intégré (éventuellement via un bossage appelé "bump"), à au moins un plot d'interface permettant la communication du dispositif avec l'extérieur, avec (piste de contact de bornier) ou sans contact physique (antenne). Usuellement, la connexions de plusieurs plots de sortie à divers plots d'interface est prévue pour un même dispositif.
Comme dans le document FR-A-2761497 il est actuellement courant de connecter des plots de contact et d'interface par dépôt d'un matériau électriquement conducteur, souvent adhésif.
Ainsi, le document FR-A-2761498 décrit le dépôt d'une connexion électrique au moyen d'une seringue ou analogue, selon une technique dite de dispense . Pour ce faire, il faut que le débit de la seringue d'injection du matériau visqueux électriquement conducteur soit élevé, ce qui est difficile à réaliser en pratique.
Le document FR-A-2795234 décrit un autre dépôt de connexion appelé material jet connection . Il permet d'obtenir des connexions électriques par projection d'encre électriquement conductrice : mais il est nécessaire que cette encre soit suffisamment fluide pour être compatible avec les têtes de projection existantes. Ceci augmente le coût de l'encre.
Les connexions connues ne répondent pas entièrement aux besoins de l'industrie, notamment en terme de cadence, de coût, de fiabilité et encombrement du produit obtenu.
L'invention vise à notamment à tirer le meilleur parti des procédés de connexion disponibles, de s'affranchir de contraintes inhérentes (de
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précision par exemple) à l'un ou l'autre de ces procédés afin d'obtenir des connexions plus rapides, économiques et fiables.
A cet effet, un objet de l'invention vise un procédé de connexion électrique par dépôt de matière visqueuse, d'au moins un plot de sortie de circuit intégré à au moins un plot d'interface de communication par bornier et/ou antenne, destinés à un dispositif électronique intelligent portable tel que carte à puce ou analogues ; ce procédé comprenant les étapes préalables de : report de la puce sur un substrat tel que film diélectrique et pourvu du plot d'interface, avec une face arrière de la puce attachée au substrat par exemple par collage et une face active apparente comportant le plot de sortie à connecter ; puis isolation au moins partielle d'au moins un flanc de la puce étendu entre les faces actives et arrière ; ce procédé comportant en outre les étapes ultérieures prévoyant de successivement : ci Déposer sur au moins une partie de la face active sans recouvrir le plot de sortie, des flancs et/ou de leur isolation et du substrat, au moins une barrière de délimitation en matière électriquement isolante visqueuse, étendue à proximité des plots d'interface de communication et de sortie à connecter, et délimitant sur le substrat et la puce notamment, une zone de raccordement ; puis a Déposer sur cette zone de raccordement, voire en empiétant sur la barrière de délimitation, au moins un cordon de matière électriquement conductrice visqueuse, qui relie les plot de sortie et d'interface pour les connecter électriquement.
Selon une caractéristique la barrière de délimitation est déposée et étendue sur la face active en forme de cadre entourant au moins en partie un ou les plots de sortie, par exemple la barrière est déposée en forme de masque avec un dégagement autour du plot de sortie de la puce qui présente un contour sensiblement similaire à celui de ce plot.
Selon une autre caractéristique, la barrière de délimitation est déposée et étendue contre le sommet du flanc en partie isolé, et en
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complète l'isolation, par exemple aucune zone de raccordement au droit du sommet de flanc n'étant délimitée par cette barrière.
Dans une réalisation où plusieurs puces sont reportées sur un substrat unique, une même barrière de délimitation est déposée et étendue sensiblement simultanément sur plusieurs faces actives des puces ; par exemple la barrière sur une face active est en forme de masque qui recouvre sensiblement cette face, et d'où saille au moins un branche de jonction avec au moins un autre masque d'une puce contiguë, cette branche étant déposé en partie sur le substrat.
Selon une caractéristique, une barrière de délimitation est déposée et étendue sur le substrat en forme de branche de jonction continue avec la barrière de délimitation sur la face active et/ou sur le flanc de la puce ; par exemple la barrière est déposée à faible proximité de l'interface de communication, en forme bande sensiblement linéaire étendue sensiblement suivant une direction sensiblement parallèle à celle de cordon conducteur destiné à connecter cette interface et le plot correspondant.
Si le substrat est destiné à être découpé autour d'au moins une puce après sa connexion, par exemple pour former un module de carte à puce ou analogues, au moins une partie de la barrière telle qu'une branche de jonction est sectionnée lors de la découpe du substrat.
Dans une réalisation où plusieurs plots d'interface sont disposées sur le substrat, une même barrière de délimitation est déposée et étendue sensiblement simultanément sur ce substrat, avec au moins une branche de jonction étendue entre deux plots d'interface proches ; par exemple la barrière est déposée en forme de pieuvre dont un masque central recouvre sensiblement la face active de la puce, et d'où saille au moins une branche de jonction entre deux plots d'interface contiguës.
Un mode de réalisation prévoit le dépôt d'une barrière pourvue d'une branche de jonction entre chaque plots d'interface voisins du substrat, et d'un masque central venu de matière avec la ou les
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branche (s) ainsi que doté d'un cadre ouvert au droit de chaque plots de sortie de la puce à connecter.
Dans une mise en oeuvre, au moins une barrière isolante de délimitation et/ou cordon conducteur en matière (s) visqueuse (s) est déposé par"dispense".
Dans une mise en oeuvre, au moins une barrière isolante de délimitation et/ou cordon conducteur en matière (s) visqueuse (s) est déposé par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection".
Dans une mise en oeuvre, au moins une barrière isolante de délimitation et/ou cordon conducteur en matière (s) visqueuse (s) est déposé par pulvérisation de cette matière à travers un cache définissant le motif à obtenir ou"material spray connection".
Des essais secrets ont été effectués avec les combinaisons suivantes :
Par exemple pour une connexion pour laquelle l'aire et/ou volume de matière visqueuse isolante nécessaire à la barrière de délimitation, est réduit telle que pour une puce dont la dimension maximale est de l'ordre de 1 à 3 mm et/ou pour un substrat dont la dimension maximale une fois découpé est de l'ordre de 5 à 15 mm, cette barrière est déposée par"dispense".
Par exemple pour une connexion pour laquelle l'aire et/ou volume de matière visqueuse isolante nécessaire à la barrière de délimitation, est réduit telle que pour une puce dont la dimension maximale est de l'ordre de 1 à 3 mm et/ou pour un substrat dont la dimension maximale une fois découpé est de l'ordre de 5 à 15 mm, cette barrière est déposée par"dispense".
Il en va de même (dépôt par"dispense") quand la barrière est sensiblement linéaire, telle que dans le cas où seuls un à trois plots d'interface sont à séparer par une ou deux barrières et/ou seuls un à trois plots de sortie sont à séparer par une ou deux barrières, éventuellement confondue et continue avec celle de séparation sur un substrat correspondant.
Pour une connexion pour laquelle l'aire et/ou volume de matière visqueuse isolante nécessaire à la barrière de délimitation est important telle que pour une puce dont la dimension maximale est de l'ordre de 3 à 6 mm et/ou pour un substrat dont la dimension maximale une fois
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découpé est de l'ordre de 10 à 20 mm, la barrière est déposée par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection".
Un exemple de connexion pour laquelle l'aire et/ou volume de matière visqueuse conductrice nécessaire à la cordon conducteur, est réduit telle que pour une puce dont la dimension maximale est de l'ordre de 1 à 3 mm et/ou pour un substrat dont la dimension maximale une fois découpé est de l'ordre de 5 à 15 mm, le cordon conducteur est déposé par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection".
Quand la cordon conducteur est sensiblement linéaire, tel que dans le cas où seuls un à trois plots d'interface sont à relier électriquement par une ou deux cordons à un à trois plots de sortie correspondants, son dépôt de ce cordon est réalisé par dispense.
Pour une connexion pour laquelle l'aire et/ou volume de matière visqueuse conductrice nécessaire à la cordon conducteur est important telle que pour une puce dont la dimension maximale est de l'ordre de 3 à 6 mm et/ou pour un substrat dont la dimension maximale une fois découpé est de l'ordre de 10 à 20 mm, le cordon conducteur est par exemple déposée par projection de matière visqueuse conductrice ou "material jet connection".
Lorsqu'au moins une barrière isolante de délimitation et/ou cordon conducteur en matière (s) visqueuse (s) est déposé par"dispense", la viscosité choisie pour cette matière telle qu'époxy isolant respectivement chargée en particules conductrices comme argent, est de l'ordre de 10 Pa. s (1000 Cps), puis est prévue au moins une étape de durcissement par apport thermique et/ou exposition à un rayonnement tel que UV.
Lorsqu'au moins une barrière isolante de délimitation et/ou cordon conducteur en matière (s) visqueuse (s) est déposé par projection de matière conductrice ou"material jet connection", la viscosité choisie pour cette matière telle qu'époxy voire uréthane ou acrylique isolant respectivement époxy chargée d'argent, est de l'ordre de 1 Pa. s (100
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Cps), puis est prévue, éventuellement après une phase d'évaporation d'un solvant de fluidification, au moins une étape de durcissement par apport thermique et/ou exposition à un rayonnement tel que UV.
Un autre objet de l'invention vise un module destiné à un dispositif électronique intelligent portable tel que carte à puce ou analogues, ce module étant au moins en partie connecté électriquement par dépôt de matière visqueuse ; ce module comporte au moins un circuit intégré ou puce avec au moins un plot de sortie, un substrat tel que film diélectrique avec au moins un plot d'interface de communication par bornier et/ou antenne ; la puce étant reportée sur le substrat avec une face arrière attachée à ce substrat par exemple par collage tandis qu'une face active de la puce qui reste apparente comporte le plot de sortie à connecter ; au moins un flanc de la puce étendu entre les faces actives et arrière étant au moins en partie isolé par exemple par une remontée sur ce flanc de la colle de report ; ce module comportant en outre : a au moins une barrière de délimitation en matière électriquement isolante visqueuse, étendue à proximité des plots d'interface de communication et de sortie à connecter, et délimitant sur une zone de raccordement sur au moins une partie de la face active sans recouvrir le plot de sortie, des flancs et/ou de leur isolation et du substrat ; et a sur cette zone de raccordement, voire empiétant sur la barrière de délimitation, au moins un cordon de matière électriquement conductrice visqueuse, qui relie les plot de sortie et d'interface pour les connecter électriquement.
Selon une caractéristique la barrière de délimitation est étendue sur la face active en forme de cadre entourant au moins en partie un ou les plots de sortie, par exemple la barrière forme un masque avec un dégagement (autour du plot de sortie de la puce) qui présente un contour sensiblement similaire à celui de ce plot.
Selon une autre caractéristique, la barrière de délimitation est étendue contre le sommet du flanc en partie isolé, et en achève ou
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complète l'isolation : par exemple aucune zone de raccordement au droit du sommet de flanc n'est délimitée par cette barrière.
Dans une réalisation la barrière sur une face active est en forme de masque qui recouvre sensiblement cette face, et d'où saille au moins une branche de jonction, cette branche étant déposée en partie sur le substrat.
Selon une caractéristique, une barrière de délimitation est étendue sur le substrat en forme de branche de jonction continue avec la barrière de délimitation sur la face active et/ou sur le flanc de la puce ; par exemple la barrière est déposée à faible proximité du plot d'interface de communication, en forme de bande étendue sensiblement suivant une direction parallèle à celle de cordon conducteur destiné à connecter cette interface et le plot de sortie correspondant.
Dans une réalisation où plusieurs plots d'interface sont disposées sur un substrat unique, une même barrière de délimitation est étendue sur ce substrat, avec au moins une branche étendue entre deux plots d'interface proches ; par exemple la barrière est en forme de pieuvre dont un masque recouvre sensiblement toute (sauf les plots de sortie) la face active de la puce, et d'où saille au moins un branche de jonction entre deux plots d'interface contigus.
Un mode de réalisation prévoit sur le module une barrière pourvue d'une branche entre chaque plots d'interface voisins du substrat, et d'un masque central venu de matière avec les branche ainsi que doté d'un cadre ouvert au droit de chaque plots de sortie de la puce à connecter.
Selon une caractéristique, au moins une barrière et/ou cordon sur le substrat du module a été sectionné lors de la découpe de ce dernier et présente une extrémité externe sensiblement confondue avec un rebord découpé correspondant de ce substrat.
Dans une mise en oeuvre, au moins une barrière isolante de délimitation et/ou cordon conducteur en matière (s) visqueuse (s) est en matière initialement visqueuse (par exemple de l'ordre de 10 Pa. s) déposée par"dispense"et durcie, telle que respectivement colle époxy
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isolante (barrière) ou respectivement époxy conductrice par exemple par charge de particules d'argent ou analogues (cordon conducteur).
Dans une mise en oeuvre, au moins une barrière isolante de délimitation et/ou cordon conducteur en matière (s) visqueuse (s) est en matière initialement à faible viscosité (et donc fluide relativement à celle employée pour la"dispense" : par exemple de l'ordre de 1 Pa. s) déposée par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection"et durcie, telle que respectivement colle époxy, uréthane ou acrylique isolantes (barrière) et époxy conductrice par exemple chargée en particules et d'argent ou analogues et durcie (cordon conducteur).
Encore un objet de l'invention vise un objet portable intelligent tel que carte à puce, étiquette à circuit intégré ou analogues, réalisée suivant le procédé évoqué plus haut et/ou qui comporte au moins un module électronique tel qu'évoqué.
Maintenant des exemples de réalisation de l'invention sont exposés dans la description qui suit et se réfère aux dessins où : - la figure 1 est une vue schématique partielle en section d'élévation longitudinale, qui illustre le report par collage d'un microcircuit sur un substrat de support tel que film isolant diélectrique ; - la figure 2 est une vue de dessus en plan (longitudinal et transversal) de la figure 1 ; - la figure 3 est une vue schématique partielle en section d'élévation longitudinale, qui illustre le dépôt d'une couche de matière électriquement isolante sur la face supérieure du substrat ; - la figure 4 est une vue similaire à la figure 2 qui représente le microcircuit et le substrat de support à l'étape de la figure 3 avec une barrière de séparation en forme de pieuvre ; - la figure 5 est une vue similaire à la figure 1 qui illustre le dépôt d'une couche de matière électriquement conductrice sous forme de cordon de conduction sur des zones de raccordement et ; ta figure 6 est une vue similaire à celle de la figure 2 ou 4 qui représente le module et l'objet portable intelligent obtenu, notamment par
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découpe puis encartage, à partir de la puce connectée au substrat de support à l'étape illustré sur la figure 5.
Sur les figures sont représentées trois directions orthogonales les une aux autres. Une direction E dite d'élévation, correspond aux hauteur et épaisseur des structures décrites : les termes haut/bas s'y réfèrent. Une autre direction L dite longitudinale, correspond aux longueur ou dimension principales des structures décrites. Encore une autre direction T dite transversale, correspond aux largeur ou dimension latérales des structures décrites.
Les directions L et T définissent conjointement un plan (confondu avec celui de la feuille sur les figures 2,4 & 6) suivant lequel sont essentiellement étendues des structures décrites maintenant comme les objet portable 1, puce 3, substrat 4 ou module 5. On cherche en effet à en réduire la hauteur.
Sur la figure 6 est illustré schématiquement un dispositif électronique ou objet intelligent portable 1 tel que carte à puce ou analogues. C'est en fait un corps 2 de cet objet qui est en partie représenté ici.
L'objet 1 comporte une puce ou circuit intégré 3 qui est reportée ici par collage sur un substrat 4 tel que film diélectrique. Une technique dite"die attach"permet ce report en vue d'obtenir un module 5.
Notons ici que le substrat 4 est isolant dans le cas d'un film diélectrique. Mais la colle 10 permet si elle est isolante, le report de la puce 3 sur un substrat électriquement conducteur, comme une face supérieure ou ici arrière d'un bornier de contact.
La puce 3 possède ici cinq plots de sortie 6, disposés sur une face active 7. Cette face active 7 étendue dans le plan des directions L et T, est souvent passivée c'est à dire revêtue d'un vernis isolant : la passivation ne doit pas être confondue avec les dépôts isolants de connexion évoqués plus loin, qui le cas échéant sont étendus sur cette passivation.
A l'opposé de la face active 7 suivant la direction d'élévation E, la puce 3 possède une face arrière 8, elle aussi étendue dans le plan des
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directions L et T. C'est cette face arrière 8 qui est attachée au substrat 4 tandis que la face active 7 de la puce 3 reste apparente après le report.
La référence 9 désigne sur les figures 1 et 2 des flancs de la puce 3. Ces flancs 9 deux à deux parallèles et respectivement étendus en élévation longitudinale et transversale, relient les faces active 7 et passive 8.
Il ressort bien de la figure 1 qu'une colle isolante de report 10 fixe rigidement la puce 3 sur le substrat 4. Cette colle 10 est étendue entre la face arrière 8 et ce substrat 4, mais forme aussi contre les flancs 9 des congés ou bourrelets 11.
Ces congés 11 en colle non conductrice électriquement participent à l'isolation des flancs 9 de la puce 3, puisqu'ils les recouvrent en partie.
En pratique dans l'industrie, la quantité et les propriétés physiques notamment de colle 10 utilisée pour le report sont choisies pour qu'au report, cette colle ne remonte pas jusqu'à la face active 7 : il est en effet souhaitable d'éviter les débordements de la colle 10 sur la face active 7, qui pourraient par exemple couvrir tel ou tel plot de sortie 6, en le rendant inutilisable.
Sur la figure 1, est ainsi illustré une marche 12 au sommet du flanc 9, qui n'est pas recouverte par les congés 11. Une telle marche 12 peut être à l'origine de court-circuit si elle n'est pas ultérieurement isolée.
Des plots d'interface de communication 13 de la puce 3 sont illustrés sur les figures. Les plots d'interface 13 sont étendus sur le même côté du substrat 4 que celui où est reporté la puce 3.
Notons que selon les types d'objet 1, les interfaces de communication proprement dites, telles que par bornier pour une liaison par contact et/ou antenne pour une liaison sans contact, sont selon les cas sur le côté du substrat 5 qui reçoit la puce 3 ou sur son côté opposé en élévation (E).
Par connexion, on désigne la technique qui permet ici la liaison ou le raccordement électrique (et donc l'échange de données et/ou
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d'énergie) entre la puce 3 et l'extérieur. On a vu que la connexion par dépôt de matière conductrice visqueuse était connue.
Maintenant, la structure de la connexion selon l'invention est décrite en se reportant aux figures 3 à 6.
Cette connexion possède ici principalement deux structures, à savoir : u une barrière de délimitation 14 isolant, qui définit une ou plusieurs zone (s) de raccordement 15 ; et
li un cordon conducteur 16 de connexion.
li un cordon conducteur 16 de connexion.
Par barrière 14 on entend une structure unitaire ou un groupe de structures opérant la même fonction de délimitation. Il en va de même pour la zone 15 et sa fonction de délimitation ou le cordon 16. Comme exposé en détail plus loin, la barrière 14 est en matière électriquement isolante visqueuse. Alors que le cordon 16 est en matière électriquement conductrice visqueuse.
Il ressort des figures que la barrière 14 est étendue à proximité des plots d'interface de communication 13 et de sortie 6 à connecter. Bien sûr, elle ne recouvre pas ces plots 6 ou 13. Ainsi, elle (14) délimite une zone de raccordement 15 sur au moins une partie de la face active 7 sans recouvrir le plot de sortie 6, des flancs 9 et de leur isolation initiale par les congés 11 de colle 10. La barrière 14 et la zone 15 sont aussi étendues sur le côté 17 (figure 5) du substrat où est reporté la puce 3.
Décrivons en détail la barrière 14 de la figure 4. Suivant cette vue, elle (14) s'inscrit sensiblement dans un hexagone étendu dans le plan des directions L et T (nonobstant la hauteur de la puce 3 en élévation). Sur la face active 7, la barrière 14 forme un cadre 18 qui entoure les plots de sortie 6, en formant une couche avec un dégagement 19 autour de chaque plot de sortie 6 à connecter (certains plots 6 non utilisés peuvent être masqués). Chaque dégagement 19 présente un contour sensiblement similaire à celui de ce plot. On cherche ainsi tout en offrant une aire suffisante pour la connexion, à obtenir une aire isolée électriquement la plus élevée possible.
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En outre, la barrière de délimitation 14 est étendue contre le sommet des flancs 9 déjà en partie isolés par le congé 11. De la sorte on complète l'isolation de la puce 3 entre le sommet du congé 11 et la face active 7. Dans l'exemple illustré, aucune zone de raccordement 15 n'est prévue au droit du sommet de flanc 9 qui est donc entièrement recouverte par cette barrière 14.
Dans la réalisation des figures 3 à 6, la barrière 14 sur la face active 7 qui forme le masque central 18 et recouvre donc sensiblement cette face 7, possède en saillie des branches de jonction 20 déposées sur le substrat 4.
Ces branches sont de deux formes et fonctions différentes.
Selon une de ces formes et fonctions comme sur la figure 4, des branches de jonction 20 continues avec le masque 18 de la barrière de délimitation 14 sont déposées à faible proximité des plots 13 d'interface de communication, et ont une forme de bande 21 étendue sensiblement suivant une direction longitudinale L, c'est-à-dire parallèle à celle de cordon conducteur 16 destinée à connecter les plots 6 et 13 correspondants.
A gauche sur la figure 4, deux bandes de délimitation 21 sont étendues longitudinalement depuis le masque central 18 jusqu'à proximité (ici même au delà vers l'extérieur) des trois plots 13. Transversalement, les trois plots 13 étant alignés, la barrière 14 est configurée avec une première bande 21 entre les plots 13 représentés en haut sur la figure 4.
Une deuxième bande 21 est déposée entre les plots 13 représentés en bas sur la figure 4. Ainsi, le plot 13 central suivant la direction transversale, c'est-à-dire entre les deux autres, est encadré par les bandes 21 du haut et du bas sur la figure 4.
Cette disposition définit sur cette partie du substrat 4 (à gauche de la puce 3 sur la figure 4) trois zones de raccordement 15 sensiblement longitudinales et l'une en dessous de l'autre transversalement. Les zones 15 externes transversalement (en haut et en bas), sont ouvertes à la fois à leurs extrémités longitudinales et transversales externes, opposées à la
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puce 3. La zone 15 centrale transversalement, également étendue suivant la direction longitudinale L, est seulement ouverte à son extrémité longitudinale externe, puisqu'elle est délimitée d'une part en haut par la première bande 21 et d'autre part en bas par la deuxième bande 21.
A droite sur la figure 4, une seule bande de délimitation 21 est étendue longitudinalement depuis le masque central 18 jusqu'à proximité (ici même au delà vers l'extérieur) des deux plots 13. Transversalement, deux plots 13 étant alignés de ce côté du substrat 4, la barrière 14 est configurée pour que les plots 13 soient séparés transversalement par la bande 21. Ainsi, cette bande 21 est entre les deux plots 13 suivant la direction transversale, c'est-à-dire est encadrée par ces derniers (13) du haut et du bas sur la figure 4.
Cette disposition définit sur cette partie du substrat 4 (à droite de la puce 3 sur la figure 4) deux zones de raccordement 15 sensiblement longitudinales et l'une en dessous de l'autre transversalement. Les zones 15 sont ouvertes à la fois à leurs extrémités longitudinales et transversales externes, opposées à la puce 3.
Déjà, on comprend que la barrière 14 et les zones 15 qu'elle délimite sur le substrat 4 affranchit de contraintes souvent rencontrées avec la connexion par dépôt notamment en termes de précision et de simplicité : comme pour un pochoir, les barrières 14 entourent là ou existe un risque critique de défaut, suivant les directions longitudinales L et transversale T, les zones 15. Ces zones 15 définissent ainsi à l'avance une forme utile des cordons 16. De fait, ces cordons 16 peuvent être déposés avec une précision moindre, et donc à cadence plus élevée ainsi qu'avec un équipement courant.
Dans la réalisation de la figure 4 où plusieurs plots d'interface 13 sont disposées sur le substrat 4, une même barrière de délimitation 14 est étendue avec trois branches 20 ou bandes 21 étendues chacune entre deux plots d'interface 13 proches, pour les séparer. Ici, la barrière 14 dans son ensemble est en forme de pieuvre dont le masque central 18 forme le
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corps et d'où saille les trois branches de jonction 20 chacune entre deux plots d'interface 13 contigus.
Selon une autre des formes et fonctions des branches 20 comme sur la figure 6, ces parties de la barrière 14 (et on le verra parfois des cordons 16) sont destinés à être sectionnés lors de la découpe du substrat 4. Ces branches découpées 22 présentent une extrémité externe 23 sensiblement confondue avec une périphérie découpée correspondant de ce substrat 4. Cette périphérie est définie sur la figure 6 par deux paires de bord deux à deux parallèles, les bord transversaux 24 et longitudinaux 25. On comprend que ces bords 24 et 25 délimitent la périphérie d'un module 5 obtenu depuis un film de substrat où plusieurs emplacements de modules 5 sont prévus longitudinalement et transversalement. Ici, la découpe des bords 24 et 25 provoque simultanément que les branches 22 sont sectionnées à leurs extrémités 23 : ceci permet si nécessaire un dépôt continu d'une barrière 14 à une autre barrière 14 contiguë sur le film.
Outre le fait qu'un masque central 18 est ici venu de matière avec les branches 20 et 22 et possède un dégagement 19 ou cadre débouchant au droit de chaque plot de sortie 6, les barrières 14 sont initialement venues de matière par série, par exemple en forme de grillage : les interruptions de dépôt, et donc certains risques de bouchage des buses ou seringues sont limités par un tel flux plus continu.
En déposant ensuite sur ces zones 15 de raccordement, voire empiétant sur la barrière de délimitation 14, les cordons 16 de matière électriquement conductrice visqueuse, relient aisément les plots de sortie 6 et d'interface 13 pour les connecter électriquement.
Ces cordons 16 sont en forme de lignes sensiblement longitudinales et complémentaires aux zones 15 sur lesquelles ils sont étendus, étendus chacun depuis un plots 6 sur la face 7 jusqu'à un plot 13 sur le substrat 4.
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En vue d'élévation, comme sur les figures 3 et 5, les barrière 14 et cordons 16 épousent le relief des structures sur lesquelles elles sont déposées, à savoir pour la barrière 14 : a la puce 3 a son isolation par la colle 10 a le côté 17 du substrat 4.
Pour les cordons 16 : a les plots de sortie 6 a) la puce dans les dégagements 19 a la barrière 14 a le côté 17 du substrat 4 dans les zones 15 a les plots d'interface 13.
Notons que les cordons peuvent aussi être étendus également sur les branches 20 de la barrière 14, là où apparaissent des débordements lors de leur dépôt.
Dans une mise en oeuvre, au moins une barrière isolante de délimitation 14 ou un cordon conducteur 16 en matière (s) visqueuse (s) (par exemple de l'ordre de 10 Pa. s) est en matière initialement déposée par"dispense"et durcie, telle que respectivement colle époxy isolante pour la barrière 14 et époxy conductrice par exemple par charge de particules d'argent ou analogues pour des cordons 16.
Dans une mise en oeuvre, au moins une barrière isolante de délimitation et/ou cordon conducteur en matière (s) visqueuse (s) (par exemple de l'ordre de 1 Pa. s) est en matière initialement à faible viscosité déposée par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection"et durcie, telle que respectivement colle époxy, uréthane ou acrylique isolantes pour la barrière 14 et époxy conductrice par exemple chargée en particules et d'argent ou analogues et durcie pour les cordons 16.
Dans un exemple non représenté, le cordon conducteur 16 est sensiblement linéaire, quand un module 5 où un à trois plots d'interface 13 sont à relier électriquement par une ou deux cordons à un à trois plots de
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sortie 6 correspondants. La barrière 14 peut alors aussi prendre la forme d'un simple bandeau linéaire. Cet exemple peut par exemple trouver son application dans le cas d'un objet 1 tel qu'étiquette électronique ou"Tag" de structure dépouillée et à bas coût.
Avant de décrire les étapes de la connexion, indiquons ici qu'un module 5 qui possède une aire et/ou volume réduit de matière visqueuse conductrice nécessaire à la cordon conducteur 16, possède par exemple une puce 3 dont la dimension maximale est de l'ordre de 1 à 3 mm et/ou un substrat 4 dont la dimension maximale une fois découpé est de l'ordre de 5 à 15 mm. Ce type de structure se trouve par exemple dans les cartes 1 dites à mémoire, courantes pour les applications de téléphone payées à l'avance. Ces applications impliquent des objets 1 à bas coût.
Par ailleurs, un module 5 qui possède une aire et/ou volume important de matière visqueuse conductrice nécessaire à la cordon conducteur 16, possède par exemple une puce 3 dont la dimension maximale est de l'ordre de 3 à 6 mm et/ou un substrat 4 dont la dimension maximale une fois découpé est de l'ordre de 10 à 20 mm. Ce type de structure se trouve par exemple dans les cartes 1 dites à microprocesseur, courantes pour les applications bancaires. Ces applications peuvent intégrer des puces 3 ou connexions plus sophistiquées.
Rappelons d'ailleurs qu'un objet de l'invention vise ces dispositifs portables intelligents 1 réalisés suivant le procédé évoqué plus bas et/ou qui comportent au moins un module électronique tel qu'évoqué.
Maintenant, décrivons quelques modes de réalisation de l'invention, en termes de procédé.
Le procédé de connexion électrique par dépôt de matière visqueuse, d'au moins un plot de sortie 6 de circuit intégré à au moins un plot d'interface 13 de communication par bornier et/ou antenne comprend les étapes préalables de : o report de la puce 3 sur un substrat 4 tel que film diélectrique ; puis
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u isolation au moins partielle d'au moins un flanc 9 de la puce 3. Selon l'invention, ce procédé comporte en outre les étapes ultérieures prévoyant de successivement de : CD Déposer sur au moins une partie de la face active 7 sans recouvrir le plot de sortie 6, des flancs 9 et/ou de leur isolation (10,11) et du substrat 4, au moins une barrière de délimitation 14 en matière électriquement isolante visqueuse, étendue à proximité des plots d'interface de communication 13 et de sortie 6 à connecter, et délimitant sur le substrat et la puce notamment, une zone de raccordement 15 ; puis CI Déposer sur cette zone de raccordement 15, voire en empiétant sur la barrière de délimitation 14, au moins une cordon de matière 16 électriquement conductrice visqueuse, qui relie les plot de sortie 6 et d'interface 13 pour les connecter électriquement.
Selon une étape ou phase la barrière de délimitation 14 est déposée et étendue sur la face active 14 en forme de cadre entourant au moins en partie un ou les plots de sortie 6.
Dans l'exemple illustré, la barrière 14 est déposée en forme de couche avec un dégagement 19 autour des plots de sortie 6 qui présente un contour sensiblement similaire à celui de ces plots 6.
Selon une autre étape ou phase, la barrière 14 est déposée et étendue contre le sommet du flanc 9 en partie isolé, et en complète l'isolation. Ici, aucune zone 15 au droit du sommet de flanc n'est délimitée par cette barrière 14.
Dans une réalisation où plusieurs puces 3 sont reportées sur un substrat 4 unique, une même barrière 14 est déposée et étendue sensiblement simultanément sur plusieurs faces actives 7. La barrière 14 sur une face active 7 est en forme de masque 18 qui recouvre sensiblement cette face 7, et d'où saille au moins un branche 20 de jonction avec au moins un autre masque 18 d'une puce 3 contiguë, cette branche 20 étant déposé en partie sur le substrat 4.
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Selon une étape ou phase, une barrière 14 est déposée et étendue sur le substrat 4 en forme de branche 20 continue avec la barrière 14 sur la face active 7 et sur le flanc 9. La barrière 14 est ici déposée à faible proximité de l'interface de communication ou plutôt de ses plots 13, en forme bande 21 étendue sensiblement suivant la direction L parallèle à celle du cordon 16 destinée à connecter cette interface et le plot 6 correspondant.
Si le substrat est destiné à être découpé suivant les bords 24 et 25 autour d'au moins une puce 3 après sa connexion, par exemple pour former un module 5, au moins une partie de la barrière 14 telle qu'une branche 22 est sectionnée lors de la découpe du substrat 4.
Selon une étape ou phase, au moins une barrière 4 (et parfois un ou plusieurs cordons 16) a été sectionné lors de la découpe du substrat et présente une extrémité externe 23 sensiblement confondue avec un bord 24 ou 25 découpé correspondant.
Dans une étape ou phase où plusieurs plots d'interface 13 sont disposées sur le substrat 4, une même barrière 14 est déposée et étendue sensiblement simultanément sur ce substrat 4, avec au moins une branche de jonction (20,21, 22) étendue entre deux plots d'interface 13 proches. La barrière 14 est ainsi déposée sur la figure 4, en forme de pieuvre dont un masque 18 recouvre sensiblement la face active, et d'où saille trois branches de jonction 20 entre deux plots d'interface 13 contigus.
Une étape ou phase prévoit le dépôt d'une barrière 14 pourvue d'un branche 20 entre chaque plots d'interface 13 voisins, et d'un masque central 18 venu de matière avec les branches (20,21, 22) ainsi que doté d'un cadre ouvert ou dégagement 19 au droit de chaque plot de sortie 6 à connecter.
Dans une mise en oeuvre, au moins une barrière 14 isolante de délimitation 14 et/ou cordon conducteur 16 en matière (s) visqueuse (s) est déposé par pulvérisation de matière visqueuse à travers un cache définissant le motif à obtenir ou"material spray connection".
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Mais dans l'industrie actuellement, soit au moins une barrière 14 et/ou cordon 16 en matière (s) visqueuse (s) est déposée par"dispense".
Soit au moins une barrière 14 et/ou cordon 16 en matière (s) visqueuse (s) est déposé par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection".
Des essais secrets ont été effectués avec les combinaisons exposées maintenant, et résumées par le tableau suivant :
<tb>
<tb> Connexion
<tb> Application <SEP> Barrière <SEP> 14 <SEP> Cordon <SEP> 16
<tb> Puce <SEP> 1-3mm
<tb> Substrat <SEP> 5-15mm <SEP> Dispense <SEP> Material <SEP> jet <SEP> connection
<tb> (Carte <SEP> téléphonique)
<tb> Puce <SEP> 3-6mm <SEP> Dispense
<tb> Substrat <SEP> 10-20mm <SEP> Material <SEP> jet <SEP> connection <SEP> (ou <SEP> Material <SEP> jet
<tb> (Carte <SEP> bancaire) <SEP> connection <SEP> ou <SEP> spray)
<tb> 1-3 <SEP> plots <SEP> 6
<tb> 1-3 <SEP> plots <SEP> 13 <SEP> Dispense <SEP> Dispense <SEP> ou
<tb> (Étiquette <SEP> ou"Tag") <SEP> Material <SEP> jet <SEP> connection
<tb>
<tb> Connexion
<tb> Application <SEP> Barrière <SEP> 14 <SEP> Cordon <SEP> 16
<tb> Puce <SEP> 1-3mm
<tb> Substrat <SEP> 5-15mm <SEP> Dispense <SEP> Material <SEP> jet <SEP> connection
<tb> (Carte <SEP> téléphonique)
<tb> Puce <SEP> 3-6mm <SEP> Dispense
<tb> Substrat <SEP> 10-20mm <SEP> Material <SEP> jet <SEP> connection <SEP> (ou <SEP> Material <SEP> jet
<tb> (Carte <SEP> bancaire) <SEP> connection <SEP> ou <SEP> spray)
<tb> 1-3 <SEP> plots <SEP> 6
<tb> 1-3 <SEP> plots <SEP> 13 <SEP> Dispense <SEP> Dispense <SEP> ou
<tb> (Étiquette <SEP> ou"Tag") <SEP> Material <SEP> jet <SEP> connection
<tb>
Par exemple pour une connexion pour laquelle l'aire et/ou volume de matière visqueuse isolante nécessaire à la barrière 14, est réduit telle que pour une puce 3 dont la dimension maximale est de l'ordre de 1 à 3 mm et/ou pour un substrat 4 dont la dimension maximale une fois découpé est de l'ordre de 5 à 15 mm, cette barrière 14 est déposée par"dispense".
Il en va de même quand la barrière 14 est sensiblement linéaire, telle que dans le cas où seuls un à trois plots d'interface 13 sont à séparer par une ou deux barrières 14 et/ou seuls un à trois plots de sortie 13 sont à séparer par une ou deux barrières 14, éventuellement confondue et continue avec celle de séparation sur un substrat 4 correspondant.
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Pour une connexion pour laquelle l'aire et/ou volume de matière visqueuse isolante nécessaire à la barrière 14 est important telle que pour une puce 3 dont la dimension maximale est de l'ordre de 3 à 6 mm et/ou pour un substrat 4 dont la dimension maximale une fois découpé est de l'ordre de 10 à 20 mm, cette barrière 14 est par exemple déposée par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection".
Un exemple de connexion pour lequel l'aire et/ou volume de matière visqueuse conductrice nécessaire à la cordon 16, est réduit tel que pour une puce 3 dont la dimension maximale est de l'ordre de 1 à 3 mm et/ou pour un substrat 4 dont la dimension maximale une fois découpé est de l'ordre de 5 à 15 mm, ce cordon 16 est déposé par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection".
Il en va de même quand la cordon 16 est sensiblement linéaire, telle que dans le cas où seuls un à trois plots 13 sont à relier électriquement par une ou deux cordons 16 à un à trois plots 6 correspondants. Les essais avec de tels cordons déposés par"dispense" ont aussi été effectués et permettent la connexion.
Pour une connexion pour laquelle l'aire et/ou volume de matière visqueuse conductrice nécessaire à la cordon 16 est important telle que pour une puce 3 dont la dimension maximale est de l'ordre de 3 à 6 mm et/ou pour un substrat 4 dont la dimension maximale une fois découpé est de l'ordre de 10 à 20 mm, ce cordon 16 est déposé dans l'essai par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection".
Des essais avec des dépôts par pulvérisation et"dispense"ont été effectués aussi et permettent la connexion.
Lorsqu'une barrière isolante 14 en matière visqueuse est déposée par"dispense", la viscosité choisie pour cette matière telle qu'époxy isolante est de l'ordre de 10 Pa. s (1000 Cps). Après dépôt, est prévue au moins une étape de durcissement par apport thermique et/ou exposition à un rayonnement tel que UV.
Lorsqu'un cordon 16 en matière (s) visqueuse (s) est déposée par "dispense", la viscosité choisie pour cette matière telle qu'époxy non
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isolante chargée en particules conductrices comme argent, est de l'ordre de 10 Pa. s (1000 Cps). Après dépôt est prévue au moins une étape de durcissement par apport thermique et/ou exposition à un rayonnement tel que UV.
Lorsqu'une barrière 14 en matière visqueuse est déposée par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection", la viscosité choisie pour cette matière telle qu'époxy non conducteur voire uréthane ou acrylique isolants, est de l'ordre de 1 Pa. s (100 Cps). Après dépôt, est prévue une étape de durcissement par apport thermique et/ ou exposition à un rayonnement tel que UV.
Lorsqu'un cordon 16 en matière visqueuse est déposé par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection", la viscosité dite faible choisie pour cette matière telle qu'époxy conducteur chargé d'argent est de l'ordre de 1 Pa. s (100 Cps). Après dépôt est prévue une phase d'évaporation d'un solvant de fluidification, puis au moins une étape de durcissement par apport thermique et/ou exposition à un rayonnement tel que UV.
On comprend de ce qui précède que l'invention permet notamment de tirer le meilleur parti des procédés de connexion disponibles, de s'affranchir de contraintes de précision ou de rapidité inhérentes à l'un ou l'autre de ces procédés.
Les inconvénients liés aux tolérances admises dans l'industrie, quant à la quantité et aux propriétés physiques des colles de report sont limités du fait de l'isolation complémentaire obtenue par la barrière sur le sommet des flancs de puce.
On a aussi vu que la barrière et les zones qu'elle délimite sur le substrat affranchit de contraintes souvent rencontrées en termes de précision et de simplicité en entourant, là où existe un risque critique de défaut, suivant les directions longitudinales L et transversale T, les zones de raccordement. Les cordons peuvent être déposés avec une précision
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moindre, et donc à cadence plus élevée ainsi qu'avec un équipement courant.
Claims (33)
- REVENDICATIONS 1. Procédé de connexion électrique par dépôt de matière visqueuse, d'au moins un plot de sortie (6) de circuit intégré à au moins un plot d'interface (13) de communication par bornier et/ou antenne, d'un dispositif (1) électronique intelligent portable tel que carte à puce ou analogues ; ce procédé comprenant les étapes préalables de : report de la puce (3) sur un substrat (4) isolant tel que film diélectrique et pourvu du plot d'interface (13), avec une face arrière (8) de la puce (3) attachée au substrat (4) par exemple par collage et une face active (7) apparente comportant le plot de sortie (6) à connecter ; puis isolation au moins partielle d'au moins un flanc (9) de la puce (3) étendu entre les faces active (7) et arrière (8) ; ce procédé comportant en outre les étapes ultérieures prévoyant de successivement : ID Déposer sur au moins une partie de la face active (7) sans recouvrir le plot de sortie (6), des flancs (9) et/ou de leur isolation et du substrat (4), au moins une barrière (14) de délimitation en matière électriquement isolante visqueuse, étendue à proximité des plots d'interface (13) de communication et de sortie (6) à connecter, et délimitant sur le substrat (4) et la puce (3) notamment, une zone (15) de raccordement ; puis u Déposer sur cette zone (15) de raccordement, voire en empiétant sur la barrière (14) de délimitation, au moins un cordon (16) de matière électriquement conductrice visqueuse, qui relie les plot de sortie (6) et d'interface (13) pour les connecter électriquement.
- 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la barrière (14) de délimitation est déposée et étendue sur la face active (7) en forme de masque (18) entourant au moins en partie un ou les plots de sortie (6), par exemple la barrière (14) est déposée en forme de couche<Desc/Clms Page number 24>avec un dégagement (19) autour du plot de sortie (6) de la puce (3) qui présente un contour sensiblement similaire à celui de ce plot.
- 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la barrière (14) de délimitation est déposée et étendue contre le sommet du flanc (9) en partie isolé (10,11), et en complète l'isolation, par exemple aucune zone (15) de raccordement au droit du sommet de flanc n'étant délimitée par cette barrière (14).
- 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que, dans une réalisation où plusieurs puces (3) sont reportées sur un substrat (4) unique, une même barrière (14) de délimitation est déposée et étendue sensiblement simultanément sur plusieurs faces actives (7) des puces (3) ; par exemple la barrière (14) sur une face active (7) est en forme de masque (18) qui recouvre sensiblement cette face, et d'où saille au moins un branche (20 ; 22) de jonction avec au moins un autre masque d'une puce (3) contiguë, cette branche (20) étant déposée en partie sur le substrat (4).
- 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'une barrière (14) de délimitation est déposée et étendue sur le substrat (4) en forme de branche (20) de jonction continue avec la barrière (14) de délimitation sur la face active (7) et/ou sur le flanc de la puce (3) ; par exemple la barrière (14) est déposée à faible proximité de l'interface (13) de communication, en forme bande (21) étendue sensiblement suivant une direction parallèle à celle de cordon (16) conducteur destinée à connecter cette interface et le plot correspondant (6).
- 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que, le substrat (4) étant destiné à être découpé autour d'au moins une puce (3) après sa connexion, par exemple pour former un module (5) de carte à puce (3) ou analogues (1), au moins une partie de la barrière (14)<Desc/Clms Page number 25>telle qu'une branche (20) de jonction est sectionné lors de la découpe du substrat (4).
- 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que dans une réalisation où plusieurs plots d'interface (13) sont disposées sur le substrat (4), une même barrière (14) de délimitation est déposée et étendue sensiblement simultanément sur ce substrat (4), avec au moins une branche (20) de jonction étendue entre deux plots d'interface (13) proches ; par exemple la barrière (14) est déposée en forme de pieuvre dont un masque (18) recouvre sensiblement la face active (7) de la puce (3), et d'où saille au moins un branche (20) de jonction entre deux plots d'interface (13) contigus.
- 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que dans une réalisation qui prévoit le dépôt d'une barrière (14) pourvue d'un branche (20) de jonction entre chaque plots d'interface (13) voisins du substrat (4), un masque central (18) est venu de matière avec les branches (20) ainsi que doté d'un dégagement (19) ouvert au droit de chaque plots de sortie (6) de la puce (3) à connecter.
- 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'au moins une barrière (14) isolante de délimitation et/ou cordon (16) conducteur en matière (s) visqueuse (s) est déposé par"dispense".
- 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'au moins une barrière (14) isolante de délimitation et/ou cordon (16) conducteur en matière (s) visqueuse (s) est déposé par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection".
- 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'au moins une barrière (14) isolante de délimitation et/ou cordon (16) conducteur en matière (s) visqueuse (s) est déposé par pulvérisation<Desc/Clms Page number 26>de matière visqueuse à travers un cache définissant le motif à obtenir ou "material spray connection".
- 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que pour une connexion où l'aire et/ou volume de matière visqueuse isolante nécessaire à la barrière (14) de délimitation, est réduit telle que pour une puce (3) dont la dimension maximale est de l'ordre de 1 à 3 mm et/ou pour un substrat (4) dont la dimension maximale une fois découpé est de l'ordre de 5 à 15 mm, cette barrière (14) est déposée par "dispense".
- 13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que quand la barrière (14) est sensiblement linéaire, telle que dans le cas où seuls un à trois plots d'interface (13) sont à séparer par une ou deux barrières (14) et/ou seuls un à trois plots de sortie (6) sont à séparer par une ou deux barrières (14), éventuellement confondue et continue avec celle de séparation sur un substrat (4) correspondant, cette barrière (14) est déposée par"dispense".
- 14. Procédé selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que pour une connexion où l'aire et/ou volume de matière visqueuse isolante nécessaire à la barrière (14) de délimitation est important telle que pour une puce (3) dont la dimension maximale est de l'ordre de 3 à 6 mm et/ou pour un substrat (4) dont la dimension maximale une fois découpé est de l'ordre de 10 à 20 mm, cette barrière (14) est déposée par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection".
- 15. Procédé selon l'une des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que pour une connexion où l'aire et/ou volume de matière visqueuse conductrice nécessaire au cordon (16) conducteur, est réduit telle que pour une puce (3) dont la dimension maximale est de l'ordre de 1 à 3 mm et/ou pour un substrat (4) dont la dimension maximale une fois découpé<Desc/Clms Page number 27>est de l'ordre de 5 à 15 mm, ce cordon (16) est déposé par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection".
- 16. Procédé selon l'une des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que pour un cordon (16) conducteur sensiblement linéaire, tel que dans le cas où seuls un à trois plots d'interface (13) sont à relier électriquement par une ou deux cordons (16) à un à trois plots de sortie (6) correspondants, ce cordon (16) est déposé par"dispense"ou projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection".
- 17. Procédé selon l'une des revendications 1 à 16, caractérisé en ce que pour une connexion pour laquelle l'aire et/ou volume de matière visqueuse conductrice nécessaire au cordon (16) conducteur est important tel que pour une puce (3) dont la dimension maximale est de l'ordre de 3 à 6 mm et/ou pour un substrat (4) dont la dimension maximale une fois découpé est de l'ordre de 10 à 20 mm, cette cordon (16) conducteur est déposée par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection".
- 18. Procédé selon l'une des revendications 1 à 17, caractérisé en ce qu'au moins une barrière (14) isolante de délimitation et/ou cordon (16) conducteur en matière (s) visqueuse (s) est déposée par"dispense", la viscosité choisie pour cette matière telle qu'époxy éventuellement chargée en particules conductrices comme argent, étant de l'ordre de 10 Pa. s (1000 Cps), puis est prévue au moins une étape de durcissement par apport thermique et/ou exposition à un rayonnement tel que UV.
- 19. Procédé selon l'une des revendications 1 à 18, caractérisé en ce qu'au moins une barrière (14) isolante de délimitation et/ou cordon (16) conducteur en matière (s) visqueuse (s) est déposée par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection", la viscosité choisie pour cette matière telle qu'époxy conducteur éventuellement<Desc/Clms Page number 28>chargée d'argent voire époxy, uréthane ou acrylique isolant, étant de l'ordre de 1 Pa. s (100 Cps), puis est prévue, éventuellement après une phase d'évaporation d'un solvant de fluidification, au moins une étape de durcissement par apport thermique et/ou exposition à un rayonnement tel que UV.
- 20. Module (5) destiné à un dispositif électronique intelligent portable (1) tel que carte à puce (3) ou analogues, ce module (5) étant au moins en partie connecté électriquement par dépôt de matière visqueuse ; ce module (5) comporte au moins un circuit intégré ou puce (3) avec au moins un plot de sortie (6), un substrat (4) isolant tel que film diélectrique avec au moins un plot d'interface (13) de communication par bornier et/ ou antenne ; la puce (3) étant reportée sur le substrat (4) avec une face arrière attachée à ce substrat (4) par exemple par collage tandis qu'une face active (7) de la puce (3) reste apparente comporte le plot de sortie (6) à connecter ; au moins une partie d'au moins un flanc (9) de la puce (3) étendu entre les faces active (7) et arrière (8) étant au moins en partie isolée par exemple par une remontée ou congé (11) sur ce flanc de la colle (10) de report ; ce module (5) comportant en outre : u au moins une barrière (14) de délimitation en matière électriquement isolante visqueuse, étendue à proximité des plots d'interface (13) de communication et de sortie (6) à connecter, et délimitant sur une zone (15) de raccordement sur au moins une partie de la face active (7) sans recouvrir le plot de sortie (6), des flancs et/ou de leur isolation et du substrat (4) ; et 0 sur cette zone (15) de raccordement, voire empiétant sur la barrière (14) de délimitation, au moins un cordon (16) de matière électriquement conductrice visqueuse, qui relie les plot de sortie (6) et d'interface (13) pour les connecter électriquement.
- 21. Module (5) selon la revendication 20, caractérisé en ce que la barrière (14) de délimitation est étendue sur la face active (7) en forme de<Desc/Clms Page number 29>cadre ou masque (18) entourant au moins en partie un ou les plots de sortie (6), par exemple la barrière (14) forme de couche avec un dégagement (19) autour du plot de sortie (6) de la puce (3) qui présente un contour sensiblement similaire à celui de ce plot.
- 22. Module (5) selon la revendication 20 ou 22, caractérisé en ce que la barrière (14) de délimitation est étendue contre le sommet du flanc en partie isolé, et en complète l'isolation, par exemple aucune zone (15) de raccordement au droit du sommet de flanc n'étant délimitée par cette barrière (14).
- 23. Module (5) selon l'une des revendications 20 à 22, caractérisé en ce que la barrière (14) sur une face active (7) est en forme de masque (18) qui recouvre sensiblement cette face, et d'où saille au moins une branche (20) de jonction, cette branche (20) étant déposé en partie sur le substrat (4).
- 24. Module (5) selon l'une des revendications 20 à 23, caractérisé en ce qu'une barrière (14) de délimitation est étendue sur le substrat (4) en forme de branche (20) de jonction continu avec la barrière (14) de délimitation sur la face active (7) et/ou sur le flanc de la puce (3) ; par exemple la barrière (14) est déposée à faible proximité de l'interface (13) de communication, en forme bande (20) étendue sensiblement suivant une direction (L) parallèle à celle de cordon (16) conducteur destinée à connecter cette interface et le plot correspondant.
- 25. Module (5) selon l'une des revendications 20 à 24, caractérisé en ce que dans une réalisation où plusieurs plots d'interface (13) sont disposées sur le substrat (4), une même barrière (14) de délimitation est étendue sensiblement simultanément sur ce substrat (4), avec au moins une branche (20) étendue entre deux plots d'interface (13) proches ; par exemple la barrière (14) est en forme de pieuvre dont un masque<Desc/Clms Page number 30>recouvre sensiblement la face active (7) de la puce (3), et d'où saille au moins un branche (20) de jonction entre deux plots d'interface (13) contigus.
- 26. Module (5) selon l'une des revendications 20 à 25, caractérisé en ce qu'au moins une barrière (14) et/ou cordon (16) du substrat (4) du module (5) a été sectionné lors de la découpe du substrat (4) et présente une extrémité externe (23) sensiblement confondue avec un rebord (24 ; 25) découpé correspondant de ce substrat (4).
- 27. Module (5) selon l'une des revendications 20 à 26, caractérisé en ce qu'une barrière (14) est pourvue d'une branche (20) entre chaque plots d'interface (13) voisins du substrat (4), et d'un masque central venu de matière avec les branche (20) ainsi que doté d'un dégagement (19) au droit de chaque plots de sortie (6) de la puce (3) à connecter.
- 28. Module (5) selon l'une des revendications 20 à 27, caractérisé en ce qu'au moins une barrière (14) isolante de délimitation et/ou cordon (16) conducteur est en matière initialement visqueuse (par exemple de l'ordre de 10 Pa. s) déposée par"dispense"et durcie, telle que respectivement colle époxy isolante (barrière (14)) et époxy conductrice par exemple par charge de particules d'argent ou analogues (cordon (16) conducteur).
- 29. Module (5) selon l'une des revendications 20 à 28, caractérisé en ce qu'au moins une barrière (14) isolante de délimitation et/ou cordon (16) conducteur est en matière initialement à faible viscosité (par exemple de l'ordre de 1 Pa. s) déposée par projection de matière visqueuse conductrice ou"material jet connection"et durcie, telle que respectivement colle époxy, uréthane ou acrylique isolantes (barrière (14)) et époxy conductrice par exemple chargée en particules et d'argent ou analogues et durcie (cordon (16) conducteur).<Desc/Clms Page number 31>
- 30. Module (5) selon l'une des revendications 20 à 29, caractérisé en ce qu'il (5) possède une aire et/ou volume réduit de matière visqueuse conductrice nécessaire à la cordon (16) conducteur, par exemple pour une puce (3) dont la dimension maximale est de l'ordre de 1 à 3 mm et/ou un substrat (4) dont la dimension maximale découpé est de l'ordre de 5 à 15 mm.
- 31. Module (5) selon l'une des revendications 20 à 30, caractérisé en ce que quand le cordon (16) conducteur est sensiblement linéaire, un à trois plots d'interface (13) étant à relier électriquement par une ou deux cordons (16) à un à trois plots de sortie (6) correspondants.
- 32. Module (5) selon l'une des revendications 20 à 31, caractérisé en ce qu'une aire et/ou volume important de matière visqueuse conductrice est nécessaire au cordon (16) conducteur, le module (5) possédant une puce (3) dont la dimension maximale est de l'ordre de 3 à 6 mm et/ou un substrat (4) dont la dimension maximale une fois découpé est de l'ordre de 10 à 20 mm.
- 33. Objet (1) portable intelligent tel que carte à puce (3), étiquette à circuit intégré ou analogues, caractérisé en ce qu'il (1) est réalisé suivant le procédé selon l'une des revendications 1 à 19 et/ou qu'il (1) comporte au moins un module électronique (5) selon l'une des revendications 20 à 32.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0104610A FR2823011B1 (fr) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | Connexion par depot de cordon conductrice sur zone de raccordement delimitee par masque isolant |
PCT/FR2002/001079 WO2002084586A1 (fr) | 2001-03-30 | 2002-03-28 | Connexion par depôt de cordon de matiere visqueuse conductrice sur zone de raccordement délimitée par masque isolant |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0104610A FR2823011B1 (fr) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | Connexion par depot de cordon conductrice sur zone de raccordement delimitee par masque isolant |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2823011A1 true FR2823011A1 (fr) | 2002-10-04 |
FR2823011B1 FR2823011B1 (fr) | 2004-11-19 |
Family
ID=8861959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR0104610A Expired - Fee Related FR2823011B1 (fr) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | Connexion par depot de cordon conductrice sur zone de raccordement delimitee par masque isolant |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR2823011B1 (fr) |
WO (1) | WO2002084586A1 (fr) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2823011B1 (fr) | 2004-11-19 |
WO2002084586A1 (fr) | 2002-10-24 |
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