FR2820825A1 - Probe card used for semiconductor device manufacturing, separates dielectric of substrate main casing and support dielectric supporting external connecting terminal by conductive materials - Google Patents

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Abstract

An external connecting terminal (1) is placed on a substrate. The conductive materials (3,4) attached to the substrate, enclose the external connecting terminal. A dielectric of substrate main casing and a support dielectric supporting external connecting terminal are separated by conductive materials.

Description

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CARTE DE SONDES La présente invention concerne une carte de sondes pour connexion à une plaquette qui doit être mesurée avec un dispositif de mesure dans un dispositif de test de plaquette semi-conductrice.  The present invention relates to a probe card for connection to a wafer which is to be measured with a measuring device in a semiconductor wafer testing device.

Des progrès marqués ont été observés dans la technologie de fabrication des semi-conducteurs récente, incluant le progrès de la technologie de traitement fine requise pour une intégration à haute densité. Pour une implémentation à haute densité de même que pour la suppression de la génération de chaleur et pour la réduction de chaque élément, le courant et la tension nécessaires pour le fonctionnement dans les dispositifs à semi-conducteurs sont réduits d'année en année. Ainsi, l'importance de la mesure des microcourants a été reconnue et des précisions plus élevées dans la mesure du microcourant sont requises dans des cartes de sondes pour connecter des dispositifs de mesure et des plaquettes.  Significant progress has been observed in recent semiconductor manufacturing technology, including advancement in the fine processing technology required for high density integration. For a high density implementation as well as for the suppression of the generation of heat and for the reduction of each element, the current and the voltage necessary for the operation in semiconductor devices are reduced from year to year. Thus, the importance of measuring microcurrents has been recognized and higher accuracy in measuring microcurrent is required in probe cards to connect measuring devices and wafers.

Une telle exigence est également présente dans le test de contrôle du traitement de plaquette. Comme procédé de test classique pour le contrôle du traitement, des puces de mesure que l'on appelle TEG (Groupe d'Elément de Test) sont formées au même instant que les puces ordinaires sont formées sur les plaquettes à des fins de mesures de caractéristiques. Dans de telles mesures, une carte de sondes est utilisée comme carte d'interface entre un dispositif de mesure et un dispositif de sonde de plaquette pour déplacer et positionner une plaquette à mesurer, et est pourvue autour de son trou circulaire d'une pluralité d'aiguilles de contact de plaquette également appelées lames de contact de  Such a requirement is also present in the wafer processing control test. As a conventional test method for treatment control, measurement chips known as TEGs (Test Element Group) are formed at the same time as ordinary chips are formed on the wafers for characteristic measurement purposes. . In such measurements, a probe card is used as an interface card between a measuring device and a wafer probe device for moving and positioning a wafer to be measured, and is provided around its circular hole with a plurality of wafer contact needles also called contact blades

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façon à établir des contacts avec les bornes de mesure de la plaquette.  so as to establish contacts with the measurement terminals of the wafer.

A la figure 10, une carte de sondes est généralement un disque circulaire 100 ayant un diamètre d'environ 20 à 30 cm, avec sa partie centrale munie d'une ouverture 102 à travers laquelle les aiguilles de contact ou les lames (non représentées) peuvent s'étendre pour contact avec des bornes de mesure sur une plaquette semi-conductrice placée pour être mesurée juste sous la carte de sondes. Chaque fil 103 s'étend depuis chaque aiguille ou lame positionnée au niveau de sa périphérie interne vers la périphérie externe où elle est connectée à un dispositif de mesure ou analogues. C'est-à-dire qu'un signal prélevé à partir de chaque borne d'une plaquette à semi-conducteur qui doit être mesurée est introduit dans la périphérie externe de la carte de sondes par l'intermédiaire de chaque aiguille ou lame et est ensuite envoyé à un dispositif de mesure depuis une borne de connexion externe 104 positionnée sur la périphérie externe de la carte de sondes. A ce moment, les fils pour la connexion de la plaquette semi-conductrice qui doit être mesurée au dispositif de mesure sont de quelques dizaines et sont placés mutuellement adjacents. Des motifs de garde 105 formés avec un conducteur sont positionnés autour des bornes de connexion externes 104 correspondantes. Dans l'exemple représenté sur les dessins, le nombre de bornes ou de broches de connexion externe est de quarante-huit (48). Une telle carte de sondes est également connue comme carte de personnalité ou carte d'interface. Voir la publication provisoire du modèle d'utilité japonais (JP-A) no Showa 64-47042 et la publication provisoire du brevet japonais (JP-A) n Heisei 8-330369.  In FIG. 10, a probe card is generally a circular disc 100 having a diameter of approximately 20 to 30 cm, with its central part provided with an opening 102 through which the contact needles or the blades (not shown) can extend for contact with measurement terminals on a semiconductor wafer placed to be measured just under the probe card. Each wire 103 extends from each needle or blade positioned at its internal periphery towards the external periphery where it is connected to a measuring device or the like. That is to say, a signal taken from each terminal of a semiconductor wafer which is to be measured is introduced into the external periphery of the probe card via each needle or blade and is then sent to a measuring device from an external connection terminal 104 positioned on the external periphery of the probe card. At this time, the wires for the connection of the semiconductor wafer which is to be measured to the measuring device are a few tens and are placed mutually adjacent. Guard patterns 105 formed with a conductor are positioned around the corresponding external connection terminals 104. In the example shown in the drawings, the number of terminals or pins for external connection is forty-eight (48). Such a probe card is also known as a personality card or an interface card. See the provisional publication of the Japanese utility model (JP-A) no Showa 64-47042 and the provisional publication of the Japanese patent (JP-A) no Heisei 8-330369.

En général, une telle carte de sondes comporte des bornes de contact externes 104 au niveau de sa périphérie externe pour connexion à un dispositif de mesure. Chaque  In general, such a probe card has external contact terminals 104 at its external periphery for connection to a measurement device. Each

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borne de contact 104 est composée d'un conducteur plan dis- posé sur une surface d'un substrat d'une carte de sondes sur lequel, par exemple, une aiguille de contact conductrice, tel qu'un élément de broche de contact qui comprend une tige conductrice avec une section transversale circulaire munie d'un ressort au niveau de sa base et entourée par un élément cylindrique de sorte que sur application de la force appropriée, la tige est rétractée et sollicitée par une force de réaction de façon à établir le contact électrique en poussant la pointe de la tige contre une surface du conducteur, avec un mécanisme pour assurer un contact électrique sûr est poussée contre la surface conductrice plane de la carte de sondes pour connexion de ce fait à un appareil externe, tel qu'une dispositif de mesure. En outre, chaque borne de contact externe 104 comporte une partie d'extension de motif 106 près de sa périphérie interne, et un conducteur plan correspondant sur la surface de la carte de sondes s'étend vers l'intérieur. A la partie d'extension de motif, une extrémité d'un câble coaxial 103 est connectée et l'autre extrémité du câble coaxial est connectée à une extrémité de base d'une aiguille de contact qui a la forme d'une aiguille ou d'une lame comme on l'a décrit ci-dessus. C'est-à-dire que le câble coaxial 103 s'étend dans l'air entre la partie d'extension de motif et l'aiguille de contact. L'aiguille ou la lame est fixée à la périphérie interne de la carte de sondes et s'étend depuis celle-ci vers l'intérieur. En outre, la pointe de l'aiguille ou de la lame s'étendant vers l'intérieur est connectée à une borne prédéterminée sur une plaquette semiconductrice à tester.  contact terminal 104 is composed of a planar conductor disposed on a surface of a substrate of a probe card on which, for example, a conductive contact needle, such as a contact pin element which comprises a conductive rod with a circular cross section provided with a spring at its base and surrounded by a cylindrical element so that on application of the appropriate force, the rod is retracted and stressed by a reaction force so as to establish the electrical contact by pushing the tip of the rod against a surface of the conductor, with a mechanism to ensure secure electrical contact is pushed against the planar conductive surface of the probe card for thereby connection to an external device, such as a measuring device. In addition, each external contact terminal 104 has a pattern extension portion 106 near its internal periphery, and a corresponding planar conductor on the surface of the probe card extends inward. At the pattern extension portion, one end of a coaxial cable 103 is connected and the other end of the coaxial cable is connected to a base end of a contact needle which is in the shape of a needle or d 'a blade as described above. That is, the coaxial cable 103 extends in the air between the pattern extension portion and the contact needle. The needle or the blade is fixed to the internal periphery of the probe card and extends from it towards the inside. In addition, the tip of the inwardly extending needle or blade is connected to a predetermined terminal on a semiconductor wafer to be tested.

Comme on l'a précédemment mentionné, dans le domaine du test des éléments semi-conducteurs, des appareils de test qui peuvent mesurer des microcourants plus petits que le niveau habituellement utilisé sont nécessaires. De même, la précision de mesure de l'ordre des femtoampères est re-  As previously mentioned, in the field of semiconductor element testing, test devices which can measure microcurrents smaller than the level usually used are necessary. Similarly, the measurement accuracy of the order of femoamps is re-

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quise pour les cartes d'interface utilisées pour les dispositifs de test de plaquettes. Des problèmes majeurs concer- nant le développement des dispositifs de test avec de tel- les performances élevées incluent le courant de fuite entre les fils électriques attenants pour connexion d'un disposi- tif de test et d'un semi-conducteur à mesurer et l'absorp- tion diélectrique se produisant entre ces fils et les di- électriques dans un substrat de la carte de sondes.  required for interface cards used for wafer testing devices. Major problems relating to the development of test devices with such high performance include the leakage current between the adjoining electrical wires for connection of a test device and a semiconductor to be measured and the dielectric absorption occurring between these wires and the dielectrics in a substrate of the probe card.

A titre d'exemple, le problème de l'absorption diélec- trique se produit en raison des propriétés d'absorption di- électrique (courant d'absorption) du diélectrique utilisé comme substrat de la carte de sondes. En général, les maté- riaux isolants présentent une polarisation diélectrique lorsqu'une tension appliquée aux bornes de deux électrodes change et absorbe progressivement un courant jusqu'à ce que le traitement de polarisation soit achevé. En conséquence, même si une tension prédéterminée est appliquée à une pla- quette semi-conductrice pour la mesure du courant, la me- sure du courant ne peut pas être effectuée correctement pendant un certain temps et un temps d'attente est néces- saire jusqu'à ce que la circulation du courant devienne stabilisée. Un temps d'attente est également nécessaire lorsque l'alimentation en tension est arrêtée du fait qu'un , courant de décharge s'écoule progressivement. Pour les car- tes d'interface classiques, pour les dispositifs de mesure de plaquette, il n'est pas inhabituel qu'un tel temps d'at- tente de la mesure puisse durer quelques dizaines de secon- des jusqu'à ce que le courant d'absorption diélectrique soit réduit de l'ordre du femtoampère. Ceci est un des problèmes importants dans le cas de la réduction de la durée requise pour la mesure des microcourants.  For example, the problem of dielectric absorption occurs due to the dielectric absorption properties (absorption current) of the dielectric used as the substrate of the probe card. In general, insulating materials exhibit dielectric polarization when a voltage applied across two electrodes changes and gradually absorbs current until polarization processing is completed. As a result, even if a predetermined voltage is applied to a semiconductor wafer for current measurement, the current measurement cannot be performed correctly for a certain time and a waiting time is necessary until the current flow becomes stabilized. A waiting time is also necessary when the voltage supply is stopped because a discharge current flows gradually. For conventional interface cards, for wafer measuring devices, it is not unusual for such a waiting time for the measurement to last a few tens of seconds until the dielectric absorption current is reduced on the order of the femtoampere. This is one of the important problems in the case of reducing the time required for the measurement of microcurrents.

Du fait que la précision de mesure de l'ordre de fem- toampère est maintenant nécessaire, le courant de fuite  Since measurement accuracy on the order of femampamp is now required, the leakage current

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circulant dans un matériau diélectrique entre deux fils at- tenants est également devenu important.  circulating in a dielectric material between two adjoining wires has also become important.

Parmi les composants sur la carte de sondes comme précédemment mentionnés, les parties de la borne de contact externe et la partie d'extension de motif tendent à être influencées par l'absorption diélectrique et la fuite de courant. Le câble coaxial s'étendant depuis chaque partie d'extension de motif se trouve dans l'air de sorte qu'il est peu influencé par l'absorption diélectrique ou la fuite de courant. Comme partie d'aiguille, par exemple, une aiguille coaxiale hautement isolante peut être utilisée et un fil de gainage entourant le fil d'âme de cette aiguille peut être connecté à une garde. De plus, l'isolement entre des aiguilles attenantes ayant une partie du fil de l'aiguille non recouverte avec le fil de protection est bon du fait qu'il est obtenu par l'air qui présente la même constante diélectrique approximativement que celle du vide. De même, le temps de réponse de la polarisation diélectrique n'est pas un problème.  Among the components on the probe card as previously mentioned, the parts of the external contact terminal and the pattern extension part tend to be influenced by dielectric absorption and current leakage. The coaxial cable extending from each pattern extension portion is in the air so that it is little influenced by dielectric absorption or current leakage. As the needle part, for example, a highly insulating coaxial needle can be used and a sheathing wire surrounding the core wire of this needle can be connected to a guard. In addition, the insulation between adjoining needles having a part of the needle thread not covered with the protective thread is good because it is obtained by air which has the same dielectric constant approximately as that of vacuum. . Likewise, the response time of the dielectric bias is not a problem.

Pour prendre en compte ces problèmes provoqués par la borne de contact externe, de manière classique, une pluralité de trous traversants sont formés à partir des électrodes sur la surface à travers le substrat de la carte de sondes de sorte que la périphérie des électrodes peut être définie. Un exemple d'une de ces technologies est décrit dans la publication provisoire de brevet japonais n Heisei 8-335754.  To address these problems caused by the external contact terminal, conventionally, a plurality of through holes are formed from the electrodes on the surface through the substrate of the probe card so that the periphery of the electrodes can be defined. An example of one of these technologies is described in Japanese provisional patent publication Heisei 8-335754.

Un problème dans un tel procédé est qu'une déformation tend à se produire dans la carte de sondes à mesure que le nombre de trous traversants est accru et en ce que la résistance physique de la carte se détériore dans ou près de la région des trous traversants. Même si le nombre des trous traversants est accru sans tenir compte des difficultés de fabrication et de l'élévation du coût, un certain  A problem in such a method is that deformation tends to occur in the probe card as the number of through holes is increased and the physical strength of the card deteriorates in or near the region of the holes. through. Even if the number of through holes is increased without taking into account the manufacturing difficulties and the rising cost, some

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courant de fuite à travers le diélectrique entre ces trous traversants reste toujours un problème et une perte diélectrique ne peut pas être réduite à un niveau désiré à mesure qu'un niveau de précision de mesure plus élevé est requis.  leakage current through the dielectric between these through holes still remains a problem and dielectric loss cannot be reduced to a desired level as a higher level of measurement accuracy is required.

Il conviendra de noter qu'il existe des variations dans les propriétés diélectriques et courant de fuite de chaque fil pour chaque carte de sondes. En conséquence, même si le contrôle du processus de fabrication est suffisamment amélioré, de telles variations dans les propriétés diélectriques et de fuite de courant de chaque fil pour chaque carte de sondes devraient limiter la précision des mesures des courants. Par exemple, dans le cas d'une carte de sondes utilisée actuellement avec 48 broches, après application d'une tension d'environ 10 volts, le courant de fuite 10 secondes après cette application de tension sur la plupart des broches est d'environ 0,3 x 10-13 A. Toutefois, un tel courant de fuite des autres broches spécifiques devient environ 1 à 2 x 10'"A.  It should be noted that there are variations in the dielectric and leakage current properties of each wire for each probe card. Therefore, even if the control of the manufacturing process is sufficiently improved, such variations in the dielectric and current leakage properties of each wire for each probe board should limit the accuracy of current measurements. For example, in the case of a probe card currently used with 48 pins, after applying a voltage of approximately 10 volts, the leakage current 10 seconds after this voltage application on most of the pins is approximately 0.3 x 10-13 A. However, such a leakage current from other specific pins becomes approximately 1 to 2 x 10 '"A.

C'est un but de la présente invention de réduire le temps d'attente de la mesure qui résulte de l'absorption diélectrique et de diminuer le courant de fuite en régime normal de façon à améliorer la précision de la mesure des microcourants ou des fluctuations de ceux-ci. C'est un autre but de la présente invention de réduire les variations des propriétés de chaque broche ou chaque carte de sondes.  It is an object of the present invention to reduce the waiting time for the measurement which results from the dielectric absorption and to reduce the leakage current under normal conditions so as to improve the accuracy of the measurement of the microcurrents or of the fluctuations. of these. It is another object of the present invention to reduce variations in the properties of each pin or each probe card.

Aux vues des problèmes décrits ci-dessus de la technique antérieure, la présente invention se rapporte à une structure dans laquelle une borne de connexion externe pour utilisation dans une carte de sondes est entourée par des conducteurs.  In view of the above-described problems of the prior art, the present invention relates to a structure in which an external connection terminal for use in a probe card is surrounded by conductors.

La présente invention propose une carte de sondes comprend un substrat et une borne de connexion externe placée sur un matériau diélectrique de support disposé dans le  The present invention provides a probe card comprising a substrate and an external connection terminal placed on a dielectric support material disposed in the

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substrat, la borne de connexion externe est entourée par un conducteur disposé entre le substrat et le matériau diélec- trique de support et un matériau diélectrique du corps du substrat et le matériau diélectrique de support pour supporter la borne de connexion externe sont séparés l'un de l'autre via le conducteur.  substrate, the external connection terminal is surrounded by a conductor disposed between the substrate and the dielectric support material and a dielectric material of the substrate body and the dielectric support material for supporting the external connection terminal are separated one on the other via the driver.

Avantageusement, la carte de sondes présente au moins une des caractéristiques suivantes : - le conducteur comprend au moins un conducteur inférieur disposé sur un fond d'un évidement formé dans le substrat pour recevoir le matériau diélectrique de support et un conducteur latéral disposé sur les faces latérales de l'évidement et un espace ou entrefer est disposé entre ledit matériau diélectrique de support et le conducteur latéral ; - l'entrefer ou l'espace est scellé par un matériau diélectrique à partir de l'extérieur du substrat ; - la carte de sondes comporte deux ou plus bornes de connexion externes et la connexion électrique entre ces bornes de connexion externes est assurée par la connexion électrique disposée à l'intérieur du substrat ; - ledit conducteur comporte des parties maillées ou des parties découpées ; - ladite borne externe est placée à un niveau plus bas sur une distance prédéterminée que la surface du corps du substrat ; - ledit conducteur est connecté à une borne de garde ; et, - ladite borne de garde est prévue avec une garde active.  Advantageously, the probe card has at least one of the following characteristics: - the conductor comprises at least one lower conductor disposed on a bottom of a recess formed in the substrate to receive the dielectric support material and a lateral conductor disposed on the faces lateral of the recess and a space or gap is disposed between said dielectric support material and the lateral conductor; - the air gap or space is sealed with a dielectric material from the outside of the substrate; the probe card comprises two or more external connection terminals and the electrical connection between these external connection terminals is ensured by the electrical connection disposed inside the substrate; - Said conductor comprises meshed parts or cut parts; - Said external terminal is placed at a lower level over a predetermined distance than the surface of the body of the substrate; - said conductor is connected to a guard terminal; and, - said guard terminal is provided with an active guard.

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Les conducteurs entourant la borne de connexion externe dans la présente invention sont, de préférence, con- nectés à une borne de garde, encore de préférence à une borne de garde active.  The conductors surrounding the external connection terminal in the present invention are preferably connected to a guard terminal, more preferably to an active guard terminal.

Le conducteur fixé au substrat entoure la borne de connexion externe dans le substrat. En supposant que le conducteur présente une configuration en forme de boîte, la face inférieure du conducteur est positionnée en-dessous de la borne externe dans le substrat et les quatre faces latérales sont positionnées dans le substrat et entourent la borne de connexion externe depuis les quatre côtés. Le terme"dans le substrat"ne signifie pas nécessairement que le conducteur est encastré dans le substrat. C'est-à-dire qu'au moins une partie de chaque conducteur devrait apparaître depuis la surface du substrat et peut dépasser de celle-ci. En outre, lorsque la surface du substrat est évidée ou encochée, le conducteur peut être exposé dans les parties évidées ou encochées du substrat ou dépassé dans l'air.  The conductor attached to the substrate surrounds the external connection terminal in the substrate. Assuming that the conductor has a box-like configuration, the underside of the conductor is positioned below the external terminal in the substrate and the four side faces are positioned in the substrate and surround the external connection terminal from the four sides. The term "in the substrate" does not necessarily mean that the conductor is embedded in the substrate. That is, at least part of each conductor should appear from and may protrude from the surface of the substrate. In addition, when the surface of the substrate is hollowed out or notched, the conductor can be exposed in the hollowed out or notched parts of the substrate or protruded into the air.

Dans une telle construction de la présente invention, les propriétés des microcourants de l'ordre du femtoampère peuvent être accentuées de sorte que la précision de la mesure peut être améliorée. Le temps d'attente qui résulte de l'instabilité du courant découlant de l'absorption diélectrique peut également être réduit. De plus, le substrat peut inclure d'autres réseaux électriques qui peuvent ne pas être inclus dans le substrat du fait qu'ils peuvent détériorer les propriétés des microcourants. Du fait que la carte de sondes de la présente invention peut être constituée en général en une structure plane (bien que l'on puisse avoir des structures tridimensionnelles), elle peut être facilement manipulée et réduire le coût pour le stock-  In such a construction of the present invention, the properties of microcurrents in the order of femtoampere can be enhanced so that the accuracy of the measurement can be improved. The waiting time which results from the instability of the current resulting from the dielectric absorption can also be reduced. In addition, the substrate may include other electrical networks which may not be included in the substrate because they may deteriorate the properties of the microcurrents. Since the probe card of the present invention can generally be made up of a planar structure (although one can have three-dimensional structures), it can be easily manipulated and reduce the cost for the stock-

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age ou le transport. En outre, la présente invention est compatible avec les cartes de sondes que l'on trouve ac- tuellement sur le marché.  age or transportation. In addition, the present invention is compatible with the probe cards currently found on the market.

Le substrat peut avoir une structure monocouche mais, de préférence, a une structure multicouche. Dans un mode de réalisation préféré, par exemple, les fils conducteurs peuvent être disposés parmi les couches et des traversées ou trous traversants peuvent être formés dans un substrat multicouche par une des technologies actuellement connues pour fabriquer des substrats multicouches.  The substrate may have a monolayer structure but preferably has a multilayer structure. In a preferred embodiment, for example, the conductive wires can be arranged among the layers and through-holes or through holes can be formed in a multilayer substrate by one of the technologies currently known for manufacturing multilayer substrates.

La carte de sondes de la présente invention peut être fabriquée en conformité avec la procédure suivante, bien qu'elle ne soit pas limitée à tout procédé de fabrication quelconque. La borne de connexion externe entourée par le conducteur peut être produite, par exemple, en formant un évidement dans un substrat, en disposant une partie de borne de connexion externe du type boîte dans laquelle une borne de connexion externe est formée sur la surface supérieure et un matériau conducteur est disposé sur les surfaces latérales par électrodéposition ou analogues et en ajustant la partie de borne de connexion externe du type boîte dans l'évidement. En variante, la borne de connexion externe peut être produite en formant un évidement dans un substrat, en disposant un matériau conducteur dans la partie évidée par électrodéposition ou analogues et en ajustant ou en mettant à adhérer dans cet évidement un élément constitué d'un diélectrique du type boîte et d'une borne de connexion externe disposée sur celui-ci. Sinon, dans le cas d'un substrat multicouche, la borne de connexion externe entourée par les conducteurs peut être produite en plaçant un motif conducteur sur une couche interne positionné endessous de la borne de connexion externe, en découpant un motif entourant la borne et en atteignant la couche interne  The probe card of the present invention can be manufactured in accordance with the following procedure, although it is not limited to any manufacturing process. The external connection terminal surrounded by the conductor can be produced, for example, by forming a recess in a substrate, by disposing a box-type external connection terminal part in which an external connection terminal is formed on the upper surface and a conductive material is disposed on the side surfaces by electrodeposition or the like and by fitting the box type external connection terminal portion in the recess. As a variant, the external connection terminal can be produced by forming a recess in a substrate, by placing a conductive material in the part hollowed out by electrodeposition or the like, and by adjusting or causing an element consisting of a dielectric to adhere to it of the box type and of an external connection terminal arranged thereon. Otherwise, in the case of a multilayer substrate, the external connection terminal surrounded by the conductors can be produced by placing a conductive pattern on an internal layer positioned below the external connection terminal, by cutting a pattern surrounding the terminal and by reaching the inner layer

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après stratification et en appliquant un matériau conducteur dans le motif découpé.  after laminating and applying a conductive material in the cut pattern.

La figure 1 est une vue en perspective d'un mode de réalisation fondamental de la présente invention, des parties de substrat autour des conducteurs latéraux et de fond étant éliminées.  Figure 1 is a perspective view of a basic embodiment of the present invention, parts of the substrate around the side and bottom conductors being removed.

La figure 2 est une vue en coupe le long de la ligne A-A de la figure 1.  Figure 2 is a sectional view along line A-A of Figure 1.

La figure 3 est une vue en coupe correspondant à la figure 2 montrant un autre mode de réalisation de la présente invention.  Figure 3 is a sectional view corresponding to Figure 2 showing another embodiment of the present invention.

La figure 4 est un schéma simplifié pour déterminer approximativement la capacité entre une borne de connexion externe et chaque surface latérale d'un mode de réalisation de la présente invention.  Figure 4 is a simplified diagram for roughly determining the capacitance between an external connection terminal and each side surface of an embodiment of the present invention.

La figure 5 est une vue en perspective d'un autre mode de réalisation de la présente invention avec les parties de substrat autour des conducteurs latéraux et de fond étant éliminées, comme cela est représenté à la figure 1.  FIG. 5 is a perspective view of another embodiment of the present invention with the substrate parts around the lateral and bottom conductors being eliminated, as shown in FIG. 1.

La figure 6 est une vue en perspective correspondant à la figure 5 montrant encore un autre mode de réalisation de la présente invention.  Figure 6 is a perspective view corresponding to Figure 5 showing yet another embodiment of the present invention.

La figure 7 est une vue en perspective montrant encore un autre mode de réalisation de la présente invention.  Figure 7 is a perspective view showing yet another embodiment of the present invention.

La figure 8 est une vue en coupe d'un mode de réalisation dans lequel des espaces sont ménagés à l'intérieur d'un substrat de la présente invention.  Figure 8 is a sectional view of an embodiment in which spaces are provided inside a substrate of the present invention.

La figure 9 est une vue en coupe d'un autre mode de réalisation dans lequel des espaces sont ménagés à l'intérieur d'un substrat de la présente invention.  Figure 9 is a sectional view of another embodiment in which spaces are provided inside a substrate of the present invention.

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La figure 10 est une vue d'en haut d'une carte de sondes montrant sa construction entière. Figure 10 is a top view of a probe card showing its entire construction.

On décrira plusieurs modes de réalisation de la présente invention en se référant aux figures 1 à 9. La figure 1 représente un mode de réalisation fondamental de la présente invention. Sur le même dessin, des parties entourant le substrat sont éliminées pour montrer la borne de connexion externe 1 et un matériau conducteur 2,3, 4 placé autour de celle-ci. Le matériau conducteur 2,3, 4 est électriquement connecté et ceux-ci sont équipotentiels les uns aux autres. Sur le substrat, la borne de connexion externe 1 et le motif de garde supérieur 2 entourant la borne 1 peuvent être vus, les deux étant composés d'un conducteur. Sur la borne de connexion externe 1 et sur le motif de garde supérieur 2, trois éléments de broche de contact 20,21, 22 dépassant depuis une tête de test d'un dispositif de mesure de semi-conducteur sont positionnés de façon à être en contact avec leurs cibles correspondantes. Dans ce mode de réalisation, l'élément de broche de contact 20 est ce que l'on appelle une borne de"force"pour appliquer une tension et mesurer un courant, l'élément de broche de contact 21 est une borne de"détection"pour prélever une tension qui doit être mesurée. Ces bornes de force et de détection procurent une connexion Kelvin. L'élément de broche de contact 22 est une broche de garde pour appliquer une tension au motif de garde supérieur 2. L'élément de broche de garde 22 agit comme borne de garde dans un dispositif de garde active dans lequel elle est maintenue équipotentielle aux bornes de force et de détection pour bloquer les influences externes au-dessus de la borne de connexion externe ou dans un mécanisme de garde passif dans lequel elle est connectée à une tension fixe. La présente invention est applicable aux deux mécanismes de garde qu'ils soient actifs ou passifs. A la figure 1, ces bornes de force et de détection sont placées sur la même borne de  Several embodiments of the present invention will be described with reference to Figures 1 to 9. Figure 1 shows a basic embodiment of the present invention. In the same drawing, parts surrounding the substrate are removed to show the external connection terminal 1 and a conductive material 2, 3, 4 placed around it. The conductive material 2, 3, 4 is electrically connected and these are equipotential to each other. On the substrate, the external connection terminal 1 and the upper guard pattern 2 surrounding the terminal 1 can be seen, both being composed of a conductor. On the external connection terminal 1 and on the upper guard pattern 2, three contact pin elements 20, 21, 22 projecting from a test head of a semiconductor measuring device are positioned so as to be in contact with their corresponding targets. In this embodiment, the contact pin element 20 is a so-called "force" terminal for applying a voltage and measuring a current, the contact pin element 21 is a "detection" terminal "to take a voltage to be measured. These force and detection terminals provide a Kelvin connection. The contact pin element 22 is a guard pin for applying voltage to the upper guard pattern 2. The guard pin element 22 acts as a guard terminal in an active guard device in which it is held equipotential to force and detection terminals to block external influences above the external connection terminal or in a passive guard mechanism in which it is connected to a fixed voltage. The present invention is applicable to both guard mechanisms, whether active or passive. In FIG. 1, these force and detection terminals are placed on the same terminal

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connexion externe 1. Toutefois, deux bornes de connexion externes peuvent être prévues séparément pour les bornes de détection et de force et chaque borne de connexion externe peut être connectée à une aiguille de sonde utilisant un câble coaxial séparé.  external connection 1. However, two external connection terminals can be provided separately for the detection and force terminals and each external connection terminal can be connected to a probe needle using a separate coaxial cable.

La figure 1 représente la borne de connexion externe 1 entourée par les conducteurs latéraux 3 et le conducteur de fond 4. Les conducteurs latéraux 3 et le conducteur de fond 4 sont connectés électriquement les uns aux autres et également connectés au motif de garde supérieur 2. De manière idéale, la borne de connexion externe 1 est séparée électromagnétiquement d'un diélectrique constituant le substrat externe via les conducteurs latéraux 3 et le conducteur de fond 4. Toutefois, comme on le décrira ci-dessous, la séparation électromagnétique complète n'est pas requise pour certains modes de réalisation spécifiques de la présente invention. Un fil d'âme du câble coaxial 8 pour connexion avec une aiguille de sonde est connecté à une borne de connexion externe 1 et l'autre conducteur externe du câble coaxial 8 est connecté au conducteur 2.  FIG. 1 represents the external connection terminal 1 surrounded by the lateral conductors 3 and the bottom conductor 4. The lateral conductors 3 and the bottom conductor 4 are electrically connected to each other and also connected to the upper guard pattern 2. Ideally, the external connection terminal 1 is electromagnetically separated from a dielectric constituting the external substrate via the lateral conductors 3 and the bottom conductor 4. However, as will be described below, complete electromagnetic separation is not not required for certain specific embodiments of the present invention. A core wire of the coaxial cable 8 for connection with a probe needle is connected to an external connection terminal 1 and the other external conductor of the coaxial cable 8 is connected to the conductor 2.

La figure 2 montre une vue en coupe le long de la ligne A-A représentant une vue en coupe du substrat 10. Comme on peut le voir à la figure 2, le substrat est constitué de deux couches. La surface de la première couche 5 définit la surface du substrat 10 et le conducteur inférieur 4 est disposé entre la première couche 5 et la seconde couche 6.  Figure 2 shows a sectional view along line A-A showing a sectional view of the substrate 10. As can be seen in Figure 2, the substrate consists of two layers. The surface of the first layer 5 defines the surface of the substrate 10 and the lower conductor 4 is disposed between the first layer 5 and the second layer 6.

Cette structure peut être fabriquée en fournissant le conducteur 4 en utilisant l'électrodéposition ou analogues sur le fond de la première couche 5 ou au sommet de la seconde couche 6. Le conducteur latéral 3 peut être formé en utilisant l'électrodéposition ou analogues sur des faces créées en enlevant par découpe une partie de la première couche 5. En variante, le conducteur peut être formé par électrodéposition ou analogues sur les faces latérales et inférieure This structure can be fabricated by providing the conductor 4 using plating or the like on the bottom of the first layer 5 or on the top of the second layer 6. The side conductor 3 can be formed using the plating or the like on faces created by cutting out part of the first layer 5. As a variant, the conductor can be formed by electrodeposition or the like on the lateral and lower faces

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du diélectrique 7 pour s'ajuster dans la surface découpée dans la première couche 5.  dielectric 7 to fit in the surface cut in the first layer 5.

Des exemples des matériaux qui peuvent être utilisés pour fabriquer le substrat 10 incluent des résines synthétiques utilisées habituellement pour les substrats des circuits électriques, par exemple, des polycarbonates renforcés par fibre de verre, des polyimides, des résines époxyverre et autres produits tels que des céramiques. Des exemples des matériaux utilisés pour que le diélectrique soit placé dans le substrat 10 pour supporter la borne de connexion externe 1 sur celui-ci incluent des résines synthétiques similaires à celles utilisées pour le substrat 10 de même que des matériaux ayant d'excellentes propriétés isolantes et diélectriques, tels que PTFE. Il est également possible de fabriquer des structures fines en utilisant des matériaux autres que ceux décrits ci-dessus par application des technologies de fabrication pour produire des circuits intégrés et les technologies de micro-usinage.  Examples of the materials which can be used to make substrate 10 include synthetic resins commonly used for electrical circuit substrates, for example, glass fiber reinforced polycarbonates, polyimides, epoxy glass resins and other products such as ceramics . Examples of the materials used for the dielectric to be placed in the substrate 10 to support the external connection terminal 1 thereon include synthetic resins similar to those used for the substrate 10 as well as materials having excellent insulating properties and dielectrics, such as PTFE. It is also possible to fabricate fine structures using materials other than those described above by applying fabrication technologies to produce integrated circuits and micromachining technologies.

La figure 3 représente un autre mode de réalisation ayant une section transversale différente de celle de la figure 2. Dans ce mode de réalisation, des entrefers 9 sont disposés entre la première couche 5 et le diélectrique 7 supportant sur celui-ci la borne de connexion externe 1.  FIG. 3 represents another embodiment having a cross section different from that of FIG. 2. In this embodiment, air gaps 9 are arranged between the first layer 5 and the dielectric 7 supporting on it the connection terminal external 1.

Ces entrefers peuvent réduire grandement la capacité entre la borne de connexion externe 1 et les conducteurs 3,4. These air gaps can greatly reduce the capacity between the external connection terminal 1 and the conductors 3,4.

Dans la configuration de la figure 2, en supposant que les valeurs de capacité Cl et C3, comme cela est représenté à la figure 4 (A) entre la borne de connexion externe 1 et le conducteur 3 sur ses côtés droit et gauche sont de 10 pF, respectivement, et en supposant que la capacité C2 entre la borne 1 et le conducteur de fond 4 est de 10 pF, la capacité totale devient de 30 pF comme la somme de celles-ci. In the configuration of Figure 2, assuming that the capacitance values Cl and C3, as shown in Figure 4 (A) between the external connection terminal 1 and the conductor 3 on its right and left sides are 10 pF, respectively, and assuming that the capacitance C2 between terminal 1 and the bottom conductor 4 is 10 pF, the total capacitance becomes 30 pF as the sum of these.

Dans le cas où l'on prévoit les entrefers 9, comme cela est représenté à la figure 4 (B), les valeurs de capacité C12 et In the case where the air gaps 9 are provided, as shown in FIG. 4 (B), the capacitance values C12 and

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C32 correspondant à ces entrefers 9 peuvent être considérées être d'environ 1 pF, respectivement. Ainsi, par exem- ple, la capacité Cl'entre le conducteur côté gauche 3 et la borne de connexion externe 1 est de 0,9 pF comme on l'obtient par l'équation suivante : Cl'= C12 * Cl/ (C12 + Cl) = 0,9 pF
En conséquence, la capacité totale est d'environ 11,8 pF comme obtenu par Cl'+ C2 + C3' (C3'est la capacité entre le conducteur côté droit 3 et la borne de connexion externe 1), réduisant de ce fait significativement la capacité totale.
C32 corresponding to these air gaps 9 can be considered to be around 1 pF, respectively. Thus, for example, the capacitance Cl 'between the conductor on the left side 3 and the external connection terminal 1 is 0.9 pF as obtained by the following equation: Cl' = C12 * Cl / (C12 + Cl) = 0.9 pF
Consequently, the total capacity is approximately 11.8 pF as obtained by Cl '+ C2 + C3' (C3 is the capacity between the conductor on the right side 3 and the external connection terminal 1), thereby reducing significantly total capacity.

Dans les structures représentées aux figures 1 à 3, chaque conducteur latéral 3 peut dépasser de la surface du substrat (non spécifiquement représenté). Dans une telle structure, lorsque les éléments de broche de contact 20, 21,22 contactent la surface du substrat, ces éléments de broche peuvent ne pas être vus de l'extérieur et une protection électromagnétique peut être prévue entre ces éléments de broche de contact.  In the structures shown in FIGS. 1 to 3, each lateral conductor 3 can protrude from the surface of the substrate (not specifically shown). In such a structure, when the contact pin elements 20, 21, 22 contact the surface of the substrate, these pin elements may not be seen from the outside and an electromagnetic protection may be provided between these contact pin elements. .

La figure 5 représente un autre mode de réalisation dans lequel les bornes de connexion externes 31,32 peuvent être seulement dans des zones où les éléments de broche de contact 20,21 pour connexion à un dispositif de mesure externe seront en contact avec celui-ci. La connexion entre ces bornes 31, 32 est assurée par un trajet de conduction 35 formé dans le substrat. La borne 33 peut assurer la connexion à une aiguille de sonde via un câble coaxial. Dans ce mode de réalisation, des propriétés de blindage plus élevé peuvent être obtenues en formant un motif conducteur 34 qui sert comme garde supérieure juste à proximité de la périphérie des bornes de connexion externes 31,32, 33.  FIG. 5 shows another embodiment in which the external connection terminals 31, 32 can only be in areas where the contact pin elements 20, 21 for connection to an external measurement device will be in contact with the latter . The connection between these terminals 31, 32 is provided by a conduction path 35 formed in the substrate. Terminal 33 can connect to a probe needle via a coaxial cable. In this embodiment, higher shielding properties can be obtained by forming a conductive pattern 34 which serves as an upper guard just near the periphery of the external connection terminals 31, 32, 33.

Ainsi, l'élément de broche de contact 22 pour mesurer un potentiel de garde peut contacter un blindage supérieur 34. Thus, the contact pin element 22 for measuring a guard potential can contact an upper shield 34.

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En outre, la connexion à une aiguille de sonde via un câble coaxial 8 peut être remplacée par un trajet conducteur blindé formé dans le substrat. In addition, the connection to a probe needle via a coaxial cable 8 can be replaced by a shielded conductive path formed in the substrate.

Une partie maillée partiellement ou totalement, des parties découpées 41 et des parties encochées 42 dans le conducteur latéral 3 sont représentées aux figures 6 (A) à 6 (C), respectivement. Le trajet conducteur 35 à l'intérieur du substrat, comme cela est représenté à la figure 5, peut être disposé à travers les parties découpées 41 ou les parties encochées 42 à partir de l'extérieur de la structure de support de la borne de connexion externe 1. Dans un autre mode de réalisation de la présente invention, une des surfaces latérales correspondant aux conducteurs latéraux 3 du diélectrique supportant la borne de connexion externe 1 sur celui-ci peut être ouverte à un emplacement couvrant toutes les surfaces incluant la face inférieure avec le conducteur. Une telle structure est préférée à des fins de facilité de fabrication et de souplesse de conception.  A partially or fully meshed part, cut parts 41 and notched parts 42 in the lateral conductor 3 are shown in Figures 6 (A) to 6 (C), respectively. The conductive path 35 inside the substrate, as shown in FIG. 5, can be arranged through the cut parts 41 or the notched parts 42 from the outside of the support structure of the connection terminal external 1. In another embodiment of the present invention, one of the lateral surfaces corresponding to the lateral conductors 3 of the dielectric supporting the external connection terminal 1 thereon can be opened at a location covering all the surfaces including the underside with the driver. Such a structure is preferred for ease of manufacture and flexibility of design.

Aux figures 1 à 3, des substrats 10 avec des structures à deux couches sont représentés comme exemples. Des substrats ayant des structures à trois couches ou plus, toutefois, peuvent également être appliqués à la présente invention et il est possible d'utiliser des structures plus complexes utilisant des substrats avec un certain nombre de couches. Dans un premier exemple de ces cas, il est possible de proposer une structure dans laquelle la borne de connexion externe 1 est positionnée plus bas que la surface du substrat 10, comme cela est représenté à la figure 7. A la figure 7, quatre faces latérales du substrat 10 sont enlevées en laissant le motif de garde 2. Le niveau de la borne de connexion externe 1 est abaissé, tandis que le conducteur latéral 3 sur les surfaces de paroi du substrat 10 autour de la borne de connexion externe 1 dépasse de celle-ci. Ainsi, lorsque les éléments de broche de contact  In Figures 1 to 3, substrates 10 with two-layer structures are shown as examples. Substrates having structures of three or more layers, however, can also be applied to the present invention and it is possible to use more complex structures using substrates with a number of layers. In a first example of these cases, it is possible to propose a structure in which the external connection terminal 1 is positioned lower than the surface of the substrate 10, as shown in FIG. 7. In FIG. 7, four faces sides of the substrate 10 are removed leaving the guard pattern 2. The level of the external connection terminal 1 is lowered, while the lateral conductor 3 on the wall surfaces of the substrate 10 around the external connection terminal 1 exceeds it. So when the contact pin elements

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20, 21 touchent la borne 1, les conducteurs latéraux 3 servent comme blindage électromagnétique pour les éléments de broche de contact 20,21 pour empêcher l'absorption diélectrique découlant des différences de potentiel entre les composants des bornes de connexion externe attenantes et les éléments de broche.  20, 21 touch terminal 1, the lateral conductors 3 serve as electromagnetic shielding for the contact pin elements 20,21 to prevent dielectric absorption resulting from potential differences between the components of the adjoining external connection terminals and the brooch.

Comme on l'a décrit en se référant aux figures 3 et 4, en prévoyant des entrefers autour du diélectrique supportant la borne de connexion externe sur celle-ci, la capacité entre la borne de connexion externe et le conducteur environnant peut être significativement réduite. Les effets de la fixation de poussière sur les surfaces constituant les entrefers et l'humidité et analogues peuvent entraîner la détérioration des propriétés de résistance isolante et d'absorption diélectrique. Pour empêcher de tels effets non désirés, les entrefers ou espaces peuvent être scellés. Les figures 8 et 9 représentent des vues en coupe de ces structures, respectivement. Dans les structures des figures 8 et 9, une borne de connexion externe 51 s'étend vers le haut jusqu'à l'intérieur du substrat 10. La borne de connexion externe 51 est supportée par un diélectrique de support 52 encastré dans le substrat 10. Des espaces ou entrefers 54 sont scellés par des couches diélectriques 53, respectivement. Dans les entrefers ou espaces scellés 54, de l'air sec ou un gaz inerte est placé. La borne de connexion externe 51 est exposée sur la surface du substrat et les motifs de conducteur de garde supérieurs 55 sont formés entourant la partie exposée. A la figure 8, le diélectrique de support 52 est en contact avec les conducteurs latéral et inférieur 56,57. A la figure 9, le diélectrique de support 52 est en contact avec le conducteur inférieur 57 mais n'est pas en contact avec le conducteur latéral 56. La structure comme il est représenté aux figures 8 et 9, est généralement similaire à la structure ou principe des fils blindés. En conséquence, en utilisant une telle structure à  As described with reference to Figures 3 and 4, by providing air gaps around the dielectric supporting the external connection terminal thereon, the capacity between the external connection terminal and the surrounding conductor can be significantly reduced. The effects of dust fixation on the air gap and moisture surfaces and the like can cause deterioration of the insulating resistance and dielectric absorption properties. To prevent such unwanted effects, the air gaps or spaces can be sealed. Figures 8 and 9 show sectional views of these structures, respectively. In the structures of FIGS. 8 and 9, an external connection terminal 51 extends upwards to the interior of the substrate 10. The external connection terminal 51 is supported by a support dielectric 52 embedded in the substrate 10 Spaces or air gaps 54 are sealed by dielectric layers 53, respectively. In the air gaps or sealed spaces 54, dry air or an inert gas is placed. The external connection terminal 51 is exposed on the surface of the substrate and the upper guard conductor patterns 55 are formed surrounding the exposed part. In FIG. 8, the support dielectric 52 is in contact with the lateral and lower conductors 56, 57. In FIG. 9, the support dielectric 52 is in contact with the lower conductor 57 but is not in contact with the lateral conductor 56. The structure as shown in FIGS. 8 and 9, is generally similar to the structure or principle of shielded wires. Consequently, using such a structure to

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la place de la connexion via des câbles coaxiaux ou des câ- bles blindés fait qu'il est également possible de connecter la borne de connexion externe 51 avec une aiguille de sonde.  the place of connection via coaxial cables or shielded cables means that it is also possible to connect the external connection terminal 51 with a probe needle.

La présente invention a été décrite en se référant à un certain nombre de modes de réalisation ci-dessus. Il est également possible, dans des applications spécifiques, de remplacer le câble coaxial par un câble à une seule âme avec un revêtement hautement isolant représenté typiquement par PTFE (Teflon@) ou analogues qui doit être utilisé pour la connexion à une aiguille de sonde.  The present invention has been described with reference to a number of embodiments above. It is also possible, in specific applications, to replace the coaxial cable with a single core cable with a highly insulating coating typically represented by PTFE (Teflon @) or the like which must be used for connection to a probe needle.

La carte de sondes de la présente invention comme décrite ci-dessus peut réduire le temps d'attente découlant de l'absorption diélectrique se produisant entre les différents potentiels électriques et réduire le courant de fuite en régime normal à un niveau négligeable. En outre, puisque le corps isolant placé entre les différents potentiels peut être protégé par des conducteurs, des variations des propriétés de microcourant pour chaque carte de sondes ou chaque élément de broche de contact en raison de la nature inhérente du corps isolant ou de procédés de fabrication non réguliers peuvent être empêchées.  The probe card of the present invention as described above can reduce the waiting time resulting from the dielectric absorption occurring between the different electrical potentials and reduce the leakage current under normal conditions to a negligible level. In addition, since the insulating body placed between the different potentials can be protected by conductors, variations in the micro-current properties for each probe card or each contact pin element due to the inherent nature of the insulating body or methods of non-regular manufacturing can be prevented.

On peut se référer à la description entière de la demande de brevet japonais no 2000-36626 déposée le 15 février 2000 incluant le mémoire descriptif, les revendications, les dessins et le résumé. Reference may be made to the entire description of Japanese patent application no. 2000-36626 filed on February 15, 2000 including the specification, the claims, the drawings and the summary.

Claims (8)

REVENDICATIONS 1. Carte de sondes comprenant un substrat (10) et une borne de connexion externe (1) placée sur un matériau di- électrique de support disposé dans le substrat (10), caractérisée en ce que la borne de connexion externe (1) est entourée par un conducteur (3,4) disposé entre le substrat (10) et le matériau diélectrique de support et un matériau diélectrique du corps du substrat et le matériau diélectrique de support pour supporter la borne de connexion externe (1) sont séparés l'un de l'autre via le conducteur (3,4).  CLAIMS 1. Probe card comprising a substrate (10) and an external connection terminal (1) placed on a dielectric support material disposed in the substrate (10), characterized in that the external connection terminal (1) is surrounded by a conductor (3,4) disposed between the substrate (10) and the dielectric support material and a dielectric material of the substrate body and the dielectric support material for supporting the external connection terminal (1) are separated l 'from each other via the conductor (3,4). 2. Carte de sondes selon la revendication 1, caractérisée en ce que le conducteur (3,4) comprend au moins un conducteur inférieur disposé sur un fond d'un évidement formé dans le substrat pour recevoir le matériau diélectrique de support et un conducteur latéral disposé sur les faces latérales de l'évidement et un espace ou entrefer (9) est disposé entre ledit matériau diélectrique de support et le conducteur latéral. 2. Probe card according to claim 1, characterized in that the conductor (3,4) comprises at least one lower conductor arranged on a bottom of a recess formed in the substrate to receive the dielectric support material and a lateral conductor disposed on the lateral faces of the recess and a space or gap (9) is disposed between said dielectric support material and the lateral conductor. 3. Carte de sondes selon la revendication 2, caractérisée en ce que l'entrefer ou l'espace (9) est scellé par un matériau diélectrique à partir de l'extérieur du substrat (10). 3. Probe card according to claim 2, characterized in that the air gap or space (9) is sealed with a dielectric material from the outside of the substrate (10). 4. Carte de sondes selon la revendication 1, caractérisée en ce que la carte de sondes comporte deux ou plus bornes de connexion externes (31,32) et la connexion électrique entre ces bornes de connexion externes (31,32) est assurée par la connexion électrique disposée à l'intérieur du substrat (10). 4. probe card according to claim 1, characterized in that the probe card comprises two or more external connection terminals (31,32) and the electrical connection between these external connection terminals (31,32) is ensured by the electrical connection arranged inside the substrate (10). <Desc/Clms Page number 19><Desc / Clms Page number 19> 5. Carte de sondes selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit conducteur (3, 4) comporte des parties maillées ou des parties découpées.  5. Probe card according to claim 1, characterized in that said conductor (3, 4) comprises meshed parts or cut parts. 6. Carte de sondes selon la revendication 1, caractérisée en ce que ladite borne externe est placée à un niveau plus bas sur une distance prédéterminée que la surface du corps du substrat (10). 6. Probe card according to claim 1, characterized in that said external terminal is placed at a lower level over a predetermined distance than the surface of the body of the substrate (10). 7. Carte de sondes selon la revendication 6, caractérisée en ce que ledit conducteur est connecté à une borne de garde. 7. Probe card according to claim 6, characterized in that said conductor is connected to a guard terminal. 8. Carte de sondes selon la revendication 7, caractérisée en ce que ladite borne de garde est prévue avec une garde active.8. Probe card according to claim 7, characterized in that said guard terminal is provided with an active guard.
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