FR2814018A1 - METHOD AND DEVICE FOR MANAGING VOICE STAMPS IN DYNAMIC BANDWIDTH CIRCUIT CIRCUIT EMULATION SERVICES - Google Patents

METHOD AND DEVICE FOR MANAGING VOICE STAMPS IN DYNAMIC BANDWIDTH CIRCUIT CIRCUIT EMULATION SERVICES Download PDF

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Abstract

Selon un procédé de gestion de tampon SAR (segmentation et ré-assemblage) qui fonctionne en mode DBCES (service d'émulation de circuit à bande passante dynamique), tout d'abord une limite de tampon de canal actif est déterminée. Celle-ci dépend du nombre de canaux actifs dans le circuit virtuel. Puis la quantité de tamponnage pour chaque canal actif est établie de manière à être égale à la CDV (variation de retard de cellule) plus la limite de tampon de canal actif. Ceci empêche la survenue de sous-débordements et de sur-débordements lorsque le nombre de canaux actifs varie soudainement.According to a SAR (segmentation and reassembly) buffer management method which operates in DBCES (dynamic bandwidth circuit emulation service) mode, first of all an active channel buffer limit is determined. This depends on the number of active channels in the virtual circuit. Then the amount of buffering for each active channel is set to be equal to CDV (cell delay variation) plus the active channel buffer limit. This prevents the occurrence of underflow and overflow when the number of active channels suddenly changes.

Description

DOMAINE DE L'INVENTIONFIELD OF THE INVENTION

La présente invention concerne les télécommunications et de façon davantage particulière, des services d'émulation de circuit à bande passante dynamique (DBCES) dans un réseau relais de cellules tel que ATM.  The present invention relates to telecommunications and more particularly to Dynamic Bandwidth Circuit (DBCES) emulation services in a cell relay network such as ATM.

ARRIÈRE-PLAN DE L'INVENTIONBACKGROUND OF THE INVENTION

Le Mode Transfert Asynchrone ou ATM est un service qui transporte des données selon de petits paquets ou de petites cellules de dimension fixe sur un réseau commuté par paquets. Les cellules sont statistiquement multiplexées sur des liaisons physiques fixes entre des noeuds de réseau et elles établissent des circuits virtuels sur le réseau entre des points d'extrémité. L'ATM inclut un certain nombre de spécifications parmi lesquelles AAL1 (Couche d'Adaptation ATM 1) établit un standard pour transporter des données sensibles au temps telles que la voix ou qu'une information vidéo sur les circuits virtuels entre les points d'extrémité. Ceci est connu en tant qu'émulation de circuit (CES) du fait que ceci procure un certain nombre de canaux vocaux qui apparaissent à l'utilisateur comme étant similaires à par  Asynchronous Transfer Mode (ATM) is a service that transports data in small packets or small cells of fixed size over a packet-switched network. The cells are statistically multiplexed on fixed physical links between network nodes and establish virtual circuits on the network between endpoints. ATM includes a number of specifications among which AAL1 (ATM Tuning Layer 1) establishes a standard for carrying time-sensitive data such as voice or video information on virtual circuits between endpoints. . This is known as Circuit Emulation (CES) because it provides a number of voice channels that appear to the user to be similar to

exemple des canaux multiplexés par division temporelle.  example of times division multiplexed channels.

Le mode DBCES est un mode d'utilisation à bande passante dynamique dans un réseau ATM sur la base de la détection des fenêtres temporelles d'une artère TDM donnée qui sont actives et de celles qui sont inactives. Lorsqu'un état inactif est détecté dans une fenêtre temporelle spécifique, la fenêtre temporelle est enlevée de la structure ATM suivante et la bande passante qu'elle utilisait peut être réutilisée pour d'autres services. Le mode DBCES est décrit en détail dans ATM  The DBCES mode is a dynamic bandwidth usage mode in an ATM network based on the detection of the time windows of a given TDM route that are active and those that are inactive. When an idle state is detected in a specific time window, the time window is removed from the next ATM structure and the bandwidth it was using can be reused for other services. The DBCES mode is described in detail in ATM

Forum spécification: af-vtoa-0085.000 (juillet 1997).  Forum specification: af-vtoa-0085.000 (July 1997).

Les dispositifs connus en tant que dispositifs SAR (Segmentation et Réassemblage) convertissent des données arrivantes selon des cellules et vice versa. Les SAR incluent des tampons pour stocker les  Devices known as SAR devices (Segmentation and Reassembly) convert incoming data into cells and vice versa. SARs include buffers to store

cellules destinées à être traitées.  cells to be processed.

Lors d'un fonctionnement dans le mode DBCES (Service d'Emulation de Circuit à Bande Passante Dynamique), si le nombre de canaux vocaux transportés par le train de cellules AAL1 est modifié, le débit auquel les cellules arrivent au récepteur varie. Cette variation du  When operating in DBCES (Dynamic Bandwidth Circuit Emulation) mode, if the number of voice channels carried by the AAL1 cell stream is changed, the rate at which the cells arrive at the receiver varies. This variation of

débit d'arrivée peut générer un sous-débordement ou un sur-  arrival flow may generate an overflow or overflow

débordement dans le tampon vocal au niveau du récepteur qui reçoit les cellules arrivantes sauf si des précautions spéciales sont prises. Afin de traiter ce problème, il a été proposé d'ajouter une  overflow into the voice buffer at the receiver that receives incoming cells unless special precautions are taken. In order to address this problem, it has been proposed to add a

allocation de tampon supplémentaire afin d'empêcher des sous-  additional buffer allocation to prevent

débordements et d'insérer un retard supplémentaire dans le tampon afin d'empêcher des sur-débordements. Selon une variante, une autre solution consiste à démarrer le tampon avec un nombre spécifique de canaux vocaux qui sont actifs pour établir un remplissage de tampon adéquat mais le tampon ne peut pas être restauré automatiquement à la  overflows and insert an extra delay into the buffer to prevent over-overflows. Alternatively, another solution is to start the buffer with a specific number of voice channels that are active to establish an adequate buffer fill but the buffer can not be restored automatically to the buffer.

suite d'erreurs de glissement.following slip errors.

Pour finir, une autre solution consiste simplement à laisser survenir les sur-débordements et les sous-débordements; cependant, ceci devrait avoir pour effet que les récepteurs reçoivent des données incorrectes, ce qui est transposé selon des sons de cliquetis au niveau  Finally, another solution is simply to let overflow and overflow occur; however, this should cause receivers to receive incorrect data, which is transposed according to pinging sounds at the

de l'information audio reçue.received audio information.

OBJET ET RÉSUMÉ DE L'INVENTIONOBJECT AND SUMMARY OF THE INVENTION

Selon un aspect large, I'invention propose un procédé permettant  According to a broad aspect, the invention proposes a method allowing

de gérer des tampons dans un dispositif SAR (segmentation et ré-  manage buffers in a SAR device (segmentation and reorganization)

assemblage) qui fonctionne dans un mode DBCES (service d'émulation de circuit à bande passante dynamique), comprenant: la détermination d'une limite de tampon de canal actif pour un circuit virtuel en fonction du nombre de canaux actifs; et l'établissement de la quantité de tamponnage pour chaque canal actif de telle sorte qu'elle soit égale à la CDV (variation de retard de cellule) plus la limite de tampon de canal actif. La quantité de tamponnage est typiquement représentée par la distance entre le pointeur d'écriture et le pointeur de lecture pour les tampons circulaires. Conformément à l'invention, pour n'importe quelle valeur courante de canaux vocaux actifs, soit N, un nombre minimum défini de canaux vocaux actifs, soit MIN, et une tolérance de variation de retard de cellule souhaitée, soit CDV, un espacement de pointeur d'écriture (pointeur de glissement) par rapport au pointeur de lecture est  assembly) that operates in a dynamic bandwidth circuit emulation (DBCES) mode, comprising: determining an active channel buffer limit for a virtual circuit based on the number of active channels; and setting the buffering amount for each active channel such that it is equal to the CDV (cell delay variation) plus the active channel buffer limit. The amount of buffering is typically represented by the distance between the write pointer and the read pointer for the circular buffers. According to the invention, for any current value of active voice channels, either N, a defined minimum number of active voice channels, or MIN, and a desired cell delay variation tolerance, or CDV, a pitch spacing of write pointer (slip pointer) relative to the read pointer is

calculé. Suite à un démarrage ou lors d'une erreur (c'est-à-dire un sous-  calculated. Following a start or error (that is, a sub-

débordement ou un sur-débordement), cet espacement souhaité est utilisé pour créer une nouvelle valeur pour le pointeur d'écriture. Le fait d'autoriser diverses définitions du MIN permet à l'utilisateur du système d'établir par compromis le retard dans le tampon pour la bande passante dans le train de cellules. Le fait de recalculer l'espacement souhaité lorsque N varie permet au tampon de manipuler n'importe quel nombre de canaux vocaux jusqu'à MIN. Une restauration à partir d'erreurs est réalisée de manière automatique (sans intervention de l'unité centrale de traitement ou CPU d'utilisateur) par l'intermédiaire de l'utilisation de l'espacement de tampon correct. Le train de cellules peut être démarré avec n'importe quelle valeur initiale, soit N, de canaux  overflow or overflow), this desired spacing is used to create a new value for the write pointer. Authorizing various definitions of the MIN allows the system user to compromise the delay in the buffer for the bandwidth in the cell stream. Recalculating the desired spacing as N varies allows the buffer to manipulate any number of voice channels up to MIN. A restore from errors is performed automatically (without intervention of the central processing unit or user CPU) through the use of the correct buffer spacing. The cell stream can be started with any initial value, N, of channels

vocaux actifs.active vocals.

L'inclusion de la variation de retard de cellule (CDV) au niveau du calcul signifie que n'importe quelle variation de retard de cellule dans le train de cellules reçu ne génère pas d'erreurs de glissement (c'est-à- dire  The inclusion of the Cell Delay Variation (CDV) in the calculation means that any cell delay variation in the received cell stream does not generate slip errors (i.e.

des sous-débordements ou des sur-débordements).  overflow or overflow).

Typiquement, I'espacement est défini de telle sorte que pointeur d'écriture = pointeur de lecture + CDV + (47/MIN) - (47/N) o 47 est utilisé du fait que chaque cellule dans ATM AAL1 contient  Typically, the spacing is set so that write pointer = read pointer + CDV + (47 / MIN) - (47 / N) o 47 is used because each cell in ATM AAL1 contains

approximativement 47 octets de données vocales.  approximately 47 bytes of voice data.

BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINSBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

L'invention sera maintenant décrite de manière davantage détaillée à titre d'exemple seulement par report aux dessins annexés parmi lesquels: les figures la et lb sont des schémas fonctionnels qui représentent les tampons circulaires selon SAR pour à la fois des modes de fonctionnement SDT et DBCES d'un SAR; et la figure 2 est un schéma fonctionnel qui représente la structure de commande de ré-assemblage pour un SAR selon une mise en ceuvre préférée.  The invention will now be described in more detail by way of example only with reference to the accompanying drawings, in which: Figs. 1a and 1b are functional diagrams which show the circular buffers according to SAR for both SDT modes of operation and DBCES of a SAR; and Fig. 2 is a block diagram showing the re-assembly control structure for a SAR in a preferred implementation.

DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION  DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

Un mode transfert de données structurées (SDT) est un mode de transfert de données AAL1 selon lequel des données sont tout d'abord structurées selon des blocs qui sont ensuite segmentés selon des cellules pour un transfert. Selon une application typique, des données TDM sont transférées sur un circuit virtuel ATM entre un dispositif d'émission ou de  A structured data transfer mode (SDT) is an AAL1 data transfer mode in which data is first structured into blocks which are then segmented into cells for transfer. In a typical application, TDM data is transferred on an ATM virtual circuit between a transmitting or

segmentation (TXSAR) et un dispositif de réception ou de ré-  segmentation (TXSAR) and a reception or re-

assemblage (RXSAR) qui, comme noté ci-avant, convertissent des données selon des cellules ATM et vice versa. Le circuit virtuel  assembly (RXSAR) which, as noted above, convert data according to ATM cells and vice versa. The virtual circuit

transporte un certain nombre de canaux émulant un service TDM.  carries a number of channels emulating a TDM service.

Le RX_SAR SDT est responsable de l'écriture de données en  The RX_SAR SDT is responsible for writing data in

provenance de cellules reçues dans des tampons circulaires de ré-  from cells received in circular buffers

assemblage tandis que le module TDM lit les données à partir des tampons et les émet en sortie en tant que canaux TDM. Cependant, une certaine commande de tamponnage est requise du fait que le RX_SAR SDT et le TDM fonctionnent à des fréquences d'horloge différentes (les données sont placées dans les tampons sur la base du débit d'arrivée des cellules (qui varie) tandis que les données sont lues à partir des tampons à un débit constant qui est déterminé par la fréquence d'horloge  while the TDM reads the data from the buffers and outputs them as TDM channels. However, some buffer control is required because the RX_SAR SDT and TDM operate at different clock rates (the data is placed in the buffers based on the arrival rate of the cells (which varies) while the data is read from the buffers at a constant rate that is determined by the clock frequency

de sortie TDM (par exemple 2048 MHz)).  TDM output (eg 2048 MHz)).

Dans les modes de fonctionnement SDT et DBCES, I'une des  In the SDT and DBCES modes of operation, one of the

tâches principales du RX_SAR SDT consiste à assurer qu'aucun sous-  The main tasks of the RX_SAR SDT is to ensure that no

débordement ou qu'aucun sur-débordement ne se produit entre le RX_SAR SDT et un module TDM qui convertit les données sur des canaux multiplexés par division temporelle. Un sous-débordement se produit lorsqu'il y a des données selon une quantité insuffisante dans le  Overflow or no overflow occurs between the RX_SAR SDT and a TDM module that converts the data to time-division multiplexed channels. Overflow occurs when there is insufficient data in the

tampon pour alimenter le module TDM au débit TDM. Un sur-  buffer to power the TDM module at TDM rate. An over-

débordement se produit lorsque le tampon subit un sur-débordement du fait que les cellules arrivent plus rapidement que les données ne sont  Overflow occurs when the buffer overflows because the cells arrive faster than the data is

lues par le module TDM.read by the TDM module.

Le RX_SAR SDT est responsable du maintien d'une relation entre le pointeur d'écriture du RX_SAR SDT et le pointeur de lecture du module TDM. Cette commande est assurée par un sous-programme qui, chaque fois que le RX_SAR SDT est près de réaliser une écriture dans le tampon circulaire, détermine la distance entre le pointeur d'écriture et le pointeur de lecture. Normalement, chaque écriture est réalisée lorsque I'écriture précédente est terminée et le pointeur d'écriture avance simplement à mesure que les octets sont écrits. Cependant, lors d'un démarrage ou lorsque l'algorithme du RX_SAR SDT a décidé qu'une  The RX_SAR SDT is responsible for maintaining a relationship between the RX_SAR SDT write pointer and the TDM read pointer. This command is provided by a subroutine which, whenever the RX_SAR SDT is about to write to the circular buffer, determines the distance between the write pointer and the read pointer. Normally, each write is performed when the previous write is complete and the write pointer simply advances as the bytes are written. However, when starting or when the RX_SAR SDT algorithm has decided that a

erreur de glissement (c'est-à-dire un sur-débordement ou un sous-  slip error (ie overflow or underflow)

débordement) est survenue ou lors d'un passage depuis zéro canal actif jusqu'à au moins un canal actif, le RX_SAR SDT utilise une valeur de pointeur d'écriture calculée de façon interne en tant que valeur de  overflow) occurred or during a transition from zero active channel to at least one active channel, the RX_SAR SDT uses an internally calculated write pointer value as a value of

pointeur d'écriture correcte.correct writing pointer.

Dans ces cas, indépendamment de la valeur du pointeur d'écriture original, le pointeur d'écriture est réglé à la valeur de pointeur  In these cases, regardless of the value of the original write pointer, the write pointer is set to the pointer value

de glissement et des données sont écrites sur le tampon circulaire de ré-  slip and data are written on the circular buffer of

assemblage à l'emplacement pointé par le pointeur de glissement. Le but de l'utilisation du pointeur de glissement consiste à établir une relation connue entre le pointeur de lecture et le pointeur d'écriture, à éliminer le risque de multiples glissements successifs (par exemple un déplacement du pointeur d'écriture qui l'éloignerait davantage du pointeur de lecture afin d'empêcher que des sous-débordements ne se produisent encore et encore). L'invention peut être mise en oeuvre dans n'importe quel dispositif SAR approprié. Un dispositif SAR approprié est par exemple le dispositif MT90528 de Mitel. La figure la représente un tampon circulaire 10 pour un RXSAR dans un mode de fonctionnement SDT. Des données sont stockées au niveau d'adresses individuelles 12 dans le tampon. Un  assembly at the location pointed by the slip pointer. The purpose of using the slip pointer is to establish a known relationship between the read pointer and the write pointer, to eliminate the risk of multiple successive slips (eg a displacement of the write pointer that would distance it more of the read pointer to prevent overflows from occurring again and again). The invention can be implemented in any suitable SAR device. An appropriate SAR device is, for example, the Mitel MT90528 device. Figure la represents a circular buffer 10 for an RXSAR in an SDT mode of operation. Data is stored at individual addresses 12 in the buffer. A

pointeur d'écriture 16 détermine o les cellules arrivantes sont écrites.  Write pointer 16 determines where incoming cells are written.

Un pointeur de lecture 14 détermine o les données TDM sortantes sont  A read pointer 14 determines where the outgoing TDM data is

lues.read.

La figure lb représente un agencement similaire pour un mode  Fig. 1b shows a similar arrangement for a mode

de fonctionnement DBCES.DBCES operation.

Valeurs de pointeur de glissement dans les modes de fonctionnement SDT et DBCES Un espacement prédéterminé est maintenu entre le pointeur de lecture et le pointeur d'écriture. Une explication des calculs est présentée  Slip pointer values in SDT and DBCES operation modes A predetermined spacing is maintained between the read pointer and the write pointer. An explanation of the calculations is presented

ci-après. Les calculs utilisent un arrondi par excès.  below. The calculations use an excess rounding.

Si le circuit virtuel est configuré pour un SDT de base (figure la), le pointeur de glissement se voit assigner une valeur de telle sorte qu'il soit égal à pointeur de lecture TDM + CDV (CDV est appelé "avg lead" ou avance moyenne et est égal à la valeur "Maximum_Lead/2" programmable par l'utilisateur). CDV représente la variation de retard de cellule selon laquelle des cellules arriveront sur le canal virtuel au niveau  If the virtual circuit is configured for a basic SDT (Figure la), the slip pointer is assigned a value such that it is equal to TDM + CDV read pointer (CDV is called "avg lead" or advance average and is equal to the value "Maximum_Lead / 2" programmable by the user). CDV represents the cell delay variation in which cells will arrive on the virtual channel at the

du SAR de réception.reception SAR.

En moyenne, les cellules doivent arriver au niveau du RXSAR SDT à un débit régulier (figure la) de telle sorte que les données de cellule soient toujours écrites sur le tampon circulaire à l'instant pointeur de lecture TDM + CDV. Cependant, du fait d'une variation de retard de cellule, il est possible que des cellules arrivent davantage lentement ou davantage rapidement que la moyenne. Par conséquent, un tamponnage suffisant doit être assuré dans les tampons circulaires de telle sorte que si une cellule arrive en retard, il y ait suffisamment de données (reçues au préalable) dans le tampon pour assurer que le module TDM puisse continuer à réaliser une lecture à partir du tampon circulaire à un débit  On average, the cells should arrive at the RXSAR SDT at a steady rate (Fig. La) so that the cell data is always written to the circular buffer at the TDM + CDV read pointer time. However, due to cell delay variation, it is possible for cells to arrive more slowly or more rapidly than average. Therefore, sufficient buffering must be provided in the circular buffers so that if a cell arrives late, there is enough (previously received) data in the buffer to ensure that the TDM can continue reading. from the circular buffer at a rate

régulier sans subir des sous-débordements.  regular without undergoing overflow.

Si le canal virtuel est configuré pour DBCES et que le bit DBCES_Control <2> n'est pas établi, la version DBCES du pointeur de glissement de RX_SAR SDT est la même que la version SDT du pointeur de glissement (c'est-à-dire qu'il est égal à pointeur de lecture  If the virtual channel is configured for DBCES and the DBCES_Control bit <2> is not set, the DBCES version of the RX_SAR SDT drag pointer is the same as the SDT version of the slip pointer (ie to say that it is equal to read pointer

TDM + CDV).CT + CDV).

Le problème dans cette situation réside dans le fait que lorsque le nombre N de canaux actifs arrivant sur un circuit virtuel varie, le débit d'arrivée des cellules varie également. Par exemple, dans le cas de deux canaux, chaque cellule consomme deux octets de chaque trame TDM de telle sorte qu'environ 24 trames sont consommées pour remplir la charge utile d'une cellule. Un VC ou circuit virtuel à 4 canaux consomme 4 octets de chaque trame TDM de telle sorte que seulement 12 trames sont consommées pour remplir une cellule. Dans le cas d'un unique canal, seulement un octet de chaque trame est consommé de telle sorte qu'un total de 47 trames TDM est consommé avant qu'une cellule ne soit remplie et prête à être transmise. Si l'on suppose qu'une cellule arrive et est écrite sur le tampon circulaire à l'emplacement pointé au moyen du pointeur de glissement (c'est-à-dire une distance moyenne par rapport au pointeur de lecture), aucun sous-débordement ne devrait se produire. Cependant, si le nombre de canaux actifs sur le circuit virtuel diminue, une quantité de temps plus longue sera consommée pour qu'une cellule soit formée au niveau de l'émetteur. Par conséquent, le débit d'arrivée des cellules diminuera. Par conséquent, le module TDM continuera à réaliser une  The problem in this situation lies in the fact that when the number N of active channels arriving on a virtual circuit varies, the arrival rate of the cells also varies. For example, in the case of two channels, each cell consumes two bytes of each TDM frame so that about 24 frames are consumed to fill the payload of a cell. A VC or 4-channel virtual circuit consumes 4 bytes of each TDM frame so that only 12 frames are consumed to fill a cell. In the case of a single channel, only one byte of each frame is consumed so that a total of 47 TDM frames are consumed before a cell is full and ready to be transmitted. If it is assumed that a cell arrives and is written to the circular buffer at the location pointed by the slip pointer (i.e., a mean distance from the read pointer), no sub- Overflow should not occur. However, if the number of active channels on the virtual circuit decreases, a longer amount of time will be consumed for a cell to be formed at the transmitter. As a result, the arrival rate of the cells will decrease. As a result, the TDM module will continue to perform a

lecture à partir du tampon circulaire à son débit régulier et sera en sous-  reading from the circular buffer at its regular rate and will be subdivided

débordement du fait qu'il n'y aura pas suffisamment de données dans le tampon pour permettre au module TDM de continuer la lecture jusqu'à  overflow because there will not be enough data in the buffer to allow the TDM to continue reading until

ce que la cellule suivante arrive.what the next cell arrives.

La figure 2 représente une structure de commande pour le format DBCES. La zone DBCES_Control détermine la quantité de données tamponnées que l'utilisateur souhaite stocker dans chaque tampon circulaire de réassemblage de canal. Si cette zone est établie, le bit <2> commande si cette variable est utilisée ou non. Les bits <1:0> représentent le tamponnage de retard minimum souhaité pour chaque canal; "00" = 47 octets (par conséquent, le nombre minimum de canaux actifs dans le VC sera de 1); "01" = 24 octets (par conséquent, le nombre minimum de canaux actifs dans le VC sera de 2); "10" = 16 octets (par conséquent, le nombre minimum de canaux actifs dans le VC sera de 3); "11" = 12 octets (par conséquent, le nombre minimum de  Figure 2 shows a control structure for the DBCES format. The DBCES_Control field determines the amount of buffered data that the user wants to store in each circular channel reassembly buffer. If this field is set, the bit <2> controls whether this variable is used or not. Bits <1: 0> represent the desired minimum delay buffering for each channel; "00" = 47 bytes (therefore, the minimum number of active channels in the VC will be 1); "01" = 24 bytes (therefore, the minimum number of active channels in the VC will be 2); "10" = 16 bytes (therefore, the minimum number of active channels in the VC will be 3); "11" = 12 bytes (therefore, the minimum number of

canaux actifs dans le VC sera de 4).  Active channels in the VC will be 4).

Conformément aux principes de l'invention, si le circuit virtuel est configuré pour DBCES et que le bit <2> de DBCES_Control <2> (voir la figure 2) est établi, le pointeur d'écriture de RX_SAR SDT est assigné de manière à être égal à pointeur de lecture TDM + CDV + limite de tampon  In accordance with the principles of the invention, if the virtual circuit is configured for DBCES and the <2> bit of DBCES_Control <2> (see Fig. 2) is set, the write pointer of RX_SAR SDT is assigned to be equal to TDM read pointer + CDV + buffer limit

CDV de canal actif pour le circuit virtuel.  Active channel CDV for the virtual circuit.

La limite de tampon de canal actif pour le VC est calculé en tant que nombre d'octets du tamponnage DBCES souhaité par l'utilisateur (comme configuré au moyen de l'établissement de la zone DBCESControl dans la structure de commande de ré-assemblage DBCES pour le VC) moins le nombre maximum d'octets qui peuvent être écrits dans chaque tampon circulaire de ré-assemblage SDT pour le VC, compte tenu du profil d'activité du circuit virtuel (par exemple, s'il y a 2 canaux actifs dans le circuit virtuel, un maximum de 24 octets de données peuvent être écrits sur un quelconque tampon circulaire suite à  The active channel buffer limit for the VC is calculated as the number of bytes of the DBCES buffering desired by the user (as configured by setting the DBCESControl field in the DBCES re-assembly command structure for the VC) minus the maximum number of bytes that can be written in each circular re-assembly buffer SDT for the VC, given the activity profile of the virtual circuit (for example, if there are 2 active channels in the virtual circuit, a maximum of 24 bytes of data can be written on any circular buffer following

l'arrivée d'une cellule).the arrival of a cell).

DBCES_Control est utilisé pour assurer un tamponnage "propre" lorsque le nombre de canaux actifs dans un VC peut varier selon des quantités importantes. Lorsque l'utilisateur établit la zone DBCES_Control, il définit le nombre minimum d'octets de tamponnage que l'utilisateur souhaite toujours avoir à disposition dans chaque tampon circulaire de réassemblage SDT pour le VC. Ce tamponnage supplémentaire ajoute du retard en termes des données qui sont émises  DBCES_Control is used to ensure "clean" buffering when the number of active channels in a VC can vary in large amounts. When the user sets the DBCES_Control field, it sets the minimum number of buffering bytes that the user always wants to have available in each circular SDT reassembly buffer for the VC. This extra buffering adds delay in terms of the data that is being sent

en sortie sur le bus TDM mais est utile pour empêcher des sous-  output on the TDM bus but is useful for

débordements de tampon lorsque le nombre de canaux actifs dans un  buffer overflows when the number of active channels in a

VC varie.VC varies.

Un exemple spécifique sera maintenant considéré.  A specific example will now be considered.

On suppose que l'utilisateur a déterminé que la CDV attendue entre des cellules sur le circuit virtuel est de 625 microsecondes (5 octets de données dans le tampon). Par ailleurs, I'utilisateur a décidé qu'il permettra au nombre de canaux actifs dans le circuit virtuel de diminuer jusqu'à un minimum égal à l'unité (ce qui nécessite le stockage  It is assumed that the user has determined that the expected CDV between cells on the virtual circuit is 625 microseconds (5 bytes of data in the buffer). Furthermore, the user has decided that it will allow the number of active channels in the virtual circuit to decrease to a minimum equal to unity (which requires storage

de 47 octets de données supplémentaires dans les tampons).  47 bytes of additional data in the buffers).

Maintenant, on suppose qu'il y a quatre canaux actifs dans le circuit virtuel pour démarrer. Par conséquent, en utilisant la formule mentionnée ci-avant: distance par rapport au pointeur de lecture = CDV + limite de tampon de canal actif = 5 octets + (47 octets - 47 octets/4) = 40 octets, le pointeur d'écriture commencera une écriture (suite au démarrage ou suite à une condition d'erreur) en un emplacement qui se situe 40 octets à l'avant du pointeur de lecture. Après réception d'une cellule, un quart de la cellule, c'est-à-dire 12 octets, sera ajouté au tampon de telle sorte que le pointeur d'écriture sera ensuite à 52 octets à l'avant du pointeur  Now, it is assumed that there are four active channels in the virtual circuit to boot. Therefore, using the formula mentioned above: distance to read pointer = CDV + active channel buffer limit = 5 bytes + (47 bytes - 47 bytes / 4) = 40 bytes, write pointer will start writing (following startup or following an error condition) in a location that is 40 bytes in front of the read pointer. After receiving a cell, a quarter of the cell, that is 12 bytes, will be added to the buffer so that the write pointer will then be 52 bytes in front of the pointer

de lecture.reading.

Dans le cas o une cellule avec N = 1 (c'est-à-dire seulement un canal) est envoyée, 47 trames TDM seront consommées pour que la cellule soit assemblée pour une réception dans le tampon de réception du RX_SAR. Pendant ce temps, 47 octets de données seront lus à partir du tampon au moyen du pointeur de lecture. Par conséquent, lorsque la cellule suivante arrive, le pointeur d'écriture sera toujours à 5 octets à l'avant du pointeur de lecture de telle sorte qu'aucun sous-débordement  In the case where a cell with N = 1 (i.e. only one channel) is sent, 47 TDM frames will be consumed for the cell to be assembled for reception in the RX_SAR receive buffer. During this time, 47 bytes of data will be read from the buffer by the read pointer. Therefore, when the next cell arrives, the write pointer will still be 5 bytes to the front of the read pointer so that no overflow

ne se produira.will not happen.

distance par rapport au pointeur de lecture = CDV = 5 octets + limite de tampon de canal actif = 5 octets + (47 octets - 47 octets/1) = 5 octets Cependant, sans DBCES_Control, nous devrions avoir:  distance to read pointer = CDV = 5 bytes + active buffer buffer limit = 5 bytes + (47 bytes - 47 bytes / 1) = 5 bytes However, without DBCES_Control we should have:

distance par rapport au pointeur de lecture = CDV = 5 octets.  distance to reading pointer = CDV = 5 bytes.

Dans ce cas, si le nombre de canaux actifs dans le circuit virtuel chute jusqu'à l'unité, le module TDM lira les données stockées dans le tampon dans 5 trames puis commencera à lire des données anciennes du fait que de nouvelles cellules ne seront pas arrivées. Par conséquent,  In this case, if the number of active channels in the virtual circuit drops to unity, the TDM module will read the data stored in the buffer in 5 frames and then start reading old data because new cells will not be no arrivals. Therefore,

un sous-débordement devrait se produire.  an overflow should occur.

Une capacité de programmation par l'utilisateur du tamponnage souhaité peut être assurée par l'intermédiaire de l'utilisation d'une zone DBCES_Control dans chaque structure de commande de ré-assemblage DBCES, comme on peut le voir sur la figure 2. L'utilisateur dispose de l'option de soit activer, soit désactiver ce tamponnage additionnel en utilisant le bit <2> de la zone DBCESControl. Les bits <1: 0> de la zone DBCES_Control sont utilisés pour sélectionner la quantité de  A user programming capability of the desired buffering can be provided through the use of a DBCES_Control area in each DBCES re-assembly control structure, as can be seen in FIG. user has the option to either enable or disable this additional buffering by using the <2> bit in the DBCESControl field. The <1: 0> bits of the DBCES_Control field are used to select the amount of

tamponnage additionnel requise dans le tampon circulaire de ré-  additional buffering required in the circular buffer of

assemblage de chaque canal à l'intérieur du VC. Les options sont procurées à l'utilisateur sur la base du nombre minimum de canaux actifs qui seront transportés sur le VC. Lorsque des canaux actifs selon un nombre moindre seront transportés, la quantité de tamponnage qui sera requise sera plus importante puisque le débit d'arrivée des cellules diminue lorsqu'il y a moins de canaux dans le VC (un temps plus long est consommé pour collecter suffisamment de données pour remplir une cellule). Selon l'exemple, I'utilisateur dispose de 4 options: "00" = minimum de 1 canal actif; "01" = minimum de 2 canaux actifs; "10" =  assembly of each channel inside the VC. The options are provided to the user based on the minimum number of active channels that will be transported on the VC. When less active channels are transported, the amount of buffering that will be required will be greater since the cell arrival rate decreases when there are fewer channels in the VC (longer time is consumed to collect enough data to fill a cell). According to the example, the user has 4 options: "00" = minimum of 1 active channel; "01" = minimum of 2 active channels; "10" =

minimum de 3 canaux actifs; "11" = minimum de 4 canaux actifs.  minimum of 3 active channels; "11" = minimum of 4 active channels.

Différents procédés peuvent être utilisés pour présenter ou programmer CDV et MIN ('exemple permet que MIN = 1 canal à 4 canaux et permet que CDV = Maximum_Lead/2 (CDV est approximativement compris entre 125 microsecondes et 64 millisecondes)). Le procédé peut être utilisé en conjonction avec un  Various methods can be used to present or program CDV and MIN (for example, allows MIN = 1 channel to 4 channels and allows CDV = Maximum_Lead / 2 (CDV is approximately between 125 microseconds and 64 milliseconds)). The method can be used in conjunction with a

algorithme de détection de sous-débordement et sur-débordement.  overflow and overflow detection algorithm.

L'invention propose par conséquent une façon efficace  The invention therefore proposes an efficient way

d'empêcher le problème des sur-débordements et des sous-  to prevent the problem of over-overflows and under-

débordements qui peuvent se produire lorsque le nombre de canaux est  overflows that can occur when the number of channels is

modifié dans un service DBCES.modified in a DBCES service.

Claims (10)

REVENDICATIONS 1. Procédé de gestion de tampons dans un dispositif SAR (segmentation et ré-assemblage) qui fonctionne dans un mode DBCES (service d'émulation de circuit à bande passante dynamique) caractérisé en ce qu'il comprend: la détermination d'une limite de tampon de canal actif pour un circuit virtuel en fonction du nombre de canaux actifs; et l'établissement de la quantité de tamponnage pour chaque canal actif de telle sorte qu'elle soit égale à la CDV (variation de retard de  A method of managing buffers in a SAR device (segmentation and re-assembly) that operates in a dynamic bandwidth circuit emulation (DBCES) mode, characterized in that it comprises: determining a limit active channel buffer for a virtual circuit based on the number of active channels; and setting the buffering amount for each active channel so that it is equal to the VDC (variation in delay of cellule) plus la limite de tampon de canal actif.  cell) plus the active channel buffer limit. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque tampon comporte un pointeur d'écriture et un pointeur de lecture et la distance entre le pointeur d'écriture et le pointeur de lecture  Method according to claim 1, characterized in that each buffer comprises a write pointer and a read pointer and the distance between the write pointer and the read pointer détermine la quantité de tamponnage.  determines the amount of buffering. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la limite de tampon de canal actif est égale au nombre d'octets de données de charge utile par cellule divisé par le nombre minimum de canaux autorisés moins le nombre d'octets de données de charge utile  Method according to claim 1 or 2, characterized in that the active channel buffer limit is equal to the number of bytes of payload data per cell divided by the minimum number of allowed channels minus the number of bytes of payload data par cellule divisé par le nombre de canaux actifs courants.  per cell divided by the number of current active channels. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la quantité de tamponnage est recalculée lorsque le nombre de canaux varie de manière à assurer un tamponnage adéquat la fois suivante o  4. Method according to claim 3, characterized in that the amount of buffering is recalculated when the number of channels varies so as to ensure adequate buffering the next time o une modification du nombre de canaux se produit.  a change in the number of channels occurs. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit procédé peut être activé en établissant un bit de commande dans une  Method according to claim 4, characterized in that said method can be activated by setting a control bit in a structure de commande dans les tampons.  control structure in the buffers. 6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que  6. Method according to claim 4, characterized in that lesdits tampons sont des tampons circulaires.  said buffers are circular buffers. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit  7. Method according to claim 1, characterized in that said DBCES est mis en oeuvre dans un réseau ATM.  DBCES is implemented in an ATM network. 8. Structure de données de commande pour un dispositif SAR (segmentation et ré-assemblage) permettant de mettre en oeuvre un mode DBCES (service d'émulation de circuit à bande passante dynamique), caractérisé en ce qu'elle comprend: une zone de commande comportant un bit qui détermine si oui ou non une gestion de tampon est active; et des bits qui déterminent le tamponnage minimum pour chaque canal; et en ce que: la quantité de tamponnage pour chaque canal actif est établie de manière à être égale à la CDV (variation de retard de cellule) moins une  8. A control data structure for a SAR device (segmentation and re-assembly) for implementing a dynamic bandwidth circuit emulation service (DBCES), characterized in that it comprises: a control zone; a command with a bit that determines whether or not buffer management is active; and bits that determine the minimum buffering for each channel; and in that: the buffering amount for each active channel is set to be equal to the CDV (cell delay variation) minus one limite de tampon de canal actif, qui dépend du nombre de canaux actifs.  active channel buffer limit, which depends on the number of active channels. 9. Structure de données de commande selon la revendication 8, caractérisée en ce que la limite de tampon de canal actif est égale au nombre d'octets de données de charge utile par cellule divisé par le nombre minimum de canaux autorisés moins le nombre d'octets de données de charge utile par cellule divisé par le nombre de canaux actifs courants.  The control data structure according to claim 8, characterized in that the active channel buffer limit is equal to the number of bytes of payload data per cell divided by the minimum number of allowed channels minus the number of bytes of payload data per cell divided by the number of current active channels. 10. Structure de données de commande selon la revendication 8, caractérisée en ce que la limite de canal actif vaut 47/MIN, o MIN est le nombre minimum de canaux N envisagés, moins 47/N o N est leThe control data structure according to claim 8, characterized in that the active channel limit is 47 / MIN, where MIN is the minimum number of N channels considered, minus 47 / N o N is the nombre de canaux actifs courants.number of current active channels.
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