FR2798732A1 - Dispositif formant capteur de pression a semiconducteurs comportant une plaquette de capteur recouverte par un element de protection - Google Patents
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Abstract
Ce dispositif (100) comprend un élément conducteur (4), une plaquette de capteur à semiconducteurs (2) détectant une pression et produisant un signal électrique, un fil de liaison (6) reliant électriquement la plaquette (2) et l'élément conducteur (4), et un élément de protection (7) isolant électriquement et recouvrant la partie de détection de la plaquette de capteur (2) et le fil de liaison (6), l'élément de protection (7) possédant un coefficient de gonflement à l'état saturé égal au maximum à environ 7 % en poids lorsque l'élément de protection (7) est immergé dans de l'essence à une température de 20degre C.Application notamment à la détection de la pression d'admission dans un moteur de véhicule automobile.
Description
DISPOSITIF FORMANT CAPTEUR DE PRESSION A SEMICONDUCTEURS COMPORTANT PLAQUETTE DE CAPTEUR RECOUVERTE PAR UN ELEMENT DE PROTECTION La presente invention concerne un dispositif formant capteur de pression à semiconducteurs comportant une plaquette de capteur monté sur un boîtier en résine et recouvert par un élément de protection, pour la détection d'une pression et la production d'un signal électrique conformément à la pression détectée, qui est utilisé de façon appropriée pour détecter une pression d'admission dans un moteur d'un véhicule.
Un dispositif formant capteur de pression à semiconduc-teur classique permettant de détecter des pressions telles qu'une pression d'admission dans le moteur d'un véhicule ou analogue, est agencé conformément aux figures 10A à 10B annexées à la présente demande. Le dispositif formant capteur comporte une plaquette de capteur à semiconducteurs 102 en tant qu'élément de détection de la pression. La plaquette de capteur 102 possède un diaphragme 102a formé d'un matériau (par exemple du silicium monocristallin) et utilise un effet piézoélectrique, et plusieurs résistances de diffusion (non représentées) formées sur le diaphragme 102a et connectées de manière à former un circuit en pont. Les variations de la valeur résistive des résistances de diffusion produites par la déformation du diaphragme 102a sont délivrées par le circuit en pont sous la forme de signaux électriques.
La plaquette de capteur 102 est monté dans une partie en renfoncement 103 (partie de montage du capteur) formée dans un boîtier en résine 101 au moyen d'une base en verre 105, au moyen d'un adhésif ou analogue. La plaquette de capteur 102 est connectée électriquement aux éléments conducteurs 104 qui sont moulés par insertion dans le boîtier en résine 101, au moyen de fils de liaison 106. C'est pourquoi, ce dispositif formant capteur peut délivrer un signal électrique correspondant à la dépression qui lui est appliquée.
La plaquette de capteur 102 et les fils de liaison 106 sont recouverts d'éléments de protection J1, , formés de matériaux isolants et servant à assurer une protection, une isolation électrique, et une protection vis-à-vis de la corrosion. En ce qui concerne un procédé de formation des éléments de protection dans la partie en renfoncement 103, on connaît deux types de structures, une structure réalisant un remplissage partie et une structure réalisant un remplissage complet.
La figure 10A représente la structure à remplissage partiel. Dans une telle structure, une fois que la plaquette capteur 102, les fils de liaison 106 et l'ensemble de la surface de la partie en renfoncement 103 ont été recouverts par un film mince de résine Ji formé d'un matériau organique, la surface du diaphragme 102a de la plaquette de capteur 102, des parties de connexion entre la plaquette 102 et les fils 106 et des parties de connexion entre les fils 106 et les éléments conducteurs 104 sont recouverts par une résine protectrice souple J2. La résine protectrice J2 est d'une manière génerale un matériau isolant souple en forme de gel, comme par exemple un gel contenant du fluor, que l'on peut former par enduction et durcissement thermique. Le film mince de résine il est par exemple un film de palylène (polychloroparaxylylène) que l'on peut former au moyen d'un procédé dit CVD (c'est-à-dire de dépôt chimique en phase vapeur), qui présente une bonne adhérence à la résine de protection J2.
D'autre part, la figure 10B représente la structure à remplissage complet, dans laquelle une résine protectrice J2 remplit la partie en renfoncement 103 de manière à recouvrir la plaquette de capteur 102 et les fils de liaison 106. Conformément cette structure à remplissage complet, la plaquette de capteur 102 et les fils de liaison 106 peuvent être aisément recouverts par une résine souple telle qu'un gel sans la formation d'un film mince de résine organique, qui possède un module d'élasticité élevé et nécessite un dispositif de dépôt sous vide coûteux. C'est pourquoi, dans la structure à remplissage complet, étant donné que l'élément de protection produit une contrainte inférieure à celle présente dans la structure à remplissage partiel, la fiabilité est améliorée. En outre, étant donné qu'il n'est pas nécessaire d'utiliser le dispositif de dépôt sous vide, le coût de fabrication est réduit.
Cependant dans la structure à remplissage complet il se pose un problème consistant en ce que des bulles sont susceptibles de se former dans la résine de protection J2 sous l'effet de l'humidité et de substances telles que de l'essence et du gaz condensé qui s'est échappé, contenu dans l'environnement lorsque le dispositif à capteur détecte la pression d'admission dans le moteur du véhicule. C'est-à-dire que de telles substances sont dissoutes dans la résine de protection J2 et s'évaporent sous l'action de la chaleur et de la pression en produisant des bulles dans la résine J2.
On va expliquer cette formation de bulles de façon plus détaillée en référence aux figures 11A et 11B annexées à la présente demande. Dans la structure à remplissage complet, l'épaisseur de la résine de protection J2 est supérieure à celle présente dans la structure à remplissage partiel, et par exemple est supérieure à 1 mm. De ce fait, des gaz produits par des substances dissoutes dans la résine de protection J2 sont difficilement libérées de la résine de protection J2. Il en résulte que les substances et l'humidité captées dans la résine de protection J2 sont vaporisées lorsque la température augmente et, comme cela est représenté sur la figure 11A, restent dans le film de protection J2 sous la forme de bulles K1. La taille des bulles K2 augmente lorsque la température continue à augmenter ou que la pression est négative.
Comme cela est représenté sur la figure 11B, les bulles Kl, dont la taille a augmenté, peuvent produire des fissures K2 qui s'étendent depuis l'intérieur jusqu'à la surface de la résine de protection J2. Les fissures K2 peuvent produire des courants intenses partant de la plaquette de capteur 102 ou des fils de liaison 106 (sur la figure à partir des fils de liaison 106). Les bulles K1 existant au voisinage de la partie de connexion de l'un des fils 106 avec la plaquette 102 du capteur ou avec l'élément conducteur 104 (avec l'élément conducteur 104 sur la figure) peuvent provoquer une rupture du fil 106.
La présente invention a été mise au point compte tenu des problèmes décrits précédemment. Un but de la présente invention est d'empêcher la production de bulles dans un élément de protection recouvrant une plaquette de capteur et dans une partie de connexion électrique de la plaquette du capteur dans un dispositif à capteur de pression à semiconducteurs.
Conformément à la présente invention il est prévu un dispositif formant capteur de pression à semiconducteurs un élément conducteur; une plaquette de capteur à semiconducteurs possédant une partie de détection pour détecter une pression et produire un signal électrique correspondant à la pression; un fil de liaison raccordant électriquement la plaquette de capteur et l'élément conducteur; et un élément de protection isolant électriquement et recouvrant la partie de détection de la plaquette de capteur et le fil de liaison, l'élément de protection possédant un coefficient de gonflement à l'état saturé égal approximativement à 7 % en poids au maximum lorsque l'élément de protection est immergé dans de l'essence à une temperature de 20'C.
L'élément de protection permet d'empêcher la production de bulles. Aucun courant de fuite ni aucune rupture du fil n'apparaissent sous l'effet de la présence de bulles.
Selon une autre caractéristiques de l'invention, l'élement de protection possède un coefficient de pénétration qui est spécifié au moyen de 1/4 cône selon la norme japonaise JIS K2220 et se situe dans une gamme de valeurs comprise entre 10 et 30.
Selon une autre caractéristiques de l'invention, l'élément de protection est formé d'une résine contenant du fluor.
Selon une autre caractéristiques l'invention, le dispositif comporte en outre un film adhésif intercalé entre l'élément de protection et la partie de détection de la plaquette à capteur et/ou le fil liaison pour améliorer l'adhérence entre l'élément de protection et de la partie de détection ou le fil de liaison.
Selon une autre caractéristiques de 'invention, le film adhésif est un film organique ou un apprêt.
Selon une autre caractéristiques de l'invention, le dispositif comporte en outre un boîtier en résine, sur lequel la plaquette de capteur est montée et l'élément conducteur est constitué d'une base formant insert, qui est moulée par insertion dans le boîtier en résine, l'élément de protection possède un premier élément de protection recouvrant l'élément conducteur et possédant un premier module d'Young, et un second élément de protection recouvrant la partie de détection et possédant un second module d'Young inférieur au premier module d'Young; le fil de liaison est recouvert par le premier élément de protection et par le second elément de protection; et le premier élément de protection et le second élément de protection possèdent tous deux un coefficient de gonflement à l'état saturé égal au maximum à 7 % en poids lorsque chacun du premier élément de protection et du second élément de protection est immergé dans l'essence à une température de 20'C.
Selon une autre caractéristiques de l'invention, le premier élément de protection est formé d'un contenant du fluor; et le second élément de protection est formé d'un caoutchouc contenant du fluor.
Selon une autre caractéristiques de l'invention, la plaquette de capteur détecte une pression entrée du moteur d'un véhicule.
L'invention concerne également un dispositif formant capteur de pression, caractérisé ce qu'il comporte: un boîtier comportant une partie conductrice; une plaquette de capteur fixée au boîtier et connectée électriquement à la partie conductrice; la plaquette de capteur possédant une partie de détection servant à détecter une pression; et un élément de protection isolant électriquement et recouvrant la partie conductrice et/ou la partie de détection la plaquette de capteur, l'élément de protection présentant un coefficient de gonflement à l'état saturé égal environ au maximum à 7 % en poids lorsque l'élément protection est immergé dans de l'essence à une température de 20'C.
Selon une autre caractéristiques de l'invention, l'élément protection est formé d'une résine contenant du fluor. Selon une autre caractéristiques de 'invention, l'élément de protection comprend un premier élément de protection recouvrant la partie conductrice et un second élément de protection recouvrant la partie détection; et le premier élément de protection et le second élément de protection possèdent tous deux un coefficient de gonflement à l'état saturé égal au maximum à environ 7 % en poids. Selon une autre caractéristiques de l'invention, le premier élément de protection possède un module d'Young supérieur à celui du second élément de protection.
Selon une autre caractéristiques de l'invention, l'élément de protection dont le coefficient de gonflement à l'état saturé est égal au maximum à 7 % en poids, est exposé à une atmosphère environnante qui entoure le dispositif à capteur de pression.
D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1 représente une vue en coupe transversale montrant une partie principale d'un dispositif formant capteur à semiconducteurs conformément à une première forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 2 est une vue en plan représentant le dispositif formant capteur de pression représenté sur la figure 1; la figure 3A est un graphique représentant une relation entre une épaisseur du gel et un taux d'apparition de bul ; la figure 3B est une vue en coupe transversale représentant un dispositif formant capteur, à partir duquel on a obtenu la relation représentée sur la figure 3A; la figure 4A est un graphique représentant une relation entre un coefficient de gonflement à 'état saturé et un taux d'apparition de bulles; la figure 4B est une vue en coupe transversale représentant un dispositif formant capteur, à partir duquel on a obtenu la relation représentée sur la figure 4A; la figure 5 est une vue schématique représentant schématiquement la constitution d'un gel qui forme l'élément de protection dans la première forme de réalisation; les figures 6A et 6B représentent agencements chimiques d'un agent principal A représenté sur la figure 5; la figure 6C représente un agencement chimique d'un agent de durcissement B représenté sur la figure 5; - les figures 7A et 7B sont des vues en coupe transversale représentant des parties principales de dispositifs formant capteur de pression en tant que premier et second exemples d'une seconde forme de réalisation préférée; - les figures 8A et 8B sont des vues en coupe transversale représentant des parties principales de dispositifs formant capteur de pression en tant que premier et second exemples d'une troisième forme de réalisation préférée; - la figure 9 est une vue en coupe transversale représentant une partie principale d'un dispositif formant capteur de pression selon une quatrième forme de réalisation préférée; - les figures 10A et 10B, dont il a déjà été fait mention, sont des vues en coupe transversale représentant des dispositifs classiques formant capteurs de pression à semiconducteurs; et - les figures 11A et 11B, dont il a déjà été fait mention, représentent des vues en coupe transversale permettant d'expliquer l'apparition de bulles dans l'un des dispositifs classiques formant capteurs de pression à semiconducteurs.
Dans des formes de réalisation préférées décrites ci-après, un dispositif formant capteur de pression à semiconducteurs selon la présente invention est utilisé pour la détection de la pression d'admission dans un moteur de véhicule, qui est utilisé dans un environnement incluant de l'humidité et des substances telles que de l'essence, des gaz condensés dégagés et de l'huile fluide.
(Première forme de réalisation) Comme cela est représenté sur la figure 1, dans une première forme de réalisation, un dispositif formant capteur 100 possède une structure à remplissage complet. Un boîtier en résine 1 formé d'une résine telle qu'une résine époxy contenant des charges, du PPS (sulfure de polyphénylène) ou du PBT (téréphtalique de polybutylène) et possède une partie en renfoncement 3 pour le montage d'une plaquette de capteur 2.
Le boîtier en résine 1 est pourvu de plusieurs broches formant inserts (éléments conducteurs) 4, formé d'un seul tenant par surmoulage. Les broches formant inserts 4 sont réalisées en un matériau conducteur tel que le cuivre. Quatre broches formant inserts prédéterminées 4 sont exposées aux quatre coins de la surface inférieure de la partie en renfoncement 3. Les parties exposées des broches formant inserts 4 représentées sur la figure 2 sont plaquées d'or et servent de plots de connexion 4a.
La plaquette de capteur 2 possède un agencement bien connu pour utiliser un effet de résistance piézoélectrique, qui se compose d'un diaphragme 2a en tant que partie de détection située sur une surface supérieure de la plaquette, et des résistances formées par diffusion (non représentées). La plaquette, de capteur 2 est reliée par une liaison de pastille de la partie en renfoncement 3 par l'intermédiaire d'une base en verre 5, par exemple au moyen d'un adhésif 5a basé sur le système au fluorosilicone, et est connectée électriquement aux plots de liaison 4a des broches formant inserts 4 par l'intermédiaire de fils liaison 6 formés d'or, d'aluminium ou analogue.
L'élément de protection 7 formé d'un matériau isolant rempli la partie en renfoncement 4a de manière à protéger la plaquette de capteur 2 et les fils de liaison 6 en garantissant une propriété d'isolation et en empêchant une corrosion de ces éléments. La partie de détection (le diaphragme 2a et les résistances par diffusion) de la plaquette de capteur 2, des fils de liaison 6, les parties de connexion entre la plaquette de capteur 2 et les fils de liaison 6, et les parties de connexion entre les broches formant inserts 4 et les fils de liaison 6 sont recouverts par l'élément de protection 7.
L'élément de protection 7 est formé dans la partie en renfoncement 3 par dépôt d'une résine souple contenant du fluor (gel contenant du fluor dans la présente forme de réalisation) dans la partie en renfoncement 3, puis traitement de thermodurcissement (par exemple à 125-150`C pendant 1 heure). Un coefficient de gonflement à la saturation de l'élément de protection 7 lorsqu'il est immergé dans de l'essence (essence sans plomb) à la température de 20 C est réglé de manière à être égal approximativement au maximum à 7 % en poids. De ce fait, de l'humidité et des substances telles que l'essence et des gaz condensés évacués (solutions aqueuses de composants minéraux tels que Na2S04 et NaCl) contenus dans l'environnement d'utilisation se dissolvent difficilement dans l'élément de protection 7. I1 en résulte que des bulles ne peuvent pas apparaître dans l'élément de protection 7.
Le dispositif formant capteur 100 agencé comme indiqué précédemment est logé dans un boîtier (non représenté) et est installé dans le vehicule de telle sorte que la partie en renfoncement 3 communique avec un passage d'admission du moteur. Par conséquent la plaquette de capteur 2 détecte une dépression. Le boîtier en résine 1 contient en lui un circuit amplificateur 8 qui amplifie un signal de sortie délivré par la plaquette de capteur 2 et un circuit d'ajustement 9, qui ajuste des constantes du circuit tel qu'un facteur d'amplification du circuit amplificateur 8. La, plaquette de capteur 2 est raccordée au circuit amplificateur 8 par un cadre de montage (non représenté) et analogue.
Par ailleurs, la partie en renfoncement 3 communique avec le passage d'admission du moteur lorsque le dispositif formant capteur 100 installé dans le véhicule, de sorte que l'élément de protection 7 est exposé à l'environnement incluant l'humidité et des substances telles que de l'essence et du gaz condensé qui s'est dégagé. Cependant, étant donné que l'élément de protection 7 de la présente forme de réalisation possède un coefficient de gonflement à l'état saturé égal approximativement au maximum à 7 % en poids, les substances indiquées précédemment peuvent se dissoudre difficilement dans l'élément de protection 7. I1 en résulte que des bulles ne peuvent pas apparaître dans l'élément de protection 7.
C'est-à-dire qu'aucune bulle n'est produite dans l'élément de protection 7 au voisinage de la partie recouvre par l'élément de protection 7, c'est-à-dire au voisinage de n'importe lequel des éléments incluant la partie de détection (le diaphragme 2a et les résistances formées par diffusion) de la plaquette de capteur 2, les fils de liaison 6 et des parties de connexion des fils 6 avec la plaquette 2 et avec les éléments conducteurs 4. C'est pourquoi aucun courant de fuite n'est produit à partir de la partie de détection de la plaquette de capteur 2 ou des fils 6, la propriété d'isolation ne s'altère pas et il ne se produit aucune rupture sur les parties de liaison des fils 6. Il en résulte que le dispositif formant capteur 100 peut présenter une haute fiabilité.
après on va expliquer les raisons pour lesquelles le coefficient de gonflement à l'état saturé de l'élément protection 7 en rapport avec l'essence est réglé de manière à être égal approximativement au maximum à 7 % en poids. La raison, pour laquelle le coefficient de gonflement a l'état saturé en rapport avec l'essence est utilisé en tant que référence est que l'essence se dissout très facilement dans l'élément de protection 7 en présence d'humidite et de substances contenues dans l'environnement d'utilisation, dans lequel le dispositif formant capteur 100 fonctionne.
coefficient de gonflement à l'état saturé est mesuré de la manière indiqué ci-après. exemple on remplit une boîte de Pétri avec de l'essence ordinaire sans plomb à une température de 20'C. On immerge dans l'essence un échantillon de l'élément de protection par exemple un gel à base de fluor durci par effet thermique), dont on a mesuré le poids au préalable en tant que poids initial. Ensuite, lorsque la dissolution de essence dans l'échantillon atteint la saturation, on retire de l'essence l'échantillon gonflé par l'essence et possédant un poids accru. Ensuite on mesure en tant que poids saturé le poids accru de l'échantillon. On divise la différence entre le poids initial et le poids saturé de l'échantillon par le poids initial et on les multiplie par 100. La valeur calculée de cette manière est déterminée en tant que coefficient de gonflement à l'état saturé (% en poids).
On a mesuré essentiellement avec le même procédé que celui décrit précédemment, les coefficients de gonflement à l'état saturé de différents matériaux (gel contenant du fluor en tant que gel de fluorosilicone et analogue) utilises en tant qu'éléments de protection (résine de protection) J2 dans la structure classique à remplissage complet représentée sur la figure 10B. Comme résultat, il s'est avéré que l'élément de protection classique J2 possédait d'une manière générale un coefficient de gonflement à l'état saturé égal à environ 10 %. Cela signifie que le poids de l'élément de protection classique a augmenté de 10 % en raison de l'essence sans plomb dissoute dans cet élément.
Ensuite, on a étudié la relation entre l'épaisseur de l'élément de protection J2 et le taux d'apparition de bulles dans le dispositif formant capteur et à structure à remplissage complet en utilisant l'élément de protection classique J2. Le résultat est représenté sur la figure 3A. On a utilisé un gel contenant du fluor possédant un coefficient de gonflement à l'état saturé de 10 % en poids en tant qu'élément de protection classique J2. On a modifié l'épaisseur (épaisseur du gel) de l'élément de protection J2 en modifiant la profondeur de la partie en renfoncement 3 comme cela est représenté sur la figure 3B.
On a immergé le dispositif formant capteur présentant l'élément de protection formé du gel contenant du fluor dans de l'essence sans plomb jusqu'à ce que l'essence soit dissoute et soit à l'état saturé dans le gel. Ensuite, on a chauffé le dispositif formant capteur entre 25'C et 150 C avec un taux de montée de la température de 5'C/mn par exemple dans un four à température réglable. On a contrôlé visuellement les bulles produites dans le gel de l'élément de protection et on a déterminé le rapport de la surface de la zone d'apparition des bulles à l'ensemble de la surface du gel en tant que taux d'apparition bulles (%).
Conformément au résultat représenté sur la figure 3B, on sait que le taux d'apparition de bulles augmente lorsque l'épaisseur du gel augmente. L'essence sans plomb dissoute dans le gel diffuse et se vaporise graduellement à partir de la surface du gel pendant l'étape de montée de la température décrite précédemment et s'évapore finalement. Lorsque l'épaisseur du gel est égale à 1 mm ou plus, l'essence dissoute dans le gel produit des bulles dans ce dernier. Ceci est dû au fait que l'essence se vaporise et se dilate avant sa diffusion.
On tenant compte de ce résultat, on peut imaginer d'utiliser un matériau apte réduire la solubilité de substances en lui pour un élément de protection afin d'empêcher l'apparition de bulles dans cet élément. De façon spécifique on peut imaginer d'utiliser, en tant qu'élément de protection, un gel contenant du fluor incluant une quantité importante d'atomes de fluor et qui possèdent un paramètre de solubilité (valeur SP) qui diffèrent de celles de l'humidité et de substances organiques de système gras telles que de l'essence et de l'huile fluide pour empêcher l'apparition de bulles.
C'est pourquoi, en rapport avec le dispositif formant capteur 100 contenant l'élément de protection 7 formé d'un gel contenant du fluor, on a examiné de façon plus détaillée la relation entre le coefficient de gonflement à l'état saturé et le taux d'apparition de bulles pour déterminer une gamme préférable de valeurs du coefficient de gonflement à l'état saturé, apte à empêcher l'apparition de bulles, en adoptant un coefficient de gonflement à l'état saturé en tant qu'indicateur de la solubilité. On a réglé l'épaisseur du gel représenté sur la figure 4B à 5 mm. C'est pourquoi l'épaisseur du gel dans la structure générale à remplissage complet est égale à 5 mm ou moins. En outre on a préparé plusieurs dispositifs formant capteurs 100 de manière qu'ils possèdent respectivement des éléments de protection 7 formés d'un gel contenant du fluor et possédant des coefficients de gonflement à l'état saturé, qui diffèrent entre eux. On a mesuré chaque taux d'apparition de bulles des dispositifs formant capteurs 100 essentiellement de la même manière que celle utilisée pour étudier l'élément de protection classique. Ensuite on a alors obtenu la relation entre le coefficient de gonflement à l'état saturé (% en poids) et le taux d'apparition de bulles (%). Le résultat est représenté sur la figure 4A.
Comme on le comprendra à partir de la figure 4B, il est établi que des bulles n'apparaissent pas dans l'élément de protection 7 possédant dans lesquels l'épaisseur du gel est d'environ 5 mm ou moins lorsque le coefficient de gonflement à l'état saturé est égal à environ 7 % en poids ou moins. Par ailleurs, même si l'épaisseur du gel dépasse 5 mm, on peut obtenir le même effet lorsque l'épaisseur se situe dans une gamme que l'on peut adapter pour la structure générale à remplissage complet. Ce sont les raisons qu'il y a de régler le coefficient de gonflement à l'état saturé de l'élément de protection de manière qu'il soit égal à environ 7 % ou moins dans la présente forme de réalisation.
Ci-après, on va expliquer de façon spécifique, en référence aux figures 6A, 6B et 6C, le matériau formé d'un gel constituant l'élément de protection 7. Comme cela est représenté sur la figure 5, le matériau du gel est un matériau macromoléculaire, dans lequel un agent principal A est lié par un agent de durcissement B. Dans l'élément de protection 7 de la présente forme de réalisation, on augmente le nombre d'atomes de fluor en augmentant le nombre d'atomes dans l'agent principal A.
I1 existe deux procédés pour augmenter le nombre d'atomes de fluor dans l'agent principal A. L'une consiste à modifier l'agent principal A lui-même. L'agent principal pour le gel contenant du fluor et par exemple un squelette de fluorosilicone ou un squelette de fluor. Ces squelettes sont représentés respectivement sur les figures 6A et 6B. Par ailleurs la figure 6B représente un exemple de l'agent de durcissement B.
Comme cela est représente sur ces figures, le nombre d'atomes de fluor contenu dans le squelette du fluor est supérieur à celui contenu dans le squelette du fluorosilicone. C'est pourquoi le squelette du fluor est préférable au squelette du fluorosilicone en ce que concerne l'agent principal pour l'élément de protection 7.
L'autre moyen consiste à augmenter le poids moléculaire de l'agent principal A. On peut augmenter le nombre d'atomes de fluor dans l'élément de protection 7 en augmentant le poids moléculaire de l'agent principal A par rapport à l'agent de durcissement B. Par exemple le poids moléculaire de l'agent principal A est de préférence supérieur à 10 000. Cependant on notera qu'un poids moléculaire excessivement accru de l'agent principal A entraîne une séparation des phases entre l'agent principal A et l'agent de durcissement B.
Par ailleurs, l'agent principal A pour l'élément de protection 7 dans la présente forme de réalisation possède le squelette du fluor et comporte un poids moléculaire accru d'environ 17 000. De façon spécifique le perfluoro- polyéther, qui est un gel contenant du fluor, apte à augmenter efficacement le nombre d'atomes de fluor, est utilisé en tant qu'agent principal A.
Comme autre disposition différente de l'application du matériau apte à réduire la solubilité des substances en réglant le coefficient de gonflement à l'état saturé de l'élément de protection 7 comme décrit précédemment, on peut imaginer d'adopter un matériau dur destiné à empêcher l'apparition de bulles. L'élément de protection 7 doit empêcher l'apparition de bulles tout en fixant une souplesse modérée.
C'est pourquoi pour un contenant du fluor utilisé en tant qu'élément de protection 7, il est préférable que sa dureté spécifiée par la pénétration 1/4 cône selon la norme japonaise JIS K2220 se situe dans une gamme comprise entre 10 et 30. Lorsque la pénétration est inférieure à 10, l'élément de protection 7 est si dur qu'il peut affecter la déformation du diaphragme 2a et analogue, c'est-à-dire affecter la sensibilité de la plaquette de capteur 2. Lorsque la pénétration est supérieure à 30, des bulles sont susceptibles d'apparaitre.
C'et pourquoi, dans cette forme de réalisation, l'élément de protection 7 possède de préférence une valeur de pénétration dans une gamme de 10 à 30. Dans ce cas, la pression de vapeur des substances dissoutes dans l'élement de protection 7 peut être réduite, et l'apparition de bulles peut être empêchée d'une manière plus sûre en coopération avec l'effet du réglage du coefficient de gonflement à l'état saturé sur une valeur de 7 s en poids moins.
on peut également imaginer d'adopter un materiau apte à améliorer la vitesse de transit de substance pour empêcher l'apparition de bulles. De façon spécifique, on peut imaginer de réduire une densité d'articulation la resine contenant du fluor constituant l'élément de protection 7 de manière que la vitesse de transit de substances augmente. Cepéndant, étant donné 'une reduction de la densité de réticulation réduit la solidité du matériau, ceci s'oppose à la disposition consistant à adopter un matériau dur, en spécifiant la valeur de pénétration de ce dernier.
(Deuxième forme de réalisation) Dans la première forme de réalisation decrite précédemment, l'élément de protection 7 est constitué d'une seule pièce formée d'un matériau (gel contenant du fluor). Contrairement à cela, dans une seconde forme de réalisation préférée, l'élément de protection 7 est constitué de deux parties formées de matériaux ayant des modules d'Young différents l'un de l'autre. Par ailleurs les mêmes parties et les memes composants que celles et ceux indiqués dans forme de réalisation sont désignées par les mêmes chiffres de référence.
figures 7A et 7B montrent respectivement premier et second exemples conformément à la seconde forme de réalisation. Tout d'abord, dans le premier exemple représenté sur la figure 7A, l'élément de protection remplissant la partie en renfoncement 3 de manière à recouvrir la plaquette de capteur 2 et les fils de liaison 6 est constitué par un premier élément de protection 7a prévu sur un côté inférieur (côté inférieur de la partie en renfoncement 3) et par un second élément de protection 7b prévu sur un côté supérieur (côté d'ouverture de la partie en renfoncement 3).
Le premier élément de protection 7a est formé d'un caoutchouc adhésif contenant du fluor et possédant une propriéte d'isolation électrique et un module d'Young relativement élevé (par exemple supérieur à environ 0,1 MPa et de préférence supérieur à environ 0,3 MPa). Le premier moyen de protection 7a recouvre les plots de connexion 4a des broches formant inserts 4 et leur voisinage, la base en verre 5 et les parties de connexion entre les fils de liaison et les plots 4a, tout en exposant la partie de détection de la plaquette de capteur 2.
Le second élément de protection 7b est réalisé en un matériau possédant la propriété d'un isolant électrique et un module d'Young relativement faible. Par exemple ce matériau possède une valeur de pénétration supérieure à 10. Dans ce cas, il est difficile de mesurer le module d'Young précis. C'est-à-dire que la pénétration du second élément de protection 7b avoisine celle de l'élément de protection 7 dans la première forme de réalisation. Le second élément de protection 7b couvre le premier élément de protection 7a, la partie de détection et la partie latérale de la plaquette de capteur 2, et les parties connexion situées entre les fils de liaison 6 et la plaquette de capteur 2. De ce fait, les fils de liaison 6 sont recouverts par les premier et second éléments de protection 7a, 7b, qui assurent la protection.
D'autre part dans le second exemple représenté sur la figure 7B, le second élément de protection 7B recouvre la partie de détection de la plaquette de capteur 2 et les parties de connexion entre les fils de liaison 6 et la plaquette de capteur 2, et le premier élement de protection 7a recouvre des plots de connexion 4a des broches formant inserts 4 et leur voisinage, et les parties de connexion entre les fils de liaison 6 et les plots 4a. Les fils de liaison 6 sont recouverts par les premier et second éléments de protection 7a, 7b.
De façon plus spécifique, dans le second exemple, à la place de la structure à deux couches comme dans le premier exemple, le premier élément de protection 7b entoure le second élément de protection 7b et un élément de protection 7a entoure le second élément de protection 7b réalisé avec une forme semi-circulaire de sorte qu'une partie du second élément de protection 7b et la surface du premier élément de protection 7a sont exposées à partir de la partie en renfoncement 3. La plaquette de capteur 2 est recouverte par le premier élément de protection 7a hormis au niveau de la partie de détection. Dans les deux exemples de la présente forme de réalisation, l'élément de protection 7 est formé dans la partie en renfoncement 3 en recouvrement par enduction et durcissement thermique comme dans la première forme de réalisation. Les premier et second éléments de protection 7a, 7b de la présente forme de réalisation incluant les deux exemples possèdent respectivement un coefficient de gonflement à l'état saturé égal approximativement à 7 % en poids ou moins, lorsqu'ils sont immergés dans l'essence à une température de 20 C, comme dans la première forme de réalisation. C'est pourquoi, dans la présente forme de réalisation, l'élément de protection 7 ne comporte aucune bulle produite par l'humidité et par des substances contenues dans l'environnement, qui empêchent une altération de la propriété isolante, la rupture des fils de liaison 6 et analogue.
Dans la structure du boîtier rigide 1, dans lequel les broches formant inserts 4 sont surmoulées, il se présente le cas une faible quantité d'air est retenue dans un interstice (en général produit sous l'effet d'une contraction de la résine après l'exécution du moulage par insertion) produit entre le boîtier rigide 1 et chacune des broches d'insertion 4. L'air retenu dans l'interstice peut pénétrer dans l'élément de protection sous l'action d'une chaleur ou d'une pression produisant des bulles.
Même dans un tel cas, dans la présente forme de réalisation, étant donné que le premier élément de protection 7a recouvrant l'interstice possède un module d'Young relativement élevé, la production de bulles par l'air piégé dans l'interstice peuvent être effectivement empêchée. Simultanément, étant donné que le diaphragme 2a de la plaquette de capteur 2 est recouvert par le second élément de protection 7b formé par le gel possédant un module d'Young relativement faible, on peut obtenir une excellente protection d'isolation sans que ceci ne perturbe la performance de détection de la plaquette de capteur 2.
(Troisième forme de réalisation) La troisième forme de réalisation préférée de la présente invention est une variante de la première forme de réalisation et est constituée au moyen du dépôt d'un film adhésif entre l'élément de protection 7 et des parties recouvertes, qui sont recouvertes par l'élément de protection, afin d'améliorer l'adhérence entre l'élément de protection 7 et les parties recouvertes. Par ailleurs, les mêmes élements et composants que ceux de la première forme de réalisation sont désignés par les mêmes chiffres de référence. figure 8A et 8B représentent des dispositifs formant capteurs en tant que premier et second exemples de la première forme de réalisation. Dans le premier exemple représente sur la figure 8A, un film organique (film de palylène dans cet exemple) 10, qui peut être déposé au moyen d'un dépôt CVD, est prévu en tant que film adhesif alors que dans le second exemple représenté sur la figure 8B, un apprêt 11 est prévu en tant que film adhésif. Chacun des films adhésifs 10, 11, est formé avec une faible épaisseur de manière à recouvrir les parties recouvertes et est indiqué sur les figures par des lignes formées de tirets.
Dans le premier exemple, le film organique 10 est formé par dépôt CVD sur une zone complète de la plaquette de capteur 2, des surfaces des fils de liaison 6 et la partie en renfoncement 3 (y compris les plots de connexion 4a des broches formant inserts 4). Une fois que ces parties ont été recouvertes par le film mince organique , on remplit la partie en renfoncement 3 avec l'élément de protection 7. D'autre part, dans le second exemple, la l'apprêt 11 est formé par dépôt sur les surfaces la plaquette de capteur 2, des fils de liaison 6 et de la partie en renfoncement 3 (y compris les plots de connexion 4a des broches formant inserts 4) hormis les parties les parties intermédiaires des fils de liaison 6. Ensuite, on remplit la partie en renfoncement 3 par l'élément de protection 7.
Conformément à la présente forme de réalisation, on peut obtenir les mêmes effets que dans ceux obtenus dans la première forme de réalisation. En outre, le film adhésif 10 ou 11 améliore l'adhérence entre l'élément de protection 7 et les parties recouvertes. C'est pourquoi l'élément de protection 7 peut fournir d'une manière plus efficace sa performance de protection.
(Quatrième forme de réalisation) Dans les formes de réalisation décrites précedemment, on a adopté respectivement une structure remplissage complet. Cependant la présente invention peut être appliquée également à une structure à remplissage partiel, bien que la possibilité de production de bulles soit fondamentalement faible dans la structure remplissage partiel, étant donné que l'élément de protection 7 est en général mince dans cette structure. On va expliquer un dispositif à capteur correspondant à la présente forme de réalisation en référence à la figure 9, sur laquelle les mêmes parties et les mêmes composants que celles et ceux de la première forme de réalisation sont désignés par les mêmes chiffres de référence que dans la première forme de réalisation.
Le dispositif formant capteur selon la présente forme de réalisation comporte l'élément de protection 7 à la place de la résine de protection J2 sur la figure 10A, qui montre la structure classique à remplissage partiel. De façon spécifique, on forme par dépôt CVD un film de palylène 12 (similaire à la résine formée d'un film mince J1 sur la figure 10A) sur l'ensemble des zones de surface de la plaquette de capteur 2, des fils de liaison 6 et de la partie en renfoncement 3 (y compris les plots de connexion 4a des broches formant inserts 4). Ensuite, on dépose l'élément de protection 7 pour qu'il recouvre la partie de détection de la plaquette de capteur 2, les parties de connexion entre la plaquette de capteur 2 et les fils de liason 6, et le fond de la partie en renfoncement 3, on le fait durcir. Par conséquent on obtient ainsi la structure à remplissage partiel représentée sur la figure 9, dans laquelle aucune bulle n'est produite dans l'élément de protection 7. Bien que la présente invention ait été représentée et décrite référence aux formes de réalisation indiquées précédemment il apparaîtra à l'évidence au spécialiste de la technique que l'on peut y apporter des modifications du point de de la forme et des détails sans sortir du cadre de l'invention. Par exemple la plaquette de capteur n'est pas limitée au type à diaphragme utilisant l'effet de résistance piézoélectrique, mais peut être d'autres types tels qu'une plaquette de capteur à semiconducteurs du type à capacité électrostatique. Bien que partie en renfoncement 3 soit prévue dans le boîtier en résine 1 pour retenir la plaquette de capteur 2, la partie en renfoncement 3 n'est pas toujours nécessaire.
Les parties conductrices peuvent ne pas être formées par surmoulage des broches dans boîtier en résine et peuvent être prévues sur un boîtier céramique qui loge la plaquette de capteur. Un agencement monolithique intégrant le circuit amplificateur 8 le circuit d'ajustement 9 peut être prévu pour la plaquette de capteur 2. Dans la seconde forme de réalisation, le premier élément de protection 7a est suffisant pour recouvrir au moins les broches d'insertion 4 et leur voisinage. On peut disposer une troisième couche entre le premier élément de protection 7a et le second élément de protection 7b d manière à obtenir une dureté qui se situe à un niveau intermédiaire entre celui du premier élément de protection 7a et celui du second élément de protection 7b. Dans ce cas il est évident que la troisième couche possède un coefficient de gonflement à l'état saturé égal approxi mativement à 7 % en poids ou moins.
De même, dans les formes de réalisation décrites précédemment, la présente invention est appliquée à un dispositif formant capteur de pression servant à détecter une pression d'admission d'un moteur d'un véhicule. La présente invention n'est pas limitée à cet exemple et peut être appliquée dans une large mesure à d'autres dispositifs tels qu'un dispositif formant capteur de pression servant à détecter une pression dans système d'admission ou un système de gaz d'échappement d'un moteur à combustion interne utilisant de l'essence, de l'huile fluide ou analogue.
Claims (10)
1. Dispositif formant capteur de pression à semiconducteurs, caractérisé en ce qu'il comprend: un élément conducteur (4); une plaquette de capteur à semiconducteurs (2) possédant une partie de détection pour détecter une pression et produire un signal électrique correspondant à la pression; un fil de liaison (6) raccordant électriquement la plaquette de capteur (2) et l'élément conducteur (4); et un élément de protection (7) isolant électriquement et recouvrant la partie de détection de la plaquette de capteur (2) et le fil de liaison (6), l'élément de protection (7) possédant un coefficient de gonflement à l'état saturé égal approximativement à 7 % en poids au maximum lorsque l'élément de protection (7) est immergé dans de l'essence à une température de 20 C.
2. Dispositif formant capteur de pression à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'élément de protection (7) possède un coefficient de pénétration qui est spécifié au moyen de 1/4 cône selon la norme japonaise JIS K2220 et se situe dans une gamme de valeurs comprise entre 10 et 30.
3. Dispositif formant capteur de pression à semiconducteurs selon l'une ou l'autre des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que l'élément de protection (7) est formé d'une résine contenant du fluor.
4. Dispositif formant capteur de pression à semiconducteurs selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un film adhésif (10, 11) intercalé entre l'élément de protection (7) et la partie de détection de la plaquette à capteur (2) et/ou le fil de liaison (6) pour améliorer l'adhérence entre l'élément de protection (7) et la partie de détection ou le fil de liaison (7).
5. Dispositif formant capteur de pression semiconducteurs selon la revendication 4, dans lequel le film adhésif (10, 11) est un film organique ou un apprêt.
6. Dispositif formant capteur de pression semiconducteurs selon l'une quelconque des revendications 1 à , caractérisé en ce qu'il comporte en outre un boîtier en résine (1), sur lequel la plaquette de capteur (2) est montée et que l'élément conducteur (4) est constitué d'une base formant insert (4), qui est moulée par insertion dans le bottier en résine (1), l'élément de protection (7) possède un premier élement de protection (7a) recouvrant l'élément conducteur (4) et possédant un premier module d'Young, et un second élément de protection (7b) recouvrant la partie de détection et possédant un second module d'Young inférieur au premier module d'Young; le fil de liaison (6) est recouvert par le premier élément de protection (7a) et par le second élément de protection (7b); et le premier élément de protection (7a) et le second élément de protection (7b) possèdent tous deux un coefficient de gonflement à l'état saturé égal au maximum 7 % en poids lorsque chacun du premier élément de protection (7a) et du second élément de protection (7b) est immergé dans de l'essence à une température de 20 C.
7. Dispositif formant capteur de pression à semiconducteurs selon la revendication 6, caractérisé en ce que le premier élément de protection (7a) est formé d' gel contenant du fluor; et le second élément de protection (7b) est formé d'un caoutchouc contenant du fluor.
8. Dispositif formant capteur de pression semiconducteurs selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la plaquette de capteur ( ) détecte une pression d'entrée du moteur d'un véhicule.
9 Dispositif formant capteur de pression à semiconducteurs, caractérisé en ce qu'il comporte: boîtier (1) comportant une partie conductrice (4) ; une plaquette de capteur (2) fixée au boîtier connectée électriquement à la partie conductrice (4); la plaquette de capteur (2) possédant une partie dé détection servant à détecter une pression; et un élément de protection (7) isolant électriquement et recouvrant la partie conductrice (4) et/ou la partie de détection de la plaquette de capteur (2), l'élément de protection (7) présentant un coefficient de gonflement à l'état saturé égal environ au maximum à 7 % en poids lorsque l'élément de protection (7) est immergé dans de l'essence à une température de 20 C.
10. Dispositif formant capteur de pression à semiconducteurs selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'élément de protection (7) est formé d'une résine contenant du fluor. Dispositif formant capteur de pression à semiconducteurs selon l'une ou l'autre des revendications 9 et 10, caractérisé en ce que 1 élément de protection (7) comprend un premier élément de protection (7a) recouvrant la partie conductrice (4) et un second élément de protection (7b) recouvrant la partie de détection; et le premier élément de protection (7a) et le second élément protection (7b) possèdent tous deux un coefficient de gonflement à l'état saturé égal au maximum à environ 7 % en poids. Dispositif formant capteur de pression à semiconducteurs selon la revendication 11, caractérisé en ce que le premier élément de protection (7a) possède un module d'Young supérieur à celui du second elément de protection (7b). 13. Dispositif à capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 9 à 12, caractérisé en ce que 'élément de protection (7) dont le coefficient de gonflement à l'état saturé est égal au maximum à 7 % en poids, est exposé à une atmosphère environnante entoure dispositif à capteur de pression.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2927656A4 (fr) * | 2012-11-30 | 2016-06-29 | Fuji Electric Co Ltd | Dispositif de détection de pression et son procédé de fabrication |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006177859A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Denso Corp | 圧力センサ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62228926A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Hitachi Ltd | 半導体式圧力センサ |
| JPS638523A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Hitachi Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH0943084A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Denso Corp | センサ装置及びセンサチップの固着方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4732042A (en) * | 1986-04-22 | 1988-03-22 | Motorola Inc. | Cast membrane protected pressure sensor |
| IT1207998B (it) * | 1986-05-14 | 1989-06-01 | Ausimont Spa | Reticolazione di resine epossidiche mediante perfluoropolieteri polifunzionali. |
| US5258650A (en) * | 1991-08-26 | 1993-11-02 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having encapsulation comprising of a thixotropic fluorosiloxane material |
-
2000
- 2000-09-12 FR FR0011579A patent/FR2798732B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-18 DE DE10046017A patent/DE10046017B4/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62228926A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Hitachi Ltd | 半導体式圧力センサ |
| JPS638523A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Hitachi Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH0943084A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Denso Corp | センサ装置及びセンサチップの固着方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 012, no. 095 (P - 681) 29 March 1988 (1988-03-29) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 012, no. 205 (P - 716) 14 June 1988 (1988-06-14) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1997, no. 06 30 June 1997 (1997-06-30) * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2927656A4 (fr) * | 2012-11-30 | 2016-06-29 | Fuji Electric Co Ltd | Dispositif de détection de pression et son procédé de fabrication |
| US10330552B2 (en) | 2012-11-30 | 2019-06-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Pressure sensor device including-fluorinated gel protective member disposed on a protective film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10046017B4 (de) | 2011-08-11 |
| DE10046017A1 (de) | 2001-04-26 |
| FR2798732B1 (fr) | 2003-07-04 |
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