FR2793349A1 - Procede de croissance d'une couche d'oxyde de silicium de faible epaisseur sur une surface de substrat de silicium et machine a deux reacteurs de mise en oeuvre - Google Patents

Procede de croissance d'une couche d'oxyde de silicium de faible epaisseur sur une surface de substrat de silicium et machine a deux reacteurs de mise en oeuvre Download PDF

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Abstract

L'invention s'applique à la micro-électronique et vise à former une couche d'oxyde de silicium (31) de faible épaisseur sur la surface d'un substrat de silicium (10) orientée selon le plan 100, pour servir notamment de barrière de diffusion à des oxydes réfractaires (32) de grille (21) de transistor (15, 16, 21). Le procédé consiste à nettoyer ladite surface de silicium, à produire sous vide des ions oxydants faiblement chargés et à les diriger vers ladite surface (14) tout en contrôlant leur énergie cinétique pour que leur vitesse soit sensiblement nulle à l'approche de ladite surface, de manière à provoquer une ouverture de liaisons Si-Si à ladite surface et à combler ces liaisons par des ions oxygène, le substrat de silicium étant maintenue à une température inférieure à 500degreC.Application à la fabrication de circuits intégrés et de mémoires à très haute densité d'intégration.

Description

PROCEDE DE CROISSANCE D'UNE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM
DE FAIBLE EPAISSEUR SUR UNE SURFACE DE SUBSTRAT DE SILICIUM
ET MACHINE A DEUX REACTEURS DE MISE EN OEUVRE
L'invention concerne un procédé de croissance d'une couche d'oxyde de silicium de faible épaisseur sur une surface de substrat de silicium, une telle couche étant notamment apte à former une barrière de diffusion d'oxydes réfractaires pour des composants électroniques intégrés.
L'invention s'applique au domaine de la microélectronique sur substrat de silicium pour la fabrication de circuits intégrés et de mémoires à très haute densité d'intégration, et plus précisément aux composants électroniques intégrés à de tels circuits ou mémoires, comme des diodes ou des transistors, qui font intervenir des interfaces actives entre un substrat de silicium et des oxydes isolants.
A titre d'exemple, un transistor de type MOS se présente, comme illustré en coupe par la figure 1, sous la forme d'un substrat de silicium monocristallin 10, découpé classiquement selon le plan cristallographique 100. Ce substrat comporte deux zones fortement dopées n+, constituant deux électrodes, la source 11 et le drain 12, limitées par deux bornes 15 et 16 formées de couches épaisses de SiOz, d'une épaisseur de l'ordre de 1 à 3 um, et appelées oxydes de champ .
Le substrat 10 est surmonté d'une grille 20 qui présente une surface 14 en contact avec le substrat. La partie inférieure de la grille est constituée d'une couche d'oxyde formant l'oxyde de grille 30. La source, le drain et la grille forment trois pôles. La source et le drain sont revtus de lames de contact métalliques 40, en général en aluminium, complétant la structure Métal-Oxyde
Semiconducteur (soit en abrégé MOS) du transistor.
En ajustant les polarités des électrodes, un courant circule dans une portion active 13 du substrat, appelée canal , située entre la source et le drain et en regard de la surface 14 de la grille 20. Ce courant est contrôlé par la polarité de la grille qui constitue, avec le canal 13, les faces d'un condensateur. La capacité de ce condensateur est proportionnelle à la constante diélectrique relative de l'isolant formé entre eux par l'oxyde de grille (constante diélectrique relative or égale à 4,4 pour le Si02).
La largeur L de la grille et son rapport avec l'épaisseur < : < e de l'oxyde de grille qui en résulte, constituent habituellement des caractéristiques qui définissent la génération technologique d'une filière micro-électronique. C'est ainsi qu'il existe en production la filière 0,35 um (pour L = 0, 35 um et e = 45 À). La tendance restant à la miniaturisation, les filières 0,25 um et 0,18 um (pour une épaisseur d'oxyde de grille respectivement de l'ordre de 30-35 et 25 ) sont actuellement en développement, alors que la filière 0,1 um (avec une épaisseur e de l'ordre de 10 à 12 À) se trouve en étude avancée.
L'oxyde de grille et l'oxyde de champ sont réalisés classiquement par oxydation thermique à température élevée, de l'ordre de 900 à 1000 C. La précision des mesures devant tre meilleure que le dixième de l'épaisseur des couches, l'épaisseur de l'oxyde de grille est plus difficile à contrôler : avec un oxyde de grille d'épaisseur environ égale à 25 À, le contrôle d'épaisseur devrait tre plus précis que 1, 25 , ce qui constitue en fait la limite de ce qu'il est possible d'atteindre industriellement avec les procédé actuels.
Une autre limitation provient du taux de défauts par unité de surface de l'oxyde de grille. Ce taux augmente sensiblement lorsque l'épaisseur de l'oxyde diminue du fait de la multiplication, dans l'oxyde de silicium 30, de trous minuscules ( pin holes en terminologie anglo-saxonne) qui forment un court-circuit entre la grille 30 et le canal 13.
Pour s'affranchir de ce défaut, sans diminuer la capacité de l'oxyde de grille, il est connu de réaliser un oxyde de grille à l'aide d'oxydes de matériaux réfractaires de constante diélectrique relative sensiblement supérieure, comme par exemple du Ta205 (gr = 30) ou du Ti02 (s= = 86). Un tel oxyde est obtenu par pulvérisation cathodique ou par dépôt par bombardement ionique sous condition oxydante (en abrégé IBD, initiales de Ion Beam Deposition en terminologie anglo-saxonne). Il permet ainsi à capacité constante d'augmenter l'épaisseur d'isolant d'un facteur 10 ou 20.
Cependant, il convient de rechercher un compromis entre une augmentation d'épaisseur, propre à réduire le nombre de pin-holes , et les performances physiques des composants, notamment en termes de fréquence de coupure, pour lesquelles on recherche toujours une réduction de capacité.
De plus, une difficulté importante apparaît avec l'utilisation d'oxydes réfractaires : déposés sur le canal 13, ces oxydes s'allient dans le temps avec le silicium pour constituer le siliciure du métal réfractaire correspondant. Ce siliciure, formé juste sous la grille, détériore fortement la mobilité du canal.
La présente invention vise notamment à permettre l'utilisation de tels oxydes réfractaires sans que les composants aient à subir les chutes de performance précitées. Pour ce faire, un but de l'invention est de former une couche mince de silice d'épaisseur constante et inférieure à 710 À à la surface du silicium, sans que cette couche ne présente de défauts de structure de type pinholes .
Une telle couche de faible épaisseur peut alors servir de barrière de diffusion efficace d'oxydes réfractaires au regard de la surface active du substrat de silicium en interdisant tout contact interactif avec le substrat de silicium.
Un procédé de traitement de surface de silicium par interaction d'ions à distance a été décrit dans la demande de brevet français FR 2 757 881. Ce procédé a pour objet de traiter ladite surface pour la nettoyer et y former une couche d'un composé isolant. Cependant, il met en oeuvre l'interaction entre des ions fortement chargés (par exemple des ions Argon Arl7+ ou Ar18) et une surface de silicium selon le plan cristallographique 111.
Appliqué à l'oxydation d'un substrat de silicium d'orientation 100, un tel procédé est à proscrire car un substrat de silicium d'orientation 100 présente des liaisons sensiblement plus difficiles à oxyder qu'une coupe de silicium d'orientation 111. Lorsque des zones de Si02 se forment, les-ions fortement chargés créent des charges électrostatiques dans le Si02 et fragilisent les liaisons
Si-O : des agglomérats de Si02 vont éclater par un effet d' explosion coulombienne . Ainsi, il n'est pas possible d'obtenir une épaisseur d'oxyde contrôlable avec ce procédé. En outre, la formation de cratères créés par 1'effet d'explosion coulombienne est peu compatible avec le dépôt d'un oxyde réfractaire sur une telle surface.
Au contraire, un autre but de l'invention est d'obtenir une couche d'oxyde de faible épaisseur qui soit parfaitement contrôlée et notamment compatible avec une couche d'oxyde réfractaire déposé sur ladite couche d'oxyde de faible épaisseur.
Pour atteindre ces buts, l'invention propose un procédé de croissance d'une couche d'oxyde de silicium de faible épaisseur inférieure à 10 sur la surface d'un substrat de silicium orientée selon le plan 100, ladite couche étant notamment apte à former une barrière de diffusion d'oxydes réfractaires'pour des composants électroniques intégrés, le procédé consistant à nettoyer ladite surface de silicium, à produire sous vide des ions oxydants faiblement chargés, à diriger ces ions vers ladite surface tout en contrôlant leur énergie cinétique pour que leur vitesse soit sensiblement nulle à l'approche de ladite surface, de manière à provoquer une ouverture de liaisons Si-Si à ladite surface et à combler ces liaisons par des ions oxygène, le substrat de silicium étant maintenu à une température inférieure à 500 C.
Le procédé réalise une oxydation en deux phases, une première phase rapide de formation d'une monocouche de Si02, par saturation des liaisons pendantes avec des ions oxygène, puis une phase d'oxydation lente du silicium par les ions oxydants à travers la monocouche formant écran, avec une vitesse d'oxydation faible, qui tend asymptotiquement vers zéro, mais homogène sur toute la surface. Une telle oxydation homogène et lente permet de contrôler l'épaisseur de la couche avec précision.
D'une manière générale, le substrat de silicium est préalablement nettoyé par gravure sous vide de l'oxyde natif formé sur le substrat. Ce nettoyage peut tre réalisé par un procédé de type gravure ionique réactive, connu de 1'homme de I'art (en abrégé RIE, initiales de Reactive Ionic Etching en terminologie anglo-saxonne).
Puis, le contrôle du procédé est effectué sous vide à l'aide des paramètres suivants :
-production d'ions oxydants d'énergie cinétique donnée à partir d'une source d'ions par l'application d'un champ électrique contrôlé par une tension d'extraction prédéterminée ;
-contrôle en direction des ions extraits selon leur rapport masse/charge par des moyens de tri magnétique, ou d'application de champ magnétique et/ou électrique ;
-décélération de ces ions à l'approche de la surface de silicium par l'application d'une tension de décélération ;
-densité prédéterminée des ions oxydants, au niveau de la zone où ils interagissent avec le substrat, comprise entre 108 et 101 ions/cm2. s et contrôlée par l'application de champs électriques et/ou magnétiques de focalisation du faisceau d'ions sur le substrat ; et
-maintien du substrat de silicium à une température située entre 200 et 500 C.
Selon des caractéristiques préférées :
-les ions oxydants sont des ions 0' ;
-la source produit des ions dont l'énergie cinétique est de quelques keV/q (q étant le nombre de charges par ion), généralement de 1 à 20 keV/q, et les valeurs des tensions d'extraction sont de l'ordre de quelques kilovolts ;
-la densité du faisceau d'ions au niveau de 1'interaction~= avec le substrat est comprise entre 1012 et 10"ions/cm,s ;
-l'application de champs électriques et/ou magnétiques dirigent les ions vers le substrat ;
-une sélection fine des ions en vitesse et en direction est réalisée par des moyens de filtrage de type passe-bande ou passe-haut à champ électrique, qui sélectionne les ions en fonction de leur énergie cinétique, couplé à des moyens de collimation, qui éliminent les ions dont la vitesse latérale est supérieure à un certain seuil, constitués par exemple par une série de diaphragmes de l'ordre du millimètre de diamètre.
En variante, l'invention propose un procédé de croissance d'une couche d'oxyde de silicium de faible épaisseur sur : la surface d'un substrat de silicium orientée selon le plan 100, consistant à compléter une étape de nettoyage de ladite surface par une étape de passivation de cette surface à l'aide d'une hydrogénation formant une monocouche d'hydrogène, à produire sous vide des ions d'un gaz rare modérément et uniformément chargés, la charge par ion étant prise dans l'intervalle variant entre +1 et +14, et à les diriger vers ladite surface tout en contrôlant leur énergie cinétique pour que leur vitesse soit sensiblement nulle à l'approche de ladite surface, de manière à provoquer une ouverture des liaisons pendantes
Si-H à ladite surface, et à introduire sous vide du gaz oxygène contrôlé en pression de manière à combler les liaisons ouvertes, le substrat de silicium étant maintenue à une température inférieure à 500 C.
L'hydrogénation peut tre réalisée à l'aide d'un bain d'acide fluorhydrique et d'ions ammonium. La passivation ainsi obtenue est du type de celle mise en oeuvre par la société BELL TELEPHONE Inc.
Ce procédé est auto-stoppant car la phase d'ouverture des liaisons sur la monocouche d'hydrogène est autostoppante. En effet, les charges électrostatiques générées par l'apport continu de nouveaux ions sont neutralisées par des électrons issus du substrat semi-conducteur. Ensuite, la couche d'oxydation ne peut se former que sur les liaisons pendantes issues de la monocouche d'hydrogène.
D'une manière générale, l'obtention de la couche mince de Si02 est contrôlée par les paramètres suivants :
-production d'ions par application d'une tension d'extraction à la sortie d'une source d'ions, contrôle des ions en direction par tri magnétique en fonction du rapport masse/charge,-puis décélération de ces ions à l'approche de la surface de silicium par l'application d'une tension de décélération ;
-densit des ions au niveau de la zone d'interaction comprise entre 108 et 1016 ions/cm2. s, et contrôlée par des champs électriques et/ou magnétiques de focalisation du faisceau sur le substrat ;
-maintien du substrat de silicium à une température située entre 200 et 500 C.
Selon des caractéristiques préférées :
-la source produit des ions d'énergie cinétique de quelques keV/q (q étant le nombre de charges par ion), généralement de 1 à 20 keV/q ;
-la densité d'ions incidents au niveau de l'interaction est comprise entre 10l2 et 10l4 ions/cm2. s ;
-des moyens d'application de champs électriques et/ou magnétiques dirigent les ions vers le substrat ;
-des moyens de sélection fine des ions en vitesse et en direction sont constitués par un filtre de type passebande ou passe-haut à champ électrique, qui sélectionne les ions en fonction de leur énergie cinétique, couplé à des moyens de collimation, qui éliminent les ions dont la vitesse latérale est supérieure à un certain seuil ;
-les moyens de collimation sont constitués par une série de diaphragmes de l'ordre du millimètre de diamètre ;
-les valeurs des tensions d'extraction et de décélération sont de l'ordre de quelques kV ;
-le contrôle du procédé est effectué par la charge des ions sélectionnés, la densité de ces ions au niveau de l'interaction, et la température du substrat.
Selon d'autres caractéristiques préférées :
-un dispositif de contrôle de la position du faisceau d'ions est disposé sur le trajet du faisceau ;
-les ions sont des ions de gaz rare, en particulier des ions Argon dont la charge uniforme est comprise au sens large entre +1 et +14 ;
-le substrat de silicium est maintenue sous vide pour recevoir un dépôt d'oxyde réfractaire selon des méthodes connues.
L'invention concerne également une machine à trois chambres pour la réalisation d'une grille de composant électronique intégré, mettant en oeuvre le procédé de l'invention. Une telle machine comporte un sas d'entrée pouvant servir, si besoin est, d'enceinte de gravure RIE sous vide. La gravure peut également tre effectuée dans une autre chambre de réaction.
Le sas sert d'entrée à un premier réacteur, dédié à la réalisation de la couche mince de SiOz, et de transfert du substrat de silicium ainsi oxydée du premier réacteur vers un second réacteur dédié au dépôt de l'oxyde de métal réfractaire. Ce dépôt est réalisé par des moyens classiques de pulvérisation cathodique ou par IBD.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit, relative à des exemples de réalisation non limitatifs, en référence aux figures annexées qui représentent respectivement :
-la figure 1 (déjà décrite), une vue en coupe d'un transistor de type MOS à oxyde de grille formé d'une couche de Si02 ;
-la figure 2, une vue en coupe d'un transistor de type
MOS dont l'oxyde de grille est constitué d'une couche mince de Si02, formée selon le procédé de l'invention, et d'une couche plus épaisse d'oxyde de métal réfractaire ;
-la figure 3, un graphique de la croissance de l'épaisseur de la couche de Si02 en fonction du temps selon un procédé d'oxydation préférentiel de l'invention ;
-la figure 4, une vue en coupe schématique du substrat de silicium avec une mince couche de Si02 formée selon une variante du procédé d'oxydation de l'invention ; et
-la figure 5, le schéma de principe d'une machine à deux réacteurs pour réaliser une grille de composant électronique intégré, mettant en oeuvre le procédé de 1'invention.
Le transistor MOS illustré en figure 2 comporte, outre l'oxyde de champ, la source, le drain et le canal du substrat de silicium déjà représentés sur la figure 1 avec les mmes signes de référence, une grille 21. Cette grille, constituée généralement de silicium polycristallin, comporte selon l'invention une couche mince 31 de Si02, d'épaisseur égale à environ 5 A dans 1'exemple illustré, sous-jacente à une couche 32 d'oxyde de Titane TiO2, d'épaisseur égale à environ À.
La couche mince de Si02, réalisée selon le procédé préférentiel de l'invention, présente un état de surface avec une très faible rugosité, et une épaisseur sensiblement constante du fait de l'homogénéité d'oxydation obtenue conformément à l'invention.
Préalablement à toute manipulation, le substrat de silicium 100 est tout d'abord décapé dans un bain d'acide fluorhydrique. Ce décapage est suivi d'un rinçage à 1'eau désionisée par permutation.
Puis le substrat est disposé dans un réacteur sous vide poussé entre-10-8 et 10'"bar par des moyens de pompage connus.
L'oxyde natif qui pourrait rester sur le substrat est gravé par gravure RIE dans une enceinte sous vide, bien connue de 1'homme de l'art, puis, sans rompre la chaîne du vide, le substrat est introduit dans le réacteur pour procéder à la croissance de la couche mince d'oxyde proprement dite.
Ce réacteur est équipé d'une source de faisceau d'ions 0+, connue de 1'homme de l'art. Une source d'ions peut tre une source à résonance cyclotronique électronique de type
ECR (initiales de Electron Cyclotron Resonance en terminologie anglo-saxonne), les ions étant confinés dans un plasma chauffé par des ondes radiofréquence.
La source produit des ions à basse énergie cinétique, de quelques keV/q (q étant le nombre de charges par ion), généralement de 1 à 20 keV/q, 10 keV/q dans 1'exemple de mise en oeuvre. L'énergie cinétique d'extraction est réglée par l'application d'une tension d'extraction, qui est égale à 10 kV dans le cas présent.
Les paramètres de réglage de la source sont par ailleurs ajustés pour fournir le débit d'ions souhaité. Les dimensions du faisceau d'ions extrait sont également réglées par les moyens appropriés, connus de 1'homme de l'art, pour définir, avec le débit, la densité du faisceau d'ions au niveau du substrat, c'est-à-dire le nombre d'ions par unité de surface et de temps.
Les ions extraits sont triés, suivant leur rapport masse/charge, par un aimant de tri associé à la source. Un scanner (analyseur en dénomination anglo-saxonne) à collection de charges contrôle la position du faisceau d'ions triés pour le diriger vers le substrat de silicium.
Ce scanner est formé d'un fil, d'une grille ou de plaques qui recueille les charges selon deux directions principales et orthogonales, afin de permettre un comptage des charges selon ces deux directions. Ce comptage permet alors de mesurer les profils d'intensité et de repérer la position du faisceau.
Il est également possible d'utiliser un détecteur de lumière comportant un tel scanner et d'établir le profil d'intensité et la position du faisceau à partir du nombre de photons émis par les ions captés sur le fil, la grille ou les plaques.
Les ions sont plus précisément sélectionnés par des moyens de sélection d'ions, constitués par :
-un filtre de type passe-bande ou passe-haut à champ électrique, connu de 1'homme de l'art, qui sélectionne les ions en fonction de leur énergie cinétique, les ions d'énergie égale à environ 10 keV/q étant sélectionnés dans cet exemple ; couplé à
-une série de diaphragmes, de diamètre de l'ordre du millimètre, disposés à quelques dizaines de centimètres les uns des autres : ces moyens éliminent les ions dont la composante latérale de vitesse, perpendiculaire à la direction générale du faisceau, est supérieure à une valeur donnée, correspondant ici à une énergie cinétique de 1 eV/q.
Le substrat de silicium est maintenu à une température inférieure à 500 C, de l'ordre de 300 C par exemple, à l'aide d'un système de chauffage adapté.
Un champ électrique de décélération ralentit les ions à l'approche de la surface de silicium jusqu'à atteindre une énergie cinétique proche de zéro. Ce champ électrique est produit au milieu d'un condensateur plan formé par une électrode et le substrat entre lesquels on applique une tension de décélération. Cette tension, réglée par un potentiomètre, est ajustée généralement entre 1 et 20 kV, 10 kV dans notre exemple, pour donner à chaque ion 0'une énergie comprise entre quelques eV/q et 0.
Dans ces conditions, la majorité des interactions des ions avec le substrat a lieu à environ une dizaine d'Angströms au-dessus de la surface du substrat.
La densité des ions au niveau de la zone où ils interagissent avec la surface est contrôlée par le débit de la source d'ions et par les dimensions du faisceau dans cette zone. Le débit d'émission est réglé par les moyens appropriés, connus de 1'homme de l'art, et le faisceau est focalisé au niveau de la zone d'interaction au moyen de lentilles électrostatiques unipolaires ou par l'utilisation de champs électriques ou magnétiques.
Le mécanisme réactionnel qui se produit lors de cette interaction est une extraction d'électrons de la surface de silicium, entraînant l'ouverture des liaisons Si-Si à la superficie de la surface traitée, et donc la formation de liaisons pendantes. Ces liaisons pendantes sont alors comblées par des ions O+ pour former une couche de Si02 en superficie. Le chauffage du substrat de silicium facilite l'ouverture des liaisons, la formation des liaisons pendantes et le comblement de ces liaisons.
L'oxydation du substrat de silicium s'effectue en deux phases, comme illustré schématiquement à la figure 3 par la courbe de croissance dans le temps t de l'épaisseur e de silicium oxydé :
-une première phase A jusqu'au point Po, correspondant à une oxydation rapide durant to (par exemple quelques secondes), pendant laquelle les liaisons superficielles de silicium s'ouvrent pour former des liaisons pendantes, comblées par des ions 0+ comme expliqué ci-dessus ; la monocouche formée en superficie a une épaisseur eo, d'environ 3 à 5 À dans 1'exemple de réalisation ;
-une seconde phase B d'oxydation très lente et homogène à travers la monocouche de Si02 de la première phase formant écran ; la vitesse d'oxydation tendant alors asymptotiquement vers zéro de manière homogène sur toute la surface, l'épaisseur d'oxydation du substrat de silicium tend également asymptotiquement vers une valeur constante, ce qui permet de contrôler cette épaisseur avec précision en fonction du temps.
L'allure de la courbe en phase A, la position du point
Po (valeurs de eo et de to), et l'allure de la branche asymptotique en phase B sont directement dépendants de la densité des ions, comprise entre 1012 à 1014 ions/cm2. s, et de la température du silicium, comprise entre 200 et 500 C.
Dans 1'exemple de mise en oeuvre :
-le faisceau d'ions 0+ a une intensité de 10 uA et une section de 1 cm2 ;
-la densité d'ions incidents s'élève à 6.1013 ions/cm2. s, ce qui permet d'oxyder 1 cm2 de substrat après une durée to d'environ 4 secondes ; et
-la température est prise égale à 300 C.
Dans une variante du procédé selon l'invention, l'étape de nettoyage du substrat de silicium est complétée par une étape de passivation de la surface par hydrogénation à l'aide d'un bain d'acide fluorhydrique et d'ions ammonium.
La surface de silicium est alors recouverte d'une couche unique d'hydrogène formant des liaisons Si-H.
Il faut noter que la présence d'hydrogène en surface retarde la formation de l'oxyde natif, ce qui laisse suffisamment de temps pour introduire le substrat, après hydrogénation, dans le réacteur pour procéder à l'oxydation.
Des moyens de production d'ions faiblement ou moyennement chargés, par exemple Ar8+, sont prévus à la place des moyens de production des ions 0+ dans le réacteur décrit précédemment. Les moyens d'application de tension, de sélection d'ions, et de température sont conservés.
Les ions Argon, générés avec une énergie aussi faible que celle des ions 0+ de 1'exemple précédent, sont dirigés vers la surface du substrat de silicium et décélérés à l'approche de cette surface dans les conditions décrits précédemment.
La tension de décélération appliquée permet d'empcher toute pénétration ou tout contact des ions avec la surface de silicium. Comme dans le cas précédent, la valeur de la tension de décélération règle la distance d'approche des ions et la dimension de la zone d'extraction des électrons.
Les ions Argon approchant la surface de silicium extraient les électrons de la monocouche hydrogénée, provoquant l'apparition de liaisons hydrogène pendantes.
Les ions Argon sont ensuite rétroréfléchis par répulsion électrostatique du fait de la création de charges électrostatiques positives en regard de ces ions lors de 1'extraction-des électrons.
L'oxydation se fait alors par introduction de gaz oxygène dan3 1'enceinte sous vide, sous une pression partielle comprise entre 10-5 et 10-9 mbar, égale à 10-7 mbar dans 1'exemple de réalisation. A chaque ouverture d'une liaison hydrogène, un comblement par de l'oxygène est réalisé dans ces conditions de pression. Le chauffage du substrat de silicium à 300 C facilite l'oxydation.
Le phénomène est auto-stoppant car la réaction d'oxydation ralentit puis s'arrte d'elle-mme lorsqu'il n'existe plus de liaisons hydrogène pendantes à remplacer par des liaisons oxygène en surface. En effet, comme illustré par la figure 4, une fois formée sur le substrat de silicium 40 une couche superficielle de Si02 41, les charges électrostatiques générées par l'arrivée de nouveaux ions Argon Ar8+ 42 sont neutralisées par l'extraction d'électrons 43 issus de couches profondes du substrat de silicium 40. Ces électrons sont transportés à travers la couche superficielle 41 par un effet de type effet tunnel .
Dans cet exemple de réalisation, la couche de Si02 monomoléculaire formée a une épaisseur de l'ordre de 3 à 5 . Le contrôle et la durée de l'oxydation sont réglés par le choix de la charge des ions Argon, +4 à +8, la densité de ces ions, de préférence de 1012 à 10l4 ions/cm2, la pression résiduelle et la température du substrat de silicium, comprise entre 200 et 500 C.
Dans 1'exemple de mise en oeuvre :
-le faisceau d'ions Ar+8 forme un courant d'intensité égale à 80 uA avec une section de 1 cm2 ;
-la densité d'ions incidents s'élève à 6.1013 ion
Selon un exemple de réalisation illustré en figure 5, le premier réacteur 51, dédié à la réalisation de la couche ultra mince de Si02, et le deuxième réacteur 52, dédié au dépôt de l'oxyde de métal réfractaire, sont reliés entre eux par un sas commun 53. Ce sas d'entrée du substrat de silicium, maintenu sous vide poussé de 10-9 à 10-1 Pa, assure également le transfert du substrat oxydé du premier réacteur vers le deuxième réacteur où le dépôt de l'oxyde de grille est réalisé par des moyens classiques, pulvérisation cathodique ou par bombardement ionique sous condition oxydante. L'ensemble des deux réacteurs et du sas forment une machine 50.
L'étape de gravure RIE en vue d'éliminer la couche d'oxyde natif peut tre réalisée dans le sas ou dans un troisième réacteur (non représenté).
L'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation décrits et représentés. En particulier, le procédé peut utiliser des ions 0++, ou des ions provenant d'autres agents oxydants, comme des ions issus de la vapeur d'eau ou d'autres gaz oxydants. Pour la variante du procédé, on peut par exemple utiliser d'autres types d'ions faiblement ou moyennement chargés, par exemple des ions de gaz rares comme du Krypton ou du Néon, avec une température d'oxydation pouvant aller jusqu'à 500 C pour les ions les plus faiblement chargés. Par ailleurs, la production d'ions peut tre stoppée lorsque le gaz oxygène est envoyé ou peut tre poursuivie jusqu'à la fin de l'oxydation.

Claims (18)

  1. 1. Procédé de croissance d'une couche d'oxyde de silicium (31,41) de faible épaisseur inférieure à 10 À sur la surface (14) d'un substrat de silicium (10) orientée selon le plan 100, ladite couche étant notamment apte à former une barrière de diffusion d'oxydes réfractaires (32) pour des composants électroniques intégrés, le procédé consistant à nettoyer ladite surface de silicium, à produire sous vide des ions oxydants faiblement chargés et à les diriger vers ladite surface (14) tout en contrôlant leur énergie cinétique pour que leur vitesse soit sensiblement nulle à l'approche de ladite surface, de manière à provoquer une ouverture de liaisons Si-Si à ladite surface et à combler ces liaisons par des ions oxygène, le substrat de silicium étant maintenu à une température inférieure à 500 C.
    REVENDICATIONS
  2. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les ions oxydants sont des ions 0+.
  3. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'étape de nettoyage est réalisée par gravure ionique réactive de l'oxyde natif, en ce que la production d'ions est contrôlée par tri magnétique, en ce que la densité des. ions est contrôlée au niveau de la zone d'interaction avec le substrat, et en que ce ces ions sont décélérés à l'approche de la surface de silicium par l'application d'une tension de décélération, la température du substrat étant maintenue entre 200 et 500 C.
  4. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'une sélection fine des ions est réalisée par filtrage, filtrage en énergie cinétique par champ électrique de type passe-bande ou passe-haut, et filtrage en direction par collimation.
  5. 5. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la densité d'ions est comprise entre 1012 et 1014 ions/cm2. s.
  6. 6. Procédé de croissance d'une couche d'oxyde de silicium (31, 41) de faible épaisseur à une surface (14) de substrat de silicium orientée selon le plan 100, consistant à compléter une étape de nettoyage de ladite surface par une étape de passivation de cette surface à l'aide d'une hydrogénation formant une monocouche d'hydrogène, à produire sous vide des ions d'un gaz rare modérément et uniformément chargés, la charge par ion étant prise dans l'intervalle variant entre +1 et +14, et à les diriger vers ladite surface tout en contrôlant leur énergie cinétique pour que leur vitesse soit sensiblement nulle à l'approche de ladite surface, de manière à provoquer une ouverture des liaisons pendantes Si-H à ladite surface, et à introduire du gaz oxygène contrôlé en pression de manière à combler les liaisons ouvertes, le substrat de silicium étant maintenu à une température inférieure à 500 C.
  7. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'hydrogénation est réalisée à l'aide d'un bain d'acide fluorhydrique et d'ions ammonium.
  8. 8. Procédé selon la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce que la température du substrat de silicium est maintenue à une valeur située entre 200 et 500 C.
  9. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, caractérisé en ce que les ions sont triés, contrôlés par tri, sélectionnés en direction puis décélérés, et en ce que le contrôle du procédé est effectué par la charge des ions sélectionnés, la densité de ces ions au niveau de la zone d'interaction avec le substrat et la température du substrat.
  10. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'une sélection fine des ions en vitesse et en direction est réalisée=par filtrage, filtrage en énergie cinétique par champ électrique de type passe-bande ou passe-haut, et filtrage en direction par champ magnétique.
  11. 11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la densité d'ions incidents est comprise entre 1012 et 1014 ions/cm2. s.
  12. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 11, caractérisé en ce que le gaz rare est choisi parmi l'Argon, le Krypton et le Néon.
  13. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que les charges des ions Argon sont comprises dans l'intervalle allant de +1 à +14.
  14. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que plus la charge de l'ion utilisé est faible, plus la température du substrat de silicium est élevée dans l'intervalle indiqué.
  15. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat de silicium est maintenue sous vide pour recevoir un dépôt d'oxyde réfractaire.
  16. 16. Machine à plusieurs réacteurs pour la réalisation d'une grille de composant électronique intégré, caractérisée en ce qu'elle comporte un sas (53) servant d'entrée à un premier réacteur (51), dédié à la réalisation de la couche mince de Si02 d'un substrat de silicium conformément à l'une des revendications précédentes, et de transfert du substrat ainsi oxydée (31,41) du premier réacteur vers un deuxième réacteur (52) dédié au dépôt de l'oxyde de métal réfractaire, ce dépôt étant réalisé par pulvérisation cathodique ou par IBD.
  17. 17. Machine selon la revendication 16, caractérisée en ce que l'étape de gravure selon la revendication 2 est réalisée dans--le sas (53).
  18. 18. Machine selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'étape de gravure selon la revendication 2 est effectuée dans un troisième réacteur de la machine.
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