FR2763744A1 - Neutron detector of semiconductor type - Google Patents
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Abstract
Description
ELEMENT DETECTEUR DE NEUTRONS DU TYPE A SEMI-CONDUCTEUR
La présente invention se rapporte à des éléments détecteurs de neutrons du type semi-conducteur, qui détectent des neutrons, par exemple en observant des rayons a libérés dans des réactions nucléaires entre du 10B et des neutrons.SEMICONDUCTOR TYPE NEUTRON DETECTOR ELEMENT
The present invention relates to neutron detector elements of the semiconductor type, which detect neutrons, for example by observing a rays released in nuclear reactions between 10B and neutrons.
Une structure générale d'élément détecteur de neutrons de type à semi-conducteur (que l'on appelle ci-après sous forme abrégée "élément détecteur de faisceau
n" connue dans la technique est illustrée à la figure 5. Dans cette structure, une jonction 11 pn est formée dans l'une de surfaces opposées d'une plaque 1 en silicium monocristallin et une électrode 3 supérieure en aluminium et une électrode 4 inférieure en aluminium sont formées sur les surfaces opposées de la plaque 1 en silicium, par exemple par dépôt en phase vapeur par faisceau électronique, de manière à obtenir une structure de diode. Une couche 5 de bore est formée dans une région adjacente à la jonction 11 pn de cette structure de diode, par exemple par dépôt chimique en phase vapeur de plasma à courant continu, pour ainsi obtenir un élément détecteur de faisceau n.A general structure of a semiconductor type neutron detector element (hereinafter abbreviated as "beam detector element
n "known in the art is illustrated in FIG. 5. In this structure, a junction 11 pn is formed in one of opposite surfaces of a plate 1 made of monocrystalline silicon and an upper electrode 3 made of aluminum and a lower electrode 4 made of aluminum are formed on the opposite surfaces of the silicon plate 1, for example by electron vapor deposition, so as to obtain a diode structure. A layer 5 of boron is formed in a region adjacent to the junction 11 pn of this diode structure, for example by chemical vapor deposition of DC plasma, thereby obtaining an n beam detector element.
La couche 5 de bore naturel contient environ 20 de 10B. Si un faisceau neutronique tombe sur du 10B, du 10B et des neutrons donnent des réactions nucléaires comme suit
10B + n o 7Li + a
Si un faisceau de 7Li et des rayons a produits par ces réactions nucléaires peuvent être détectés, le faisceau neutronique incident sur la couche 5 de bore peut être détecté. Pour détecter le faisceau de 7Li et des rayons a, une tension de polarisation inverse est appliquée à la structure de diode, de sorte qu'il est formé une couche de déplétion sur les côtés opposés de la jonction 11 pn en raison de la tension appliquée. La couche de déplétion ayant un grand gradient de potentiel en elle, des paires d'électrons et de trous qui sont dus au faisceau de 7Li et aux rayons a entrant dans la couche de déplétion sont séparés par le champ électrique, et sont ensuite détectés en tant que signaux de courant par impulsions.Layer 5 of natural boron contains about 20 of 10B. If a neutron beam falls on 10B, 10B and neutrons give nuclear reactions as follows
10B + no 7Li + a
If a 7Li beam and a rays produced by these nuclear reactions can be detected, the incident neutron beam on the boron layer 5 can be detected. To detect the beam of 7Li and of the rays a, a reverse bias voltage is applied to the diode structure, so that a depletion layer is formed on the opposite sides of the 11 pn junction due to the applied voltage . Since the depletion layer has a large potential gradient in it, pairs of electrons and holes which are due to the 7Li beam and the a rays entering the depletion layer are separated by the electric field, and are then detected by as pulse current signals.
Comme le faisceau 7Li et les rayons a consomment une grande énergie au fur et à mesure qu'ils se propagent dans une substance, et par conséquent ne peuvent atteindre qu'une position à une courte distance de là où ils sont partis, il est important de former la couche de déplétion en un emplacement qui est aussi proche que possible de la région où les réactions nucléaires ont lieu. Par conséquent, l'électrode 3 supérieure en aluminium est formée normalement en tant qu'une très mince couche, par exemple une couche ayant une épaisseur de 0,1 um, et la jonction pn est formée en un emplacement qui est aussi proche que possible de la surface de la plaque 1 de silicium. La formation de l'électrode 3 supérieure en aluminium peut être limitée à une partie (position 31 de liaison par fil à la figure 5) où un fil en aluminium est lié. As the 7Li beam and a rays consume a great deal of energy as they propagate through a substance, and therefore can only reach a position a short distance from where they left, it is important to form the depletion layer in a location that is as close as possible to the region where the nuclear reactions take place. Therefore, the upper aluminum electrode 3 is normally formed as a very thin layer, for example a layer having a thickness of 0.1 µm, and the pn junction is formed in a location which is as close as possible. of the surface of the silicon plate 1. The formation of the upper aluminum electrode 3 can be limited to a part (position 31 of wire connection in FIG. 5) where an aluminum wire is linked.
Tandis que la diode de type jonction pn a été illustrée précédemment, des éléments détecteurs de faisceau n peuvent également être fabriqués en utilisant une diode de type à hétérojonction dans laquelle une couche de silicium amorphe est formée sur une plaque de silicium monocristallin, ou une diode du type barrière de surface dans laquelle une couche de métal est formée sur une plaque de silicium monocristallin. While the pn junction-type diode has been illustrated previously, n-beam detector elements can also be fabricated using a heterojunction-type diode in which an amorphous silicon layer is formed on a monocrystalline silicon wafer, or a diode of the surface barrier type in which a metal layer is formed on a monocrystalline silicon plate.
Comme décrit ci-dessus, la couche 5 de bore est formée sur l'électrode d'aluminium ou du silicium destiné à être adjacent à la couche de déplétion de la diode. Si l'épaisseur de la couche 5 de bore est augmentée de manière à garantir une sensibilité suffisante aux neutrons, la résistance d'adhérence entre la couche 5 de bore et l'électrode ou la plaque de silicium est réduite, et la couche 5 de bore peut s'arracher en raison des variations de température répétées, ou pendant un stockage de longue durée, ce qui entraîne une variation de la sensibilité de la détection des neutrons. As described above, the boron layer 5 is formed on the aluminum or silicon electrode intended to be adjacent to the depletion layer of the diode. If the thickness of the boron layer 5 is increased so as to guarantee sufficient sensitivity to neutrons, the adhesion resistance between the boron layer 5 and the silicon electrode or plate is reduced, and the layer 5 of boron can tear off due to repeated temperature variations, or during long-term storage, which causes the sensitivity of neutron detection to vary.
D'autre part, un scellement en utilisant un moule ou analogue est généralement utilisé dans la fabrication de composants électroniques, dans le but d'isoler ou de protéger des composants, ou d'empêcher l'apparition d'humidité. Cependant, ce procédé de scellement ne peut pas être appliqué à des éléments détecteurs de neutrons du type à semi-conducteurs, car leur couche 5 de bore est fragile, c'est-à-dire qu'elle a une résistance mécanique trés petite. Ainsi, si l'élément détecteur de neutrons du type à semiconducteurs est placé dans un récipient, et que de la résine est versée dans le récipient pour obtenir le scellement, des contraintes mécaniques excessives sont appliquées à la couche 5 de bore pendant la fabrication de l'élément, et la couche 5 de bore peut être arrachée. On the other hand, a seal using a mold or the like is generally used in the manufacture of electronic components, for the purpose of isolating or protecting components, or of preventing the appearance of moisture. However, this sealing method cannot be applied to neutron detector elements of the semiconductor type, because their layer of boron is fragile, that is to say that it has a very small mechanical resistance. Thus, if the semiconductor type neutron detector element is placed in a container, and resin is poured into the container to achieve the seal, excessive mechanical stresses are applied to the boron layer during the manufacture of the element, and the boron layer 5 can be torn off.
La présente invention vise par conséquent un élément détecteur de faisceau n, dans lequel la couche de bore ne s'arrache pas ou ne se sépare pas, et qui garantit une sensibilité stable de détection de neutrons pendant une grande durée avec une haute fiabilité. The present invention therefore relates to an n-beam detector element, in which the boron layer does not tear off or separate, and which guarantees a stable sensitivity for detecting neutrons for a long period with high reliability.
Pour obtenir cela, la présente invention propose un élément détecteur de neutrons, de type à semiconducteur, qui comporte une diode ayant une hétérojonction ou une jonction pn ou une barrière de surface, qui produit une couche de déplétion lorsqu'une tension de polarisation inverse est appliquée à la diode, une couche de bore qui contient du 10B et qui est formée dans une région adjacente à la couche de déplétion, et une mince couche (couche de renforcement) en un matériau qui peut être formé sur la couche de bore par dépôt en phase vapeur. Cette couche de renforcement empêche la couche de bore de s'arracher. To achieve this, the present invention provides a neutron detector element, of the semiconductor type, which comprises a diode having a heterojunction or a pn junction or a surface barrier, which produces a depletion layer when a reverse bias voltage is applied to the diode, a boron layer which contains 10B and which is formed in a region adjacent to the depletion layer, and a thin layer (reinforcing layer) of a material which can be formed on the boron layer by deposition in vapor phase. This reinforcing layer prevents the boron layer from being torn off.
La couche de renforcement peut être une couche de polyparaxylylène ou une couche d'aluminium. La couche de polyparaxylylène est une couche organique isolante qui peut être formée par dépôt en phase vapeur et qui présente une bonne adhérence à divers matériaux, tout en garantissant une bonne protection vis à vis de l'humidité. Cette couche peut être formée par un simple dispositif de dépôt en phase vapeur, et son épaisseur peut être réglée facilement. La couche d'aluminium est plus généralement utilisée en tant que couche de métal en dépôt en phase vapeur. La couche d'aluminium a une bonne adhérence à divers matériaux et peut également servir à titre d'une électrode. The reinforcing layer can be a polyparaxylylene layer or an aluminum layer. The polyparaxylylene layer is an organic insulating layer which can be formed by vapor deposition and which has good adhesion to various materials, while ensuring good protection against moisture. This layer can be formed by a simple vapor deposition device, and its thickness can be easily adjusted. The aluminum layer is more generally used as a layer of metal in vapor phase deposition. The aluminum layer has good adhesion to various materials and can also serve as an electrode.
L'invention est décrite maintenant plus en détail en se référant à des modes de réalisation préférés et au dessin annexé, dans lequel
La figure 1 (a) est une vue en plan représentant un élément détecteur de neutrons, de type à semiconducteurs suivant le premier mode de réalisation de la présente invention, et la figure 1 (a) est une vue en coupe transversale suivant la ligne A-A de la figure 1(a)
La figure 2(a) est une vue en plan représentant le second mode de réalisation de la présente invention, et la figure 2 (b) est une vue en coupe transversale suivant la ligne A-A de la figure 2(a)
La figure 3(a) est une vue en plan représentant le troisième mode de réalisation l'invention, et la figure 3(b) est une vue en coupe transversale suivant la ligne
A-A de la figure 3(a)
La figure 4(a) est une vue en plan représentant le quatrième mode de réalisation l'invention, et la figure 4 (b) est une vue en coupe transversale suivant la ligne
A-A de la figure 4(a) ; et
La figure 5(a) est une vue en plan représentant un exemple d'élément détecteur de neutrons, de type à semi-conducteurs connu, et la figure 5(b) est une vue en coupe transversale suivant la ligne A-A de la figure 5(b). The invention will now be described in more detail with reference to preferred embodiments and the accompanying drawing, in which
Figure 1 (a) is a plan view showing a neutron detector element, of semiconductor type according to the first embodiment of the present invention, and Figure 1 (a) is a cross-sectional view along line AA of figure 1 (a)
Figure 2 (a) is a plan view showing the second embodiment of the present invention, and Figure 2 (b) is a cross-sectional view taken along line AA of Figure 2 (a)
Figure 3 (a) is a plan view showing the third embodiment of the invention, and Figure 3 (b) is a cross-sectional view along the line
AA of figure 3 (a)
Figure 4 (a) is a plan view showing the fourth embodiment of the invention, and Figure 4 (b) is a cross-sectional view along the line
AA of Figure 4 (a); and
FIG. 5 (a) is a plan view showing an example of a neutron detector element, of known semiconductor type, and FIG. 5 (b) is a cross-sectional view along line AA of FIG. 5 (b).
Suivant la présente invention, une couche de bore qui a tendance à s'arracher est recouverte d'un matériau qui a une bonne adhérence à un matériau de la structure de diode, de sorte que la couche de bore est fixée mécaniquement. According to the present invention, a boron layer which tends to tear off is covered with a material which has good adhesion to a material of the diode structure, so that the boron layer is fixed mechanically.
Certains modes de réalisation de l'invention sont maintenant décrits en détail. Les mêmes références numériques que celles utilisées à la figure 5 représentant la structure connue seront utilisées pour identifier structurellement/fonctionnellement des éléments ou composants correspondants. Certain embodiments of the invention are now described in detail. The same reference numbers as those used in FIG. 5 representing the known structure will be used to structurally / functionally identify corresponding elements or components.
Premier mode de réalisation
La figure l(a) est une vue en plan représentant le premier mode de réalisation de l'élément détecteur de faisceau n suivant la présente invention, et la figure 1 (b) est une vue en coupe transversale suivant la ligne
A-A de la figure l(a). First embodiment
Figure 1 (a) is a plan view showing the first embodiment of the beam detector element n according to the present invention, and Figure 1 (b) is a cross-sectional view along the line
AA of figure l (a).
Dans la structure de diode du mode de réalisation présent, une couche 2 en silicium amorphe est formée sur une plaque 1 de silicium monocristallin par un processus de dépôt chimique en phase vapeur par plasma, et une électrode 3 supérieure en aluminium et une électrode 4 inférieure en aluminium sont formées par dépôt en phase vapeur par faisceaux électroniques sur la surface supérieure de la couche 2 de silicium et la surface inférieure de la plaque 3 de silicium, respectivement. Une couche 5 de bore est formée sur une partie de la diode autre qu'une partie périphérique de l'électrode 3 d'aluminium supérieure et une position 61 de liaison de fil, par un processus de dépôt chimique en phase vapeur par plasma à courant continu. En outre, une couche 6 de couverture en aluminium ayant sensiblement la même forme que l'électrode 3 supérieure en aluminum est formée par dépôt en phase vapeur par faisceaux électroniques de manière à entourer la couche 5 de bore. In the diode structure of the present embodiment, a layer 2 of amorphous silicon is formed on a plate 1 of monocrystalline silicon by a chemical vapor deposition process by plasma, and an upper electrode 3 of aluminum and a lower electrode 4 aluminum are formed by vapor deposition by electron beams on the upper surface of the silicon layer 2 and the lower surface of the silicon plate 3, respectively. A boron layer 5 is formed on a part of the diode other than a peripheral part of the upper aluminum electrode 3 and a wire bonding position 61, by a chemical vapor deposition process by current plasma. continued. In addition, an aluminum cover layer 6 having substantially the same shape as the upper aluminum electrode 3 is formed by vapor deposition by electron beams so as to surround the layer 5 of boron.
Avec la structure de diode ainsi formée, même si la résistance d'adhérence entre l'électrode 3 supérieure d'aluminium et la couche 5 de bore est petite, et que des contraintes thermiques ou d'autres contraintes ou forces soient appliquées à la couche 5 de bore pour provoquer un arrachement de la couche 5, la couche 6 de couverture en aluminium empêche la couche 5 de bore de s'arracher, et ainsi l'élément détecteur de faisceau n garantit une sensibilité stable à des neutrons. A la position 61 de liaison de fil, la couche 5 de bore n'est pas interposée entre l'électrode 3 supérieure d'aluminium et la couche 6 de couverture d'aluminium, et par conséquent une résistance d'adhérence suffisamment grande peut être obtenue à cette position 61, sans entraîner de problème dans la liaison par fil. With the diode structure thus formed, even if the adhesion resistance between the upper aluminum electrode 3 and the boron layer 5 is small, and that thermal stresses or other stresses or forces are applied to the layer 5 of boron to cause tearing of the layer 5, the layer 6 of aluminum covering prevents the layer 5 of boron from tearing off, and thus the beam detector element n guarantees a stable sensitivity to neutrons. At the wire bonding position 61, the boron layer 5 is not interposed between the upper aluminum electrode 3 and the aluminum cover layer 6, and therefore a sufficiently high adhesion strength can be obtained at this position 61, without causing any problem in the wire connection.
Second mode de réalisation
La figure 2 (a) est une vue en plan représentant le second mode de réalisation de la présente invention, et la figure 2 (b) est une vue en coupe transversale suivant la ligne A-A de la figure 2(a). Second embodiment
Figure 2 (a) is a plan view showing the second embodiment of the present invention, and Figure 2 (b) is a cross-sectional view along the line AA of Figure 2 (a).
L'élément détecteur de faisceau n du présent mode de réalisation utilise une structure de diode de type à jonction pn tel que décrit précédemment en ce qui concerne la structure de diode connue de la figure 5. The beam detector element n of the present embodiment uses a pn junction-type diode structure as described above with regard to the known diode structure of FIG. 5.
La structure de diode de type de jonction pn utilisée dans ce mode de réalisation est identique à celle de l'élément détecteur connu de la figure 5, et par conséquent seules des différences entre l'élément détecteur de faisceau n de ce mode de réalisation et l'élément détecteur connu seront décrites ci-dessous.The structure of the pn junction type diode used in this embodiment is identical to that of the known detector element of FIG. 5, and therefore only differences between the beam detector element n of this embodiment and the known detector element will be described below.
Dans le mode de réalisation présent, après que des fils 8 d'aluminium ont respectivement été liés à l'électrode 3 supérieure d'aluminium et à l'électrode 4 inférieure en aluminium de l'élément détecteur de faisceau n connu comme représenté à la figure 5, une couche 7 de revêtement formée de polyparaxylylène en tant que substance organique isolante est formée par dépôt en phase vapeur sur toute la surface de l'élément. La couche 7 de revêtement de polyparaxylylène peut facilement être formée, et son épaisseur peut être réglée facilement. En outre, cette couche 7 de revêtement a une bonne adhérence à la surface de l'élément, et a pour effet d'empêcher l'apparition d'humidité. En outre, la couche 7 de revêtement sert non seulement en tant que couche de renforcement pour la couche 5 de bore, mais sert également à protéger la surface de l'élément détecteur contre l'humidité. In the present embodiment, after the wires 8 of aluminum have been respectively connected to the upper electrode 3 of aluminum and to the lower electrode 4 of aluminum of the beam detector element n known as shown in FIG. Figure 5, a coating layer 7 formed of polyparaxylylene as an insulating organic substance is formed by vapor deposition over the entire surface of the element. Polyparaxylylene coating layer 7 can easily be formed, and its thickness can be easily adjusted. In addition, this coating layer 7 has good adhesion to the surface of the element, and has the effect of preventing the appearance of moisture. In addition, the coating layer 7 not only serves as a reinforcing layer for the boron layer 5, but also serves to protect the surface of the sensor element against moisture.
Troisième mode de réalisation
La figure 3(a) est une vue en plan représentant le troisième mode de réalisation de la présente invention, et la figure 3(b) est une vue en coupe transversale suivant la ligne A-A de la figure 3(a).Third embodiment
Figure 3 (a) is a plan view showing the third embodiment of the present invention, and Figure 3 (b) is a cross-sectional view along line AA of Figure 3 (a).
Dans ce mode de réalisation, la couche 7 de revêtement en polyparaxylylène n'est pas formée sur la position 31 de liaison de fil de l'électrode 3 supérieure et sur l'électrode 4 inférieure de l'élément détecteur de faisceau n connu représenté à la figure 5. In this embodiment, the layer 7 of polyparaxylylene coating is not formed on the wire bonding position 31 of the upper electrode 3 and on the lower electrode 4 of the known beam detector element n shown in Figure 5.
Au lieu de cela, la couche 7 de revêtement en polyparaxylylène est formée sur la surface supérieure de l'élément à l'exception de la position 31 de liaison de fil, et sur les faces latérales de l'élément.Instead, the layer 7 of polyparaxylylene coating is formed on the upper surface of the element except for the position 31 of wire bonding, and on the lateral faces of the element.
Pendant la formation de la couche 7 de revêtement de polyparaxylylène, l'électrode 4 inférieure en aluminium et la position 31 de liaison de fil sont recouverts de masques, qui sont ensuite enlevés après achèvement du dépôt en phase vapeur.During the formation of the polyparaxylylene coating layer 7, the lower aluminum electrode 4 and the wire bonding position 31 are covered with masks, which are then removed after completion of the vapor deposition.
Quatrième mode de réalisation
La figure 4(a) est une vue en plan représentant le quatrième mode de réalisation de la présente invention, et la figure 4(b) est une vue en coupe transversale suivant la ligne A-A de la figure 4(a).Fourth embodiment
Figure 4 (a) is a plan view showing the fourth embodiment of the present invention, and Figure 4 (b) is a cross-sectional view taken along line AA of Figure 4 (a).
Dans ce mode de réalisation, l'élément détecteur de faisceau n connu comme représenté à la figure 5 est lié à un substrat 9, et un fil 8 en aluminium est lié à la position 31 de liaison de fil de l'électrode 3 supérieure. Ensuite, la couche 7 de revêtement de polyparaxylylène est formée. In this embodiment, the known beam detector element n as shown in FIG. 5 is linked to a substrate 9, and an aluminum wire 8 is linked to the wire connection position 31 of the upper electrode 3. Then, the layer 7 of polyparaxylylene coating is formed.
Comme décrit précédemment, la couche 7 de revêtement de polyparaxylylène est une couche isolante, et par conséquent peut être formée en diverses étapes dans le procédé de fabrication et le processus d'assemblage de l'élément détecteur de faisceau n. En outre, la couche 7 de revêtement de polyparaxylylène sert de couche de renforcement pour la couche 5 de bore, et en outre sert à protéger la surface de l'élément contre l'humidité. Ainsi, la couche 7 de revêtement peut être utilisée de manière efficace. As previously described, the polyparaxylylene coating layer 7 is an insulating layer, and therefore can be formed in various stages in the manufacturing process and the assembly process of the n-beam detector element. In addition, the polyparaxylylene coating layer 7 serves as a reinforcing layer for the boron layer 5, and further serves to protect the surface of the element against moisture. Thus, the coating layer 7 can be used effectively.
Bien que la structure de diode de type à hétérojonction est utilisée dans le premier mode de réalisation, et que la structure de diode de type de jonction pn est utilisée dans le second au quatrième mode de réalisation, il va de soi que n importe quel type de structure de diode peut être utilisé dans chacun des ces modes de réalisation. Although the heterojunction type diode structure is used in the first embodiment, and the pn junction type diode structure is used in the second to the fourth embodiment, it goes without saying that any type diode structure can be used in each of these embodiments.
La présente invention concerne un élément détecteur de neutrons, de type à semi-conducteurs, qui comporte une diode ayant une hétérojonction, ou une jonction pn ou une barrière de surface pour produire une couche de déplétion lors de l'application d'une tension de polarisation inverse, et une couche de bore contenant du 10B et formée dans une région adjacente à la couche de déplétion. Comme l'élément détecteur de neutrons de la présente invention comporte en outre une couche de renforcement qui recouvre la couche de bore, la couche de bore ne peut pas s'arracher, et l'élément détecteur garantit une sensibilité stable de détection de neutrons et une fiabilité élevée pendant une grande durée. The present invention relates to a neutron detector element, of the semiconductor type, which comprises a diode having a heterojunction, or a pn junction or a surface barrier to produce a depletion layer upon the application of a reverse polarization, and a boron layer containing 10B and formed in a region adjacent to the depletion layer. Since the neutron detector element of the present invention further comprises a reinforcing layer which covers the boron layer, the boron layer cannot be torn off, and the detector element guarantees a stable sensitivity for detecting neutrons and high reliability for a long time.
Une couche en polyparaxylylène ou une couche en aluminium peut être utilisée en tant que couche de renforcement. La couche en polyparaxylylène est une couche organique isolante qui peut être formée par dépôt en phase vapeur et présente une bonne adhérence à divers matériaux, tout en garantissant un bon effet de protection vis à vis de l'humidité. Cette couche peut être formée par un simple dispositif de dépôt en phase vapeur, et son épaisseur peut être réglée facilement. A polyparaxylylene layer or an aluminum layer can be used as a reinforcing layer. The polyparaxylylene layer is an organic insulating layer which can be formed by vapor deposition and has good adhesion to various materials, while ensuring a good protective effect against moisture. This layer can be formed by a simple vapor deposition device, and its thickness can be easily adjusted.
C'est pourquoi, la couche en polyparaxylylène est de manière la plus appropriée utilisée en tant qu'un élément de renforcement isolant. La couche d'aluminium, d'autre part, est utilisée de manière la plus générale en tant que couche de métal déposée en phase vapeur.Therefore, the polyparaxylylene layer is most appropriately used as an insulating reinforcing element. The aluminum layer, on the other hand, is most generally used as a metal layer deposited in the vapor phase.
Cette couche d'aluminium présente une adhérence particulièrement bonne à divers matériaux, et peut également servir en tant qu'électrode. Ainsi, la couche d'aluminium est de manière la plus appropriée utilisée en tant qu'élément de renforcement. This aluminum layer has particularly good adhesion to various materials, and can also be used as an electrode. Thus, the aluminum layer is most suitably used as a reinforcing member.
Claims (3)
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