FR2678112A1 - Antenne hyperfrequence a balayage optoelectronique. - Google Patents
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Abstract
Cette antenne est pourvue d'un réseau (2) de réflecteurs élémentaires à déphaseurs commandés optiquement. Le réseau de réflecteurs élémentaires comporte un substrat (20) en un matériau diélectrique à faibles pertes en hyperfréquences, transparent à la lumière, revêtu du côté exposé aux hyperfréquences, d'une couche (21) d'éléments photoconducteurs répartis en réseau et, du côté opposé, d'une électrode (22) conductrice transparente à la lumière. Des moyens d'éclairement sélectif (3, 4, 5) des éléments photoconducteurs permettent de faire passer ces derniers d'un état électriquement isolant à un état conducteur et réciproquement pour modifier le trajet de l'onde hyperfréquence au sein des réflecteurs et permettre la formation du faisceau. Le réseau d'éléments photoconducteurs a un maillage qui suréchantillonne le maillage du réseau de réflecteurs élémentaires. Ainsi chaque réflecteur élémentaire regroupe plusieurs éléments photoconducteurs dont une proportion plus ou moins grande peut être éclairée ce qui lui procure différents états de phase possibles.
Description
ANTENNE HYPERFREQUENCE A BALAYAGE
OPTOELECTRONIQUE
La présente invention concerne une antenne hyperfréquence utilisant, pour le pointage de son faisceau, un réseau de réflecteurs élémentaires à éléments actifs capables de modifier, à volonté, sous le contrôle d'une commande optique, la longueur du trajet de pénétration des ondes hyperfréquences dans les réflecteurs du réseau pour engendrer des déphasages variant d'un réflecteur élémentaire à l'autre et assurer le
pointage du faisceau d'antenne.
Une antenne connue de ce genre possède un réflecteur réalisé à partir d'un substrat en un matériau diélectrique à faibles pertes pour les ondes hyperfréquences, transparent à la lumière, tel que de l'oxyde de silice Si O 2 ou de l'alumine cristallisée AL 2 O 3 Du côté exposé aux hyperfréquences ce substrat est revêtu d'éléments photoconducteurs isolés entre eux par un matériau électriquement isolant, éventuellement
recouverts d'une couche opaque transparente aux hyper-
fréquences, et disposés en réseau avec un pas de maillage égal à X /2 pour éviter les angles multiples de réflexion, X étant la longueur d'onde des hyperfréquences considérées Du côté opposé, non exposé aux hyperfréquences, il est revêtu d'une électrode transparente à la lumière réalisée en un matériau
électriquement conducteur tel que de l'oxyde d'étain ITO.
Les éléments photoconducteurs, qui peuvent être en silicium "intrinsèque" c'est à dire isolant, sont éclairés ou non sur commande au travers du substrat et de l'électrode transparente, par exemple à l'aide d'un écran à cristaux liquides plaqué contre le substrat sur l'électrode transparente et éclairé par une source lumineuse Lorsqu'ils sont éclairés, ils deviennent électriquement conducteurs et réfléchissent les ondes hyperfréquences avant qu'elles *ne pénètrent dans le substrat Lorsqu'ils ne sont pas éclairés, ils sont électriquement isolants et se laissent traverser par les ondes hyperfréquences qui pénètrent au travers du substrat et se réfléchissent sur l'électrode transparente Si le retard de propagation à travers les épaisseurs des éléments photoconducteurs et du substrat est proche d'un nombre impair de quarts de période de l'onde hyperfréquence, le déphasage obtenu entre des ondes hyperfréquences selon qu'elles rencontrent un élément photoconducteur éclairé ou un élément photoconducteur non éclairé est de IL On réalise ainsi un réseau de réflecteurs élémentaires, avec un maillage au pas de la moitié de la longueur d'onde des hyperfréquences, qui sont capables chacun d'engendrer à volonté des déphasages de O ou ÂT sous contrôle d'une commande optique Cependant, les performances d'une antenne hyperfréquence à balayage concernant le gain, le niveau de lobes secondaires et le diffus nécessitent, en général, pour être acceptables, l'utilisation d'un déphaseur commandable à plus de deux états de phase au niveau de chaque réflecteur élémentaire. Pour satisfaire cette exigence, il a été proposé d'empiler des couches de silicium photoconducteur et de substrat diélectrique à faible perte devant l'électrode conductrice transparente pour présenter à l'onde hyperfréquence, au sein de chaque réflecteur élémentaire, différents chemins de longueurs échelonnées qui correspondent à diverses valeurs de déphasage comprises entre O et 21 T et qui sont fonctions de la profondeur dans l'empilement de la première couche de silicium photoconducteur rendue conductrice par éclairement On rencontre alors des difficultés pour l'illumination sélective des différentes couches de silicium photoconducteur qui se
masquent les unes les autres.
La présente invention a pour but de remédier à ces difficultés et de permettre l'obtention de déphaseurs commandables à plus de deux états de phase dans un réseau de réflecteurs pour onde hyperfréquence tout en conservant pour le réseau de réflecteurs une structure simple à trois couches formée d'un substrat en matériau diélectrique à faible perte transparent à la lumière portant, du côté exposé aux hyperfréquences, un réseau d'éléments photoconducteurs et, du côté opposé, une électrode conductrice transparente à la lumière. Elle a pour objet une antenne hyperfréquence à balayage optoélectronique pourvue d'une part, d'un réseau de réflecteurs élémentaires à déphaseurs commandés optiquement comportant un substrat en un matériau diélectrique à faibles pertes en hyperfréquences, transparent à la lumière, revêtu, du côté exposé aux hyperfréquences, d'une couche d'éléments photoconducteurs répartis en réseau, et, du côté opposé, d'une électrode conductrice transparente à la lumière, et d'autre part, de moyens d'éclairement sélectif des éléments photoconducteurs aptes à faire passer ces derniers d'un état
électriquement isolant à un état conducteur et réciproquement.
Cette antenne est remarquable en ce que le réseau d'éléments photoconducteurs présente un maillage qui suréchantillonne le maillage du réseau de réflecteurs élémentaires Ainsi, chaque réflecteur élémentaire regroupe na éléments photoconducteurs, n étant le taux de suréchantillonnage, dont une proportion plus ou moins grande est éclairée ce qui lui procure différents états de phase échelonnés depuis une valeur minimale obtenue lorsque tous ses éléments photoconducteurs sont éclairés jusqu'à une valeur maximale obtenue lorsque tous ses éléments
photoconducteurs sont dans l'obscurité.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention
ressortiront de la description d'un mode de réalisation donné à
titre d'exemple Cette description sera faite ci-après, en
regard du dessin dans lequel: une figure 1 représente, de manière schématique et partiellement démontée, une antenne hyperfréquence à balayage optoélectronique selon l'invention; une figure 2 est un diagramme qui représente les variations du coefficient de réflexion sous incidence normale et du déphasage à la réflexion, en fonction de la résistivité, pour du silicium utilisé comme photoconducteur; une figure 3 est un diagramme qui représente les variations du déphasage à la transmission et à la réflexion du silicium en fonction de la fréquence et une figure 4 illustre un exemple de répartition d'éléments photoconducteurs à la surface d'un réflecteur
élémentaire de l'antenne représentée à la figure 1.
L'antenne hyperfréquence représentée à la figure 1 fonctionne aux environs de 94 G Hz Elle comporte un cornet 1 qui illumine avec une onde hyperfréquence un réseau plan 2 de réflecteurs élémentaires placé devant un écran à cristaux liquides 3 éclairé par une source lumineuse 4 au travers d'une
optique de focalisation 5.
Le réseau de réflecteurs élémentaires se présente sous la forme d'un disque plat d'environ 10 cm de diamètre Il est constitué d'un substrat 20 en un matériau diélectrique à faibles pertes en hyperfréquences, transparent à la lumière, tel que de l'oxyde de Silice Si 2 ou de l'alumine cristallisée AL 2 O 3 Du côté tourné vers le cornet 1, qui est exposé aux hyperfréquences, ce substrat 20 porte une couche 21 d'éléments photoconducteurs tel que du silicium ou de l'arséniure de gallium qui sont isolés entre eux et répartis à la surface du substrat de manière à suréchantillonner le maillage d'un réseau
de réflecteurs élémentaires au pas de, /2 ici, environ 1,5 mm.
Du côté opposé au cornet 1, le substrat 20 est revêtu d'une électrode conductrice 22 transparente à la lumière qui est, par
exemple, en oxyde d'étain.
L'écran à cristaux liquides 3 est plaqué contre l'électrode conductrice 22 du substrat 20 Il comporte un réseau de pixels qui reproduisent fidèlement la répartition des éléments photoconducteurs 21 portés par le substrat 20 et qui peuvent être rendus, sur commande, soit transparents, soit opaques afin de provoquer, de manière sélective, l'éclairage des
éléments photoconducteurs placés dans leur prolongement.
La source lumineuse 4 peut être un réseau de diodes électroluminescentes ou de lasers fournissant une puissance de à 50 Watts en continu à une longueur d'ondes de 0, 8 Pum environ L'intensité lumineuse arrivant sur un élément photoconducteur en silicium, lorsque le pixel de l'écran de cristaux liquides qui lui est associé est transparent, est alors
suffisante pour rendre ledit élément conducteur.
La figure 2 représente les variations du coefficient de réflexion sous incidence normale et du déphasage à la réflexion, en fonction de la résistivité, pour du silicium utilisé comme photoconducteur Elle montre qu'il est possible de passer d'une réflexion totale à une transmission quasi totale des ondes hyperfréquences avec du silicium dont la résistivité varie de 0,1 ohm cm environ à plus de 1000 ohm cm en fonction de son éclairement Elle montre également qu'il existe une condition d'éclairement pour laquelle le silicium absorbe complètement les hyperfréquences Cet effet peut être utilisé pour rendre l'antenne absorbante, donc furtive pour un système
de détection.
La figure 3 représente la réponse en fréquence du déphasage à la transmission (P= 1000 ohm cm) et à la réflexion (P= 0, 18 ohm cm) du silicium Elle montre que le déphasage à la transmission est pratiquement nul pour une onde hyperfréquence
de 94 G Hz.
La figure 4 donne un exemple de répartition des éléments photoconducteurs à la surface du substrat 20 Ceux-ci suréchantillonnent le maillage du réseau de réflecteurs élémentaires au pas de À /2 représenté en traits pleins, avec un maillage quatre fois plus fin représenté en pointillés Ainsi, chaque réflecteur élémentaire est formé d'un dallage de 16 éléments photoconducteurs la,,4 d qu'il est possible d'éclairer individuellement par l'intermédiaire des pixels de l'écran à cristaux liquides afin de les rendre à volonté isolants ou conducteurs On peut alors choisir une forme variable de la surface photoconductrice éclairée dans chaque réflecteur élémentaire pour définir une phase variable Cela revient à l'introduction, dans un guide d'onde hyperfréquence matérialisé par le contour d'un réflecteur élémentaire, d'un iris conducteur qui est équivalent à une susceptance dont on sait calculer la phase en réflexion Cette susceptance variable peut être la même pour plusieurs polarisations hyperfréquences
si celles-ci voient des surfaces équivalentes.
Par exemple, une polarisation horizontale et une polarisation verticale voient le même déphasage si la surface de photoconducteur rendue conductrice a une forme conservée dans
une rotation de ÂT/2.
Dans le cas illustré par la figure 4 o un réflecteur élémentaire est constitué d'un dallage de 16 éléments photoconducteurs la,,4 d on peut adopter cinq configurations différentes conservées par une rotation de ÂT/2: une première configuration o aucun élément photoconducteur n'est éclairé; une deuxième configuration, qui est celle représentée, o seuls les éléments photoconducteurs en coin la, 4 a, 4 d et id sont éclairés; une troisième configuration o les éléments photoconducteurs 2 a, 4 b, 3 d et lc sont éclairés en plus des éléments photoconducteurs en coin la, 4 a, 4 d, et id; une quatrième configuration o tous les éléments photoconducteurs du pourtour la, 2 a, 3 a, 4 a, 4 b, 4 d, 3 d, 2 d, ld, lc, et lb sont éclairés; une cinquième configuration o tous les éléments
photoconducteurs sont éclairés.
Si les épaisseurs des éléments photoconducteurs et du substrat sont de l'ordre de la moitié de la longueur d'onde des hyperfréquences utilisées on obtient avec les quatre dernières configurations un déphaseur commandé à deux bits indépendant
de la polarisation.
Bien évidemment, on peut adopter un taux de suréchantillonnage moindre par exemple de deux ou trois mais on a alors un moindre choix de configurations ou supérieur mais on se heurte alors à des difficultés de réalisation dues à la petitesse des éléments photoconducteurs et des pixels de l'écran
à cristaux liquides qui doivent leur correspondre.
Claims (3)
1 Antenne hyperfréquence à balayage optoélectronique pourvue d'une part, d'un réseau ( 2) de réflecteurs élémentaires commandés optiquement comportant un substrat ( 20) en un matériau diélectrique à faibles pertes en hyperfréquences, transparent à la lumière, revêtu, du côté exposé aux hyperfréquences, d'une couche ( 21) d'éléments photoconducteurs répartis en réseau, et, du côté opposé, d'une électrode ( 22) conductrice transparente à la lumière, et d'autre part, de moyens d'éclairement sélectif ( 3, 4, 5) des éléments photoconducteurs aptes à faire passer ces derniers d'un état électriquement isolant à un état conducteur et réciproquement, caractérisé en ce que le réseau d'éléments photoconducteurs a un maillage qui suréchantillonne le maillage du réseau de
réflecteurs élémentaires.
2 Antenne selon la revendication 1, caractérisée en ce que le réseau d'éléments photoconducteurs a un maillage qui suréchantillonne le maillage du réseau de réflecteurs élémentaires avec un taux de suréchantillonnage égal à quatre, chaque réflecteur élémentaire renfermant un dallage de seize
éléments photoconducteurs.
3 Antenne selon la revendication 1, caractérisé en ce que les éléments photoconducteurs appartenant à un réflecteur élémentaire sont éclairés de manière sélective de manière à former des configurations d'éléments conducteurs et
électriquement isolants invariantes dans des rotations de Â/2.
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Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9400863A (nl) * | 1994-05-26 | 1996-01-02 | Hollandse Signaalapparaten Bv | Instelbare microgolfantenne. |
| DE69523976T2 (de) * | 1994-04-29 | 2002-05-29 | Thales Nederland Bv | Mikrowellenantenne mit einstellbarer Strahlungscharakteristik |
| FR2763746B1 (fr) | 1997-05-23 | 1999-07-30 | Thomson Csf | Procede et dispositif pour connecter deux elements millimetriques |
| FR2769130B1 (fr) | 1997-09-30 | 2001-06-08 | Thomson Csf | Procede d'enrobage d'une puce electronique et carte electronique comportant au moins une puce enrobee selon ce procede |
| US6091371A (en) * | 1997-10-03 | 2000-07-18 | Motorola, Inc. | Electronic scanning reflector antenna and method for using same |
| US6232931B1 (en) | 1999-02-19 | 2001-05-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Opto-electronically controlled frequency selective surface |
| US6597327B2 (en) * | 2000-09-15 | 2003-07-22 | Sarnoff Corporation | Reconfigurable adaptive wideband antenna |
| US6621459B2 (en) | 2001-02-02 | 2003-09-16 | Raytheon Company | Plasma controlled antenna |
| GB0323123D0 (en) * | 2003-10-03 | 2003-11-05 | Roke Manor Research | Electronically steerable fresnel zone antenna |
| GB0706301D0 (en) * | 2007-03-30 | 2007-05-09 | E2V Tech Uk Ltd | Reflective means |
| US8044866B2 (en) * | 2007-11-06 | 2011-10-25 | The Boeing Company | Optically reconfigurable radio frequency antennas |
| US9595757B2 (en) * | 2013-12-24 | 2017-03-14 | The Boeing Company | Integral RF-optical phased array module |
| US9966647B1 (en) * | 2016-06-20 | 2018-05-08 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Optically defined antenna |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63269807A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光制御アンテナ装置 |
| GB2225122A (en) * | 1988-11-09 | 1990-05-23 | Emi Plc Thorn | An apparatus for producing a phase shift in a beam of electromagnetic radiation |
| US5014069A (en) * | 1989-09-15 | 1991-05-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Photoconductive antenna modulator |
| EP0442562A1 (fr) * | 1990-02-16 | 1991-08-21 | Hollandse Signaalapparaten B.V. | Système d'antenne à largeur de faisceau et à orientation ajustables |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2264434B1 (fr) * | 1974-03-12 | 1976-07-16 | Thomson Csf | |
| FR2346897A1 (fr) * | 1975-01-22 | 1977-10-28 | Thomson Csf | Circuit millimetrique hyperfrequence |
| FR2346854A1 (fr) * | 1975-10-02 | 1977-10-28 | Thomson Csf | Circuit integre comportant une source d'ondes millimetriques, et procede de fabrication dudit circuit |
| FR2351503A1 (fr) * | 1976-05-11 | 1977-12-09 | Thomson Csf | Procede de realisation d'un circuit pour ondes millimetriques comportant une diode semi-conductrice et un autre composant semi-conducteur, et dispositifs realises par ledit procede |
| FR2368151A1 (fr) * | 1976-10-15 | 1978-05-12 | Thomson Csf | Source d'ondes millimetriques a l'etat solide comportant un aerien directif integre |
| FR2421478A2 (fr) * | 1978-03-31 | 1979-10-26 | Thomson Csf | Source d'ondes millimetriques a l'etat solide comportant un aerien directif |
| FR2423088A1 (fr) * | 1978-04-14 | 1979-11-09 | Thomson Csf | Source d'ondes millimetriques comportant un module oscillateur et un module d'accord a capacite variable, et emetteur comportant une telle source |
| FR2452201A1 (fr) * | 1979-03-23 | 1980-10-17 | Thomson Csf | Melangeur symetrique pour ondes millimetriques et recepteur utilisant un tel melangeur |
| FR2458819A1 (fr) * | 1979-06-12 | 1981-01-02 | Thomson Csf | Tete hyperfrequence d'emission et de reception simultanees, emetteur-recepteur en ondes millimetriques et radar utilisant une telle tete |
| US4479131A (en) * | 1980-09-25 | 1984-10-23 | Hughes Aircraft Company | Thermal protective shield for antenna reflectors |
| FR2628893B1 (fr) * | 1988-03-18 | 1990-03-23 | Thomson Csf | Interrupteur hyperfrequence |
-
1991
- 1991-06-18 FR FR9107422A patent/FR2678112B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-05-21 DE DE69203044T patent/DE69203044T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-21 EP EP92401383A patent/EP0519772B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-12 US US07/897,776 patent/US5262796A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63269807A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光制御アンテナ装置 |
| GB2225122A (en) * | 1988-11-09 | 1990-05-23 | Emi Plc Thorn | An apparatus for producing a phase shift in a beam of electromagnetic radiation |
| US5014069A (en) * | 1989-09-15 | 1991-05-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Photoconductive antenna modulator |
| EP0442562A1 (fr) * | 1990-02-16 | 1991-08-21 | Hollandse Signaalapparaten B.V. | Système d'antenne à largeur de faisceau et à orientation ajustables |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 13, no. 97 (E-723)(3445) 7 Mars 1989 & JP-A-63 269 807 ( MITSUBISHI ) * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5262796A (en) | 1993-11-16 |
| DE69203044T2 (de) | 1995-11-02 |
| FR2678112B1 (fr) | 1993-12-03 |
| EP0519772B1 (fr) | 1995-06-21 |
| DE69203044D1 (de) | 1995-07-27 |
| EP0519772A1 (fr) | 1992-12-23 |
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