FR2670012A1 - METHOD FOR MAKING A GAS DETECTOR - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un procédé pour réaliser un détecteur de gaz dans lequel on dépose sur un substrat porteur électriquement isolant deux électrodes et une couche sensible au gaz reliant les deux électrodes, puis on ajoute un catalyseur. Malgré la simplicité de sa fabrication, un détecteur de gaz de ce type doit pouvoir détecter un gaz prédéterminé à la température ambiante. En ce qui concerne le catalyseur, on ajoute un sel métallique de la couche (4) sensible au gaz dissous dans de l'eau ou dans un alcool et on chauffe le détecteur (1) jusqu'à une température située au-dessous du point d'ébullition du sel métallique.The invention relates to a method for producing a gas detector in which two electrodes and a gas-sensitive layer connecting the two electrodes are deposited on an electrically insulating carrier substrate, then a catalyst is added. Despite the simplicity of its manufacture, a gas detector of this type must be able to detect a predetermined gas at room temperature. As regards the catalyst, a metal salt of the layer (4) sensitive to the gas dissolved in water or in an alcohol is added and the detector (1) is heated to a temperature below the point boiling metal salt.
Description
Procédé pour réaliser un détecteur de gaz L'invention concerne un procédéThe invention relates to a method for producing a gas detector.
pour réaliser un détecteur de gaz dans lequel deux électrodes et une couche sensible au gaz qui relie les deux électrodes sont déposées sur un substrat porteur for producing a gas detector in which two electrodes and a gas-sensitive layer which connects the two electrodes are deposited on a carrier substrate
électriquement isolant et auquel est ajouté un catalyseur. electrically insulating and to which a catalyst is added.
Un procédé de ce type est connu par le document DE 34 22 823 A. Trois électrodes sont dans ce cas montées sur le substrat porteur à l'aide d'une technique à film épais, deux des électrodes servant d'électrodes de mesure et une électrode au chauffage du détecteur La couche sensible au gaz est disposée entre les électrodes et est A method of this type is known from DE 34 22 823 A. Three electrodes are in this case mounted on the carrier substrate using a thick film technique, two of the electrodes serving as measuring electrodes and a detector heating electrode The gas sensitive layer is disposed between the electrodes and is
constituée en oxyde de zinc ou en oxyde de zinc dopé à l'aluminium. consisting of zinc oxide or zinc oxide doped with aluminum.
Sur la couche sensible au gaz est appliqué un film par métallisation sous vide qui est utilisé comme catalyseur Ce film est constitué en platine ou autres métaux actifs Ce détecteur de gaz réagit en particulier à l'acide sulfhydrique, sa conductivité électrique augmentant à mesure qu'augmente la concentration du gaz Le détecteur de gaz est excité typiquement à la température de 2800 C. Le document US 4 197 089 décrit un détecteur de gaz dans lequel trois électrodes sont déposées sur un substrat porteur en céramique, une électrode servant d'électrode de mesure, la seconde électrode d'électrode de chauffage et la troisième électrode d'électrode de masse commune La couche sensible au gaz entre les électrodes est constituée dans ce cas par un film de trioxyde de tungstène On réalise une solution de trioxyde de tungstène qui est déposée en goutte à goutte entre les électrodes Ensuite a lieu un chauffage pendant une durée de quinze minutes à une température de 6000 C Pour rendre le détecteur de gaz sensible à l'ammoniac, on commence par déposer une goutte d'acide platinique entre les électrodes de manière que se forme du platine métallique On applique ensuite la couche de trioxyde de tungstène Ce détecteur exige une température de travail comprise entre 150 et 300 C. Le document EP 141 033 A décrit un procédé pour réaliser des matériaux pour un détecteur de gaz, un oxyde métallique comprenant un sel métallique agissant en tant que catalyseur, par exemple de l'acide platinique, étant mélangé dans une solution La solution est ensuite soumise à un rayonnement UV Le matériau ainsi traité est chauffé lentement à la température d'environ 3000 C Après refroidissement et sectionnement aux dimensions, on ajoute les électrodes En fonction de l'oxyde métallique choisi et du sel métallique choisi, on obtient des détecteurs de gaz présentant des sensibilités déterminées vis-à-vis des types de gaz choisis Ces détecteurs de gaz peuvent également fonctionner à la température ambiante Cependant, leur fabrication est On the gas-sensitive layer is applied a film by vacuum metallization which is used as a catalyst. This film is made of platinum or other active metals. This gas detector reacts in particular with hydrogen sulfide, its electrical conductivity increasing as increases gas concentration The gas detector is typically excited at a temperature of 2800 C. US 4 197 089 discloses a gas detector in which three electrodes are deposited on a ceramic carrier substrate, an electrode serving as a The gas-sensitive layer between the electrodes is constituted in this case by a film of tungsten trioxide. A tungsten trioxide solution is produced. deposited dropwise between the electrodes Then takes place a heating for a period of fifteen minutes at a temperature of at 6000 C To make the gas detector sensitive to ammonia, it starts by depositing a drop of platinum acid between the electrodes so that the platinum metal is formed Then applies the layer of tungsten trioxide This detector requires a working temperature of between 150 and 300 C. EP 141 033 A discloses a process for producing materials for a gas detector, a metal oxide comprising a metal salt acting as a catalyst, for example platinic acid, The solution is then heated slowly to a temperature of about 3000 C. After cooling and cutting to size, the electrodes are added depending on the metal oxide selected and the selected metal salt, gas detectors having specific sensitivities with respect to the types of gas chosen are obtained. gas detectors can also operate at room temperature however, their manufacture is
relativement coûteuse.relatively expensive.
L'invention a pour but de proposer un procédé économique pour réaliser un détecteur de gaz qui fonctionne à la température ambiante The object of the invention is to propose an economical method for producing a gas detector that operates at room temperature
et surtout qui est réagit à un gaz prédéterminé. and especially that is reacts to a predetermined gas.
Avec un procédé du type décrit dans le préambule, ce but est atteint du fait que l'on ajoute en tant que catalyseur un sel métallique de la couche sensible au gaz dissous dans de l'eau ou dans un alcool, et on chauffe le détecteur jusqu'à une température située With a process of the type described in the preamble, this object is achieved by adding as a catalyst a metal salt of the gas-sensitive layer dissolved in water or an alcohol, and heating the detector up to a temperature
au-dessous du point d'ébullition du sel métallique. below the boiling point of the metal salt.
Il s'est avéré que grâce à la limitation de la température à une plage située au-dessous de la température d'ébullition du sel métallique, on peut réaliser une couche de catalyseur particulièrement sensible, qui permet au détecteur de gaz de fonctionner déjà à la température ambiante Le procédé de fabrication est relativement simple car on peut travailler à des températures relativement basses lors de l'application du catalyseur Le métal ne se détache pas En It has been found that by limiting the temperature to a range below the boiling point of the metal salt, a particularly sensitive catalyst layer can be produced, which allows the gas detector to operate already at the ambient temperature The manufacturing process is relatively simple because it is possible to work at relatively low temperatures during the application of the catalyst. The metal does not come off.
outre, le sel métallique sert de catalyseur. in addition, the metal salt serves as a catalyst.
Selon un mode de réalisation préféré, le détecteur de gaz est séché à une température située au-dessous du point d'ébullition Le chauffage à cette température dure jusqu'à ce que la teneur en humidité du détecteur, en particulier de la couche de catalyseur ou de According to a preferred embodiment, the gas detector is dried at a temperature below the boiling point. Heating at this temperature lasts until the moisture content of the detector, in particular of the catalyst layer. or
la couche sensible au gaz, soit tombée à un pourcentage déterminé. the gas-sensitive layer has fallen to a certain percentage.
Il est également préférable que la catalyseur soit déposé sur la surface de la couche sensible au gaz La capacité de réaction vis-à- vis du gaz à détecter est dans ce cas à son maximum En outre, les It is also preferable that the catalyst is deposited on the surface of the gas-sensitive layer. The reaction capacity with respect to the gas to be detected is in this case at its maximum.
problèmes de fabrication sont réduits au minimum. Manufacturing problems are minimized.
Avantageusement, la couche sensible au gaz et/ou les électrodes sont munies d'évidements On a ainsi la possibilité de régler la valeur de résistance du détecteur de gaz sur une valeur déterminée Le détecteur de gaz peut ainsi être adapté à la sensibilité de Advantageously, the gas-sensitive layer and / or the electrodes are provided with recesses. It is thus possible to adjust the resistance value of the gas detector to a predetermined value. The gas detector can thus be adapted to the sensitivity of the gas detector.
dispositifs d'évaluation.evaluation devices.
Il est préférable de réaliser les évidements à l'aide d'un rayon laser Grâce au rayon laser, on peut réaliser des structures très fines, ce qui permet de régler la valeur de résistance avec une grande précision. Il est avantageux que la couche sensible au gaz présente grâce aux évidements une forme en méandres On peut ainsi obtenir une résistance électrique relativement élevée Les modifications de la résistance qui sont déterminées par le gaz à détecter sont ainsi It is preferable to make the recesses with the help of a laser beam Thanks to the laser beam, very fine structures can be produced, which makes it possible to adjust the resistance value with great precision. It is advantageous for the gas-sensitive layer to have a meandering shape due to the recesses. It is thus possible to obtain a relatively high electrical resistance. The changes in resistance determined by the gas to be detected are thus
importantes et peuvent être facilement détectées. important and can be easily detected.
De préférence, les évidements sont réalisés avant l'application de la couche de catalyseur On est ainsi assuré que la couche de Preferably, the recesses are made before the application of the catalyst layer. It is thus ensured that the
catalyseur n'est pas chauffée au-delà de la température demandée. catalyst is not heated beyond the required temperature.
De préférence, les deux électrodes sont appliquées au moyen d'une technique à film épais ou mince après avoir nettoyé le substrat porteur Grâce à une technique à film épais ou mince, on peut réaliser des structures très précises De plus, on peut limiter de façon relativement précise la dilatation dans l'espace des électrodes Ceci est particulièrement avantageux quand on utilise pour les électrodes Preferably, the two electrodes are applied by means of a thick or thin film technique after having cleaned the carrier substrate. Thanks to a thick or thin film technique, it is possible to produce very precise structures. Moreover, it is possible to limit relatively accurate expansion of the electrode space This is particularly advantageous when using for the electrodes
des matériaux de valeur tel que de l'or. valuable materials such as gold.
Il est également avantageux que la couche sensible au gaz soit appliquée par métallisation sous vide Grâce à un procédé de ce type, on peut régler avec une grande précision l'épaisseur de la couche sensible au gaz On peut ainsi reproduire les détecteurs de gaz avec It is also advantageous for the gas-sensitive layer to be applied by vacuum metallization. Thanks to a process of this type, the thickness of the gas-sensitive layer can be adjusted with great precision. It is thus possible to reproduce the gas detectors with
une grande précision.great precision.
Avantageusement, la couche sensible au gaz est constitué par une couche de zinc qui s'oxyde à une température située dans la plage de 400 Q à 5000 C, et notamment dans la plage de 4400 à 4600 C Il est facile d'appliquer le zinc sous forme d'une couche On peut obtenir l'oxydation par chauffage à une température située dans la plage mentionnée, et par exemple à 4500 C On obtient ainsi une couche d'oxyde de zinc (Sn Ox) qui s'est avérée extrêmement bonne pour être utilisée pour la détection de gaz par modification de la conductivité Advantageously, the gas-sensitive layer consists of a layer of zinc which oxidizes at a temperature in the range of 400 Ω to 5000,, and especially in the range of 4400 to 4600 Il It is easy to apply zinc In the form of a layer, the oxidation can be obtained by heating at a temperature in the range mentioned, and for example at 4500 C. This gives a zinc oxide (Sn Ox) layer which has proved to be extremely good. to be used for gas detection by conductivity modification
électrique.electric.
Il est avantageux que l'on utilise en tant que catalyseur de l'acide platinique en solution aqueuse (H 2 Pt Cl 6 ( 6 H 20)) Dans ce cas, It is advantageous that platinic acid in aqueous solution (H 2 Pt Cl 6 (6H 2 O)) is used as the catalyst. In this case,
le capteur est particulièrement sensible à l'ammoniac. the sensor is particularly sensitive to ammonia.
Il est alors avantageux que le capteur soit séché à une température située dans la plage de 700 C à 1150 C, et notamment dans la plage de 1050 à 1150 C pendant plusieurs heures, et en particulier pendant une durée de 20 à 28 heures Ces températures permettent un séchage particulièrement soigneux Le catalyseur peut alors déployer It is then advantageous for the sensor to be dried at a temperature in the range of 700 ° C. to 1150 ° C., and especially in the range of 1050 ° to 1150 ° C. for several hours, and in particular for a period of 20 to 28 hours. allow a particularly careful drying The catalyst can then deploy
son effet avantageux vis-à-vis de l'ammoniac. its advantageous effect vis-à-vis the ammonia.
L'invention va maintenant être décrite dans ce qui suit à l'aide d'un mode de réalisation préféré, en référence aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1 représente un détecteur de gaz, et la figure 2 est une vue en coupe transversale du détecteur de The invention will now be described in the following with the aid of a preferred embodiment, with reference to the accompanying drawings, in which: FIG. 1 represents a gas detector, and FIG. 2 is a cross-sectional view. of the detector
gaz, à plus grande échelle.gas, on a larger scale.
Un détecteur de gaz 1 comprend un substrat porteur 2 pouvant être constitué par exemple par un substrat en céramique (A 1203) ou par un substrat en Si avec un isolateur (nitrure ou oxyde) Sur le substrat sont prévues deux électrodes 3 Entre les électrodes 3 est déposé par métallisation sous vide une couche 4 sensible au gaz Elle est constituée en oxyde de zinc (Sn Ox) Sur la couche 4 sensible au gaz est disposé un catalyseur 5 La couche 4 sensible au gaz est munie d'évidements 6 qui isolent électriquement les unes des autres des sections voisines de la couche 4 sensible au gaz, ce qui fait que cette dernière présente une forme en méandres De manière analogue, les électrodes 3 peuvent être également munies d'évidements, qui ne A gas detector 1 comprises a carrier substrate 2 which may be constituted for example by a ceramic substrate (A 1203) or by an Si substrate with an insulator (nitride or oxide). On the substrate there are two electrodes 3 between the electrodes 3 is deposited by vacuum metallization a layer 4 sensitive to gas It consists of zinc oxide (Sn Ox) On the gas-sensitive layer 4 is disposed a catalyst 5 The gas-sensitive layer 4 is provided with recesses 6 which electrically isolate each of the adjacent sections of the gas-sensitive layer 4, so that the latter has a meandering shape. Similarly, the electrodes 3 may also be provided with recesses, which
sont pas représentés.are not represented.
Pour la fabrication, on commence par nettoyer le substrat 2. For manufacturing, we first clean the substrate 2.
Ensuite, deux électrodes 3 constituées en un métal inerte tel que du platine ou de l'or sont appliquées au moyen d'une technique à film épais ou mince, ceci signifiant qu'elles sont appliquées par pression et ensuite cuites à environ 8500 C Après un nouveau nettoyage et un nouveau séchage, le substrat 2 qui est muni des électrodes 3 est placé dans une installation sous vide La couche 4 sensible au gaz y est 1 O déposée par métallisation sous vide, par exemple par une technique à film mince (métallisation réactive) La couche sensible au gaz comporte une liaison électrique avec les deux électrodes La couche sensible au gaz est constituée dans ce cas en zinc (Sn) d'une épaisseur d'environ 100 nn Après application de la couche sensible au gaz, l'ensemble de l'agencement est chauffé à environ 4500 C, la couche Then, two electrodes 3 made of an inert metal such as platinum or gold are applied using a thick or thin film technique, this means that they are applied by pressure and then fired at about 8500 C. Afterwards a new cleaning and a new drying, the substrate 2 which is provided with the electrodes 3 is placed in a vacuum installation The gas-sensitive layer 4 is deposited therein by vacuum metallization, for example by a thin-film technique (metallization reactive) The gas-sensitive layer has an electrical connection with the two electrodes The gas-sensitive layer consists in this case of zinc (Sn) with a thickness of about 100 nn After application of the gas-sensitive layer, the set of the arrangement is heated to about 4500 C, the layer
de Sn étant alors transformée en une couche d'oxyde de zinc (Sn Ox). Sn is then transformed into a layer of zinc oxide (Sn Ox).
Puis on découpe à l'aide d'un rayon laser les évidements 6 dans la Then, with the aid of a laser beam, the recesses 6 in the
couche sensible au gaz.gas sensitive layer.
On dépose sur la couche sensible au gaz une solution de catalyseur ou d'un mélange de catalyseur qui forme par la suite la couche 5 La sensibilité vis-à-vis d'un type de gaz déterminé est ainsi renforcée Dans le cas présent, l'acide platinique est utilisé dans une solution aqueuse (H 2 Pt CI 6 ( 6 H 20)) et on sèche le détecteur de gaz pendant environ 24 heures à la température de 1150 C Cette température est située au-dessous du point d'ébullition de l'acide A solution of catalyst or a catalyst mixture which subsequently forms the layer 5 is deposited on the gas-sensitive layer. The sensitivity towards a specific type of gas is thus enhanced. In this case, Platinic acid is used in an aqueous solution (H 2 Pt Cl 6 (6 H 20)) and the gas detector is dried for about 24 hours at a temperature of 1150 C. This temperature is below the boiling point acid
platinique Un détecteur de ce type est particulièrement sélectif vis- platinum A detector of this type is particularly selective
à-vis de l'ammoniac La résistance électrique entre les deux électrodes 3 augmente à mesure qu'augmente la concentration de l'ammoniac. With respect to ammonia, the electrical resistance between the two electrodes 3 increases as the concentration of the ammonia increases.
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GB (1) | GB2250823A (en) |
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SE (1) | SE9103017L (en) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4197089A (en) * | 1975-12-22 | 1980-04-08 | Ambac Industries, Incorporated | Reducing gas sensor |
US4259292A (en) * | 1977-01-31 | 1981-03-31 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Gas detecting element |
GB2142147A (en) * | 1983-06-24 | 1985-01-09 | Standard Telephones Cables Ltd | Gas sensor |
EP0141033A2 (en) * | 1983-08-30 | 1985-05-15 | Cerberus Ag | Method of manufacturing materials for gas sensors |
JPS61110045A (en) * | 1984-11-02 | 1986-05-28 | Omron Tateisi Electronics Co | Thick film type sensor |
EP0238081A1 (en) * | 1986-03-19 | 1987-09-23 | NGK Spark Plug Co. Ltd. | Thick-film gas-sensitive element |
EP0280540A2 (en) * | 1987-02-24 | 1988-08-31 | American Intell-Sensors Corporation | Method and apparatus for simultaneous detection of target gases in ambient air |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1116943A (en) * | 1964-08-21 | 1968-06-12 | Johnson Matthey Co Ltd | Improvements in and relating to catalytic reactions and a catalyst for use therein |
GB1345067A (en) * | 1970-12-17 | 1974-01-30 | ||
JPS5118262A (en) * | 1974-08-06 | 1976-02-13 | Japan Gasoline | Haigasuchuno chitsusosankabutsuno jokyohoho |
GB2234074A (en) * | 1989-07-22 | 1991-01-23 | Atomic Energy Authority Uk | Gas sensor |
-
1990
- 1990-11-30 DE DE19904038140 patent/DE4038140A1/en active Granted
-
1991
- 1991-10-09 CA CA 2053049 patent/CA2053049A1/en not_active Abandoned
- 1991-10-16 SE SE9103017A patent/SE9103017L/en not_active Application Discontinuation
- 1991-11-11 NL NL9101879A patent/NL9101879A/en not_active Application Discontinuation
- 1991-11-18 JP JP30214591A patent/JPH04269649A/en active Pending
- 1991-11-21 DK DK190091A patent/DK190091A/en not_active Application Discontinuation
- 1991-11-28 GB GB9125334A patent/GB2250823A/en not_active Withdrawn
- 1991-11-29 FR FR9114823A patent/FR2670012A1/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4197089A (en) * | 1975-12-22 | 1980-04-08 | Ambac Industries, Incorporated | Reducing gas sensor |
US4259292A (en) * | 1977-01-31 | 1981-03-31 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Gas detecting element |
GB2142147A (en) * | 1983-06-24 | 1985-01-09 | Standard Telephones Cables Ltd | Gas sensor |
EP0141033A2 (en) * | 1983-08-30 | 1985-05-15 | Cerberus Ag | Method of manufacturing materials for gas sensors |
JPS61110045A (en) * | 1984-11-02 | 1986-05-28 | Omron Tateisi Electronics Co | Thick film type sensor |
EP0238081A1 (en) * | 1986-03-19 | 1987-09-23 | NGK Spark Plug Co. Ltd. | Thick-film gas-sensitive element |
EP0280540A2 (en) * | 1987-02-24 | 1988-08-31 | American Intell-Sensors Corporation | Method and apparatus for simultaneous detection of target gases in ambient air |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 10, no. 290 (P-503)(2346) 2 Octobre 1986 & JP-A-61 110 045 ( OMRON TATEISI ELECTRONICS CO ) 28 Mai 1986 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4038140A1 (en) | 1992-06-04 |
GB2250823A (en) | 1992-06-17 |
DK190091D0 (en) | 1991-11-21 |
NL9101879A (en) | 1992-06-16 |
SE9103017D0 (en) | 1991-10-16 |
CA2053049A1 (en) | 1992-05-31 |
DK190091A (en) | 1992-05-31 |
GB9125334D0 (en) | 1992-01-29 |
DE4038140C2 (en) | 1993-05-27 |
SE9103017L (en) | 1992-05-31 |
JPH04269649A (en) | 1992-09-25 |
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