FR2618013A1

FR2618013A1 - METHOD FOR TRANSFERRING BLOCH LINES AND BLOCH LINE MEMORY

Info

Publication number: FR2618013A1
Application number: FR8809082A
Authority: FR
Inventors: Fumihiko Saito; Takeo Ono; Hitoshi Oda; Akira Shinmi
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-07-06
Filing date: 1988-07-05
Publication date: 1989-01-13
Also published as: DE3822737A1; JPS6413286A; FR2618013B1; GB2208143B; GB2208143A; GB8815505D0

Abstract

L'invention concerne un procédé de transfert de lignes de Bloch et une mémoire à lignes de Bloch. Le procédé consiste à distribuer, sur le film mince magnétique 4, une structure de couche 12 en matière magnétique douce prédéterminée qui est magnétisée parallèlement à la surface du film 4 pour qu'un puits de potentiel soit formé dans ce dernier, à positionner les lignes de Bloch dans le puits de potentiel et à faire varier la direction de la magnétisation de la couche 12 dans un plan parallèle à la surface du film afin de déplacer le puits de potentiel le long de la paroi magnétique 4 et de transférer ainsi les lignes de Bloch. Domaine d'application : mémoires à bulles magnétiques.A method for transferring Bloch lines and a Bloch line memory are provided. The method consists in distributing, on the magnetic thin film 4, a layer structure 12 of predetermined soft magnetic material which is magnetized parallel to the surface of the film 4 so that a potential well is formed in the latter, in positioning the lines of Bloch in the potential well and to vary the direction of the magnetization of the layer 12 in a plane parallel to the surface of the film in order to move the potential well along the magnetic wall 4 and thus transfer the lines of Bloch. Field of application: magnetic bubble memories.

Description

L'invention concerne un procédé pour transférer des lignes de BlochThe invention relates to a method for transferring Bloch lines

présentes dans la paroi magnétique d'une section magnétique formée dans un film mince present in the magnetic wall of a magnetic section formed in a thin film

magnétique le long de la paroi magnétique. magnetic along the magnetic wall.

De nos jours, divers dispositifs à mémoire tels que des bandes magnétiques, des disques Winchester, des disques souples, des disques optiques, des disques magnéto-optiques et des mémoires à bulles magnétiques sont utilisés en tant que mémoires, telles que des mémoires extérieures pour ordinateurs, des mémoires pour fichiers Nowadays, various memory devices such as magnetic tapes, Winchester disks, floppies, optical disks, magneto-optical disks and magnetic bubble memories are used as memories, such as external memories for computers, file memories

électroniques et des mémoires pour fichiers photogra- electronic devices and memories for photographic files

phiques. Parmi ces dispositifs à mémoire, les mémoires autres que les mémoires à bulles magnétiques nécessitent de déplacer la tête d'enregistrement-reproduction par rapport à la mémoire pendant l'enregistrement et la reproduction d'une information. Autrement dit, avec ce mouvement relatif de la tête, des rangées d'informations sont enregistrées fixement sur des pistes d'informations par la tête, ou bien les rangées d'informations enregistrées fixement sur les cal. Among these memory devices, memories other than magnetic bubble memories need to move the recording-reproduction head relative to the memory during the recording and reproduction of information. In other words, with this relative movement of the head, rows of information are fixedly recorded on tracks of information by the head, or the rows of information recorded fixed on the

pistes d'informations sont reproduites par la tête. tracks of information are reproduced by the head.

Cependant, étant donné qu'au cours des However, since in the course of

dernières années il a été de plus en plus demandé d'aug- In recent years it has been increasingly asked to increase

menter le degré de densité d'enregistrement, divers problèmes sont apparus, à savoir que la commande du suivi ou du centrage pour amener la tête à suivre avec précision les pistes d'informations est devenue compliquée, la qualité des signaux enregistrés et reproduits s'est détériorée du fait de l'insuffisance de cette commande, la qualité des signaux enregistrés et reproduits s'est détériorée sous l'effet des vibrations du mécanisme déplaçant la tête ou de la poussière ou autre, adhérant à la surface de la mémoire et, en outre, dans le cas d'une mémoire dans laquelle l'enregistrement et la reproduction sont effectués alors que la tête est en contact avec une bande magnétique ou analogue, une abrasion a été provoquée par le glissement et, dans le cas d'une mémoire telle qu'un disque optique, dans laquelle l'enregistrement et la reproduction sont effectués alors que la tête n'est pas en contact avec le disque, une commande de focalisation hautement précise est devenue nécessaire, et la qualité des signaux enregistrés et reproduits s'est détériorée du fait the degree of recording density, various problems have arisen, namely that the control of tracking or centering to cause the head to accurately follow the information tracks has become complicated, the quality of the signals recorded and reproduced is deteriorated due to the insufficiency of this command, the quality of the recorded and reproduced signals has deteriorated under the effect of the vibrations of the mechanism moving the head or dust or other, adhering to the surface of the memory and, furthermore, in the case of a memory in which recording and reproduction are performed while the head is in contact with a magnetic tape or the like, abrasion has been caused by slippage and, in the case of memory such as an optical disk, in which recording and reproduction are performed while the head is not in contact with the disk, a highly focused focusing control cise has become necessary, and the quality of recorded and reproduced signals is deteriorated due

de l'insuffisance de cette commande. the insufficiency of this order.

Par ailleurs, la mémoire à bulles magnétiques, telle que décrite dans la demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique n 801 401, peut effectuer l'enregistrement d'une information dans une position prédéterminée et transférer l'information enregistrée, et peut reproduire Furthermore, the magnetic bubble memory, as described in United States Patent Application No. 801,401, can perform the recording of information in a predetermined position and transfer the recorded information, and can reproduce

l'information en une position prédéterminée tout en trans- information in a predetermined position while transmitting

férant l'information, et elle n'exige donc pas le mouvement the information, and it does not require the movement

relatif de la tête pendant l'enregistrement et la reproduc- of the head during recording and reproduc-

tion. Les problèmes tels qu'indiqués ci-dessus ne se posent donc pas, même lorsque l'on effectue l'enregistrement à un degré de densité plus élevé, et on peut parvenir à une tion. Problems as indicated above do not arise, even when recording at a higher density, and can be

fiabilité élevée.high reliability.

Cependant, la mémoire.à bulles magnétiques However, magnetic bubble memory

utilise, comme bits d'informations, des sections magné- uses, as information bits, magnetic sections

tiques circulaires (bulles) engendrées par l'application d'un champ magnétique à un film mince magnétique tel qu'un film de grenat magnétique ayant un axe naturel magnétisable dans une direction perpendiculaire à la surface du film et, par conséquent, même si l'on utilise une bulle minimale (diamètre de 0,3 pm) limitée par les caractéristiques de la matière du film de grenat actuel, la limite de la densité d'enregistrement est de plusieurs dizaines de M bits/cm2 et il est difficile de parvenir à un degré plus élevé de circular ticks (bubbles) generated by the application of a magnetic field to a magnetic thin film such as a magnetic garnet film having a magnetizable natural axis in a direction perpendicular to the surface of the film and, therefore, even if a minimum bubble (diameter of 0.3 μm) limited by the characteristics of the material of the current garnet film is used, the limit of the recording density is several tens of M bits / cm 2 and it is difficult to reach to a higher degree of

densité d'enregistrement.recording density.

Aussi, récemment, on a pris en considération une mémoire à lignes de Bloch, en tant que mémoire ayant une densité d'enregistrement dépassant la limite de la densité d'enregistrement de la mémoire à bulles magnétiques décrite précédemment. Cette mémoire à lignes de Bloch, telle que décrite dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4 583 200, utilise, en tant que bits d'informations, deux structures de parois magnétiques en lames (lignes de Also, recently, a Bloch line memory has been considered as a memory having a recording density exceeding the limit of the recording density of the magnetic bubble memory described above. This Bloch line memory, as described in US Pat. No. 4,583,200, uses as information bits two magnetic wall structures in strips

Bloch) interposées entre des structures de parois magné- Bloch) interposed between magnetic wall structures

tiques de Bloch existant autour d'une section magnétique engendrée dans un film mince magnétique, et elle permet donc d'élever d'un facteur d'environ 100 la densité d'enregistrement en comparaison avec la mémoire à bulles magnétiques décrite précédemment. Par exemple, lorsque l'on utilise un film de grenat d'un diamètre de bulles de 0,5 Hm, on peut atteindre une densité d'enregistrement de 1,6 G bits/cm2. Bloch ticks exist around a magnetic section generated in a magnetic thin film, and thus allows to increase by a factor of about 100 the recording density in comparison with the magnetic bubble memory described above. For example, when a garnet film with a bubble diameter of 0.5 Hm is used, a recording density of 1.6 Gbits / cm 2 can be achieved.

La figure 1 des dessins annexés et décrits ci- Figure 1 of the accompanying drawings and described above.

après montre une vue schématique en perspective d'un after shows a schematic perspective view of a

exemple de la structure de la matière magnétique cons- example of the structure of the magnetic matter con-

tituant une mémoire à lignes de Bloch. storing a Bloch line memory.

Sur la figure 1, la référence numérique 2 désigne un substrat formé d'un grenat non magnétique tel que GGG ou NdGG, et un film mince 4 de grenat magnétique - est appliqué sur le substrat 2. Le film 4 peut être formé, par exemple par un procédé de croissance épitaxiale en phase liquide (procédé LPE), et son épaisseur est de l'ordre de 5 pm. La référence numérique 6 désigne une section magnétique analogue à une bande formée dans le film mince 4 de grenat magnétique, et une paroi magnétique 8 est formée en tant que limite avec l'autre zone de la section magnétique 6. La largeur de la section magnétique 6 analogue à une bande est, par exemple, de l'ordre de 5 pm, et sa longueur est, par exemple, de l'ordre de 100 pm. L'épaisseur de la paroi magnétique 8 est de l'ordre de 0,5 pm, par exemple. Comme indiqué par des flèches, le sens de magnétisation de la section magnétique 6 est orienté vers le haut tandis que, par contre, le sens de magnétisation à l'extérieur de la section magnétique 6 est orienté vers le bas. Le sens de magnétisation dans la paroi magnétique 8 tourne comme s'il passait progressivement du côté de la surface intérieure (c'est-à-dire la surface adjacente à la section magnétique 6) vers le côté de la surface extérieure. Cette rotation est de sens contraire sur les -côtés opposés de la paroi magnétique 8, des lignes de Bloch étant présentes verticalement dans la paroi magnétique 8 en tant que limite. Sur la figure 1, le sens de magnétisation de la partie centrale dans la direction de l'épaisseur de la paroi magnétique 8 est indiqué par des flèches, et le sens de magnétisation dans les lignes de In FIG. 1, the reference numeral 2 denotes a substrate formed of a non-magnetic garnet such as GGG or NdGG, and a thin film 4 of magnetic garnet - is applied to the substrate 2. The film 4 can be formed, for example by an epitaxial growth process in the liquid phase (LPE process), and its thickness is of the order of 5 μm. Reference numeral 6 denotes a strip-like magnetic section formed in the magnetic garnet thin film 4, and a magnetic wall 8 is formed as a boundary with the other zone of the magnetic section 6. The width of the magnetic section 6 is, for example, of the order of 5 μm, and its length is, for example, of the order of 100 μm. The thickness of the magnetic wall 8 is of the order of 0.5 μm, for example. As indicated by arrows, the magnetization direction of the magnetic section 6 is upwardly oriented whereas, on the other hand, the direction of magnetization outside the magnetic section 6 is oriented downwards. The direction of magnetization in the magnetic wall 8 rotates as it progressively passes on the side of the inner surface (i.e., the surface adjacent the magnetic section 6) towards the side of the outer surface. This rotation is in the opposite direction on the opposite sides of the magnetic wall 8, Bloch lines being present vertically in the magnetic wall 8 as a limit. In FIG. 1, the direction of magnetization of the central part in the direction of the thickness of the magnetic wall 8 is indicated by arrows, and the direction of magnetization in the lines of

Bloch 10 est indiqué de la même manière. Bloch 10 is indicated in the same way.

Un champ magnétique HB de polarisation orienté vers le bas est appliqué depuis l'extérieur à la structure A downward biasing magnetic field HB is applied from the outside to the structure

de la matière magnétique telle que décrite ci-dessus. of the magnetic material as described above.

Comme représenté, il y a deux types de lignes de Bloch 10 qui diffèrent par le sens de magnétisation et la présence et l'absence de la paire de lignes de Bloch sont établies de façon à correspondre respectivement à une information "1" et à une information "0". La paire de lignes de Bloch existe dans des puits de potentiel formés à une certaine période le long de la paroi magnétique 8. De plus, les paires de lignes de Bloch sont transférées successivement vers le puits de potentiel adjacent par l'application d'un champ magnétique pulsé perpendiculaire à la surface du substrat. Par conséquent, l'enregistrement d'une information dans la mémoire à lignes de Bloch (écriture de la paire de lignes de Bloch dans la paroi magnétique 8) et la reproduction de l'information en- registrée dans la mémoire à lignes de Bloch (lecture de la paire de lignes de Bloch dans la paroi magnétique 8) peuvent être réalisés dans des positions prédéterminées respectives, tandis que la paire de lignes de Bloch est transférée dans la paroi magnétique 8. L'enregistrement et la reproduction de ladite information peuvent être effectués par l'application à la partie extrême de la section magnétique 6 analogue à une bande d'un champ As shown, there are two types of Bloch lines 10 which differ in the direction of magnetization and the presence and absence of the pair of Bloch lines are set to correspond respectively to a "1" information and a information "0". The pair of Bloch lines exists in potential wells formed at a certain time along the magnetic wall 8. In addition, the pairs of Bloch lines are successively transferred to the adjacent potential well by the application of a pulsed magnetic field perpendicular to the surface of the substrate. Consequently, the recording of information in the Bloch line memory (writing of the pair of Bloch lines in the magnetic wall 8) and the reproduction of the information stored in the Bloch line memory ( reading the pair of Bloch lines in the magnetic wall 8) can be made in respective predetermined positions, while the pair of Bloch lines is transferred into the magnetic wall 8. The recording and reproduction of said information can be performed by the application at the end of the magnetic section 6 analogous to a band of a field

magnétique pulsé d'une intensité prédéterminée, perpen- magnetic pulse of a predetermined intensity,

diculaire à la surface du substrat et, bien que cela ne soit pas représenté, des structures conductrices, destinées à l'application d'impulsions, sont formées, en tant que moyens d'application du champ magnétique pulsé pour l'enregistrement et la reproduction, sur la surface du film mince magnétique 4, dans une disposition prédéterminée par to the surface of the substrate and, although not shown, conductive structures for applying pulses are formed as pulsed magnetic field application means for recording and reproducing on the surface of the magnetic thin film 4, in a predetermined arrangement by

rapport à la section magnétique 6 analogue à une bande. relative to the magnetic section 6 analogous to a band.

Dans la mémoire à lignes de Bloch telle que décrite ci-dessus, la formation du puits de potentiel pour la paire de lignes de Bloch est obtenue par la présence de structures régulières périodiques sur la surface du film In the Bloch line memory as described above, the formation of the potential well for the pair of Bloch lines is obtained by the presence of regular periodic structures on the surface of the film.

mince magnétique afin de croiser la paroi magnétique. thin magnetic to cross the magnetic wall.

La figure 2 des dessins annexés est une vue partielle en plan de la mémoire à lignes de Bloch montrant FIG. 2 of the accompanying drawings is a partial plan view of the Bloch line memory showing

un exemple de telles structures ou configurations. an example of such structures or configurations.

Sur la figure 2, un certain nombre de struc- In Figure 2, a number of

tures 9 analogues à des lignes, s'étendant en travers de la section magnétique 6 analogue à une bande et parallèles entre elles, sont prévues sur la surface du film mince magnétique 4. Ces structures comprennent chacune une couche d'un conducteur tel que Cr, Al, Au ou Ti, dont la largeur est, par exemple, de l'ordre de 0,5 Dm et dont le pas d'agencement est, par exemple, de l'ordre de 1 pm. Par une contrainte magnétique basée sur la formation de telles couches conductrices analogues à une configuration ou structure, on peut former des puits de potentiel dans la paroi magnétique 8 et, de plus, ieur agencement peut être 9, which are parallel to each other, are provided on the surface of the magnetic thin film 4. These structures each comprise a layer of a conductor such as Cr , Al, Au or Ti, whose width is, for example, of the order of 0.5 Dm and whose arrangement pitch is, for example, of the order of 1 pm. By a magnetic stress based on the formation of such conductive layers analogous to a configuration or structure, potential wells can be formed in the magnetic wall 8 and, furthermore, their arrangement can be

rendu régulier et périodique. En ce qui concerne les con- regular and periodic rendering. With regard to

figurations ou structures 9, outre les couches conductrices mentionnées ci-dessus, on peut utiliser des couches de matière magnétique ou des ions tels que les ions H, les ions He ou les ions Ne amenés au voisinage de la surface du In addition to the conductive layers mentioned above, it is possible to use layers of magnetic material or ions such as the H ions, the He ions or the Ne ions brought to the vicinity of the surface of the structure.

film mince magnétique 4 sous la forme desdites structures. magnetic thin film 4 in the form of said structures.

De plus, les puits de potentiel formés par ces structures sont symétriques par rapport à la direction de transfert In addition, the potential wells formed by these structures are symmetrical with respect to the transfer direction

des lignes de Bloch indiquée par des flèches. Bloch lines indicated by arrows.

A présent, le transfert des lignes de Bloch est effectué par l'application d'un champ magnétique pulsé perpendiculaire à la surface du film mince magnétique 4 et par un déplacement des lignes de Bloch vers le puits de potentiel adjacent par l'utilisation du mouvement de précession de la magnétisation ainsi provoquée. A ce moment, un champ magnétique pulsé asymétrique, comme montré sur la figure 3 des dessins annexés, est utilisé en tant que champ magnétique pulsé perpendiculaire Hp pour transférer ainsi de façon irréversible les lignes de Bloch At present, Bloch line transfer is effected by applying a pulsed magnetic field perpendicular to the surface of the magnetic thin film 4 and by moving the Bloch lines to the adjacent potential well by using the motion. of precession of the magnetization thus provoked. At this time, an asymmetric pulsed magnetic field, as shown in FIG. 3 of the accompanying drawings, is used as a perpendicular pulsed magnetic field Hp to thereby irreversibly transfer the Bloch lines

dans une direction particulière.in a particular direction.

Comme décrit ci-dessus, dans le transfert classique de lignes de Bloch, on utilise la caractéristique As described above, in the classical transfer of Bloch lines, the characteristic

de réponse transitoire de la magnétisation par l'applica- transient response of magnetization by the application

tion d'un champ magnétique pulsé perpendiculaire, et il apparaît donc le problème qu'il devient difficile de transférer avec précision les lignes de Bloch si la forme d'onde du champ magnétique pulsé est légèrement perturbée tion of a perpendicular pulsed magnetic field, and thus the problem becomes that it becomes difficult to accurately transfer the Bloch lines if the waveform of the pulsed magnetic field is slightly disturbed

ou si le film mince magnétique 4 présente un défaut. or if the magnetic thin film 4 has a defect.

L'invention est conçue pour tenir compte du problème indiqué ci-dessus, propre à l'art antérieur, et elle a donc pour objet de proposer un procédé de transfert de lignes de Bloch qui permet de transférer toujours avec The invention is designed to take into account the problem indicated above, specific to the prior art, and its purpose is therefore to propose a method for transferring Bloch lines which makes it possible to transfer always with

précision des lignes de Bloch.precision of Bloch lines.

Pour réaliser l'objet ci-dessus, l'invention propose un procédé de transfert de lignes de Bloch présentes dans la paroi magnétique d'une section magnétique formée dans un film mince magnétique, le long de ladite paroi magnétique, le procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à distribuer sur le film mince magnétique une To achieve the above object, the invention provides a method of transferring Bloch lines present in the magnetic wall of a magnetic section formed in a magnetic thin film along said magnetic wall, the method being characterized in that what it consists of distributing on the magnetic thin film a

structure de couche en matière magnétique douce prédéter- layer structure of a predetermined soft magnetic material

minée, à donner à ladite structure une magnétisation parallèle à la surface du film mince magnétique afin de former un puits de potentiel dans le film mince magnétique, à positionner lesdites lignes de Bloch dans le puits de potentiel, à faire varier la direction de la magnétisation de la structure dans un plan parallèle à la surface du film pour déplacer ainsi le puits de potentiel le long de la paroi magnétique et donc transférer lesdites lignes de to give said structure a magnetization parallel to the surface of the magnetic thin film so as to form a potential well in the magnetic thin film, to position said Bloch lines in the potential well, to vary the direction of the magnetization of the structure in a plane parallel to the surface of the film to thereby move the potential well along the magnetic wall and thus transfer said lines of

Bloch.Bloch.

Dans la présente invention, le puits de potentiel est un lieu qui forme une valeur extrême du potentiel magnétique formé dans au moins la partie de paroi magnétique du film mince magnétique et il se réfère à un lieu ayant la possibilité de piéger ou retenir les lignes In the present invention, the potential well is a place that forms an extreme value of the magnetic potential formed in at least the magnetic wall portion of the magnetic thin film and refers to a location having the ability to trap or hold lines

de Bloch (une paire de lignes).Bloch (a pair of lines).

L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemple nullement limitatif et sur lesquels: la figure 1 est une vue schématique en The invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings by way of non-limiting example and in which: FIG. 1 is a diagrammatic view of

perspective d'une structure de matière magnétique cons- perspective of a structure of magnetic matter con-

tituant une mémoire à lignes de Bloch; la figure 2 est une vue partielle en plan d'une mémoire à lignes de Bloch de l'art antérieur, et elle montre des configurations ou structures pour former des puits de potentiel; la figure 3 est un graphique montrant la forme d'onde d'un champ magnétique pulsé utilisé dans le transfert classique de lignes de Bloch; la figure 4 est une vue partielle en plan d'une mémoire à lignes de Bloch utilisait le procédé de transfert de l'invention; la figure 5 est une coupe transversale de la partie X-X de la mémoire à lignes de Bloch montrée sur la figure 4; les figures 6A à 6D sont des graphiques illustrant une variation de la composante Hx de direction X, d'un champ magnétique produit dans la paroi magnétique; et la figure 7 est une vue schématique simplifiée d'un appareil à mémoire magnétique pour transférer des storing a memory with lines of Bloch; Fig. 2 is a partial plan view of a Bloch line memory of the prior art, and shows configurations or structures for forming potential wells; Fig. 3 is a graph showing the waveform of a pulsed magnetic field used in conventional Bloch line transfer; Figure 4 is a partial plan view of a Bloch line memory using the transfer method of the invention; Fig. 5 is a cross-section of the X-X portion of the Bloch line memory shown in Fig. 4; Figs. 6A-6D are graphs illustrating a variation of the X-direction Hx component of a magnetic field produced in the magnetic wall; and FIG. 7 is a simplified schematic view of a magnetic memory apparatus for transferring

lignes de Bloch par le procédé de transfert selon l'inven- Bloch lines by the transfer method according to the invention.

tion. La figure 4 est une vue partielle en plan montrant une forme de réalisation d'une mémoire à lignes de Bloch utilisant le procédé de transfert selon l'invention, et la figure 5 est une vue en coupe de la partie X - X de tion. FIG. 4 is a partial plan view showing an embodiment of a Bloch line memory using the transfer method according to the invention, and FIG. 5 is a sectional view of the X-X part of FIG.

la figure 4.Figure 4.

Sur ces figures, la référence numérique 2 désigne un substrat en grenat non magnétique et la référence numérique 4 désigne un film mince en grenat magnétique. Une section magnétique 6 de forme plane, analogue à une bande, est formée dans le film mince 4 en grenat magnétique. La référence numérique 8 désigne une paroi magnétique autour de la section magnétique 6 analogue à une bande. Ces éléments sont similaires à ceux décrits In these figures, reference numeral 2 denotes a nonmagnetic garnet substrate and numeral 4 designates a magnetic garnet thin film. A magnetic section 6 of flat shape, similar to a strip, is formed in the thin film 4 magnetic garnet. Numeral 8 denotes a magnetic wall around the magnetic strip-like section 6. These elements are similar to those described

ci-dessus en regard de la figure 1.above with reference to Figure 1.

Le sens de magnétisation dans la section magnétique 6 analogue à une bande est orienté vers le haut, et le sens de magnétisation dans la partie du film mince magnétique 4 qui se trouve à l'extérieur de la section magnétique 6 est orienté vers le bas. Un champ magnétique The magnetization direction in the strip-like magnetic section 6 is upwardly oriented, and the magnetization direction in the magnetic thin film portion 4 which lies outside the magnetic section 6 is downwardly oriented. A magnetic field

de polarisation vers le bas est appliqué depuis l'ex- downward polarization is applied from the former

térieur. Une structure, comprenant des couches 12 de matière magnétique douce, est distribuée sur la surface du film mince magnétique 4. La matière magnétique douce peut être, par exemple, un alliage du type Permalloy. Dans la présente forme de réalisation, des couches 14 d'espacement s'intercalent entre les couches 12 de matière magnétique douce et le film mince magnétique 4. Les couches 14 d'espacement peuvent être formées d'une matière non TER AL. A structure, including layers 12 of soft magnetic material, is distributed over the surface of the magnetic thin film 4. The soft magnetic material may be, for example, a Permalloy type alloy. In the present embodiment, spacing layers 14 are interposed between the layers 12 of soft magnetic material and the magnetic thin film 4. The spacer layers 14 may be formed of a non-magnetic material.

magnétique telle que du SiO2.magnetic such as SiO2.

La description portera à présent sur le The description will now focus on

transfert des lignes de Bloch dans la présente forme de réalisation. Les figures 6A à 6D montrent une variation (potentiel) de la composante HX d'un champ magnétique dans une direction X, engendrée dans la partie L de la paroi magnétique 8 sur la base de la magnétisation induite dans les couches 12 de matière magnétique douce lorsque, sur la figure 4, un champ magnétique dans la surface, tournant dans le sens des aiguilles d'une montre dans la surface du film mince magnétique 4,. comme indiqué par A -> B -> C -> D est appliqué. Les figures 6A à 6D indiquent Hx lorsque les directions du champ magnétique dans la surface sont respectivement A, B, C et D sur la figure 4. On suppose ici que la magnétisation des couches 12 de matière magnétique douce est de 800 emu/cm3, que l'épaisseur des couches 12 de matière magnétique douce est de 800 manomètres et que l'épaisseur des couches 14 d'espacement est de 2 pm. Les couches 14 d'espacement sont utilisées pour ajuster -le rapport de la composante du champ magnétique formé dans le film mince magnétique 4, sur la base de la magnétisation dans la couche 12 de matière magnétique douce, qui est dans une direction perpendiculaire à la surface du film, à la composante du champ magnétique qui est dans une direction parallèle à la surface du film, et ce rapport est ajusté par réglage de l'épaisseur des couches 14 d'espacement, afin que l'on puisse parvenir à une stabilisation des transfer of the Bloch lines in the present embodiment. FIGS. 6A to 6D show a (potential) variation of the HX component of a magnetic field in a X direction, generated in the L portion of the magnetic wall 8 on the basis of the magnetization induced in the layers 12 of soft magnetic material when, in FIG. 4, a magnetic field in the surface, rotating in the direction of clockwise in the surface of the magnetic thin film 4 ,. as indicated by A -> B -> C -> D is applied. FIGS. 6A to 6D show Hx when the directions of the magnetic field in the surface are respectively A, B, C and D in FIG. 4. It is assumed here that the magnetization of the layers 12 of soft magnetic material is 800 emu / cm 3, that the thickness of the layers 12 of soft magnetic material is 800 nanometers and that the thickness of the spacing layers 14 is 2 pm. The spacing layers 14 are used to adjust the ratio of the component of the magnetic field formed in the magnetic thin film 4, based on the magnetization in the layer 12 of soft magnetic material, which is in a direction perpendicular to the film surface, the component of the magnetic field which is in a direction parallel to the film surface, and this ratio is adjusted by adjusting the thickness of the spacing layers 14, so that we can achieve stabilization of the

lignes de Bloch.Bloch lines.

Comme on peut le voir sur les figures 6A à 6D, pendant que la direction du champ magnétique tourne dans le sens des aiguilles d'une montre, la position de valeur maximale et la position de valeur minimale de Hx se déplacent progressivement vers la gauche. Comme montré sur les figures 1 et 2, la paire de lignes de Bloch possède une As can be seen in FIGS. 6A-6D, as the direction of the magnetic field rotates clockwise, the maximum value position and the minimum value position of Hx progressively move to the left. As shown in FIGS. 1 and 2, the pair of lines of Bloch has a

magnétisation de direction X entre elles et, par consé- X direction magnetization between them and, consequently,

quent, elle devient stable à la position de valeur maximale ou à la position de valeur minimale de HX, et les lignes sont déplacées successivement vers la gauche avec le mouvement de ladite valeur extrême (puits de potentiel), de quent, it becomes stable at the maximum value position or at the minimum value position of HX, and the lines are successively displaced to the left with the movement of said extreme value (potential well),

façon à réaliser le transfert des lignes de Bloch. way to achieve the transfer of Bloch lines.

Sur la figure 4, sur le côté opposé à celui de la partie L de la paroi magnétique 8, la structure ou configuration des couches 12 de matière magnétique douce est inverse de celle présente sur le côté de la partie L In FIG. 4, on the opposite side to that of the portion L of the magnetic wall 8, the structure or configuration of the layers 12 of soft magnetic material is the opposite of that present on the side of the portion L

et, par conséquent, dans la partie L' de la paroi magné- and, consequently, in the part L 'of the magnetic wall

tique 8, le sens du mouvement de la position de la valeur extrême de HX, sous l'application dudit champ magnétique tournant, dans la surface, dans le sens des aiguilles d'une montre, est orienté vers la droite et, surtout, la valeur extrême se déplace dans le sens inverse de celui des aiguilles d'une montre sur la totalité de la paroi magnétique 8, comme indiqué par une flèche T sur la figure 8, the direction of movement of the position of the extreme value of HX, under the application of said rotating magnetic field, in the surface, in a clockwise direction, is oriented to the right and, especially, the extreme value moves counterclockwise over the entire magnetic wall 8, as indicated by an arrow T in the figure

4, et le transfert des lignes de Bloch est donc réalisé. 4, and the transfer of Bloch lines is thus realized.

Dans la forme de réalisation décrite ci-dessus, la structure montrée sur la figure 4 est utilisée en tant que structure des couches 12 de matière magnétique douce, mais dans la présente invention, on peut également utiliser une autre structure ou configuration pourvu qu'elle produise un potentiel magnétique dont la valeur extrême se déplace le long de la paroi magnétique 8 vers la surface du film mince magnétique dans la paroi magnétique 8, sur la base de la magnétisation induite dans les couches 12 de matière magnétique douce par r'application d'un champ magnétique tournant dans la surface. Cette configuration ou struture est formée de manière que, comme montré sur la figure 4, elle soit divisée en une structure.supérieure et In the embodiment described above, the structure shown in FIG. 4 is used as the structure of the layers 12 of soft magnetic material, but in the present invention another structure or configuration may also be used provided that produces a magnetic potential whose extreme value moves along the magnetic wall 8 towards the surface of the magnetic thin film in the magnetic wall 8, on the basis of the magnetization induced in the layers 12 of soft magnetic material by application of a magnetic field rotating in the surface. This configuration or structure is shaped so that, as shown in FIG. 4, it is divided into a higher structure and

en une structure inférieure par la ligne centrale (ligne X- in a lower structure by the central line (line X-

X) de la section magnétique 6 analogue à une bande, les structures supérieures et inférieures pouvant prendre des X) of the strip-like magnetic section 6, the upper and lower structures being able to take on

formes similaires lorsqu'elles sont tournées de 180'. similar shapes when turned 180 '.

Ainsi, le puits de potentiel peut être déplacé dans une So, the potential well can be moved in a

direction le long de la paroi magnétique. direction along the magnetic wall.

Comme décrit précédemment, le potentiel pour commander la position d'une ligne de Bloch dont la valeur extrême, établissant le puits de potentiel, se déplace, est établi le long de la paroi magnétique et le transfert des lignes de Bloch est réalisé par le champ magnétique tournant dans la surface et, par conséquent, un transfert As previously described, the potential for controlling the position of a Bloch line whose extreme value, establishing the potential well, is moving, is established along the magnetic wall and the transfer of Bloch lines is made by the field. magnetic rotating in the surface and, therefore, a transfer

stable et fiable des lignes de Bloch devient possible. stable and reliable Bloch lines becomes possible.

La figure 7 est un schéma simplifié montrant un exemple d'un appareil à mémoire magnétique pour transférer une ligne de Bloch, qui est un support d'informations, par l'utilisation du procédé de transfert de l'invention et Fig. 7 is a schematic diagram showing an example of a magnetic memory apparatus for transferring a Bloch line, which is an information carrier, by the use of the transfer method of the invention and

pour effecter l'écriture et la lecture d'une information. to effect writing and reading information.

Sur la figure 7, la référence numérique 101 désigne un substrat de mémoire à lignes de Bloch. Sur le substrat 101, comme représenté, plusieurs sections magnétiques 6 analogues à des bandes sont agencées à un pas prédéterminé dans une direction orthogonale à la direction longitudinale des sections magnétiques analogues à des bandes. Une configuration ou structure, comprenant des couches de matière magnétique douce comme montré sur la figure 4, est distribuée sur le film mince magnétique comprenant les sections magnétiques 6 analogues à des bandes,. et les couches de matière magnétique douce sont magnétisées dans une direction prédéterminée par l'action d'un champ magnétique dans la surface, qui sera décrit ciaprès, et un potentiel magnétique prédéterminé est formé sur le film mince magnétique, en particulier la paroi magnétique des sections magnétiques 6 analogues à des bandes. Des lignes de Bloch sont positionnées dans le puits de potentiel dans ledit potentiel et une information enregistrée est mémorisée sous forme d'un signal en série dans le temps, représenté par la distribution des lignes de Bloch. In Fig. 7, reference numeral 101 denotes a Bloch line memory substrate. On the substrate 101, as shown, a plurality of strip-like magnetic sections 6 are arranged at a predetermined pitch in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the strip-like magnetic sections. A pattern or structure, including layers of soft magnetic material as shown in Fig. 4, is distributed over the magnetic thin film comprising the magnetic strip-like sections 6. and the layers of soft magnetic material are magnetized in a predetermined direction by the action of a magnetic field in the surface, which will be described hereinafter, and a predetermined magnetic potential is formed on the magnetic thin film, in particular the magnetic wall of the magnetic sections 6 similar to bands. Bloch lines are positioned in the potential well in said potential and recorded information is stored as a serial time signal, represented by the distribution of Bloch lines.

La référence numérique 102 désigne un généra- Reference numeral 102 designates a general

teur de bulles magnétiques qui génère des bulles magnéti- magnetic bubble which generates magnetic bubbles

ques en série dans le temps, conformément à une information d'entrée. Les bulles magnétiques générées en série dans le temps sont transférées les unes à la suite des autres vers la position extrême de la section magnétique correspondante 6 analogue à une bande, par un circuit 105 d'attaque d'écriture. Ces bulles magnétiques sont utilisées pour in time in accordance with an input information. The magnetic bubbles generated in series over time are transferred one after the other to the extreme position of the corresponding magnetic strip-like section 6 by a write drive circuit 105. These magnetic bubbles are used to

l'écriture des lignes de Bloch.the writing of Bloch lines.

Par ailleurs, la référence numérique 106 désigne un circuit d'attaque de lecture qui convertit les lignes de Bloch en bulles magnétiques pour la reproduction de l'information, et qui transfère ensuite ces bulles On the other hand, numeral 106 denotes a read drive circuit that converts Bloch lines into magnetic bubbles for information reproduction, and then transfers these bubbles.

magnétiques vers un détecteur 107 de bulles. magnetic to a bubble detector 107.

Le détecteur 107 détecte les bulles magnétiques qui lui sont transférées par le circuit 106 d'attaque de lecture en utilisant l'effet de résistance magnétique ou analogue, et il délivre un signal (électrique) en série The detector 107 detects the magnetic bubbles that are transferred to it by the read drive circuit 106 using the magnetic resistance effect or the like, and outputs a (electric) signal in series.

dans le temps correspondant à l'information enregistrée. in the time corresponding to the recorded information.

La référence numérique 103 désigne une source de courant d'écriture destinée à fournir un courant aux conducteurs 111 d'écriture lorsque les lignes de Bloch sont écrites dans la partie extrême de la section magnétique 6 analogue à une bande, et la référence numérique 104 désigne une source de courant de lecture destinée à fournir un courant à des conducteurs 114 de lecture lorsque les lignes de Bloch sont lues dans la partie extrême de chaque section Reference numeral 103 denotes a write current source for supplying a current to the writing conductors 111 when the Bloch lines are written in the end portion of the tape-like magnetic section 6, and the reference numeral 104 denotes a read current source for supplying a current to reading leads 114 when the Bloch lines are read in the end portion of each section

magnétique 6 analogue à une bande. Magnetic 6 analogous to a band.

La référence numérique 110 désigne un généra- Reference numeral 110 designates a general

teur de champ magnétique tournant dans la surface qui forme un champ magnétique parallèle à la surface du film mince magnétique du substrat 101 de mémoire à lignes de Bloch et magnetic field-forming magnetic field which forms a magnetic field parallel to the surface of the magnetic thin film of the Bloch line memory substrate 101 and

il fait également varier la direction de ce champ magné- it also varies the direction of this magnetic field

tique comme décrit en regard de la figure 4. Autrement dit, il fait tourner la direction du champ magnétique pour déplacer ainsi le long de la paroi magnétique le puits de potentiel formé dans cette paroi magnétique, de façon à As described with reference to FIG. 4, in other words, it rotates the direction of the magnetic field so as to move along the magnetic wall the potential well formed in this magnetic wall, so as to

réaliser le transfert des lignes de Bloch. to carry out the transfer of Bloch lines.

La référence numérique 109 désigne un circuit Reference numeral 109 designates a circuit

de commande des circuits d'attaque 105, 106, des généra- driving circuits 105, 106, generators

teurs 102, 110, du détecteur 107 et des sources 103, 104, 102, 110, of the detector 107 and the sources 103, 104,

conformément à un signal d'entrée EN. according to an input signal EN.

Un procédé de formation de lignes de Bloch dans la paroi magnétique des parties extrêmes des sections magnétiques 6 analogues à des bandes, dans l'appareil à mémoire magnétique de la figure 7, et un procédé de conversion des lignes de Bloch dans les parties extrêmes des sections magnétiques 6 analogues à des bandes sont décrits en détail dans le brevet n 4 583 200 précité, et A method of forming Bloch lines in the magnetic wall of the end portions of the strip-like magnetic sections 6 in the magnetic memory apparatus of Fig. 7, and a method of converting Bloch lines into the end portions of strip-like magnetic sections 6 are described in detail in the aforementioned US Pat. No. 4,583,200, and

il est donc inutile de décrire ces procédés ici. it is therefore useless to describe these processes here.

Le transfert des lignes de Bloch (une paire de lignes) par le générateur 110 de champ magnétique et l'écriture des lignes de Bloch par les conducteurs 111 d'écriture ou la lecture des lignes de Bloch par les conducteurs 114 de lecture sont exécutés en synchronisme entre eux par le circuit 109 de commande. En transférant les lignes de Bloch par le procédé de transfert selon l'invention, on peut déplacer avec précision les lignes de Bloch (une paire de lignes) et on améliore notablement les The transfer of the Bloch lines (a pair of lines) by the magnetic field generator 110 and the writing of the Bloch lines by the writing conductors 111 or the reading of the Bloch lines by the read conductors 114 are executed in accordance with FIG. synchronism between them by the control circuit 109. By transferring the Bloch lines by the transfer method according to the invention, the Bloch lines (a pair of lines) can be moved precisely and the

performances d'enregistrement/reproduction de l'informa- performance of recording / reproducing information

tion. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé et à la mémoire décrits tion. It goes without saying that many modifications can be made to the described method and memory

et représentés sans sortir du cadre de l'invention. and shown without departing from the scope of the invention.

Claims

A method of transferring Bloch lines (10) present in the magnetic wall (8) of a magnetic section (6) formed in a magnetic thin film (4) along said magnetic wall, characterized in that consists in distributing a layer (12) of predetermined soft magnetic material forming a structure or configuration on the magnetic thin film, to give this structure of the layer of soft magnetic material a magnetization parallel to the surface of the magnetic thin film to form in this last a potential well, to position said Bloch lines in the potential well, and to vary the direction of the magnetization of the structure of the layer of soft magnetic material in a plane parallel to the surface of the film to move the well of potential along the magnetic wall and transfer

the lines of Bloch.

A transfer method according to claim 1, characterized in that the step of varying the direction of the magnetization comprises rotating a magnetic field to give the structure of the layer of soft magnetic material a magnetization in a plan

parallel to the surface of the film.

A transfer method according to claim 1, characterized in that the dispensing step comprises forming the structure of the layer of soft magnetic material on a spacer layer (14) of a predetermined thickness formed on the thin magnetic film.

4. Transfer method according to claim 3, characterized in that the spacer layer is formed

of SiO2.

5. Bloch line memory for recording / reproducing information by using Bloch lines (10) present in the magnetic wall (8) of a magnetic section (6) formed in a thin film magnetic sensor (4), characterized in that it comprises a layer (12) of predetermined soft magnetic material forming a configuration or distributed structure on the thin magnetic film, and means (110) for generating a magnetic field for applying a magnetic field parallel to the surface of the magnetic thin film, to said structure of the layer of soft magnetic material, a potential well being formed in the magnetic thin film by a displacement of the structure of the magnetized soft magnetic material layer, along the magnetic wall, by varying the direction of the magnetic field by said generating means, this movement having the effect of transferring the lines of

Bloch retained in the potential well.

6. Bloch line memory according to the claim

5, characterized in that a layer (14) of space-

is formed on the magnetic thin film and in that the structure of the layer of soft magnetic material is

formed on this spacer layer.

7. Memory..to Bloch lines according to the claim

6, characterized in that the spacer layer

is formed of SiO2.