FR2612023A1 - Device for bidirectional control of a very high frequency electrical power signal - Google Patents

Device for bidirectional control of a very high frequency electrical power signal Download PDF

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Abstract

Device for bidirectional control of a very high frequency electrical power signal, including two opposed diodes D1, D2 mounted in series between two terminals B1, B2, first biasing means b1, L3 for turning on or turning off the said diodes in common and means L1, R1-L2, R2 for diverting to earth the direct current passing through the said diodes when they are on. According to the invention, this device is characterised in that it includes a diode S of PIN type earthing the common point 5 of the said opposing diodes D1, D2 as well as second biasing means b2, L4 making it possible to bias the said diode S of PIN type, on the one hand, in reverse mode when the said opposing diodes D1, D2 are turned on and, on the other hand, in forward mode when the said opposing diodes D1, D2 are turned off. Switching of VHF or UHF power signals.

Description

La présente invention concerne un dispositif de commande bidirectionnelle d'un signal électrique de puissance à très haute fréquence.The present invention relates to a bidirectional control device for an electrical power signal at very high frequency.

On sait que, par exemple dans les émetteurs VHF ou UF, il est parfois nécessaire de commander le passage ou l'arrêt d'un signal électrique à très haute fréquence. Ceci est par exemple nécessaire lorsque, afin de pouvoir filtrer avec peu de pertes un signal d'émission dont le domaine spectral occupé est situé en des positions quelconques d'une large bande de fréquences (par exemple entre 100 MHz et 500 MHz), on utilise plusieurs filtres en parallèle, plutot qu'un filtre unique. Il est alors nécessaire de commuter rapidement ledit signal d'émission, en fonction de sa fréquence, pour l'adresser vers celui desdits filtres qui est le mieux approprié à sa fréquence instantanée.We know that, for example in VHF or UF transmitters, it is sometimes necessary to control the passage or stop of an electrical signal at very high frequency. This is for example necessary when, in order to be able to filter with little loss a transmission signal whose occupied spectral range is located at any positions of a wide frequency band (for example between 100 MHz and 500 MHz), uses multiple filters in parallel, rather than a single filter. It is then necessary to quickly switch said transmission signal, as a function of its frequency, to address it to that of said filters which is best suited to its instantaneous frequency.

On connaît déjà des interrupteurs destinés à commander le passage bidirectionnel d'un signal électrique à très haute fréquence entre deux bornes, ces interrupteurs comportant deux diodes opposées montées en série entre lesdites bornes, un circuit de polarisation relié au point commun desdites diodes pour en commander la conduction et des circuits de dérivation à la masse du courant continu traversant lesdites diodes lorsqu'elles sont conductrices.There are already known switches intended to control the bidirectional passage of a very high frequency electrical signal between two terminals, these switches comprising two opposite diodes connected in series between said terminals, a bias circuit connected to the common point of said diodes to control them the conduction and branch circuits to earth of the direct current passing through said diodes when they are conductive.

Ainsi, lorsqu'aucun courant de polarisation n'est adressé auxdites diodes par l'intermédiaire dudit circuit de polarisation, celles-ci sont bloquantes, de sorte que l'interrupteur est ouvert. En revanche, lorsqu'un courant de polarisation approprié est adressé auxdites diodes par ledit circuit de polarisation, ces diodes sont conductrices de sorte que l'interrupteur est fermé et qu'un signal à haute fréquence peut passer d'une borne à l'autre. Dans ce dernier cas, les courants continus de polarisation traversant les diodes conductrices s'évacuent par lesdits circuits de dérivation, qui comportent des inductances pour éviter la dérivation à la masse dudit signal à haute fréquence.Thus, when no bias current is sent to said diodes via said bias circuit, they are blocking, so that the switch is open. On the other hand, when an appropriate bias current is sent to said diodes by said bias circuit, these diodes are conductive so that the switch is closed and that a high frequency signal can pass from one terminal to the other . In the latter case, the DC bias currents flowing through the conductive diodes are evacuated by said branch circuits, which include inductors to avoid grounding of said high frequency signal.

Cependant, de tels interrupteurs ne donnent pas entièrement satisfaction. En effet, leur pouvoir de coupure, lorsqu'ils sont ouverts (diodes bloquantes), n'est pas absolu et décroît lorsque la fréquence du signal à interrompre augmente. On peut même considérer que, si laf-réquence dudit signal est très élevée (plusieurs centaines de MHz), ledit interrupteur ouvert se comporte seulement comme un atténuateur de signal et non pas comme un interrupteur. Il en résulte des effets nuisibles, qui ont d'autant plus d'importance que le signal à très haute fréquence est plus puissant.However, such switches are not entirely satisfactory. In fact, their breaking capacity, when open (blocking diodes), is not absolute and decreases when the frequency of the signal to be interrupted increases. It can even be considered that, if the frequency of said signal is very high (several hundred MHz), said open switch behaves only as a signal attenuator and not as a switch. This results in harmful effects, which are all the more important as the signal at very high frequency is more powerful.

La présente invention a pour objet de remédier à ces inconvénients. Elle concerne un dispositif de commande bidirectionnelle d'un signal électrique de puissance (plusieurs dizaines ou quelques centaines de Watts) à très haute fréquence (plusieurs centaines de MHz).The object of the present invention is to remedy these drawbacks. It relates to a bidirectional control device for an electrical power signal (several tens or a few hundred Watts) at very high frequency (several hundred MHz).

A cette fin, selon l'invention, le dispositif de commande bidirectionnelle d'un signal électrique de puissance à très haute fréquence, comportant deux diodes opposées montées en série entre deux bornes, des premiers moyens de polarisation pour commander en commun, à la conduction ou au blocage, lesdites diodes et des moyens de dérivation à la masse du courant continu traversant lesdites diodes lorsqu'elles sont rendues conductrices, est remarquable en ce qu'il comporte une diode de type PIN reliant à la masse le point commun desdites diodes opposées, ainsi que des seconds moyens de polarisation permettant de polariser ladite diode de type PIN, d'une part, en inverse lorsque lesdites diodes opposées sont commandées à la concuctios. To this end, according to the invention, the device for bi-directional control of an electrical power signal at very high frequency, comprising two opposite diodes connected in series between two terminals, first polarization means for controlling jointly, at conduction or blocking, said diodes and means for deriving to ground the direct current passing through said diodes when they are made conductive, is remarkable in that it comprises a PIN type diode connecting to ground the common point of said opposite diodes , as well as second polarization means making it possible to polarize said PIN type diode, on the one hand, in reverse when said opposite diodes are controlled at the concuctios.

et, d'autre part, en direct, lorsque lesdites diodes opposées sont commandées au blocage.and, on the other hand, live, when said opposite diodes are ordered to block.

Ainsi, lorsque lesdites diodes opposées sont commandées la conduction, c'est-à-dire lorsque ledit dispositif de commande selon l'invention se comporte comme un interrupteur fermé, la diode de type PIN, qui est polarisée en inverse, est équivalente à une faible capacité (de l'ordre de 0,5 picofarads) de sorte que sa conduction pour le signal à haute fréquence est très faible et qu'une faible partie de celui-ci est dérivée à la masse à travers ladite diode de type PIN. Par suite, la presque totalité dudit signal à haute fréquence passe de la borne à laquelle il est appliqué à l'autre borne, à travers lesdites diodes opposées qui se comportent alors comme des courts-circuits.Thus, when said opposite diodes are controlled for conduction, that is to say when said control device according to the invention behaves like a closed switch, the PIN type diode, which is reverse biased, is equivalent to a low capacitance (of the order of 0.5 picofarads) so that its conduction for the high frequency signal is very low and that a small part of it is derived to ground through said PIN type diode. As a result, almost all of said high frequency signal passes from the terminal to which it is applied to the other terminal, through said opposite diodes which then behave like short circuits.

En revanche, lorsque lesdites diodes opposées sont commandées au blocage, c'est-à-dire lorsque ledit dispositif de commande selon l'invention se comporte comme un interrupteur ouvert, la diode de type PIN, qui est polarisée en direct, est équivalente à une faible résistance dynamique (de l'ordre de quelques dixièmes d'ohm) mettant à la masse le montage en série desdites diodes. On peut alors obtenir, entre les deux bornes, une atténuation de l'ordre de 60 dB, de sorte que l'interruption de courant de très haute fréquence est particulièrement efficace.On the other hand, when said opposite diodes are controlled to block, that is to say when said control device according to the invention behaves like an open switch, the PIN type diode, which is polarized directly, is equivalent to a low dynamic resistance (of the order of a few tenths of an ohm) grounding the series connection of said diodes. It is then possible to obtain, between the two terminals, an attenuation of the order of 60 dB, so that the interruption of very high frequency current is particularly effective.

Afin de bloquer le courant continu de polarisation desdites diodes opposées, il est nécessaire d'interposer une capacité entre lesdites diodes opposées et ladite diode de type PIN.In order to block the DC bias current of said opposite diodes, it is necessary to interpose a capacitance between said opposite diodes and said PIN type diode.

Cependant, afin que cette capacité ne soit pas un obstacle à la mise à la triasse du montage en série desdites diodes opposées lorsque le dispositif est bloquant, il serait nécessaire que cette capacité soit importante, et donc scit constituée par un condensateur de grand volume. Pour éviter les inconvénients d'encombrement d'un condensateur de grand volume, il est préférable de prévoir une inductance en série avec ladite capacité, de façon à former un circuit résonnant série, dont la fréquence de résonance est de l'ordre de celle dudit signal à très haute fréquence.However, so that this capacity is not an obstacle to triassing the series connection of said opposite diodes when the device is blocking, it would be necessary for this capacity to be large, and therefore constituted by a large volume capacitor. To avoid the drawbacks of space requirement of a large volume capacitor, it is preferable to provide an inductor in series with said capacitor, so as to form a series resonant circuit, the resonance frequency of which is of the order of that of said very high frequency signal.

Ainsi, à cette fréquence de résonance, il se produit un pic de conduction de la dérivation à la terre et donc un effondrement de transmission de signal entre lesdites bornes.Thus, at this resonant frequency, there is a conduction peak of the branch to earth and therefore a collapse of signal transmission between said terminals.

Il est particulièrement avantageux que cette inductance soit obtenue non pas par un composant discret, mais par une inductance parasite répartie. Pour ce faire, on réalise le dispositif selon l'invention sous la forme d'un circuit hybride à couche conductrice épaisse, par exemple de l'ordre de 0,2 mm.It is particularly advantageous that this inductance is obtained not by a discrete component, but by a distributed parasitic inductance. To do this, the device according to the invention is produced in the form of a hybrid circuit with a thick conductive layer, for example of the order of 0.2 mm.

Lorsque le dispositif selon l'invention est destiné à former un commutateur ou aiguilleur de signal de puissance à très haute fréquence, il comporte avantageusement une pluralité de dispositifs du type interrupteur décrit ci-dessus, montés en parallèle, une borne de chacun desdits dispositifs étant commune à tous.When the device according to the invention is intended to form a very high frequency power signal switch or switch, it advantageously comprises a plurality of devices of the switch type described above, mounted in parallel, one terminal of each of said devices being common to all.

Dans ce cas, le dispositif de commande bidirectionnelle d'un signal électrique de puissance à très haute fréquence entre d'une part une borne commune, et, d'autre part, l'une ou l'autre d'une pluralité de bornes individuelles est remarquable en ce qu'il comporte autant d'interrupteurs que de bornes individuelles, chacun desdits interrupteurs comportant, entre ladite borne commune et la borne individuelle correspondante, deux diodes opposées montées en série, des premiers moyens de polarisation pour commander en commun, à la conduction ou au blocage, lesdites deux diodes et des moyens de dérivation à la masse du courant continu traversant lesdites deux diodes lorsqu'elles sont rendues conductrices et en ce que chaque interrupteur comporte une diode de type PIN reliant à la masse le point commun desdites diodes opposées, ainsi que des seconds moyens de polarisation permettant de polariser ladite diode de type PIN, d'une part, en inverse lorsque lesdites deux diodes opposées sont commandées à la conduction et, d'autre part, en direct, lorsque lesdites deux diodes opposées sont commandées au blocage.In this case, the device for bidirectional control of an electrical signal of very high frequency power between on the one hand a common terminal, and, on the other hand, one or the other of a plurality of individual terminals is remarkable in that it comprises as many switches as there are individual terminals, each of said switches comprising, between said common terminal and the corresponding individual terminal, two opposite diodes connected in series, first polarization means for controlling jointly, the conduction or blocking, said two diodes and means for deriving to ground the direct current passing through said two diodes when they are made conductive and in that each switch comprises a PIN type diode connecting to ground the common point of said opposite diodes, as well as second polarization means making it possible to polarize said PIN type diode, on the one hand, in reverse when said two opposite diodes are controlled on conduction and, on the other hand, live, when said two opposite diodes are controlled to block.

Avantageusement, du côté de ladite borne commune, lesdits moyens de dérivation de courant à la masse sont communs à tous lesdits interrupteurs.Advantageously, on the side of said common terminal, said means for deriving current to ground are common to all of said switches.

De préférence, dans chaque interrupteur, une capacité est interposée entre lesdites deux diodes opposées et ladite diode de type PIN et une inductance est montée en série avec ladite capacité de façon à former un circuit résonnant série, dont la fréquence de résonance est de l'ordre de celle dudit signal à très haute fréquence.Preferably, in each switch, a capacitor is interposed between said two opposite diodes and said PIN type diode and an inductor is connected in series with said capacitor so as to form a series resonant circuit, the resonance frequency of which is order of that of said very high frequency signal.

Comme il a été dit ci-dessus, lesdites inductances peuvent être des inductances parasites réparties et le dispositif peut être réalisé en technologie hybride à couche conductrice épaisse.As has been said above, said inductors can be distributed parasitic inductors and the device can be produced in hybrid technology with a thick conductive layer.

Les figures du dessin annexé feront bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. Sur ces figures, des références identiques désignent des éléments semblables.The figures of the appended drawing will make it clear how the invention can be implemented. In these figures, identical references designate similar elements.

La figure 1 donne le circuit électrique d'un interrupteur pour signal électrique de puissance à très haute fréquence conforme à la présente invention. Figure 1 gives the electrical circuit of a switch for electrical signal of power at very high frequency according to the present invention.

Les figures 2 et 3 donnent des schémas électriques équivalents de l'interrupteur montré par la figure 1.Figures 2 and 3 give equivalent electrical diagrams of the switch shown in Figure 1.

La figure 4 illustre, en vue agrandie, un mode de réalisation avantageux du circuit électrique de la figure 1.FIG. 4 illustrates, in enlarged view, an advantageous embodiment of the electrical circuit of FIG. 1.

La figure 5 donne le schéma électrique d'un commutateur conforme à la présente invention.Figure 5 shows the electrical diagram of a switch according to the present invention.

L'interrupteur I, conforme à la présente invention et montré par la figure 1, est destiné à couper un signal de puissance de très haute fréquence (par exemple quelques centaines de MHz) pouvant circuler dans les deux sens entre deux bornes B1 et B2. Chacune de ces bornes B1 et B2 est de type coaxial et comporte un blindage périphérique, T1 ou T2 respectivement, relié à la masse et une âme conductrice, Al ou A2 respectivement, découplée de la masse par un montage en série d'une inductance et d'une résistance, portant respectivement les références L1,R1 et L2,R2. Les points communs respectifs à l'inductance L1 et à la résistance R1, et à l'inductance L2 et à la résistance R2 portent respectivement les références 1 et 2.The switch I, according to the present invention and shown in FIG. 1, is intended to cut a very high frequency power signal (for example a few hundred MHz) which can circulate in both directions between two terminals B1 and B2. Each of these terminals B1 and B2 is of the coaxial type and comprises a peripheral shielding, T1 or T2 respectively, connected to the ground and a conductive core, Al or A2 respectively, decoupled from the ground by a series connection of an inductor and of a resistance, respectively carrying the references L1, R1 and L2, R2. The respective common points to the inductor L1 and to the resistor R1, and to the inductor L2 and to the resistor R2 bear the references 1 and 2 respectively.

Le point 3, commun à l'amie Al de la borne B1 et au montage série L1 R1, est relié à la cathode d'une diode D1. De même, le point 24, commun à l'amie A2 de la borne B2 et au montage série L2 R2, est relié à la cathode d'une diode D2.The point 3, common to the friend A1 of the terminal B1 and to the series assembly L1 R1, is connected to the cathode of a diode D1. Likewise, point 24, common to the friend A2 of the terminal B2 and to the series assembly L2 R2, is connected to the cathode of a diode D2.

Les anodes des diodes D1 et D2 sont reliées à un point commun 5.The anodes of diodes D1 and D2 are connected to a common point 5.

Par une inductance L3, ledit point 5 commun aux diodes D1 et D2 est relié à une première borne de commande bl, découplée de la masse par une capacité C1, le point commun à celle-ci et à l'inductance L3 portant la référence 6. Par ailleurs, ledit point 5 commun aux diodes D1 et D2 est réuni à la masse par une diode S de type PIN, dont la conduction est commandée à partir d'une borne de commande b2. Une capacité C2 est disposée entre ledit point 5 commun aux diodes D1 et D2 et l'anode de la diode S ; le pont commun à la diode S et à la capacité C2 est relié à la borne de commande b2 par une inductance L4.Cette borne de commande b2 est découplée de la masse par une capacité C3 et le point commun à celle-ci et à l'inductance L4 porte la référence 8.By an inductor L3, said point 5 common to the diodes D1 and D2 is connected to a first control terminal bl, decoupled from the ground by a capacitor C1, the point common to the latter and to the inductor L3 bearing the reference 6 Furthermore, said point 5 common to diodes D1 and D2 is connected to ground by a diode S of PIN type, the conduction of which is controlled from a control terminal b2. A capacitor C2 is disposed between said point 5 common to the diodes D1 and D2 and the anode of the diode S; the bridge common to the diode S and to the capacitor C2 is connected to the control terminal b2 by an inductance L4. This control terminal b2 is decoupled from the ground by a capacitor C3 and the point common to it and to the inductance L4 carries the reference 8.

Aux bornes de commande bl et b2, il est possible d'appliquer soit des tensions négatives, soit des courants positifs, de sorte que le dispositif fonctionne de la manière décrite ci-après.At the control terminals b1 and b2, it is possible to apply either negative voltages or positive currents, so that the device operates in the manner described below.

I - Fonctionnement en interrupteur fermé
Lorsque l'on veut transmettre un signal de puissance à très haute fréquence entre la borne B1 (ou B2) et la borne B2 (ou B1), on applique simultanément - à la borne de commande bi un courant positif de polarisation susceptible de rendre les diodes Di et D2 conductrices. Ce courant s'écoule entre la borne de commande bi et la masse, respectivement en suivant le trajet b1,6,L3,5,Dl, 3,lui,1 et R1 et le trajet bl,6,L3,5,D2,4,L2,2 et R2.Les deux diodes D1 et D2 se comportent alors pratiquement comme des courts-circuits entre les bornes B1 et B2 - à la borne de commande b2 une tension négative de polarisation en inverse, de sorte que la diode S est alors équivalente à une faible capacité.
I - Operation in closed switch
When it is desired to transmit a very high frequency power signal between terminal B1 (or B2) and terminal B2 (or B1), a positive bias current is applied simultaneously to the bi control terminal capable of rendering the diodes D and D2 conductive. This current flows between the control terminal bi and the earth, respectively by following the path b1,6, L3,5, Dl, 3, him, 1 and R1 and the path bl, 6, L3,5, D2, 4, L2,2 and R2.The two diodes D1 and D2 then behave practically like short-circuits between the terminals B1 and B2 - at the control terminal b2 a negative reverse bias voltage, so that the diode S is then equivalent to a low capacity.

Dans ce cas, le schéma équivalent de l'interrupteur I est donné par la figure 2 et la conduction de la branche 5,C2,S est faible pour le signal à très haute fréquence. Par suite, la presque totalité de celui-ci passe de la borne à laquelle il a été appliqué à l'autre borne.In this case, the equivalent diagram of the switch I is given in FIG. 2 and the conduction of the branch 5, C2, S is weak for the very high frequency signal. As a result, almost all of it passes from the terminal to which it was applied to the other terminal.

II - Fonctionnement en interrupteur ouvert
Lorsque l'on veut interrompre la transmission du signal de puissance à très haute fréquence entre la borne B1 (ou B2) et la borne B2 (ou B1), on applique simultanément - à la borne de commande bl une tension négative de polarisation inverse, verrouillant les diodes D1 et D2.
II - Operation with an open switch
When it is desired to interrupt the transmission of the very high frequency power signal between terminal B1 (or B2) and terminal B2 (or B1), a negative reverse bias voltage is applied simultaneously to the control terminal bl, locking diodes D1 and D2.

Celles-ci sont alors équivalentes à des capacités de très faibles valeurs - à la borne de commande b2, un courant positif de polarisation, de sorte que la diode S devient équivalente à une très faible résistance.These are then equivalent to capacitors of very low values - at the control terminal b2, a positive bias current, so that the diode S becomes equivalent to a very low resistance.

Le schéma équivalent est représenté sur la figure 3. On peut y voir que, à cause de la faible valeur des capacités D1 et D2, la transmission du signal à très haute fréquence est faible entre les bornes B1 et B2, tandis que, à cause de la faible valeur de la résistance S, le point 5 est pratiquement au potentiel de la masse. Par suite, les bornes B1 et B2 sont pratiquement totalement isolées l'une de l'autre en très haute fréquence.The equivalent diagram is represented on figure 3. One can see there, because of the low value of the capacities D1 and D2, the transmission of the signal at very high frequency is weak between the terminals B1 and B2, while, because from the low value of resistance S, point 5 is practically at ground potential. As a result, the terminals B1 and B2 are practically completely isolated from each other at very high frequency.

Ce qui vient d'être dit en ce qui concerne le potentiel du point 5 suppose que la capacité C2, qui a essentiellement pour objet d'empêcher le courant de polarisation appliqué sur la borne l1 d'atteindre la diode S, présente une valeur importante, pour ne pas constituer un obstacle à l'écoule- ment du signal à très haute fréquence vers la masse. Il est donc nécessaire que cette capacité soit constituée par un condensateur volumineux. Pour éviter les inconvénients d'un tel condensateur (encombrement et rayonnement), selon une particularité de l'invention, on peut prévoir (voir la figure 1) une inductance L5 en série avec le condensateur
C2, cette inductance et ce condensateur étant choisis pour former un circuit résonnant série LC, dont la fréQuence ce résonance est proche de la fréquence du signai à très haute fréquence à couper.
What has just been said with regard to the potential of point 5 supposes that the capacitance C2, which essentially aims at preventing the bias current applied on the terminal l1 from reaching the diode S, has an important value , so as not to constitute an obstacle to the flow of the very high frequency signal to ground. It is therefore necessary that this capacity be constituted by a bulky capacitor. To avoid the drawbacks of such a capacitor (size and radiation), according to a feature of the invention, it is possible to provide (see FIG. 1) an inductance L5 in series with the capacitor
C2, this inductance and this capacitor being chosen to form a LC series resonant circuit, the frequency of which this resonance is close to the frequency of the very high frequency signal to be cut.

Ainsi, l'impédance du cicuit LC est très faible à cette fréquence, de sorte que le point 5 est pratiquement réuni directement à la masse dans ce mode de fonctionnement.Thus, the impedance of the LC circuit is very low at this frequency, so that point 5 is practically connected directly to earth in this operating mode.

L'isolation de transmission entre les bornes B1 et B2 est donc alors très élevée.The transmission insulation between terminals B1 and B2 is therefore very high.

Selon une autre particularité de l'invention, cette inductance L5 est une inductance parasite repartie, provenant de la réalisation technologique de l'interrupteur I.According to another feature of the invention, this inductance L5 is a distributed parasitic inductance, originating from the technological realization of the switch I.

La figure 4 illustre un mode de réalisation de l'interrupteur I en technologie hybride en couche épaisse. Sur une plaquette isolante 10,- on a gravé (et non sérigraphié) des plages conductrices 11 à 18, dans une couche métallique épaisse de l'ordre de 0,2 mm d'épaisseur.FIG. 4 illustrates an embodiment of the switch I in hybrid technology in a thick layer. On an insulating plate 10, - etched (and not screen printed) conductive pads 11 to 18, in a thick metal layer of the order of 0.2 mm thick.

La plage conductrice 11 constitue une zone de masse à laquelle sont reliées la résistance R1, la diode PIN S et la capacité C3. De même, la plage conductrice 12 constitue une zone de masse à laquelle sont reliées la capacité C1 et la résistance R2. La plage 13 correspond au point commun 3 reliant l'âme Al, l'inductance L1 et la cathode de la diode
D1. La plage 14 correspond au point commun 4 reliant l'âme
A2, 7'inductance L2 et la cathode de la diode D2. La plage 15 correspond au point commun 5 reliant les anodes de diodes D1 et D2, la capacité C2 et l'inductance L3. La plage 16 correspond au point commun 6 reliant la borne de commande b1, la capacité Ci et l'inductance L3.La plage 17 correspond au point commun 7 reliant la diode PIN S, la capacité C2 et l'inductance L4. Enfin, la plage 1E correspond au point commun 8 reliant la borne de commande b2, la capacité C3 et l'inductance L4.
The conductive pad 11 constitutes a ground zone to which the resistor R1, the diode PIN S and the capacitor C3 are connected. Likewise, the conductive pad 12 constitutes a ground zone to which the capacitor C1 and the resistor R2 are connected. The area 13 corresponds to the common point 3 connecting the core Al, the inductance L1 and the cathode of the diode
D1. The area 14 corresponds to the common point 4 connecting the core
A2, inductance L2 and the cathode of diode D2. The range 15 corresponds to the common point 5 connecting the diode anodes D1 and D2, the capacitor C2 and the inductance L3. The area 16 corresponds to the common point 6 connecting the control terminal b1, the capacitor Ci and the inductor L3. The area 17 corresponds to the common point 7 connecting the PIN diode S, the capacitor C2 and the inductor L4. Finally, the range 1E corresponds to the common point 8 connecting the control terminal b2, the capacitor C3 and the inductance L4.

L'inductance parasite de la capacité C2, augmentée de celles des plages conductrices 11,15 et 17 reliant ladite capacité C2 aux diodes D1 et D2 ainsi qu'à l'inductance L4 et à la diode PIN S, forme l'inductance L5 du circuit résonant série L5C2.The parasitic inductance of the capacitor C2, increased by those of the conductive pads 11, 15 and 17 connecting said capacitor C2 to the diodes D1 and D2 as well as to the inductor L4 and to the PIN diode S, forms the inductor L5 of the resonant circuit series L5C2.

Sur la figure 5, on a représenté un dispositif de commutation selon l'invention permettant de commuter un signal de puissance à très haute fréquence, dans les deux sens, entre une borne commune B1 et l'une ou l'autre d'une pluralité de bornes individuelles B2. Pour cela, on prévoit une pluralité de dispositifs I1,I2,I3 disposés respectivement en parallèle entre la borne commune B1 et une borne B2.In Figure 5, there is shown a switching device according to the invention for switching a power signal at very high frequency, in both directions, between a common terminal B1 and one or the other of a plurality of individual terminals B2. For this, a plurality of devices I1, I2, I3 are provided respectively arranged in parallel between the common terminal B1 and a terminal B2.

Chaque dispositif 11,I2,I3 est identique au dispositif I de la figure 1, à l'exception près qu il n'existe qu'un seul montage L1,R1, commun à tous les dispositifs I1,I2 et 13.Each device 11, I2, I3 is identical to the device I of FIG. 1, with the exception that there is only one mounting L1, R1, common to all the devices I1, I2 and 13.

On conçoit aisément qu'en commandant les dispositifs 11,12 et I3 par leurs bornes respectives bl et b2 de la façon décrite ci-dessus pour le dispositif I, il est possible de rendre conducteur l'un quelconque desdits dispositifs, pendant que les autres sont commandés au blocage.It is easily understood that by controlling the devices 11, 12 and I3 by their respective terminals bl and b2 in the manner described above for the device I, it is possible to make any of said devices conductive, while the others are ordered at blocking.

Il est donc possible, par exemple, d'aiguiller un signal de très haute fréquence apparaissant à la borne commune B1 vers l'une ou l'autre desdites bornes B2. It is therefore possible, for example, to route a very high frequency signal appearing at the common terminal B1 to one or the other of said terminals B2.

Claims (9)

REVENDICAlIONS 1 - Dispositif de commande bidirectionnelle d'un signal électrique de puissance à très haute fréquence, comportant deux diodes opposées (D1,D2) montées en série entre deux bornes (B1,B2), des premiers moyens de polarisation (bi,L3) pour commander en commun à la conduction ou au blocage, lesdites diodes et des moyens (L1,R1-L2,R2) de dérivation à la masse du courant continu traversant lesdites diodes lorsqu'elles sont rendues conductrices, caractérisé en ce qu'il comporte une diode (S) de type PIN reliant à la masse le point commun (5) desdites diodes opposées (D1,D2), ainsi que des seconds moyens de polarisation (b2,L4) permettant de polariser ladite diode (S) de type PIN, d'une part, en inverse lorsque lesdites diodes opposées (D1,D2) sont commmandées à la conduction et, d'autre part, en direct, lorsque lesdites diodes opposées (D1,D2) sont commandées au blocage.1 - Device for bidirectional control of an electrical signal of very high frequency power, comprising two opposite diodes (D1, D2) connected in series between two terminals (B1, B2), first polarization means (bi, L3) for jointly controlling, during conduction or blocking, said diodes and means (L1, R1-L2, R2) for deriving the earth from the direct current passing through said diodes when they are made conductive, characterized in that it comprises a PIN type diode (S) connecting the common point (5) of said opposite diodes (D1, D2) to ground, as well as second polarization means (b2, L4) enabling said PIN type diode (S) to be polarized, on the one hand, in reverse when said opposite diodes (D1, D2) are controlled by conduction and, on the other hand, live, when said opposite diodes (D1, D2) are controlled to block. 2 - Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une capacité (C2) est interposée entre lesdites diodes opposées (D1,D2) et ladite diode (S) de type PIN.2 - Device according to claim 1, characterized in that a capacitor (C2) is interposed between said opposite diodes (D1, D2) and said diode (S) of PIN type. 3 - Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte une inductance (L5) montée en série avec ladite capacité (C2) de façon à former un circuit résonnant série, dont la fréquence de résonance est de l'ordre de celle dudit signal à très haute fréquence 4 - Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite inductance (L5) est une inductance parasite répartie. 3 - Device according to claim 2, characterized in that it comprises an inductor (L5) connected in series with said capacitor (C2) so as to form a series resonant circuit, the resonance frequency of which is of the order of that of said very high frequency signal 4 - Device according to claim 3, characterized in that said inductance (L5) is a distributed parasitic inductance. 5 - Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il est réalisé en technologie hybride à couche conductrice épaisse.5 - Device according to claim 4, characterized in that it is made in hybrid technology with a thick conductive layer. 6 - Dispositif de commande bidirectionnelle d'un signal électrique de puissance à très haute fréquence entre d'une part une borne commune, et, d'autre part, l'une ou l'autre d'une pluralité de bornes individuelles, caractérisé en ce quil comporte autant d'interrupteurs que de bornes individuelles, chacun desdits interrupteurs comportant, entre ladite borne commune et la borne individuelle correspondante, deux diodes opposées (D1,D2) montées en série, des premiers moyens de polarisation (bl,L3) pour commander en commun, à la conduction ou au blocage, lesdites deux diodes et des moyens (L1,R1-L2,R2) de dérivation à la masse du courant continu traversant lesdites deux diodes lorsqu'elles sont rendues conductrices et en ce que chaque interrupteur comporte une diode (S) de type PIN reliant à la masse le point commun desdites deux diodes opposées (D1,D2), ainsi que des seconds moyens de polarisation (b2,L4) permettant de polariser ladite diode (S) de type PIN, d'une part, en inverse lorsque lesdites deux diodes opposées sont commandées à la conduction et, d'autre part, en direct, lorsque lesdites deux diodes opposées (D1,D2) sont commandées au blocage.6 - Device for bidirectional control of an electrical signal of very high frequency power between on the one hand a common terminal, and, on the other hand, one or the other of a plurality of individual terminals, characterized in that it comprises as many switches as there are individual terminals, each of said switches comprising, between said common terminal and the corresponding individual terminal, two opposite diodes (D1, D2) connected in series, first polarization means (bl, L3) for jointly controlling, during conduction or blocking, said two diodes and means (L1, R1-L2, R2) for deriving to earth the direct current flowing through said two diodes when they are made conductive and in that each switch comprises a PIN type diode (S) connecting the common point of said two opposite diodes (D1, D2) to ground, as well as second polarization means (b2, L4) enabling said PIN type diode (S) to be polarized, on the one hand, in reverse when said two opposite diodes are controlled by conduction and, on the other hand, directly, when said two opposite diodes (D1, D2) are controlled by blocking. 7 - Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que, du côté de ladite borne commune, lesdits moyens (LI,R1) de dérivation de courant à la masse sont communs à tous lesdits interrupteurs.7 - Device according to claim 6, characterized in that, on the side of said common terminal, said means (LI, R1) for deriving current to ground are common to all of said switches. 8 - Dispositif selon l'une des revendications 6 ou 7, caractérisé en ce que, dans chaque interrupteur, une capacité (C2) est interposée entre lesdites deux diodes opposées (D1,D2) et ladite diode (S) de type PIN et en ce qu'une inductance (L5) est montée en série avec ladite capacité (C2) de façon à former un circuit résonnant serte, dont la fréquence de résonance est de l'ordre de celle dudit signal à très haute fréquence.8 - Device according to one of claims 6 or 7, characterized in that, in each switch, a capacitor (C2) is interposed between said two opposite diodes (D1, D2) and said diode (S) of PIN type and in that an inductor (L5) is connected in series with said capacitor (C2) so as to form a resonant circuit, the resonant frequency of which is of the order of that of said very high frequency signal. 9 - Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que lesdites inductances (L5) sont des inductances parasites réparties.9 - Device according to claim 8, characterized in that said inductors (L5) are distributed parasitic inductances. 10 - Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il est réalisé en technologie hybride à couche conductrice épaisse. 10 - Device according to claim 9, characterized in that it is made in hybrid technology with a thick conductive layer.
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