FR2599170A1 - Element a effet electrochrome - Google Patents

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Abstract

L'INVENTION CONCERNE UN ELEMENT A EFFET ELECTROCHROME. CET ELEMENT COMPORTE UN SUBSTRAT S, UNE ELECTRODE SUPERIEURE A, UNE COUCHE A EFFET ELECTROCHROME D, E, F ET UNE ELECTRODE INFERIEURE A, CES ELECTRODES AINSI QUE LA COUCHE A EFFET ELECTROCHROME ETANT FORMEES SUR LE SUBSTRAT, TANDIS QUE DES BORNES B1 POUR LES ELECTRODES B, A SONT FORMEES DANS DEUX REGIONS OPPOSEES DU SUBSTRAT. APPLICATION NOTAMMENT AUX DISPOSITIFS D'AFFICHAGE NUMERIQUE.

Description

La présente invention concerne un nouvel élément perfectionné à effet
électrochrome (l'expression "à effet électrochrome" sera symbolisée ciaprès par le sigle EC et un élément EC ou élément à effet électrochrome sera désigné ci-après sous le terme d'élément ECD). Un élément ECD classique comporte deux couches d'électrodes, dont l'une au moins est transparente, et une couche EC enserrée entre les deux couches d'électrodes. Lorsqu'une tension possédant une certaine amplitude et délivrée par une 10 pile sèche est appliquée entre les deux couches d'électrode de l'élément ECD, ce dernier émet une lumière. Lorsque la tension inverse est appliquée à l'élément ECD, ce dernier s'éteint et devient à nouveau transparent. Des études étendues ont été effectuées sur des éléments ECD utilisables pour des disposi15 tifs d'affichage, en particulier des dispositifs d'affichage numérique à 7 segments, des dispositifs de commande d'émission
ou de réfléxion et d'autres dispositifs.
Lorsqu'un matériau EC tel que du WO3 émet une lumière, des électrons (e-) et des cations (X+) sont injectés simul20 tanément, et les formules générales de réaction pour l'émission et l'extinction-sont représentées de la manière suivante: Etat d'extinction: WO + ne + nX+ t k 3 Etat d'émission: XnWO3 On utilise principalement des ions H ou Li+ en tant que cations (X+) étant donné qu'is possèdentun faible rayon et une bonne mobilité. Il n'est pas nécessaire que les cations (X) soient en
permanence présents en tant que tels. On peut utiliser un matériau qui est converti en cations lors de l'appliczatïion d'une 30 tension et par conséquent d'un champ électrique à ce matériau.
En particulier on utilise l'eau en tant que source de cations pour H+. Dans ce cas la quantité d'eau peut être très faible, et l'humidité pénétrant naturellement dans la. couche EC à partir de l'air, lors de l'exposition de l'élément ECD à l'air, 35 est suffisante.
Cependant, même si la couche de WO3 est enserrée entre deux électrodes et est amenée à émettre, l'émission ne peut pas être interrompue immédiatement. Même si l'on applique une tension inverse d'extinction au couple des couches d'électrodes, les électrons (e-) sont délivrés par l'électrode en contat aca cathode, et il apparaît la réaction suivante en présence de H+:
3 3
On connaît un élément ECD classique, qui comporte 10 une couche isolante constituée en SiO2 ou MgF2 entre une couche
de WO3 et une électrade, comme cela a été proposé par S.K. Deb et consorts. Cette couche isolante empêche un déplacement libre des électrons, mais permet le déplacement libre d'ions tels.
que H+ ou OH. Les ions H+ et OH portent des charges électri15 ques (dans ce sens, cette couche ne peut pas être désignée comme couche isolante,. mais doit être désignée de façon appropriée sous le terme de couche de conduction ionique}. La réaction suivante des ions O- se produit au niveau de l'interface entre la couche de conduction ionique et l'anode: 20 OH--1/2H20 + 1/402 t + eLes électrons sont émis en direction de la cathode.
Dans l'état d'émission, dn peut supposer que les réaction suivantes se développent: Cathode: WO3. + ne + nH+ -- HnWO3 Anode: nOH -- n/2H20 + n/402 + + ne Dans l'état d'extinction, on peut supposer que les réactions suivantes se développent: Cathode: HnWO3 ->WO3 + ne + nH Anode: nH20 + ne --nOH + n/2H2 Comme cela ressort des formules des réactions ci-dessus, étant donné que de l'eau est consommée pendant l'émission et l'extinction de l'élément ECD proposé par S.K. Deb et consorts, aucune émission ne peut être exécutée sans une alimentation uniforme en eau à partir de l'air. En outre des gaz 35 02 et H2 sont produits lors de la commande, et un décollement
entre les couches tend à se produite.
Dans le brevet US N 4 350 414, on propose un élément ECD, dans lequel une couche d'oxyde d'émission EC est formée entre une couche de conduction ionique et une couche d'élec5 trode. Dans cet élément ECD, on utilise l'oxyde d'iridium pour constituer la couche d'oxyde d'émission EC. Pendant l'émission de WO3, on suppose que les réactions suivantes apparaissent dans l'anode: Transparente: Ir(OH)m + n(OH) Colorée: Ir(OH)p. qH2O + rH20 + S(e-) Pendant l'extinction de W03, on suppose que les réactions suivantes se produisent dans la cathode: Ir(OH)p.qH2O + rH2O + S(e)
'
Ir(OH)m + n(OH)
C'est pourquoi de l'eau est produite et n'est pas consommée.
En outre, lors du fonctionnement de l'élément ECD, aucun gaz
02 et H2 n'est produit.
D'autres éléments ECD classiques sont représentés
à titre d'exemple par une combinaison d'une couche EC et d'une couche électrolytique de lithium à l'état solide et une combinaison d'une couche EC et d'un matériau solide contenant des protons, d'un matériau solide émettant des protons ou d'une 25 couche de résine semi-solide.
Dans tous les cas, l'élément ECD doit être étanchéifié afin qu'il soit fiable et durable. En particulier, dans un élément ECD utilisant de l'eau comme source de protons, l'étanchéification doit être réalisée pour qu'il n'y ait pas de fui30 te d'eau à partir de la couche EC. Pour obtenir l'étanchéité
on utilise d'une manière générale une résine époxy ou n'importe quelle autre résine.
Lorsque l'on étanchéifie l'élément ECD, il faut appliquer une tension de commande entre les deux couches d'élec35 trodes. Les couches d'électrodes sont partiellement à nu de
manière à permettre l'utilisation des parties à nu en tant que bornes de raccordement des électrodes. Des conducteurs extérieurs sont raccordés à ces bornes.
Des exemples d'un matériau transparent d'électrode utilisé dans un tel élément ECD sont le SnO2, le In203 et le ITO (un mélange de SnO2 et de In203). Ces matériaux possèdent des résistances électriques relativement élevées. C'est pour cette raison que, si la zone d'affichage est étendue et que l'émission/ extinction est déclenchée, il faut attendre 10 un long intervalle de temps pour obtenir l'émission/ extinction de l'ensemble de la surface et par conséquent l'on
n'obtient qu'une distribution non uniforme d'émission/ extinction.
C'est pourquoi un but de la présente invention est 15 de fournir un élément à effet électrochrome, qui supprime
les problèmes de l'émission/ extinction non uniforme de l'élément classique.
Afin d'atteindre le but indiqué précédemment de la présente invention, il est prévu un élément à effet électro20 chrome comportant un substrat bidimensionnel, une électrode supérieure,une couche à effet électrochrome et une électrode inférieure, au moins l'électrode supérieure, la couche aà effet électrochrome et l'électrode inférieure étant formées sur
le substrat, caractérisé en ce que des bornes d'électrodes sont 25 formées dans deux régions opposées du substrat.
Des exemples du matériau utilisable pour les électrodes supérieure et inférieure et pour les bornes des électrodes sont un métal (par exemple Al,Ag,Ni,Pt,Au,Pd,Cr,Ir,Ru,
et Rh), un oxyde conducteur transparent, par exemple SnO2,In203, 30 un ITO (un mélange de SnO2 et de In203) et le carbone.
La formation ou l'empilage des électrodes peut être réalisé au moyen d'un procédé de formation de couches minces comme par exemple le dépôt sous vide, le dépôt réactif, le plaquage ionique, le plaquage ionique réactif, le dépôt par pul35 vérisation, le dépôt par pulvérisation réactive, ou le dépôt
CVD (dépôt chimique en phase vapeur). Si cela est nécessaire, on peut utiliser un procédé de formation de couches minces (on applique une solution d'un composé organo-métallique tel qu'un alcoolate métallique ou son oligomère & un substrat et on fait 5 cuire la structure obtenue de manière à former une couche mince).
L'épaisseur de l'électrode varie en fonction des valeurs résistives des oxydes conducteurs transparents, mais se situe en général dans la gamme allant de 0,01 à 0,5 pm. Si 10 l'on utilise un métal pour l'électrode, son épaisseur se situe
de préférence dans la gamme allant de 8 x 10-5 à 10-1 mm.
Il est préférable de former simultanément les bornes des électrodes supérieure et inférieure.
Conformément à uné première forme de réalisation 15 de l'invention, les bornes des électrodes sont formées respectivement le long des grands côtés d'un substrat rectangulaire.
Aucune borne n'est formée le long du petit côté du substrat rectangulaire. Si les bornes sont formées le long des grands
côtés, la distance entre les petits côtés, c'est-à-dire la dis20 tance correspondant essentiellement à la longueur du grand côté, devient importante et une émission/extinction non uniforme tend à se produire. Cependant, conformément à une troisième forme de réalisation de la présente invention, les bornes des électrodes sont formées à la fois le long des petits côtés et 25 des grands côtés d'un substrat rectangulaire.
Un matériau pour la couche EC est un matériau réduit ou un oxyde EC d'émission. Des exemples du matériau réduit EC sont un oxyde minéral tel que WO3 et MoO3 et un matériau organique. Des exemples des matériaux d'émission EC sous 30 forme d'oxyde sont un matériau minéral (par exemple un hydroxyde ou un oxyde d'iridium, un hydroxyde ou un oxyde de nickel, un hydroxyde ou un oxyde de chrome, un hydroxyde ou un oxyde de vanadium, un hydroxyde ou un oxyde de tellure ou un hydroxyde ou un oxyde de rhodium) et un matériau organique.
La couche EC peut être utilisée d'une manière indi-
viduelle ou sous la forme d'une structure à deux couches constituées par les couches d'émission EC formées d'un matériau réduit et d'un oxyde. Sinon la couche EC peut être en outre utilisée en association avec une couche de conduction ionique. 5 La structure la plus préférable est une structure à trois couches telles que couche de matériau réduit d'émission EC/couche de conduction ionique/couche d'oxyde d'émission EC (on peut utiliser l'oxydation électrolytique réversible bien qu'il ne
se produise aucune émission distincte).
L'épaisseur de chacune de ces couches EC est normalement comprise entre 0, 01 et plusieurs Mm. La couche est d'une manière générale formée au moyen du procédé de formation
de couches minces décrit plus haut.
La couche de conduction ionique, qui est formée 15 lorsque cela s'avère nécessaire, sert d'isolant pour les électrons, mais de conducteur pour les protons (H+) et pour les
ions hydroxyle OH-. La couche de conduction ionique est formée de manière à conférer une fonction de mémoire à l'élément ECD.
En d'autres termes, même une fois que l'élément ECD est désex20 cité, l'état d'émission est conservé. Des exemples de la couche de conduction ionique sont les suivants: (1) Une couche mince d'un diélectrique minéral, par exemple de l'oxyde de tantale (Ta205), de l'oxyde de niobium (Nb205) de l'oxyde de zirconium (ZrO2), de l'oxyde de titane 25 (TiO2), de l'oxyde de hafnium (HfO2), de l'oxyde d'yttrium (Y2 03), de l'oxyde de lanthane (La203), de l'oxyde de silicium (SiO2), du fluorure de magnésium, du phosphate de zirconium ou un mélange de ces matériaux (ces matériaux sont isolants pour les électrons, mais conducteurs pour les protons (H) et 30 les ions hydroxy (OH)). L'épaisseur de l'élément ECD mince à l'état solide peut être très faible. En outre il ne se produit aucune fuite de liquide. Dans ce cas, le diélectrique minéral indiqué plus haut est utilisé de préférence pour former la couche de conduction ionique; (2) Un électrolyte solide tel que du chlorure de sodium, du chlorure de potassium, du bromate de sodium, du bromate de potassium, du Na3Zr2Si2PO12, du Na1 + xZrSixP3-xO 12,du Na5YSi4012 ou du RbAg4I5; (3) de l'eau ou une source de protons contenant une 5 résine synthétique telle qu'un copolymère d'acide P-hydroxyéthyl-méthacrylique et de 2acrylamide-2-méthylpropane-sulfonate, un polymère vinylique contenant de l'eau tel qu'un copolymère de méthylméthacrylate contenant de l'eau ou un polyester contenant de l'eau; (4) Une solution électrolytique telle qu'un acide (par exemple de l'acide sulfurique, de l'acide chlorhydrique, de l'acide phosphorique, de l'acide acétique, de l'acide butyrique ou de l'acide oxalique), une solution aqueuse de tels acides, une solution alcaline (par exemple de l'hydroxyde de 15 sodium ou de l'hydroxyde de potassium) ou une solution aqueuse d'un électrolyte fort à l'état solide (par exemple du chlorure de sodium, du chlorure de lithium, du chlorure de potassium ou du sulfate de lithium; et (5) Un électrolyte en forme de gel semi-solide, 20 comme par exemple un matériau obtenu en gélifiant une solution
électrolytique à l'aide d'un agent de gélification tel que l'alo0ol plyviylqoe, la cabcyli-oelukoee(GC), ' 'ar-agar cu e gla géatine.
La couche de condition ionique peut être formée en utilisant une technique de formation de couches minces sous 25 vide, un procédé de formation de couches minces, un procédé d'étanchéité, un procédé d'injection, un procédé d'enduction ou n'importe quel autre procédé. L'épaisseur de la couche de conduction ionique se situe dans la gamme comprise entre 0,01pm
et 1 mm.
En outre on peut utiliser la couche d'oxyde EC d'émission, une couche d'oxyde électrolytique réversible ou une couche de catalyseur. Des exemples d'un tel matériau sont un matériau minéral (par exemple de l'hydroxyde ou de l'oxyde d'iridium, de l'hydroxyde ou de l'oxyde de nickel, de l'hydro35 xyde ou de l'oxyde de tellure, de l'hydroxyde ou de l'oxyde de chrome ou de l'hydroxyde ou de l'oxyde de vanadium), et un matériau organique. Un tel matériau peut être dispersé dans une autre couche de conduction ionique ou dans une électrode transparente.
D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après
prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1 est une vue en coupe schématique d'un élément ECD conforme à une première forme de réalisation de 10 la présente invention; - les figures 2A,2B et 2C sont respectivement des vues en plan permettant d'expliquer les étapes opératoires intervenant lors de la fabrication de l'élément ECD représenté sur la figure 1; - les figures 3A,3B et 3C montrent respectivement des vues en coupe prisessuivant les lignes 3A à 3C sur les vues en coupe de l'élément ECD représenté sur les figures 2A à 2C; - la figure 4 est une vue en coupe montrant les connexions électriques raccordant un système de commande à l'élé20 ment ECD représenté sur la figure 1; - les figures 5A,5B et 5C sont respectivement des vues en plan permettant d'expliquer Les étapes de fabrication d'un élément ECD conforme à une seconde forme de réalisation de la présente invention; - les figures 6A et 6B sont des vues schématiques respectives illustrant une troisième forme de réalisation de la présente invention; - les figures 7A,7B,7C et 8 sont des vues en plan respectives permettant d'expliquer les étapes de fabrication 30 de l'élément ECD correspondant à la troisième forme de réalisation de la présente invention; - les figures 9A et 9B sont des vues schématiques respectives d'une quatrième forme de réalisation de la présente invention;
- la figure 10 est une vue en coupe d'une cinquiè-
me forme de réalisation de la présente invention; - la figure 11 est une vue en plan d'une sixième forme de réalisation de la présente invention; et - la figure 12 est une vue montrant une structure stratifiée perfectionnée conforme à la présente invention.
Ci-après on va décrire la présente invention de façon détaillée en se référant à ses formes de réalisation préférées.
La figure 1 représente une vue en coupe d'un élé10 ment ECD conforme à une première forme de réalisation, les étapes de fabrication de cet élément ECD étant illustrées sur les figures 2A,2B et 2C (vues en plan) et sur les figures 3A,3B et 3C (vues en coupe prises suivant les lignes des figures 2A,
2B et 2C).
(1) Comme cela est représenté sur la figure 2A, on a formé une pelliculedeITOsur un substrat en verre S et on l'a soumise à une corrosion photochimique de manière à obtenir une structure enIrO en obtenant de ce fait une électrode inférieure B, sa borne B1 et une borne d'électrode supérieure C. L'élec20 trode inférieure B et sa borne B1 ont été formées d'un seul
tenant. Elles ne sont pas matériellement séparées,maisonlesadistinguées du point de vue conceptuel pour la commodité de l'illustration.
On peut utiliser d'autres moyens tels que le dépôt 25 d'un masque à la place de la structuration par corrosion photochimique de manière à obtenir dès le départ la forme désirée.
Une fois que l'électrode est formée sur l'ensemble de la surface du substrat S, on peut structurer la couche formant électrode non pas par corrosion photochimique, mais par découpage 30 au laser.
La caractéristique de la première forme de réalisation de la présente invention réside dans le fait que les bornes des électrodes en forme de bandes sont formées respectivement le long des grands côtés du substrat. C'est pour cet35 te raison qu'une rainure servant à isoler la borne C de l'élec-
trode supérieure par rapport à l'électrode inférieure B est parallèle aux grands côtés du substrat S. (2) Comme représenté sur les figures 2B et 3B, on a formé successivement sur le substrat S et dans l'ordre indi5 qué une couche D formée d'un mélange d'oxyde d'iridium et d'oxyde d'étain, une couche d'oxyde de tantale et une couche F
d'oxyde de tungstène.
(3) Comme cela est représenté sur les figures 2C et 3C, on a formé au moyen d'un dépôt utilisant un masque une 10 électrode A en Al. Dans ce cas on avait raccordé électriquement une partie de l'électrode A en Al à une extrémité de la borne C. (4) Enfin, comme représenté sur la figure 1, on a enrobé de façon étanche la structure obtenue en utilisant une 15 résine époxy R, hormis en ce qui concerne ses parties enoenct avec les bords de la borne C de l'électrode et l'électrode B.
Simultanément on a fixé à la résine époxy une plaque de verre protectrice G possédant des dimensions légèrement inférieures aux dimensions du substrat S, de manière à préparer un élément 20 ECD.
Le processus et les conditions de préparation de
chaque couche sont résumés dans le tableau 1 donné ci-après.
Tableau 1
Couche Technique de for- Condition mation de couches minces sous vide Matériau Epaisseur Température Vide (Pa)Vitesse de Symbole de la du substrat formation de couche(mm) (0C)la couche .. ................ W _(nm/s) B o.@ ITO 100 Dépôt sous vide 300 02:267.10-4 0,2 D Couche mix120 Placage ionique Températu- 02:534.10-4 0,1 te oxyde HF re ambiand'indium- te oxyde d'étain E Oxyde de 1000 " " " O2:534.104 0,6 tantale F Oxyde de 500 Dépôt sous vide " " Ar:534.10-4 0,6 tungstène A Ai 100 " " " " 2 x10-5 0,4 -.. Ln No 'o o Seules les parties à nu de l'élément ECD, qui sont à l'extérieur de la région de scellement étanche R, sont des parties des électrodes C et B1 en ITO. Comme représenté sur la figure 4, les conducteurs extérieurs LA et LB sont fixés 5 respectivement aux parties à nu. Lorsque l'on a appliqué une tension de coloration (+1,35 V) au moyen d'une alimentation de commande (Si) aux électrodes C et B1, le coefficient de réflexion de la lumière L possédant une longueur d'onde de 633 nm
et tombant sur le substrat S de l'élément ECD est tombé à 15 % 10 (une seconde après l'application de la tension). Le coefficient de réflexion est resté à cette valeur même lorsque l'on a débranché l'élément ECD. Lorsque l'on a ensuite appliqué une tension d'extinction (-1,35 V) a l'élément ECD, le coefficient de réflexion est revenu à la valeur 65 % (une seconde après 15 l'application de la tension).
On a immergé l'élément ECD obtenu, dans de l'eau
chaude à 70 C pendant 100 heures. Les électrodes B et C ne se sont pas décollées du substrat S et présentaient essentiellement les mêmes caractéristiques quedamsl'état précédant l'immer20 sion.
On a obtenu le meilleur effet lorsque le rapport
des petits côtés aux grands côtés est égal à 1:2.
Une seconde forme de réalisation est l'exemple d'un miroir anti-reflets servant de rétroviseur dans une automobile. 25 La structure de la seconde forme de réalisation est essentiellement la même que celle de la première forme de réalisation, hormis que la forme en coupe du substrat est elliptique. La figure 5A correspond à la figure 2A, la figure 5B à la figure
2B, et la figure 5C à la figure 2C.
Dans une troisième forme de réalisation de la présente invention, comme représenté sur les figures 6A et 6B,
le bord extérieur d'une borne supplémentaire C en forme de bande d'une électrode supérieure et un bord extérieur en forme de U renversé d'une électrode inférieure B sont à nu, et ce 35 avec des dimensions appropriées.
On prépare une pince CA en forme d'auget possédant une section sensiblement en forme de U d'une longueur correspondant sensiblement à un côté du substrat S, pour la borne supplémentaire de l'électrode supérieure A présentant une faible 5 résistance électrique. On prépare une pince conductrice CB en forme de U comportant des côtés, possédant chacun une longueur correspondant à chacun des autres côtés du substrat, pour l'électrode inférieure B possédant une résistance électrique élevée. Comme cela est représenté sur la figure 7C, on place 10 la pince CA sur le bord extérieur en forme de bande de la borne supplémentaire de l'électrode. On monte la pince CB sur le bord extérieur en forme de U de l'électrode inférieure B, ce
qui permet d'obtenir les bornes pour les électrodes.
On prépare chaque pince en repliant une plaque min15 ce d'une épaisseur comprise entre 0,05 et 2 mm et constituée en un métal tel qu'un bronze phosphoreux et élastique, pour obtenir un élément en forme de U. La résistance électrique de l'électrode supérieure est nettement supérieure à celle de l'électrode inférieure. La résistance électrique de l'électro20 de supérieure est nettement supérieure à celle de l'électrode inférieure. On fixe respectivement des fils extérieurs LA et LB aux pinces CA et CB, par soudage ou au moyen d'un adhésif conducteur. Il n'est pas nécessaire d'établir les connexions électriques des fils extérieurs en des positions opposées de la figure 6A. Cependant les fils extérieurs peuvent être dans
des positions proches l'un de l'autre.
En outre on applique une résine époxy R sur la sur30 face de la structure obtenue et on place sur la résine époxy
R une plaque de verre protection G possédant les dimensions définies par les pinces CA et CB. Puis on fait durcir la résine R de manière à enrober de façon étanche l'élément ECD.
La résine et la plaque de verre G ne sont pas représentées sur 35 les figures 6A et 6B.
Lorsque les dimensions de l'élément ECD étaient égales à 9,2 cm x 19,2 cm et que l'on a appliqué une tension de coloration (+ 1,35 V) au moyen d'une alimentation de commande aux fils extérieurs LA et LB, le coefficient de réflexion de 5 l'élément ECD est tombé à 15 % (10 secondes après l'application de la tension) lorsqu'une lumière possédant une longueur d'onde de 633 nm est tombée sur le substrat S. Même lorsque l'on a débranché l'élément ECD, le coefficient de réflexion a été conservé pendant un intervalle de temps donné. Lorsque 10 l'on a appliqué une tension d'extinction (-1,35 V) aux fils LA et LB, le coefficient de réflexion est revenu à 65 % (10
secondes après l'application de la tension).
Dans la troisième forme de réalisation, lorsque l'on a formé l'électrode A en Al en tant qu'électrode supé15 rieure au moyen d'un dépôt utilisant un masque, on a modifié
la forme du masque de manière à former simultanément l'électrode supérieure A en A1 et une borne CA en forme de bande, d'un seul tenant avec l'électrode, ainsi qu'une borne CD en forme de U et une borneenITO'une électrode inférieure B. Dans 20 la quatrième forme de réalisation, on n'a pas utilisé les pinces utilisées dans la troisième forme.de réalisation.
L'élément ECD obtenu est représenté selon une vue
en plan sur la figure 9A et selon une vue en coupe sur la figure 9B.
Dans la quatrième forme de réalisation, on n'a pas formé une borne supplémentaire Ai, en ITO, d'une électrode supérieureA en Al, sur le substrat. Au moment du dépôt, utilisant un masque, de l'électrode A en Al en tant qu'électrode supérieure, on a modifié la forme du masque de manière à mo30 difier simultanément l'électrode A en Al et une borne en forme de bande CA de l'électrode, d'un seul tenant avec l'électrode, ainsi qu'une borne CB en forme de U de l'électrode, séparée de l'électrode supérieure A et une borne, en ITO, de l'électrode inférieure. C'est pourquoi, dans la cinquième forme de 35 réalisation, on n'a pas utilisé les pinces utilisées dans la
troisième forme de réalisation.
L'élément LCD obtenu est représenté sur la vue en
coupe de la figure 10.
Un sixième exemple de réalisation est l'exemple 5 d'un miroir antireflets servant de rétroviseur dans une automobile, comme représenté sur la figure 11. La structure de cette sixième forme de réalisation est essentiellement la même que celle de la troisième forme de réalisation, hormis que la forme d'une électrode A en aluminium correspondant à la sur10 face réfléchissante du miroir n'est pas rectangulaire.
La figure 12 représente une structure stratifiée perfectionnée conforme à la présente invention. Certaines des
couches décrites précédemment sont inversées.

Claims (14)

REVENDICATIONS
1. Elément à effet électrochrome, caractérisé en ce qu'il comporte: a) un substrat (S); b) une première électrode (B); c) une couche à effet électrochrome (D,E,F); d) une seconde électrode (A), ladite première électrode (D), ladite couche à effet électrochrome(D,E,F) et ladite seconde électrode (A) étant formées sur ledit substrat dans 10 l'ordre indiqué; e) une première partie conductrice (B1), qui est formée sur ledit substrat et est raccordée électriquement à ladite première électrode (B) de sorte qu'une première région raccordée électriquement à ladite première électrode s'étend 15 sensiblement dans une première direction; et f) une seconde partie conductrice (C), qui est formée sur ledit substrat et est raccordée électriquement à ladite seconde électrode (A) de telle sorte qu'une seconde région raccordée électriquement à ladite seconde électrode s'étend 20 sensiblement le long de ladite première direction et que lesdites première et seconde régions enserrent entre elles ladite
première électrode.
2. Elément selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre des moyens(Su) servant à appli25 quer une différence de potentiel entre lesdites première et
seconde parties conductrices (B1,C).
3. Elément selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit substrat (S) transmet au moins une partie du
rayonnement, que ladite première électrode (B) transmet au 30 moins une partie du rayonnement et que ladite seconde électrode (A) réfléchit au moins une partie du rayonnement.
4. Elément selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit substrat (S) possède une forme essentiellement rectangulaire, que ladite première région est formée le long 35 d'un grand côté dudit substrat et que ladite seconde région
est formée le long de l'autre grand côté dudit substrat.
5. Elément selon la revendication 4, caractérisé
en ce que ledit substrat (S) transmet au moins une partie du rayonnement, que ladite première électrode (Bl) transmet au 5 moins une partie du rayonnement et que ladite seconde électrode (A) réfléchit au moins une partie du rayonnement.
6. Elément selon la revendication 5, caractérisé en ce que laditepremière électrode (B) possède une résistance électrique supérieure à celle de ladite seconde électrode (A) 10 et que chacune desdites première et seconde parties conductrices (B1,C) possède une résistance électrique inférieure à celle
de ladite première électrode.
7. Elément selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit substrat (S) possède une forme sensiblement 15 rectangulaire, que ladite première région est formée le long de trois côtés continus dudit substrat et que ladite seconde
région est formée le long du côté restant dudit substrat.
8. Elément selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit substrat (S) transmet au moins une partie du rayonnement, que ladite première électrode (B) transmet au moins une partie du rayonnement et que ladite seconde électrode (A)
réfléchit au moins une partie du rayonnement.
9. Elément selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite première électrode (B) possède une résistance 25 électrique supérieure à celle de ladite seconde électrode (A) et que chacune desdites première et seconde parties conductrices (B1,C) possède une résistance électrique inférieure à celle
de ladite première électrode.
10. Elément selon la revendication 2, caractérisé 30 en ce que ledit substrat possède une forme s'étendant dans une
direction et que lesdites première et seconde régions sont conformées de manière à s'étendre le long de cette direction.
11. Elément selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit substrat (S) transmet au moins une partie du 35 rayonnement, que ladite première électrode (B) transmet au
moins une partie du rayonnement et que ladite seconde électrode (A) réfléchit au moins une partie du rayonnement.
12. Elément selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite première électrode (B) possède une résistance 5 électrique supérieure à celle de ladite seconde électrode (A), et que chacune desdites première et seconde partiesconductrices (Bl,C) possède une résistance électrique inférieure à celle
de ladite première électrode.
13. Elément selon la revendication 2, caractérisé 10 en ce que ledit substrat (S) transmet au moins une partie du rayonnement, que ladite première électrode (B) transmet au moins une partie du rayonnement et que ladite seconde électrode (A) réfléchit au moins une partie du rayonnement, et que ladite première électrode (B) possède une résistance électrique supé15 rieure à celle de ladite seconde électrode (AI et que chacune desdites première et seconde parties conductrices (B1,C) possède une résistance électrique inférieure à celle de ladite
première électrode.
14. Elément selon la revendication 13, caractérisé 20 en ce que ladite première électrode (B) et ladite première partie conductrice (Bl) sont raccordées de telle sorte que ladite
première région est supérieure à ladite seconde région.
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