FR2595172A1 - Amplificateur a large bande comprenant un dispositif de circuit destine a ameliorer la reponse en frequence - Google Patents
Amplificateur a large bande comprenant un dispositif de circuit destine a ameliorer la reponse en frequence Download PDFInfo
- Publication number
- FR2595172A1 FR2595172A1 FR8702579A FR8702579A FR2595172A1 FR 2595172 A1 FR2595172 A1 FR 2595172A1 FR 8702579 A FR8702579 A FR 8702579A FR 8702579 A FR8702579 A FR 8702579A FR 2595172 A1 FR2595172 A1 FR 2595172A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- transistors
- pnp
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000004044 response Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 244000045947 parasite Species 0.000 abstract 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
- H03F1/48—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/14—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of neutralising means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3069—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the emitters of complementary power transistors being connected to the output
- H03F3/3076—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the emitters of complementary power transistors being connected to the output with symmetrical driving of the end stage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
IL S'AGIT D'UN AMPLIFICATEUR A LARGE BANDE COMPRENANT DES TRANSISTORS PNP VERTICAUX A COLLECTEUR ISOLE ET COMPRENANT UN DISPOSITIF DE CIRCUIT DESTINE A AMELIORER LA REPONSE EN FREQUENCE. L'ETAGE FINAL DU CIRCUIT DE SORTIE DE CET AMPLIFICATEUR COMPREND CE QU'ON APPELLE UNE PAIRE COMPLEMENTAIRE FORMEE D'UN TRANSISTOR NPN T9 ET D'UN TRANSISTOR PNP T10 QUI ONT LEURS EMETTEURS E9, E10 CONNECTES ENTRE EUX ET CONNECTES A LA COUCHE EPITAXIALE N D'UN TRANSISTOR PNP VERTICAL T4 A COLLECTEUR ISOLE COMPRIS DANS UN CIRCUIT DE GAIN DUDIT AMPLIFICATEUR. CETTE PAIRE COMPLEMENTAIRE T9, T10 PERMET DE REDUIRE A UN MINIMUM LES CAPACITES PARASITES DE JONCTION DUDIT TRANSISTOR PNP VERTICAL T4.
Description
La présente invention se rapporte à un amplificateur à large bande
comprenant un dispositif de circuit destiné à améliorer la
réponse en fréquence.
En particulier, cet amplificateur à large bande est du type qui comprend des transistors pnp verticaux à collecteur isolé. Cet amplificateur comprend avantageusement un circuit de gain ayant un transistor de type pnp vertical à collecteur isolé doté d'une borne sur la couche épitaxiale n, et un circuit de sortie ayant un étage final constitué par une paire complémentaire dont les
émetteurs sont connectés entre eux.
En particulier, l'amélioration de la réponse en fréquence d'un tel amplificateur, auquel l'invention se rapporte, est obtenue à l'aide d'un dispositif de circuit qui ramène à un minimum les capacités parasites de jonction du transistor pnp vertical compris
dans le circuit de gain.
En effet, ainsi qu'il est connu, l'utilisation des transistors pnp trouverait un grand emploi dans les amplificateurs à large bande, en raison des amplifications d'étude qui.sont liées à leur emploi, si ces transistors avaient de bonnes caractéristiques de réponse
en fréquence.
Les technologies actuelles ont mis à la disposition des utilisateurs des transistors pnp verticaux dits à collecteur isolé qui présentent de bonnes caractéristiques de réponse en fréquence,
mais la grande capacité parasite totale de jonction, vue du col-
lecteur vers la masse, constitue encore un grave facteur limitatif vis-àvis de l'utilisation des pnp verticaux isolés, en ce sens
qu'elle est préjudiciable à leurs performances de réponse aux fré-
quences élevées.
En particulier, les capacités parasites limitent l'amplifi-
cation du signal au-dessous d'une certaine fréquence.
La structure physique d'un transistor pnp vertical à collec-
teur isolé comporte la présence de deux capacités parasites signi-
ficatives, vues du collecteur vers la masse: - une première capacité de jonction SC1 existe entre la couche
dopée p+ du collecteur et la couche épitaxiale n qui isole le col-
lecteur du substrat p du transistor, qui est connecté à la masse; - une deuxième capacité parasite de jonction SC2 existe entre la couche épitaxiale n et ledit substrat p. En raison de l'étendue de ces jonctions et des forts dopages des régions p, ces capacités valent respectivement environ 7 pF et environ 6 pF à zéro volt. La solution technique connue qui peut être utilisée pour réduire ces pacacités parasites à un minimum consiste, par exemple, à connecter la borne de la couche épitaxiale n au collecteur du transistor, en court-circuitant ainsi la capacité SC1, mais la part
imputable à SC2 subsiste.
Une deuxième solution technique connue consiste à connecter
la borne de la couche épitaxiale n au pôle de l'alimentation posi-
tive, en annulant, l'effet de la capacité SC2, mais la part impu-
table à SC1 subsiste.
En conséquence, ces deux modes de résolution du problème, bien qu'ils réduisent la valeur totale des capacités parasites de jonction, présentent l'inconvénient de ne pas réduire cette valeur dans une mesure suffisante pour les besoins et, en particulier, la deuxième solution connue présente en outre l'inconvénient de ne pas être fréquemment applicable, puisque la jonction entre la couche épitaxiale, qui est ainsi polarisée, et le collecteur du transistor
pnp, cède à de basses valeurs de la tension.
Une troisième solution technique connue, ainsi qu'on le décrit dans la demande de brevet italien n 22913-A/85, consiste à inclure un circuit dit "bootstrap" (amplificateur à contre-réaction) comprenant un transistor pnp vertical à charge d'émetteur dont les bornes d'émetteur et de base sont respectivement connectées à la borne de la couche épitaxiale et au collecteur du transistor à
collecteur isolé.
Bien qu'il réponde sensiblement à l'objectif consistant à
réduire les capacités parasites, un tel circuit présente malheureu-
sement l'inconvénient de ne fonctionner correctement que pour de
petits signaux tandis que, dans le cas de signaux de grande ampli-
tude, il ne serait en mesure de suivre correctement que l'allure
des seules demi-ondes négatives du signal.
Le problème qui est à la base de l'invention est celui de la réduction -à un minimum de la totalité des capacités parasites des transistors pnp verticaux à collecteur isolé compris dans un amplificateur à large bande au moyen d'un dispositif de circuit, incorporé dans un tel amplificateur et en mesure de suivre les deux demi-ondes d'unsignal de grande amplitude, en surmontant ainsi les inconvénients qui ont été cités à propos de la technique connue.
Selon l'invention, ce problème est résolu par un amplifica-
teur à large bande comprenant un dispositif de circuit destiné à
améliorer la réponse en fréquence, et du type comprenant un cir-
cuit de gain qui contient un transistor du type pnp vertical à collecteur isoLé muni d'une borne de la couche épitaxiale n, et un circuit de sortie qui comprend un étage final constitué par une paire complémentaire formée par des transistors npn et pnp dont les émetteurs sont connectés l'un à l'autre, caractérisé en ce qu'il comprend une autre paire complémentaire formée de deux
transistors, alimentés dans ledit circuit de sortie et qui pos-
sèdent des émetteurs, connectés entre eux et connectés à travers un conducteur à ladite borne de la coucheépitaxialen du transistor
pnp compris dans le circuit de gain.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront
mieux compris à la lecteur de la description qui va suivre d'un
exemple de réalisation et en se référant aux dessins annexes sur lesquels: la figure 1 représente schématiquement un amplificateur à large bande comprenant des transistors pnp verticaux;
la figure 2 représente en détail le dispositif selon l'in-
vention et ses liaisons avec l'amplificateur.
Comme on peut le voir en se reportant à ces figures, on a désigné dans son ensemble par 1 un amplificateur à large bande
composé de trois étages dans lesquels on peut distinguer un ampli-
ficateur différentiel 2, un circuit de gain 3 et un circuit de
sortie à basse impédance 4.
En particulier, un dispositif selon l'invention est contenu
à l'intérieur du circuit de sortie 4.
Ledit amplificateur différentiel 2 est de type connu et il amplifie des différences de tension. A cet effet, il comprend une paire de bornes d'entrées ES1 et ES2 qui sont respectivement con- nectées à la base B1 à et à la base B2 d'une paire de transistors T1 et T2 structurelLement identiques et de type npn, qui ont leurs émetteurs E1 et E2 connectés l'un à L'autre et leurs collecteurs C1 et C2 connectés à un'pôle positif de l'alimentation électrique Vc, respectivement à travers une résistance R1 et à travers une
résistance R2 de même valeur.
Lesdits émetteurs E1 et E2 sont par ailleurs connectés à la terre à travers un générateur d'intensité constante I1, classique
et soi et dit de polarisation.
L'amplificateur différentiel 2 est dans son ensemble connecté audit circuit de gain 3 à travers des liaisons schématiques fonctionnelles 5
et 6 qui réunissent respectivement lecollecteur C1 à l'émetteur E3 d'un tran-
sistor T3 et le collecteur C2 à l'émetteur E2d'un transistor T4; ces transis-
tors T3 et T4 ont leurs bases B3 et B4 connectées l'une à l'autre.
Lesdits transistors T3 et T4 sont du type pnp vertical à collecteur isolé et à haute fréquence de coupure. Le transistor T4 a son émetteur E4 connecté à une aire dopée p de sa structure, non représentée sur les figures, sa base B4 connectée à une aire n+ et son collecteur C4 connecté à une aire p+. En outre, T4 est muni
d'une borne n visible sur la figure 2, connectée à la couche épi-
taxiale n de ce transistor.
La base B4 du transistor T4 est connectée à La fois au pôle d'alimentation Vc à travers un générateur de tension Vp et à la masse, à travers un générateur d'intensité I2, ces générateurs
étant des générateurs de polarisation.
Les collecteurs C3 et C4 des transistors T3 et T4 sont réunis respectivement aux collecteurs C5 et C6 d'une paire de transistors T5 et T6 de type npn; les transistors T5 et T6 ainsi réunis forment
donc ce qu'on appelle un miroir d'intensité.
Lesdits transistors T5 et T6 ont leurs bases B5 et B6 con-
nectées l'une à l'autre, le transistor T5 a également sa base B5 et son collecteur C5 court-circuités; ces transistors ont en outre leurs émetteurs E5 et E6 connectés à la masse, l'un à travers
une résistance R5 et l'autre à travers une résistance R6.
Comme on peut le voir en se reportant en particulier à l'exem-
pie de la figure 2, le transistor T4 selon l'invention comprend une
première capacité parasite SC1 de jonction, entre l'aire p+ du col-
lecteur et la couche épitaxiale n, et une deuxième capacité para-
sité SC2 entre une aire d'isolation p+ connectée à la masse et
la même couche épitaxiale n.
Entre les collecteurs C4 et C6 et coïncidant du point de vue électrique avec eux, se trouve un noeud A qui constitue la borne d'entrée pour ledit circuit à basse impédance de sortie 4
de l'amplificateur à large bande 1.
Ledit noeud A est connecté, à travers un conducteur 7, à la
base B7 d'un transistor T7 de type npn qui a son collecteur C7 con-
necté à une ligne de conduction 8 qui est à son tour connectée à
l'alimentation Vc, et son émetteur E7 connecté à une ligne de con-
duction 9 et, ensuite à la masse, avec interposition d'un généra-
teur d'intensité de polarisation I4.
Ladite base B7 est connectée à la base B8 d'un transistor T8, de type pnp, qui a son collecteur C8 à la masse à travers la ligne 9 et son émetteur E8 connecté à la ligne 8 à travers un générateur
d'intensité de polarisation I3.
On a indiqué en T9 et T10 deux transistors qui sont respecti-
vement du type npn et du type pnp, et qui forment un dispositif à paire complémentaire dont les émetteurs E9 et E10 sont réunis, selon l'invention, et qui constituent donc une première paire complémentaire de transistors alimentée dans l'étage final du
circuit de sortie 4.
Le transistor T9 a sa base B9 connectée à l'émetteur E8 et à la base Bll d'un transistor Tll de type npn, qui constitue le premier élément d'une deuxième paire complémentaire de transistors constituée par les transistors Tll et T12, et qui forment l'étage
final du circuit de sortie 4 selon la technique connue.
Le transistor T10 a sa base B10 connectée à l'émetteur E7 et
à la base B12 du transistor T12, de type pnp.
Le transistor T9 a son collecteur C9 connecté à ladite ligne 8 tandis que le transistor T10 a son collecteur C10 à la masse à
travers la Ligne 9.
Selon l'invention, les émetteurs E9 et E10, réunis l'un à l'autre, sont connectés, à travers un conducteur 10, à la couche
épitaxiale n du transistor T5 compris dans le circuit de gain 3.
Finalement, la paire complémentaire de transistors Tll et T12 a ses émetteurs Ell et E12 réunis entre eux et connectés à une
borne de sortie U, tandis que les collecteurs Cll et C12 sont res-
pectivement connectés à la ligne 8 et à la ligne 9.
Le fonctionnement du dispositif selon l'invention se produit
de la façon suivante.
L'amplificateur différentiel 2 et le circuit de gain 3, qui sont disposés en cascade, produisent dans le noeud A une valeur
de tension amplifiée d'environ 80 décibels par rapport à l'ampli-
tude d'un signal de tension présent aux bornes d'entrée ES1 et ES2.
Le circuit de gain 3 comprend les transistors T3 et T4 de
type pnp vertical à collecteur isolé et à haute fréquence de cou-
pure, de sorte que l'on obtiendrait cette amplification de tension
dans une gamme de fréquences plutôt large, en l'absence de la limi-
tation des capacités parasites de jonction SC1 et SC2 du transistor
T4, qui introduisent des atténuations aux hautes fréquences.
Le circuit de sortie 4 fait apparaître sur la borne de sortie
U la tension qui se développe dans le noeud A, mais avec une impé-
dance suffisamment basse.
Le dispositif selon l'invention, constitué par la paire com-
plémentaire des transistors T9 et T10, alimentés dans ce circuit de sortie 4, présente sur les émetteurs E9 et E10 une tension égale à celle qui est présente sur le noeud A et qui est envoyée à travers
le conducteur 10 à la couche épitaxiale n du transistor T4 du cir-
cuit de gain 3.
Des tensions égales sont donc appliquées aux bornes opposées
de la capacité de jonction SC1 et l'effet de SC1 est annulé.
L'intensité nécessaire pour charger l-a capacité SC2 à la suite de l'utilisation du circuit décrit selon l'invention est égale à celle qui serait nécessaire pour charger une capacité Cx placée sur le noeud A et d'une valeur égale à La valeur de SC2 divisée par le produit de 3p.Pn o On est le gain d'intensité du transistor npn T9 et Op est le gain d'intensité du transistor pnp T10. De cette façon, l'effet de SC2 sur le noeud A est réduit par un facteur Op.gn, comparativement au cas o l'on n'utilise pas
le circuit objet de l'invention.
Avec le dispositif selon l'invention, les performances d'en-
semble de l'amplificateur à large bande sont notablement améliorées.
En particulier, on tire le meilleur parti des hautes performances des transistors pnp verticaux à collecteur isoLé, sous l'aspect de leur réponse aux hautes fréquences, du fait qu'on a réduit leur
capacité parasite.
En outre, avec un tel dispositif, on obtient des améliorations pouvant atteindre jusqu'à 100 % de la vitesse de variation de la
tension au noeud A en regard de signaux de grande amplitude.
L'accroissement de la complexité du circuit est en outre pratiquement négligeable, et il en est de même de son encombrement, puisque aussi bien T9 que T10 sont d'une petite surface puisqu'ils n'ont à-piloter que la charge constituée par SC2; T10 peut être un transistor pnp à collecteur non isolé du substrat, puisque son
collecteur est à la masse.
Bien entendu, diverses modifications pourront être apportées par l'homme de L'art au dispositif qui vient d'être décrit uniquement
à titre non limitatif sans pour cela sortir du cadre de l'invention.
Claims (1)
- REVENDICATIONAmplificateur à large bande comprenant un dispositif de circuit destiné à améliorer la réponse en fréquence, et du typecomprenant un circuit de gain ayant un transistor de type pnp ver-tical à collecteur isolé doté d'une borne de la couche épitaxiale n, et un circuit de sortie ayant un étage final constitué par une pairecomplémentaire formée par des transistors npn et pnp dont Les émet-teurs sont connectés entre eux, caractérisé en ce qu'iL comprend une autre paire complémentaire formée de deux transistors (T9) et (T10) alimentés dans ledit circuit de sortie (4) et ayant leurs émetteurs (E9) et (E10) connectés entre eux et connectés à travers un conducteur (10) à ladite borne (N) de la couche épitaxiale ndu transistor pnp (T4) compris dans le circuit de gain (3).
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT19595/86A IT1190074B (it) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | Amplificatore a banda larga comprendente un dispositivo circuitale per migliorare la risposta in frequenza |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2595172A1 true FR2595172A1 (fr) | 1987-09-04 |
| FR2595172B1 FR2595172B1 (fr) | 1993-09-10 |
Family
ID=11159327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8702579A Expired - Fee Related FR2595172B1 (fr) | 1986-02-28 | 1987-02-26 | Amplificateur a large bande comprenant un dispositif de circuit destine a ameliorer la reponse en frequence |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4751474A (fr) |
| JP (1) | JP2545075B2 (fr) |
| DE (1) | DE3705154C2 (fr) |
| FR (1) | FR2595172B1 (fr) |
| GB (1) | GB2187350B (fr) |
| IT (1) | IT1190074B (fr) |
| NL (1) | NL8700010A (fr) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4888562A (en) * | 1987-09-09 | 1989-12-19 | National Semiconductor Corporation | Low noise, high speed current or voltage amplifier |
| US5420542A (en) * | 1994-05-16 | 1995-05-30 | Elantec, Inc. | Varactor compensation in amplifier circuits |
| US5754066A (en) * | 1996-06-19 | 1998-05-19 | Maxim Integrated Products | Output stage for buffering an electrical signal and method for performing the same |
| US5736900A (en) * | 1996-06-19 | 1998-04-07 | Maxim Integrated Products | Method and apparatus for amplifying an electrical signal |
| WO1997002655A1 (fr) * | 1995-06-30 | 1997-01-23 | Maxim Integrated Products, Inc. | Procede et appareil destines a amplifier un signal electrique |
| US6771124B1 (en) * | 2000-08-04 | 2004-08-03 | Microtune (Texas), L.P. | System and method for low-noise amplifier with a high frequency response |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3729685A (en) * | 1971-01-28 | 1973-04-24 | Motorola Inc | Self-compensated low voltage operational amplifier |
| US4211941A (en) * | 1978-08-03 | 1980-07-08 | Rca Corporation | Integrated circuitry including low-leakage capacitance |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60136249A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| IT1186377B (it) * | 1985-11-20 | 1987-11-26 | Sgs Microelettronica Spa | Dispositivo per minimizzare le capacita' parassite di giunzione di un transistor pnp verticale a collettore isolato |
-
1986
- 1986-02-28 IT IT19595/86A patent/IT1190074B/it active
- 1986-12-10 GB GB8629484A patent/GB2187350B/en not_active Expired
- 1986-12-22 US US06/944,584 patent/US4751474A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-01-06 NL NL8700010A patent/NL8700010A/nl not_active Application Discontinuation
- 1987-02-18 DE DE3705154A patent/DE3705154C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-02-26 FR FR8702579A patent/FR2595172B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1987-02-27 JP JP62043269A patent/JP2545075B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3729685A (en) * | 1971-01-28 | 1973-04-24 | Motorola Inc | Self-compensated low voltage operational amplifier |
| US4211941A (en) * | 1978-08-03 | 1980-07-08 | Rca Corporation | Integrated circuitry including low-leakage capacitance |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| ELECTRONIC DESIGN, vol. 33, no. 23, octobre 1985, pages 115-121, Hasbrouck Heights, New Yersey, US; A. HANSFORD et al.: "Precision op amp ends concessions in speed, noise, and dc performance" * |
| IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 21, no. 4, septembre 1978, pages 1491,1492, IBM Corp., New York, US; J.C. MAILLET: "General purpose operational amplifier" * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2545075B2 (ja) | 1996-10-16 |
| FR2595172B1 (fr) | 1993-09-10 |
| US4751474A (en) | 1988-06-14 |
| GB2187350B (en) | 1989-11-15 |
| GB2187350A (en) | 1987-09-03 |
| NL8700010A (nl) | 1987-09-16 |
| IT8619595A1 (it) | 1987-08-28 |
| DE3705154A1 (de) | 1987-09-03 |
| DE3705154C2 (de) | 1995-08-03 |
| JPS62206911A (ja) | 1987-09-11 |
| IT8619595A0 (it) | 1986-02-28 |
| IT1190074B (it) | 1988-02-10 |
| GB8629484D0 (en) | 1987-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2727585A1 (fr) | Amplificateur distribue pour signaux hyperfrequences a large bande | |
| EP0414328B1 (fr) | Amplificateur différentiel à couplage capacitif | |
| FR2547126A1 (fr) | Circuit convertiseur de tension en courant | |
| EP0737003B1 (fr) | Amplificateur de lecture de registre CCD | |
| EP0052040B1 (fr) | Amplificateur intégré en classe AB en technologie CMOS | |
| FR2473234A1 (fr) | Circuit a impedance electriquement variable et a compensation par reaction | |
| FR2595172A1 (fr) | Amplificateur a large bande comprenant un dispositif de circuit destine a ameliorer la reponse en frequence | |
| FR2481539A1 (fr) | Amplificateur a gain regle et a impedance de charge variable | |
| EP1521363B1 (fr) | Coupleur intégré | |
| FR2664445A1 (fr) | Circuit amplificateur differentiel a faible distorsion et procede d'utilisation. | |
| FR2524734A1 (fr) | Amplificateur ou est incorpore un reglage de distribution du gain pour des etages amplificateurs en cascade | |
| EP0199332B1 (fr) | Récepteur de signaux optiques à très large bande | |
| CH653825A5 (fr) | Circuit amplificateur. | |
| EP0201964B1 (fr) | Amplificateur pour hautes fréquences | |
| FR2542946A1 (fr) | Amplificateur differentiel a transistors bipolaires realises en technologie cmos | |
| FR2730363A1 (fr) | Amplificateur a gain eleve en hautes frequences et oscillateur a circuit resonant muni d'un tel amplificateur | |
| FR2475321A1 (fr) | Agencement de circuit utile pour produire des tensions decouplees de fonctionnement pour etages amplificateurs a frequence intermediaire d'un circuit integre | |
| FR2481540A1 (fr) | Systeme a resistance reglee a utiliser avec un amplificateur de signaux a gain regle | |
| JP2000332546A (ja) | 受光アンプ回路 | |
| FR2481541A1 (fr) | Amplificateur a gain regle et a contre-reaction d'emetteur variable | |
| FR2470487A1 (fr) | Amplificateur de difference | |
| FR2563066A1 (fr) | Dispositif destine a augmenter la dynamique d'un recepteur optoelectrique integrateur | |
| FR2680614A1 (fr) | Amplificateur differentiel et melangeur oscillateur l'incorporant. | |
| JP2001237653A (ja) | 受光アンプ回路 | |
| FR2482382A1 (fr) | Circuit a miroir de courant a haute impedance de sortie et a basse " perte de tension " |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| D6 | Patent endorsed licences of rights | ||
| ST | Notification of lapse |