FR2593945A1

FR2593945A1 - Improvement to the thermal regulation device of an enclosure

Info

Publication number: FR2593945A1
Application number: FR8601524A
Authority: FR
Inventors: Didier Thorax; Gerard Marotel
Original assignee: CEPE
Current assignee: CEPE
Priority date: 1986-02-04
Filing date: 1986-02-04
Publication date: 1987-08-07
Also published as: JPS63502309A; FR2593945B1

Abstract

The present invention relates to an improvement to the thermal regulation device of an enclosure. In a thermal regulation device of an enclosure comprising a temperature-measuring circuit consisting of a resistor bridge one arm of which comprises at least one thermally sensitive element CTN and an amplifier A4 delivering, at its output, a control signal which is representative of the offset between the measured temperature of the enclosure and a reference temperature, a signal whose absolute value is adjusted by a feedback loop, and a heating circuit B for the enclosure which is supplied by a voltage source and regulated by the temperature-measuring circuit, the said heating circuit consisting of at least one control transistor TC delivering an adjustable heating current, the feedback loop R5 of the output amplifier A4 is mounted between the emitter resistor R9 of the control transistor and the inverting input of the amplifier. The invention is used mainly in thermostatically controlled enclosures for quartz.

Description

PERFECTIONNEMENT AU DISPOSITIF DE REGULATION THERMIQUE
D'UNE ENCEINTE.IMPROVEMENT IN THE THERMAL REGULATION DEVICE
OF A SPEAKER.

La présente invention concerne les dispositifs de chauffage avec régulation thermique d'un corps quelconque, plus particulièrement d'enceintes contenant des dispositifs dont les caractéristiques de fonctionnement sont très sensibles aux variations de température, tels que les oscillateurs à cristaux piézoélectriques. The present invention relates to heating devices with thermal regulation of any body, more particularly of enclosures containing devices whose operating characteristics are very sensitive to temperature variations, such as piezoelectric crystal oscillators.

On connaît, par le brevet européen nO 4 233 au nom de la demanderesse, un dispositif de régulation thermique d'une enceinte comprenant, d'une part un circuit de mesure de température constitué d'un pont de résistances dont une branche comprend au moins un élément thermosensible et d'un amplificateur délivrant en sortie un signal de contrôle représentatif de l'écart entre la température mesurée de l'enceinte et une température de référence, signal dont la valeur absolue est réglée par une boucle de contreréaction, et d'autre part un circuit de chauffage de l'enceinte alimenté par une source de tension et régulé par le circuit de mesure de température.Ledit circuit de chauffage est constitué en général par au moins un circuit semiconducteur stabilisateur de tension, traversé par un courant de chauffage réglable par l'intermédiaire d'un transistor de commande soumis audit signal de contrôle. Le circuit de chauffage peut être constitué dans certains cas, par le seul transistor de commande. Dans ces deux cas, la boucle de contre-réaction de l'amplificateur de sortie du circuit de mesure de température est prélevée directement sur la sortie dudit amplificateur. Il en résulte que le gain du dispositif de régulation thermique doit être réglé pour chaque produit du fait de la dispersion des caractéristiques du transistor de commande soumis au signal de contrôle issu de l'amplificateur de sortie. On constate aussi un courant de chauffage non linéaire en fonction de la tension de commande. European patent No. 4,233 in the name of the applicant discloses a device for regulating the temperature of an enclosure comprising, on the one hand, a temperature measurement circuit consisting of a resistance bridge of which one branch comprises at least a thermosensitive element and an amplifier delivering at the output a control signal representative of the difference between the measured temperature of the enclosure and a reference temperature, signal whose absolute value is adjusted by a feedback loop, and on the other hand, a heating circuit of the enclosure supplied by a voltage source and regulated by the temperature measurement circuit. Said heating circuit is generally constituted by at least one semiconductor voltage stabilizing circuit, crossed by a heating current adjustable via a control transistor subjected to said control signal. The heating circuit can be constituted in certain cases, by the only control transistor. In these two cases, the feedback loop of the output amplifier of the temperature measurement circuit is taken directly from the output of said amplifier. It follows that the gain of the thermal regulation device must be adjusted for each product due to the dispersion of the characteristics of the control transistor subjected to the control signal from the output amplifier. There is also a non-linear heating current as a function of the control voltage.

En conséquence, la présente invention a pour but de remédier aux défauts constatés dans le dispositif ci-dessus. Consequently, the object of the present invention is to remedy the defects found in the above device.

Elle a donc pour objet un perfectionnement au dispositif de régulation thermique de l'enceinte décrit dans le brevet européen nO 4 233 qui consiste à connecter la boucle de contre-réaction de l'amplificateur de sortie du circuit de mesure de température entre la résistance d'émetteur du transistor de commande et l'entrée inverseuse dudit amplificateur. It therefore relates to an improvement to the thermal regulation device of the enclosure described in European Patent No. 4,233 which consists in connecting the feedback loop of the output amplifier of the temperature measurement circuit between the resistance d emitter of the control transistor and the inverting input of said amplifier.

Ainsi, avec ce montage, la tension aux bornes de la résistance d'émetteur est proportionnelle au signal appliqué sur l'entrée noninverseuse de l'amplificateur de sortie du circuit de mesure de température. Thus, with this arrangement, the voltage across the emitter resistor is proportional to the signal applied to the non-inverting input of the output amplifier of the temperature measurement circuit.

Dans ce cas, on ne dépend plus des paramètres électriques du transistor de commande et le gain en courant est lié uniquement aux valeurs de la résistance d'émetteur, de la résistance de contreréaction et des résistances du pont de mesure. I1 en résulte une bonne reproductibilité du système. In this case, one no longer depends on the electrical parameters of the control transistor and the current gain is linked only to the values of the emitter resistance, the feedback resistance and the resistances of the measurement bridge. This results in good reproducibility of the system.

Le montage de la présente invention est utilisable dans le dispositif de régulation thermique décrit dans le brevet européen n 4 233. Toutefois, ce montage est aussi utilisable dans des dispositifs de régulation thermique du type à action proportionnelle intégrale et dérivée tels que décrits dans la demande de brevet français nO 82.19584 au nom de la demanderesse. Il peut aussi être utilisé avec des circuits de chauffage tels que décrits dans la demande de brevet français nO 83.16549 au nom de la demanderesse. The assembly of the present invention can be used in the thermal regulation device described in European Patent No. 4,233. However, this assembly can also be used in thermal regulation devices of the type with integral proportional action and derived as described in the application. French patent no. 82.19584 in the name of the applicant. It can also be used with heating circuits as described in French patent application No. 83.16549 in the name of the applicant.

Différents types de circuits semiconducteurs stabilisateurs de tension peuvent être envisagés pour le circuit de chauffage. De toute façon, le circuit stabilisateur de tension comporte au moins un élément choisi parmi une diode, une -diode Zener, un transistor à effet de champ, en particulier du type MOS, un transistor bipolaire, un circuit régulateur de tension série et/ou parallèle sous forme de composants discrets ou sous forme intégrée. Different types of voltage stabilizing semiconductor circuits can be envisaged for the heating circuit. In any case, the voltage stabilizer circuit comprises at least one element chosen from a diode, a Zener diode, a field effect transistor, in particular of the MOS type, a bipolar transistor, a series voltage regulator circuit and / or parallel as discrete components or in integrated form.

Selon un mode de réalisation préférentiel, chaque circuit semiconducteur est constitué par un transistor ; ce transistor a son potentiel de base fixé par un pont diviseur constitué d'une résistance et d'une diode Zener, son émetteur étant relié au collecteur du transistor du circuit semiconducteur suivant comme décrit dans le brevet européen nO 4 233 Toutefois, avec ce montage, chaque transistor de chauffage a son propre pont de polarisation, ce qui entraîne un nombre élevé de résistances et de diodes zener ainsi qu'une consommation importante. According to a preferred embodiment, each semiconductor circuit is constituted by a transistor; this transistor has its basic potential fixed by a divider bridge consisting of a resistor and a Zener diode, its emitter being connected to the collector of the transistor of the following semiconductor circuit as described in European patent nO 4 233 However, with this assembly , each heating transistor has its own bias bridge, which results in a high number of resistors and zener diodes as well as a significant consumption.

Aussi, selon une autre caractéristique de la présente invention, les circuits semiconducteurs stabilisateurs de tension reliés en série sont sourrsis à une fraction de la tension d'alimentation obtenue par un pont de résistances commun à tous les circuits semiconducteurs monté entre la tension d'alimentation et la résistance d'émetteur du transistor de commande. Also, according to another characteristic of the present invention, the voltage stabilizing semiconductor circuits connected in series are supplied at a fraction of the supply voltage obtained by a resistance bridge common to all the semiconductor circuits mounted between the supply voltage. and the emitter resistance of the control transistor.

Dans ce cas, la polarisation des circuits semiconducteurs, plus particulièrement des transistors de chauffage, est réalisée à l'aide d'un seul pont de polarisation et cette polarisation est de plus référencée par rapport à la tension aux bornes de la résistance d'émetteur du transistor de chauffage, ce qui permet de compenser la tension collecteur-émetteur de chaque transistor en fonction du courant de chauffage. Il en résulte une répartition de puissance plus homogène en fonction du courant de chauffage. In this case, the polarization of the semiconductor circuits, more particularly of the heating transistors, is carried out using a single polarization bridge and this polarization is moreover referenced with respect to the voltage across the terminals of the emitter resistance of the heating transistor, which makes it possible to compensate for the collector-emitter voltage of each transistor as a function of the heating current. This results in a more homogeneous power distribution as a function of the heating current.

D'autre part, pour diminuer le courant dans le pont de résistances, les transistors de chauffage sont de préférence du type
Darlington.On the other hand, to reduce the current in the resistance bridge, the heating transistors are preferably of the type
Darlington.

D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description de différents modes de réalisation donnés à titre d'exemples non limitatifs, cette description étant faite avec référence aux dessins ci-annexés dans lesquels:
- la figure 1 est un schéma électrique d'un dispositif de régulation thermique d'une enceinte selon un premier mode de réalisation de la présente invention,
- la figure 2 est un schéma d'un autre mode de réalisation de la présente invention et,
- la figure 3 est un schéma électrique d'un troisième mode de réalisation de la présente invention. Other characteristics and advantages of the present invention will appear on reading the description of various embodiments given by way of nonlimiting examples, this description being made with reference to the attached drawings in which:
FIG. 1 is an electrical diagram of a device for thermal regulation of an enclosure according to a first embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a diagram of another embodiment of the present invention and,
- Figure 3 is an electrical diagram of a third embodiment of the present invention.

Pour simplifier la description, sur les figures les mêmes références désignent les mêmes éléments. To simplify the description, in the figures the same references designate the same elements.

Le perfectionnement de la présente invention sera tout d'abord décrit avec référence à la figure 1 qui représente un dispositif de régulation thermique d'une enceinte du type de ceux décrits dans le brevet européen nO 4 233 au nom de la demanderesse. The improvement of the present invention will firstly be described with reference to FIG. 1 which represents a device for thermal regulation of an enclosure of the type of those described in European patent No. 4,233 in the name of the applicant.

Comme représenté sur la figure I, ce dispositif comporte essentiellement un circuit de mesure de température référencé A et un circuit de chauffage référencé B. As shown in Figure I, this device essentially comprises a temperature measurement circuit referenced A and a heating circuit referenced B.

Le circuit de mesure A comporte un ou plusieurs éléments thermosensibles ou capteurs de température R4 connectés en série. The measurement circuit A comprises one or more thermosensitive elements or temperature sensors R4 connected in series.

Ces capteurs sont inclus dans une branche d'un pont de résistances dont les trois autres branches comportent des résistances R1, R2,
R3. Une des diagonales du pont est alimentée en tension continue et reçoit à cet effet une tension VB au point P, le point Q opposé de la diagonale étant à la masse. Les extrémités XY de l'autre diagonale du pont sont reliées aux deux entrées d'un amplificateur opérationnel Z muni d'une boucle de contre-réaction comprenant une résistance R5 dont le montage sera explicité ci-après.These sensors are included in one branch of a resistance bridge, the other three branches of which include resistors R1, R2,
R3. One of the diagonals of the bridge is supplied with direct voltage and receives for this purpose a voltage VB at point P, the opposite point Q on the diagonal being to ground. The ends XY of the other diagonal of the bridge are connected to the two inputs of an operational amplifier Z provided with a feedback loop comprising a resistor R5, the mounting of which will be explained below.

Le circuit de chauffage B comporte une chaîne de transistors connectés en série par leur émetteur et leur collecteur et référencés T1 à Tn. Ces transistors sont montés en régulateurs de tension. La base des transistors TI à Tn est maintenue à un potentiel constant par un pont résistance-diode Zener tel que R'n et CRn pour le transistor Tn. The heating circuit B comprises a chain of transistors connected in series by their emitter and their collector and referenced T1 to Tn. These transistors are mounted as voltage regulators. The base of the transistors TI to Tn is maintained at a constant potential by a resistance-diode Zener bridge such as R'n and CRn for the transistor Tn.

Le transistor TC monté en série avec le transistor T1 assure la fonction de transistor de commande. La base du transistor TC est reliée à la sortie de l'amplificateur opérationnel Z à travers un pont diviseur RA-RB dont le rôle est d'assurer une liaison tenant compte des conditions particulières de polarisation de l'amplificateur Z. Ce pont diviseur de rapport convenable permet de diminuer la tension résiduelle de sortie de l'amplificateur à son niveau bas pour l'amener à une valeur inférieure à la tension de blocage de la base du transistor TC.Le montage du transistor TC en émetteur-suiveur fait que sa tension de base se retrouve au niveau de son émetteur et comme celui-ci est connecté à la masse par l'intermédiaire d'une résistance d'émetteur R9, le courant I de la chaîne des transistors
TC, T1 à- Tn, est déterminé par les variations de la tension de base du transistor TC, qui peut participer au même titre que les autres transistors au chauffage de l'enceinte. The transistor TC connected in series with the transistor T1 performs the function of control transistor. The base of the transistor TC is connected to the output of the operational amplifier Z through a divider bridge RA-RB whose role is to provide a link taking into account the particular conditions of polarization of the amplifier Z. This divider bridge of suitable ratio makes it possible to decrease the residual output voltage of the amplifier to its low level to bring it to a value lower than the blocking voltage of the base of the transistor TC. The assembly of the transistor TC in emitter-follower makes that its base voltage is found at its transmitter and as it is connected to ground via an emitter resistor R9, the current I of the chain of transistors
TC, T1 à- Tn, is determined by the variations of the base voltage of the transistor TC, which can participate in the same way as the other transistors in the heating of the enclosure.

Conformément à la présente invention, la résistance R5 de la boucle de contre-réaction de l'amplificateur de sortie Z est connectée entre la résistance d'émetteur R9 et l'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel Z. Avec ce montage, la tension aux bornes de la résistance d'émetteur R9 est proportionnelle à la tension sur l'entrée inverseuse de l'amplificateur Z. D'autre part, on ne dépend plus du tout des paramètres électriques du transistor TC et le gain en courant est lié aux valeurs des résistances R1, R2, R5 et R9, ce qui permet une bonne reproductibilité du système. In accordance with the present invention, the resistor R5 of the feedback loop of the output amplifier Z is connected between the emitter resistor R9 and the inverting input of the operational amplifier Z. With this arrangement, the voltage across the emitter resistor R9 is proportional to the voltage on the inverting input of amplifier Z. On the other hand, we no longer depend at all on the electrical parameters of the transistor TC and the current gain is related to resistance values R1, R2, R5 and R9, which allows good reproducibility of the system.

Par ailleurs, le fonctionnement du circuit ci-dessus est identique au fonctionnement décrit dans le brevet européen nO 4 233 auquel on se réfèrera. De plus, il est évident pour l'homme de l'art que toutes les modifications apportées au circuit de chauffage et décrites dans le brevet européen nO 4 233 peuvent être incorporées à la présente invention notamment en ce qui concerne le circuit de limitation de courant constitué par un transistor amplificateur attaqué sur sa base par un signal lié au courant à limiter et agissant par son collecteur sur la base du transistor TC de commande. Furthermore, the operation of the above circuit is identical to the operation described in European Patent No. 4,233 to which reference will be made. In addition, it is obvious to those skilled in the art that all the modifications made to the heating circuit and described in European Patent No. 4,233 can be incorporated into the present invention, in particular as regards the current limiting circuit. constituted by an amplifier transistor driven on its base by a signal linked to the current to be limited and acting by its collector on the base of the control transistor TC.

On décrira maintenant avec référence aux figures 2 et 3, deux autres modes de réalisation de la présente invention. Dans ces deux modes de réalisation, le circuit de mesure de température a été modifié pour incorporer un dispositif de régulation à action proportionnelle, intégrale et dérivée tel que décrit dans la demande de brevet français n" 82.19584 au nom de la demanderesse. There will now be described with reference to FIGS. 2 and 3, two other embodiments of the present invention. In these two embodiments, the temperature measurement circuit has been modified to incorporate a proportional, integral and derived action regulation device as described in French patent application No. 82.19584 in the name of the applicant.

Comme représenté sur la figure 2, une tension d'alimentation positive VA alimente un générateur de tension stabilisée 1 dont la tension de sortie VB est destinée à l'alimentation d'un pont de résistances et de cinq amplificateurs opérationnels AO à A4. Le pont de résistances comporte une résistance R3 dont une première extrémité est mise à la tension VB et dont la seconde extrémité, à laquelle est présente une tension de mesure VTH, est reliée à au moins une thermistance à coefficient de température négatif CTN dont l'extrémité opposée est mise à la masse. La tension de mesure
VTH est ainsi une fonction décroissante de la température.D'autre part, la tension VB alimente également une deuxième branche du pont constituée par la résistance R1 montée entre la tension VB et un point milieu présentant une tension de référence Vréf., ce point milieu étant connecté à une résistance R2 dont l'autre borne est mise à la masse. Une capacité de découplage C1 est prévue entre les deux branches du pont de résistances. D'autre part, la tension de mesure VTH est envoyée sur un amplificateur opérationnel AO monté en suiveur de tension. La sortie de l'amplificateur AO est envoyée sur les entrées inverseuses de trois amplificateurs opérationnels Al, A2, A3 montés en parallèle dont les entrées non inverseuses directes reçoivent la tension de référence Vréf..Les trois amplificateurs opérationnels Al, A2, A3 sont destinés respectivement aux corrections proportionnelle, intégrale et dérivée et sont réalisés comme décrit dans la demande de brevet français n" 82.19584. En conséquence, l'amplificateur Al est un amplificateur à action proportionnelle, l'amplificateur A2 est un amplificateur à action intégrale et l'amplificateur A3 est un amplificateur à action dérivée. Les sorties des amplificateurs Al,
A2, A3 sont connectées respectivement par l'intermédiaire de trois résistances R10, Roll, R12 sur la borne inverseuse d'un amplificateur opérationnel A4 de sortie dont l'entrée non inverseuse directe reçoit la sortie de l'amplificateur AO.De même, la sortie du générateur 1 est connectée par l'intermédiaire de la résistance R13 sur l'entrée inverseuse de l'amplificateur A4 Conformément à la présente invention, l'amplif icateur A4 est muni d'une boucle de contreréaction constituée par une résistance R5 qui est montée entre la résistance R9 d'émetteur du transistor de commande TC et l'entrée inverseuse de l'amplificateur A4.As shown in FIG. 2, a positive supply voltage VA supplies a stabilized voltage generator 1, the output voltage VB of which is intended for supplying a resistance bridge and five operational amplifiers AO to A4. The resistor bridge includes a resistor R3, one end of which is set to voltage VB and the second end of which, which has a measurement voltage VTH, is connected to at least one thermistor with negative temperature coefficient CTN, the opposite end is grounded. Measuring voltage
VTH is thus a decreasing function of the temperature. On the other hand, the voltage VB also feeds a second branch of the bridge constituted by the resistor R1 mounted between the voltage VB and a midpoint having a reference voltage Vref., This midpoint being connected to a resistor R2 whose other terminal is grounded. A decoupling capacity C1 is provided between the two branches of the resistance bridge. On the other hand, the measurement voltage VTH is sent to an operational amplifier AO mounted as a voltage follower. The output of the amplifier AO is sent to the inverting inputs of three operational amplifiers Al, A2, A3 connected in parallel whose direct non-inverting inputs receive the reference voltage Vref. The three operational amplifiers Al, A2, A3 are intended proportional, integral and derivative corrections respectively and are carried out as described in French patent application No. 82.19584. Consequently, the amplifier Al is an amplifier with proportional action, the amplifier A2 is an amplifier with integral action and the amplifier A3 is a derivative action amplifier. The outputs of amplifiers Al,
A2, A3 are connected respectively via three resistors R10, Roll, R12 to the inverting terminal of an operational amplifier A4 output whose direct non-inverting input receives the output of the amplifier AO. output of generator 1 is connected via resistor R13 to the inverting input of amplifier A4 In accordance with the present invention, amplifier A4 is provided with a feedback loop constituted by a resistor R5 which is rise between the emitter resistance R9 of the control transistor TC and the inverting input of the amplifier A4.

Le fonctionnement de ce circuit est identique au fonctionnement du dispositif de régulation décrit dans la demande de brevet français nO 82.19584. Toutefois, par suite du montage de la boucle de contre-réactionS la tension aux bornes de la résistance d'émetteur R9 est proportionnelle à la somme des signaux délivrés par Al, A2, A3 et VB et le gain en courant est uniquement lié aux valeurs des résistances RIO, Ril, R12 R13, R5 et R9, ce qui permet d'obtenir une bonne reproductibilité du circuit puisqu'on ne dépend plus des paramètres électriques du transistor de commande TC
Comme représenté sur les figures 2 et 3, le circuit de chauffage a, lui aussi, été modifié par rapport au circuit de chauffage décrit dans le brevet européen n" 4 233 ou dans la demande de brevet français n0 82.19584. Dans ce cas en effet, les bases des transistors de chauffage T1, T2, Tn sont connectées à un pont diviseur commun constitué des résistances R'1, R'2, R'3, R'n, montees entre le point commun à R5 et R9 et la tension d'alimentation VA.The operation of this circuit is identical to the operation of the regulating device described in French patent application No. 82.19584. However, following the mounting of the feedback loop S the voltage across the emitter resistor R9 is proportional to the sum of the signals delivered by Al, A2, A3 and VB and the current gain is only related to the values resistors RIO, Ril, R12 R13, R5 and R9, which makes it possible to obtain good reproducibility of the circuit since one no longer depends on the electrical parameters of the control transistor TC
As shown in FIGS. 2 and 3, the heating circuit has also been modified with respect to the heating circuit described in European patent no. 4,233 or in French patent application no. 82.19584. In this case indeed , the bases of the heating transistors T1, T2, Tn are connected to a common divider bridge consisting of the resistors R'1, R'2, R'3, R'n, mounted between the point common to R5 and R9 and the voltage VA power supply.

L'avantage de ce montage est de diminuer le nombre de composants à câbler et de réduire la consommation puisque le pont ne- comporte que des résistances en série. D'autre part, la polarisation des différents transistors est référencée par rapport à la tension aux bornes de la résistance d'émetteur R9, ce qui a pour but de compenser la tension collecteur-émetteur de chaque transistor en fonction du courant de chauffage. The advantage of this assembly is to reduce the number of components to be wired and to reduce consumption since the bridge only has resistors in series. On the other hand, the polarization of the different transistors is referenced with respect to the voltage across the terminals of the emitter resistor R9, which aims to compensate for the collector-emitter voltage of each transistor as a function of the heating current.

Par ailleurs, comme mentionné dans la demande de brevet français nO 83.16549 au nom de la demanderesse, les transistors TC,
T1, T2, Tn seront de préférence des transistors du type Darlington de manière à diminuer le courant dans le pont de résistances R'1 à
R'n.Furthermore, as mentioned in French patent application No. 83.16549 in the name of the applicant, the TC transistors,
T1, T2, Tn will preferably be Darlington type transistors so as to reduce the current in the bridge of resistors R'1 to
R'n.

Sur la figure 3, on a représenté une variante de réalisation du dispositif de régulation de la figure 2. Dans ce cas, l'amplificateur opérationnel Al à action dérivée a été remplacé par un amplificateur A'1 "suiveur-dérîvateur" dont la tension de sortie est égale à la somme de sa tension d'entrée et de sa dérivée. In FIG. 3, an alternative embodiment of the regulation device in FIG. 2 has been shown. In this case, the operational amplifier Al with derivative action has been replaced by an amplifier A'1 "follower-diverter" whose voltage output is equal to the sum of its input voltage and its derivative.

L'amplificateur A'1 est positionné en sortie de l'amplificateur à action proportionnelle A3. Ceci permet d'utiliser, pour l'amplificateur "suiveur-dérivateur", une capacité chimique polarisée, ce qui permet de réduire de manière appréciable
I'encombrement et le coût du circuit. Les autres parties du circuit de la figure 3 sont identiques au circuit de la figure 2, notamment en ce qui concerne les perfectionnements apportés par la présente invention.The amplifier A'1 is positioned at the output of the proportional action amplifier A3. This makes it possible to use, for the “follower-derivative” amplifier, a polarized chemical capacity, which makes it possible to reduce appreciably
The size and cost of the circuit. The other parts of the circuit of FIG. 3 are identical to the circuit of FIG. 2, in particular as regards the improvements brought by the present invention.

Il est évident pour l'homme de l'art que toutes les variantes décrites dans le brevet européen n" 4 233 et dans les demandes de brevet français nO 82.19584 et 83.165b9 peuvent aussi s'appliquer à la présente demande. It is obvious to those skilled in the art that all of the variants described in European patent No. 4,233 and in French patent applications Nos. 82.19584 and 83.165b9 can also apply to the present application.

Claims

CLAIMS.

1. Improvement to the thermal regulation device of an enclosure comprising a temperature measurement circuit (A) consisting of a resistance bridge, one branch of which comprises at least one heat-sensitive element (R4, CTN) and -an amplifier ( Z, A4) outputting a control signal representative of the difference between the measured temperature of the enclosure and a reference temperature, signal whose absolute value is adjusted by a feedback loop, and a heating circuit (B) of the enclosure supplied by a voltage source and regulated by the temperature measurement circuit, said heating circuit being constituted by at least one control transistor (TC) delivering an adjustable heating current, characterized in that the feedback loop (R5) of the output amplifier (Z, A4) is mounted between the emitter resistor (R9) of the control transistor and the inverting input of the amplifier.

2. Improvement according to claim 1, characterized in that the heating circuit further comprises at least one semiconductor voltage stabilizing circuit (T1, T2, Tn), traversed by a heating current adjustable by the control transistor (TC) .

3. Improvement according to claim 1, characterized in that the temperature measurement circuit is constituted by a proportional, integral and derivative control regulation circuit delivering a control signal of given polarity.

4. Improvement according to claim 3, characterized in that the regulation circuit with proportional, integral and derivative action comprises:

- a measurement device (R1, R2, R3, CTN) delivering a measurement voltage according to a decreasing function of the quantity to be measured,

- a generator (I) delivering a reference voltage,

- four operational amplifiers (A1 to A4) supplied with a single voltage of given polarity, the first three of which are connected in parallel and each receive their reference voltage via their direct non-inverting input and, at their inverting input, the measurement voltage and the first in a proportional action amplifier, the second in an integral action amplifier and the third in a derivative action amplifier and the fourth of which is provided with a feedback loop according to claim 1 and receives by its direct non-inverting input the measurement voltage and at its inverting input the outputs of the first three amplifiers and of the generator.

5. Improvement according to claim 3, characterized in that the regulation circuit with proportional, integral and derivative action comprises:

- a generator (1) delivering a reference voltage,

- four operational amplifiers (All, A2, A3, A4) supplied with a single voltage of given polarity, these four amplifiers consisting of an integral action amplifier, an amplifier mounted as a follower-derivator, a proportional action amplifier and a output, the integral action amplifier and the proportional action amplifier each receiving at their direct non-inverting input the reference voltage and at their inverting input the measurement voltage,

The amplifier mounted as a follower-derivator being connected at the output of the proportional action amplifier and the output amplifier which is provided with a feedback loop according to claim I, receiving on its direct non-inverting input the measurement voltage and on its inverting input the outputs of the integral action amplifier, the derivative and inverting amplifier and the generator.

6. Improvement according to any one of claims 4 and 5, characterized in that it comprises a fifth operational amplifier (AO) mounted as a follower and receiving the measurement voltage on its direct non-inverting input and the output of which is connected to so as to supply at least one of the four operational amplifiers with the measurement voltage.

7. Improvement according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the semiconductor voltage stabilizing circuits (T1 to Tn) connected in series are subjected to a fraction of the supply voltage obtained by a resistance bridge ( R'l to R'n) common to all semiconductor circuits, mounted between the supply voltage and the emitter of the control transistor (TC).

8. Improvement according to claim 7, characterized in that the voltage stabilizing semiconductor circuits consist of transistors mounted in Darlington.