FR2570383A1 - Composition stable conductrice de la chaleur et bloc de dispositif semi-conducteur dans lequel cette composition est utilisee - Google Patents

Composition stable conductrice de la chaleur et bloc de dispositif semi-conducteur dans lequel cette composition est utilisee Download PDF

Info

Publication number
FR2570383A1
FR2570383A1 FR8513819A FR8513819A FR2570383A1 FR 2570383 A1 FR2570383 A1 FR 2570383A1 FR 8513819 A FR8513819 A FR 8513819A FR 8513819 A FR8513819 A FR 8513819A FR 2570383 A1 FR2570383 A1 FR 2570383A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
powder
semiconductor device
heat conducting
composition
silicone resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8513819A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2570383B1 (fr
Inventor
Mitsuru Nitta
Yukio Yamaguti
Mutsuo Tsuji
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP59195820A external-priority patent/JPS6174357A/ja
Priority claimed from JP24211884A external-priority patent/JPS61120451A/ja
Priority claimed from JP60077229A external-priority patent/JPS61234550A/ja
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Publication of FR2570383A1 publication Critical patent/FR2570383A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2570383B1 publication Critical patent/FR2570383B1/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/46—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes silicones
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/15165—Monolayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

UNE COMPOSITION 36 CONDUCTRICE DE LA CHALEUR EST CONSTITUEE ESSENTIELLEMENT D'UN MELANGE D'UNE RESINE DE SILICONE ET D'UNE POUDRE CONDUCTRICE DE LA CHALEUR, DANS LEQUEL LA RESINE DE SILICONE DEVIENT, APRES DURCISSEMENT, UNE RESINE ELASTIQUE A L'ETAT DE GEL. LA POUDRE CONDUCTRICE DE LA CHALEUR PEUT ETRE UNE POUDRE METALLIQUE. LORSQU'ON SOUHAITE OBTENIR UN ISOLEMENT ELECTRIQUE, LA POUDRE CONDUCTRICE DE LA CHALEUR EST DE PREFERENCE UNE POUDRE D'OXYDE METALLIQUE. EN TOUT CAS, LA RESINE DE SILICONE PEUT CONSTITUER ENVIRON 30PARTIES DU MELANGE. LA POUDRE CONDUCTRICE DE LA CHALEUR PEUT COMPORTER ENVIRON 70PARTIES EN VOLUME LORSQU'ON MESURE LA DENSITE VOLUMIQUE APRES PASSAGE. LE DURCISSEMENT PEUT ETRE EXECUTE EN CHAUFFANT LA COMPOSITION JUSQU'A UNE TEMPERATURE ELEVEE, PAR EXEMPLE 120C, PENDANT UNE DUREE DE 30MINUTES. SELON LE TYPE DE RESINE DE SILICONE, LE DURCISSEMENT EST EFFECTUE SANS ADDITION D'UN CATALYSEUR AVEC OU SANS APPLICATION DE CHALEUR. DANS UN BLOC DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR 16, TEL QU'UN BLOC DE CIRCUIT INTEGRE OU UN SUPPORT DE PUCE, LA COMPOSITION SERT EFFECTIVEMENT A REMPLIR L'ESPACE SEPARANT UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET UN ELEMENT DE RADIATEUR 31 AVEC LA COMPOSITION DURCIE POUR DONNER UNE RESINE A L'ETAT DE GEL.AUCUNE DEMANDEN'EST PUBLIEE SOUS CE NUMERO

Description

La présente invention concerne une composition conductrice de la chaleur, ou composé, et un bloc de dispositif semi-conducteur, tel qu'un bloc de circuits intégrés ou un support de puce, dans lequel cette composition est utilisée entre le dispositif semi-conducteur et un radiateur tel qu'un conducteur de la chaleur.
On trouve sur le marché des compositions conductrices de la chaleur. L'une de ces compositions est a l'état crémeux et est essentiellement constituée d'un mélange d'huile de silicone et de poudre d'oxyde métallique.
Une telle composition classique conductrice de la chaleur donne satisfaction lorsqu'elle est utilisée dans un espace, ou interstice, entre un transistor de puissance, un thyristor ou un composant électronique analogue et un radiateur qui leur est destiné dans le but d'agir en conducteur effectif de la chaleur entre le composant électroni- que et le radiateur.
La composition classique conductrice de la chaleur est malheureusement instable. Par exemple, la composition s'écoule dans l'espace. La poudre d'oxyde métallique se dépose dans la composition et se sépare de l'huile de silicone. L'huile de silicone s'évapore mettant finalement la composition à l'état solide. Des fissures sont enclines à se produire dans le solide. En pratique, de tels défauts ne sont pas préjudiciables lorsque la composition est utilisée en conducteur de la chaleur pour les composants électroniques qu'on a cités ci-dessus à titre d'exemple.
D'autre part, on connaît divers blocs de dispositif semi-conducteur. Le dispositif semi-conducteur, tel qu'il est désigné ici, peut être un transistor, un circuit à intégration à grande échelle ou un dispositif électronique analogue.
Dans la description plus détaillée qui sera faite en liaison avec des blocs de l'art antérieur, un tel bloc de dispositif semi-conducteur comprend un élément de substrat isolant ayant une première et une seconde surface, une multitude de pastilles intérieures conductrices ou pastilles de raccordement qui définissent une zone prédéterminée sur la premiere surface, et un dispositif semiconducteur qui est placé sur la zone prédéterminée et présente une pluralité de fils connectés électriquement aux pastilles intérieures conductrices. On préfère qu'une multitude de bornes extérieures, ou d'entrée et de sortie, soient formées sur la seconde surface. Un agencement de connexion relie électriquement les pastilles intérieures conductrices et les bornes extérieures par l'intermédiaire de l'élément de substrat.On comprendra facilement que l'élé- ment de substrat doit être isolé électriquement des pastilles intérieures conductrices, des bornes extérieures, et de l'agencement de connexion. Lorsque le bloc est destiné à une multitude de dispositifs semi-conducteurs, l'agencement de connexion est généralement mis en oeuvre par un câblage multi-couche dans l'élément de substrat et assure également une connexion électrique entre des pastilles choisies parmi les pastilles intérieures.
La tendance récente est que de tels dispositifs semi-conducteurs soient montés d'une façon très dense sur l'élément de substrat. Une puce en semi-conducteur ayant une surface de quelques millimètres carrés peut consommer une puissance électrique comprise entre quatre et dix watts. Il est donc nécessaire que le bloc du dispositif semi-conducteur comprenne un radiateur pour le ou les dispositifs semi-conducteurs. Le radiateur est fixé à une partie prédéterminée de la première ou de la seconde surface, un espace étant laissé entre chaque dispositif semi-conducteur et le radiateur.
D'après le brevet des Etats-Unis d'2\mérique n0 4 153 107, de l'hélium gazeux remplit au moins l'espace à titre d'interface gazeuse conductrice de la chaleur.
L'hydrogène et le gaz carbonique sont également donnés à titre d'exemple comme pouvant être utilisés pour former l'interface.
Dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n0 4 396 936 au moins l'espace est rempli d'une préforme comprenant un matériau thermodurcissable et conducteur de la chaleur tel qu'une résine époxy au stade B. On préfère qu'un tel matériau conducteur de la chaleur soit d'une manipulation facile lors du remplissage dudit espace.
Une demande de brevet a été déposée au Japon par la société dite NEC Corporation le 30 septembre 1981 ayant pour objet un bloc en céramique multi-couche. Cette demande a pour n0 153 968 et a fait l'objet d'une pré-publica- tion n0 56 445 en 1983 (Kôkai). Dans le bloc en céramique multi-couche, au moins l'espace est rempli d'un mélange d'une résine fluide et d'une poudre isolante vis-à-vis de l'électricité et conductrice de la chaleur. La résine peut être une résine de silicone ou une résine époxy. La poudre sert de charge et peut être une poudre d'oxyde d'aluminium ou de nitrure de bore. Il apparaît que le mélange n'est pas totalement exempt des défauts mentionnés ci-dessus dont souffrent les compositions classiques conductrices de la chaleur.
La composition conductrice de la chaleur sert également à l'enrobage du ou des dispositifs semi-conducteurs. En tout cas, les défauts indiqués ci-dessus s'av#- rent très sérieux pour les dispositifs semi-conducteurs. A cause de ces défauts, la composition classique conductrice de la chaleur ne peut plus être utilisée en conducteur de la chaleur et soumet le ou les dispositifs semi-conducteurs à des contraintes mécaniques. Dans le pire des cas, la composition endommage le ou les dispositifs semi-conducteurs.
Un objet de la présente invention est par conséquent une composition conductrice de la chaleur, ou composé, qui soit stable.
Un autre objet. de la présente invention est une composition conductrice de la chaleur du type décrit, qui ne s'écoule jamais dans un endroit, ne se sépare pas et/ou ne devienne solide, et ne souffre de fendillements.
Un autre objet de la présente invention est une composition conductrice de la chaleur du type décrit, qui soit utile dans un bloc de dispositif semi-conducteur et dans l'enrobage d'un dispositif semi-conducteur.
Un autre objet de la présente invention est un bloc de dispositif semi-conducteur qui fasse un emploi effectif de la composition conductrice de la chaleur du type décrit.
D'autres objets de la présente invention appas raîtront au fur et à mesure de la description.
Selon la présente invention, on prévoit une composition conductrice de la chaleur qui est constituée essentiellement d'un mélange de résine de silicone et de poudre conductrice de la chaleur, et dans lequel la résine de silicone devient une résine élastique à l'état de gel lorsqu'elle est soumise à un processus de durcissement.
Selon la présente invention, on prévoit un bloc de dispositif semi-conducteur comprenant un élément de substrat isolant présentant une première et une seconde surface, une pluralité de pastilles intérieures conductrices qui définissent une aire prédéterminée sur la première surface, un dispositif semi-conducteur placé sur l'air prédéterminée et présentant une pluralité de fils qui sont connectés électriquement aux pastilles intérieures, une pluralité de bornes extérieures sur la seconde surface,un moyen de connexion pour connecter électriquement les pastilles intérieures et les bornes extérieures par l'intermédiaire de l'élément de substrat, un élément de radiateur pour le dispositif semi-conducteur, un moyen de fixation pour fixer mécaniquement l'élément de radiateur à une partie prédéterminée de la première surface avec un espace laissé entre le dispositif semi-conducteur et l'élément de radiateur, et une masse de résine à l'état de gel conductrice de la chaleur qui remplit au moins l'espace et dans laquelle une composition conductrice de la chaleur consistant essentiellement d'un mélange de résine de silicone et d'une poudre conductrice de la chaleur est durcie, ou la résine de silicone devient une résine élastique à l'état de gel lorsqu'elle est soumise à un processus de durcissement.
La présente invention sera bien comprise lors de la description suivante faite en liaison avec les dessins ci-joints dans lesquels
La figure 1 représente schématiquement, en partie en coupe, un bloc classique de dispositif semi-conducteur;
La figure 2 représente d'une façon similaire un autre bloc classique de dispositif semi-conducteur;
La figure 3 représente d'une façon similaire encore un autre bloc classique de dispositif semi-conducteur;
La figure 4 représente schématiquement, en partie en coupe, un bloc de dispositif semi-conducteur selon un aspect de la présente invention; et
La figure 5 représente d'une façon similaire un bloc de dispositif semi-conducteur selon un autre aspect de la présente invention.
On trouve dans le marché diverses résines de silicone destinées à être utilisées typiquement dans lten- robage d'un dispositif semi-conducteur, ce dernier pouvant être un transistor, un circuit intégré, un circuit à intégration à grande échelle ou un dispositif électronique similaire. A ce stade, on attirera l'attention du lecteur sur le fait que certaines résines de silicone sont visqueuses avant d'être soumises à un processus de durcissement et deviennent des résines élastiques à l'état de gel lorsqu'elles sont soumises au processus de durcissement. Des exemples sont le type dit "CY52-263" fabriqué et vendu par la société dite Toray Silicone, Inc., Tokyo, Japon, et le type dit XE 104 Gel" fabriqué et vendu par la société dite Shin-Etsu Chemical, CO., Ltd. Tokyo, Japon.
On procèdera maintenant à la description d'un exemple de fabrication d'une composition conductrice de la chaleur, ou composé, selon la présente invention. On a utilisé la résine dite "CY52-263" comme résine de silicone et l'a placée dans un bécher. La résine de silicone a une viscosité d'environ 400 cp. On ajoute à la résine de silicone une fine poudre de nitrure de bore et l'agite manuellement à fond avec une tige de verre jusqu'à obtenir une dispersion visuellement homogène dans la résine de silicone. La fine poudre de nitrure de bore a un diamètre de particule compris entre 1 et 20 micromètres. La composition conductrice de la chaleur est ainsi fabriquée et comprend essentiellement un mélange de résine de silicone et de poudre de nitrure de bore qu'on utilise comme poudre conductrice de la chaleur.La proportion de la résine de silicone est de 30 parties par volume du mélange. On utilise 70 parties en volume de poudre de nitrure de bore, avec le volume mesuré dans un état connu, à savoir celui dans lequel on mesure ordinairement la densité volumique tassee.
Aucun problème n'est soulevé, même Si l'on verse la poudre de nitrure de bore en une seule fois dans la résine de silicone.
La composition conductrice de la chaleur a une fluidité suffisante pour revêtir des dispositifs semiconducteurs au montage dense Lorsqu'elle est soumise à une opération de durcissement à une température de 1200C pendant une durée de trente minutes, la composition conductrice de la chaleur se durcit pour donner une résine élastique à l'état de gel qui enrobe bien les dispositifs semiconducteurs. I1 est également possible d'utiliser une poudre d'alumine ou une poudre métallique ayant un diametre de particule similaire pour ajuster la fluidité avant le durcissement, soit en faisant varier le rapport des constituants dans le mélange soit en ajoutant un diluant pour la résine de silicone. Aucun problème n'est soulevé, même si on augmente la proportion de la poudre d'environ dix pour cent dans les parties en volume indiquées ci-dessus.On pourrait réduire la proportion de la poudre à 10 parties ou moins, mais la conductibilité thermique de la résine à l'état de gel se trouverait réduite à l'avenant. Il est en outre possible d'ajouter un agent tensio-actif et/ou un agent dispersant à la composition conductrice de la chaleur.
Lorsqu'on utilise le type "KE 104 Gel" comme résine de silicone, on emploie un catalyseur à titre d'agent de durcissement lorsqu'on soumet la composition conductrice de la chaleur à un processus de durcissement. Le catalyseur est de préférence le produit dit "Catalyst 104" fabriqué et vendu à cet effet par la société dite Shin-Etsu
Chemical Co., Ltd. Avec l'addition du catalyseur, la composition conductrice de la chaleur est chauffée à une température de 1500C pendant 30 minutes. Il faut environ dix heures pour durcir la composition à la température ambiante avec une simple addition de l'agent de durcissement.
En tout cas, on préfère utiliser une telle résine de silicone pour autant que la durée de vie utile est concernée.
Cela est dû au fait qu'on a confirmé que la composition conductrice de la chaleur peut se comporter normalement même plusieurs mois après sa fabrication. La résine à l'état de gel a une dureté qui dépend du rapport de mélange de l'agent de durcissement.
Il est également possible d'utiliser toute autre résine de silicone pouvant être durcie pour donner une résine élastique à l'état de gel lorsqu'elle est soumise à un processus de durcissement. Si on désire obtenir une conduction électrique en plus de la conductibilité thermique, il est possible d'utiliser une poudre d'argent, de cuivre, d'or ou d'un métal analogue comme poudre conductrice de la chaleur et de l'électricité; si on désire une isolation électrique en plus de la conductibilité thermique, il est possible d'utiliser une poudre d'oxyde d'aluminium, d'oxyde de béryllium, ou d'un oxyde métallique analogue, de la poudre de nitrure de bore ou d'un nitrure similaire, de la poudre de carbure de silicium ou d'un carbure analogue, ou un mélange d'une telle poudre d'un oxyde métallique et d'une poudre de nitrure ou de carbure pour constituer la poudre conductrice de la chaleur. Il est également possible, au lieu de procéder a un mélange manuel de la résine de silicone et de la poudre conductrice de la chaleur, d'employer un appareil de malaxage connu lors de la fabrication des compositions conductrices de la chaleur.Le rapport indiqué ci-dessus entre la fine poudre de nitrure de bore et la résine de silicone convient également quelle que soit la poudre conductrice de la chaleur.
On a confirmé qu'une telle composition conductrice de la chaleur, lorsqu'elle a durci, ne s'écoule pas, n'est pas soumise à séparation et/ou solidification, et ne souffre pas de fendillements. En outre, la résine à l'état de gel ne soumet pas le ou les dispositifs semiconducteurs à des contraintes mécaniques et ne les endommage pas.
En liaison maintenant avec la figure 1, on pro cèdera à la description d'un bloc classique de dispositif semi-conducteur dont il a été question dans la prépublication japonaise n0 85 842 (1981) dont il a été question ci-dessus. Le bloc comprend un élément de substrat isolant 11 qui présente une première surface et une seconde surface. Dans l'exemple illustré, la première surface est dirigée généralement vers le bas de la figure. La seconde surface est dirigée vers le haut. L'élément de substrat 11 présente une partie à épaulement qui présente une surface a gradin agissant en portion de la première surface et définit une échancrure dans l'élément de substrat 11.
L'échancrure a une surface inférieure constituant une autre portion de la première surface.
Une multitude de pastilles intérieures conductrices 12, ou pastilles de raccordement, 12 sont formées sur la surface à gradin. Une multitude de bornes extérieures 13, ou bornes d'entrée et de sortie sont disposées sur la première surface autour de l'échancrure. Les pastilles intérieures 12 et les bornes extérieures 13 sont connectées électriquement par l'intermédiaire de l'élément de substrat 11 par un agencement de connexion qu'on décrira ultérieurement.
L'élément de substrat 11 doit être en céramique ou matériau isolant vis-à-vis de l'électricité au moins à des endroits qui sont contigus aux pastilles intérieures conductrices 12, aux bornes extérieures 13 et à l'agencement de connexion.
On comprendra que les pastilles intérieures 12 sont placées sur la première surface de manière à définir une aire prédéterminée sur la surface inférieure, c'est-à-dire sur la première surface.
Un dispositif semi-conducteur 16 est placé sur l'air prédéterminée et reçu dans l'échancrure de manière à avoir une position qu'on appellera ici dirigée vers le haut. Plus particulièrement, le dispositif 16 présente une face active qui est dans le sens opposé à l'aire prédéterminée. Dans l'exemple, cette face active est approximativement dans le même plan que la surface du gradin.On comprendra que l'échancrure a une profondeur prédéterminée. Les fils du dispositif 16 sont connectés électriquement aux pastilles intérieures 12 par soudage ou brasage. En variante, on peut utiliser des liaisons connues dans l'art pour relier électriquement les fils aux pastilles 12. Un élément de coiffe 18 est fixé à l'élément de substrat Il au moyen d'une soudure 19 de manière à enfermer le dispositif 16 dans l'échancrure. La coiffe 18 est appelée fil dans la prépublication mentionnée ci-dessus.
Un élément de radiateur 21 est fixé à une portion prédéterminée de la seconde surface du substrat ll par une pluralité de couches intermédiaires qu'on désignera collectivement par la référence 22. Les couches intermédiaires ll comportent une première couche et une seconde couche qui ne sont pas illustrées séparément mais sont plus près de l'élément de substrat ll et de l'élément de radiateur 21, respectivement. La première couche est en tungstène, molybdène ou métal similaire ayant un coefficient de dilatation thermique qui est approximativement égal à celui de l'élément de substrat 11. La seconde couche est en cuivre, argent, ou métal analogue présentant une conductibilité thermique élevée et est flexible.
En liaison avec la figure 2, un autre bloc classique de dispositif semi-conducteur est du type décrit dans la pre-publication n0 120 139 (1981). En figure 2, le bloc comprend des parties similaires qui sont représentées par les mêmes numéros de références. Dans cet exemple, les première et seconde surfaces de l'élément de substrat ll sont dirigées généralement vers le haut et vers le bas, respectivement. Les bornes extérieures 13 sont disposées sur la seconde surface. Les pastilles intérieures conductrices 12 sont connectées électriquement aux bornes respectives de sortie 13 par des conducteurs 24 formés en partie sur la première surface et en partie dans l'élément de substrat ll. Le dispositif 16 est placé sur l'aire prédéterminée de l'élément de substrat ll en étant également dirigé vers le haut.Le bloc ne comprend pas l'élément de radiateur du type décrit en figure 1 en 21.
En liaison avec la figure 3, on a représenté un autre bloc classique du type décrit dans la demande de brevet japonais n0 153 968 citée ci-dessus en tant que bloc en céramique multi-couche. En figure 3, une pluralité de dispositifs semi-conducteurs est de nouveau représentée en 16 et est positionnée de manière à être dirigée vers le haut dans une multitude d'échancrures ménagées dans l'élément de substrat 11, respectivement. L'agencement de connexion est mis en oeuvre par un câblage multi-couche dans l'élément de substrat 11. L'élément de radiateur 21 sert également de coiffe dont la description a été faite en liaison avec les figures 1 et 2 sous la référence 18. Un espace ou interstice est inévitablement laissé entre l'élément de radiateur 21 et chaque dispositif semi-conducteur 16.L'élément de radiateur 21 comporte par conséquent une saillie ayant une surface qui est rapprochée de chaque dispositif 16 de manière à raccourcir l'espace. Une masse de résine 26 remplit au moins chaque espace. La résine, comme on l'appellera maintenant, est un mélange d'une résine et d'une charge où la résine a une certaine fluidité et la charge est conductrice de la chaleur et isolante vis-à-vis de l'électricité de la manière décrite précédemment. Les masses de résine 26 sont capables de former une liaison thermique entre l'élément de radiateur 21 et l'élément de substrat 11.
De nouveau en liaison avec les figures 1 à 3, le bloc classique du dispositif semi-conducteur de la figure 1 ne peut pas comprendre un nombre suffisant de bornes extérieures 13. Le bloc de la figure 2 ne comprend pas l'élé- ment de radiateur 21. On pense que le bloc de la figure 3 permet de résoudre de tels problèmes. Chaque masse de résine 26 souffre cependant, des défauts signalés précédemment.
En liaison maintenant avec la figure 4, on procèdera a la description d'un bloc de dispositif semiconducteur dans lequel la composition, conductrice de la chaleur,ou composé, est utilisée selon un aspect de la présente invention. En figure 4, le bloc comprend des parties similaires qui sont de nouveau désignées par les mêmes numéros de référence.
L'élément de radiateur 21 comprend un corps 31 et une coiffe 32. Le corps 31 est en métal et sert de radiateur. La coiffe 32 est également en métal et forme une même pièce avec le corps 31 grâce à une masse de soudure 33. La coiffe 32 comporte une saillie identique a celle de l'élé- ment de radiateur 21 décrit en liaison avec la figure 3.
La coiffe 32 est fixée ou scellée à une partie prédéterminée de l'élément de substrat 11 par une masse d'étanchéité 34 connue dans l'art.
Avant le scellement de l'élément de radiateur 21 à l'élément de substrat 11, le dispositif 16 est placé avec la face dirigée vers le haut sur l'aire prédéterminée de l'élément de substrat ll et fixé à la surface inférieure par une masse d'adhésif 35 connue dans l'art. Une certaine quantité de la composition conductrice de la chaleur est appliquée au dispositif 16. Après mise en place de l'élément de radiateur 21,la composition conductrice de la chaleur est durcie pour donner une masse de résine 36.
Etant différente de la masse de résine 26 décrite en liài- son avec la figure 3, la masse 36 constitue une masse de résine à l'état de gel, conductrice de la chaleur, dans laquelle est durcie la composition conductrice de la chaleur. Il est possible d'utiliser un élément de radiateur unique 21 à la place de l'ensemble constitué par le corps et les coiffes, 31 et 32.
En liaison enfin avec la figure 5, un bloc de dispositif semi-conducteur comporte la masse de résine 36 selon un autre aspect de la présente invention. Une multitude de dispositifs semi-conducteurs 16 est placée sur les aires prédéterminées définies ci-dessus respectivement, toutes étant dirigées vers le bas. En d'autres termes, chaque dispositif 16 a une face active qui est dirigée vers une aire appropriée des aires prédéterminées.
En figure 5, on verra que l'élément de substrat 11 comporte un substrat isolant 37 et une multitude d'entretoises 38. Le substrat 37 comporte un câblage multi-couche comme l'agencement de connexion cité ci-dessus Chaque entretoise 38 peut ou non être en matériau isolant et laisse une certaine distance entre le substrat et l'élément de radiateur 21. On comprendra que chaque entretoise 3 & présente une surface supérieure qui sert de portion prédéterminée de la première surface de l'élément de substrat 11.
Après fixation des entretoises 38 au substrat 37 de la manière classique, les dispositifs 16 sont placés sur les aires prédéterminées respectives, avec les fils connectés électriquement aux pastilles intérieures conductrices 12. La composition conductrice de la chaleur, ou composé, est appliquée aux surfaces arrière des dispositifs respectifs 16. L'élément de radiateur 21 est placé sur les entretoises 38. La composition conductrice de la chaleur est transformée en gel à l'intérieur des masses de résine 36. On comprendra que les entretoises 38 doivent avoir une hauteur commune de façon qu'un espace étroit ou interstice soit laissé entre l'élément de radiateur 21 et la surface arrière de chaque dispositif 16.
L'élément de radiateur 21 peut être fixé aux entretoises 38 par des masses d'adhésifs connus. I1 est possible de se passer des entretoises 38 se trouvant entre deux dispositifs 16 contigus . De telles entretoises 38 peuvent être en une pièce avec le substrat 37 de sorte que l'élément de substrat 11 présente soit une échancrure unique pour les dispositifs 16 soit une pluralité d'échancrures pour ceux-ci. Le bloc peut ne comprendre qu'un dispositif 16.
Les bornes extérieures 13 peuvent ne pas être des axes, mais soit des pastilles extérieures conductrices, ou pastilles d'entrée et de sortie, soit avoir une toute autre forme. Cela s'applique également au bloc de dispositif semi-conducteur illustré en liaison avec la figure 4.
La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au contraire susceptible de modifications et de variantes qui apparaîtront à lthomme de l'art.

Claims (10)

REVENDICATIONS
1 - Composition conductrice de la chaleur, caractérisée en ce qu'elle est constituée essentiellement d'un mélange d'une résine de silicone et d'une poudre conductrice de la chaleur, la résine de silicone devenant une résine élastique à l'état de gel lorsqu'elle- est soumise à une opération de durcissement.
2 - Composition selon la revendication l, caractérisée en ce que le mélange est constitué d'environ 30 parties en volume de la résine de silicone et d'environ 70 parties en volume de la poudre conductrice de la chaleur, le volume de la poudre conductrice de la chaleur étant mesuré à l'état dans lequel la poudre est soumise à une mesure de la densité volumique tassée.
3 - Composition selon la revendication 1,caractérisée en ce que la poudre conductrice de la chaleur est une poudre métallique.
4 - Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que la poudre conductrice de la chaleur est une poudre d'oxyde métallique.
5 - Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que la poudre conductrice de la chaleur est une poudre de nitrure.
6 - Composition selon la revendication 5,caractérisée en ce que la poudre conductrice de la chaleur est un mélange d'une poudre d'oxyde métallique et de la poudre de nitrure.
7 - Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que la poudre conductrice de la chaleur est une poudre de carbure.
8 - Composition selon la revendication 7, caractérisée en ce que la poudre conductrice de la chaleur est un mélange d'une poudre d'oxyde métallique et de la poudre de carbure.
9 - Bloc de dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un élément de substrat isolant (ll) présentant une première surface et une seconde surface, une multitude de pastilles intérieures conductrices (12) définissant une aire prédéterminée sur la première surface, un dispositif semi-conducteur (16) placé sur l'aire prédéterminée et ayant une multitude de fils connectés électriquement aux pastilles conductrices intérieures, une multitude de bornes extérieures (13) sur la seconde surface, un moyen de connexion pour connecter électriquement les pastilles intérieures conductrices et les bornes extérieures par l'intermédiaire de l'élément de substrat, un élément de radiateur (21) pour le dispositif semi-conducteur, un moyen de fixation pour attacher mécaniquement l'élément de radiateur à une portion prédéterminée de la première surface avec un espace laissé entre le dispositif semi-conducteur et l'élément de radiateur, et une masse de résine (36) à l'état de gel conductrice de la chaleur qui remplit au moins ledit espace et dans laquelle une composition conductrice de la chaleur#constituée essentiellement d'un mélange d'une résine de silicone et d'une poudre conductrice de la chaleur est durcie, où la résine de silicone devient une résine élastique à l'état de gel lorsqu'elle est soumise à une opération de durcissement.
10 - Bloc selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'élément de substrat (ll) comporte une portion à épaulement ayant une surface à gradin et définissant une échancrure qui a une surface inférieure comprenant l'aire prédéterminée et est destinée a recevoir le dispositif semi-conducteur (16), les pastilles intérieures conductrices (12) se trouvant sur la surface à gradin, le dispositif semi-conducteur étant place sur l'aire prédéterminée avec une liaison dirigée vers le haut;
- l'élément de radiateur (21) comprend une portion de corps (31) pouvant agir en radiateur pour le dispositif semi-conducteur, et une saillie qui est en une pièce avec la portion de corps et présente une surface en saillie; ;
- le moyen de fixation attachant la portion de corps à la partie prédéterminée de la première surface avec ledit espace laissé entre le dispositif semi-conducteur et la surface en saillie.
- le moyen de fixation attachant l'élément de radiateur (21) à la surface exposée de la portion à entretoise avec ledit espace laissé entre le dispositif semiconducteur et l'élément de radiateur.
- le dispositif semi-conducteur est placé sur la surface prédéterminée avec la liaison dirigée vers le bas;
ll - Bloc selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'élément de substrat (ll) comporte une portion de substrat (37) et une portion à entretoise (38) qui est en une pièce avec la portion de substrat et présente une surface exposée en tant que ladite partie prédéterminée de la première surface, le moyen de connexion comportant un câblage multi-couche, où
FR8513819A 1984-09-20 1985-09-18 Composition stable conductrice de la chaleur et bloc de dispositif semi-conducteur dans lequel cette composition est utilisee Expired FR2570383B1 (fr)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59195820A JPS6174357A (ja) 1984-09-20 1984-09-20 熱伝導性コンパウンド
JP24211884A JPS61120451A (ja) 1984-11-16 1984-11-16 半導体容器
JP60077229A JPS61234550A (ja) 1985-04-11 1985-04-11 チツプキヤリア

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2570383A1 true FR2570383A1 (fr) 1986-03-21
FR2570383B1 FR2570383B1 (fr) 1988-03-18

Family

ID=27302371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8513819A Expired FR2570383B1 (fr) 1984-09-20 1985-09-18 Composition stable conductrice de la chaleur et bloc de dispositif semi-conducteur dans lequel cette composition est utilisee

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR2570383B1 (fr)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0237741A2 (fr) * 1986-03-20 1987-09-23 Hitachi, Ltd. Dispositif thermoconducteur
EP0439752A2 (fr) * 1990-01-29 1991-08-07 International Business Machines Corporation Structure d'empaquetage pour circuit intégré
US5169805A (en) * 1990-01-29 1992-12-08 International Business Machines Corporation Method of resiliently mounting an integrated circuit chip to enable conformal heat dissipation
EP0661739A2 (fr) * 1993-12-29 1995-07-05 Nec Corporation Boîtier à réseau de broches
WO1996005602A1 (fr) * 1994-08-16 1996-02-22 Raychem Cororation Materiaux en gel thermoconducteur
EP0786806A1 (fr) * 1996-01-23 1997-07-30 Montpellier Technologies Boîtier d'entrées/sorties à haute densité pour des puces de puissance à circuits intégrés avec des fils soudés et procédé de fabrication
EP0805618A1 (fr) * 1996-04-30 1997-11-05 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Pièce d'écartement dissipatrice de chaleur pour équipement électronique
EP1066942A2 (fr) * 1999-07-07 2001-01-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Feuille composite en caoutchouc silicone thermiquement conductive et résistant à la chaleur et procédé pour sa fabrication
WO2003057782A1 (fr) * 2001-12-27 2003-07-17 Intel Corporation Extension de chaine pour matieres thermiques
WO2003103044A1 (fr) * 2002-05-31 2003-12-11 Parker Hannifin Corporation Agent thermiquement ou electriquement conducteur destine au remplissage d'un espace
RU2529852C2 (ru) * 2012-10-18 2014-10-10 Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "Прибор" Устройство стабилизации температуры электронных компонентов
US9837288B2 (en) 2015-06-02 2017-12-05 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor power package and method of manufacturing the same

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3885984A (en) * 1973-12-18 1975-05-27 Gen Electric Methyl alkyl silicone thermoconducting compositions
JPS5710254A (en) * 1980-06-20 1982-01-19 Hitachi Ltd Semiconductor device
EP0050360A1 (fr) * 1980-10-21 1982-04-28 Wacker-Chemie GmbH Elément constitutif d'appareils électriques
JPS5856445A (ja) * 1981-09-30 1983-04-04 Nec Corp 多層セラミツクパツケ−ジ
EP0096888A2 (fr) * 1982-06-14 1983-12-28 Toray Silicone Co., Ltd. Composition de caoutchouc de silicone thermiquement conductible
US4472483A (en) * 1982-03-17 1984-09-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Electrically insulating sheet with good heat conductivity

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3885984A (en) * 1973-12-18 1975-05-27 Gen Electric Methyl alkyl silicone thermoconducting compositions
JPS5710254A (en) * 1980-06-20 1982-01-19 Hitachi Ltd Semiconductor device
EP0050360A1 (fr) * 1980-10-21 1982-04-28 Wacker-Chemie GmbH Elément constitutif d'appareils électriques
JPS5856445A (ja) * 1981-09-30 1983-04-04 Nec Corp 多層セラミツクパツケ−ジ
US4472483A (en) * 1982-03-17 1984-09-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Electrically insulating sheet with good heat conductivity
EP0096888A2 (fr) * 1982-06-14 1983-12-28 Toray Silicone Co., Ltd. Composition de caoutchouc de silicone thermiquement conductible
US4444944A (en) * 1982-06-14 1984-04-24 Toray Silicone Company, Ltd. Thermally conductive silicone rubber composition

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENTS ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 6, no. 67 (E-104)[945], 28 avril 1982; & JP-A-57 10 254 (HITACHI SEISAKUSHO K.K.) 19-01-1982 *
PATENTS ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 71, no. 44 (E-183), 23 juin 1983; & JP-A-58 056 445 (NIPPON DENKI K.K.) 04-04-1983 *

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0237741A2 (fr) * 1986-03-20 1987-09-23 Hitachi, Ltd. Dispositif thermoconducteur
EP0237741A3 (en) * 1986-03-20 1987-12-02 Hitachi, Ltd. Thermal conduction device
EP0439752A2 (fr) * 1990-01-29 1991-08-07 International Business Machines Corporation Structure d'empaquetage pour circuit intégré
EP0439752A3 (en) * 1990-01-29 1991-08-28 International Business Machines Corporation Integrated circuit packaging structure
US5169805A (en) * 1990-01-29 1992-12-08 International Business Machines Corporation Method of resiliently mounting an integrated circuit chip to enable conformal heat dissipation
EP0661739A2 (fr) * 1993-12-29 1995-07-05 Nec Corporation Boîtier à réseau de broches
EP0661739A3 (fr) * 1993-12-29 1995-08-16 Nec Corp
WO1996005602A1 (fr) * 1994-08-16 1996-02-22 Raychem Cororation Materiaux en gel thermoconducteur
EP0786806A1 (fr) * 1996-01-23 1997-07-30 Montpellier Technologies Boîtier d'entrées/sorties à haute densité pour des puces de puissance à circuits intégrés avec des fils soudés et procédé de fabrication
US5978221A (en) * 1996-04-30 1999-11-02 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Radiating spacer, its use and silicone composition
EP0805618A1 (fr) * 1996-04-30 1997-11-05 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Pièce d'écartement dissipatrice de chaleur pour équipement électronique
EP1066942A2 (fr) * 1999-07-07 2001-01-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Feuille composite en caoutchouc silicone thermiquement conductive et résistant à la chaleur et procédé pour sa fabrication
EP1066942A3 (fr) * 1999-07-07 2001-02-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Feuille composite en caoutchouc silicone thermiquement conductive et résistant à la chaleur et procédé pour sa fabrication
US6379806B1 (en) 1999-07-07 2002-04-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heat-resistant silicone rubber composite sheet having thermal conductivity and method of producing the same
US7060747B2 (en) 2001-03-30 2006-06-13 Intel Corporation Chain extension for thermal materials
US7671120B2 (en) 2001-03-30 2010-03-02 Intel Corporation Chain extension for thermal materials
WO2003057782A1 (fr) * 2001-12-27 2003-07-17 Intel Corporation Extension de chaine pour matieres thermiques
WO2003103044A1 (fr) * 2002-05-31 2003-12-11 Parker Hannifin Corporation Agent thermiquement ou electriquement conducteur destine au remplissage d'un espace
US7208192B2 (en) 2002-05-31 2007-04-24 Parker-Hannifin Corporation Thermally or electrically-conductive form-in-place gap filter
RU2529852C2 (ru) * 2012-10-18 2014-10-10 Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "Прибор" Устройство стабилизации температуры электронных компонентов
US9837288B2 (en) 2015-06-02 2017-12-05 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor power package and method of manufacturing the same
US10256119B2 (en) 2015-06-02 2019-04-09 Infineon Technologies Austria Ag Method of manufacturing a semiconductor power package
US10734250B2 (en) 2015-06-02 2020-08-04 Infineon Technologies Austria Ag Method of manufacturing a package having a power semiconductor chip

Also Published As

Publication number Publication date
FR2570383B1 (fr) 1988-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2570383A1 (fr) Composition stable conductrice de la chaleur et bloc de dispositif semi-conducteur dans lequel cette composition est utilisee
FR2837022A1 (fr) Dispositif a semiconducteur de puissance
EP3154082B1 (fr) Structure dbc amelioree dotee d'un support integrant un materiau a changement de phase
FR2644964A1 (fr) Substrat en ceramique avec interconnexions entre couches remplies de metal pour microcircuits hybrides et procede de fabrication
US20020043364A1 (en) Heat radiator for electronic device and method of making it
FR2584534A1 (fr) Boitier comportant un puits thermique pour substrat en ceramique
FR2703511A1 (fr) Ensemble formant circuit intégré et élément conducteur de chaleur à métal liquide destiné à celui-ci et procédé de fabrication.
FR2707798A1 (fr) Procédé d'encapsulation d'un dispositif à semi-conducteurs de puissance et encapsulage fabriqué selon ce procédé.
FR2798512A1 (fr) Procede de realisation d'une connexion en cuivre au travers d'une couche de materiau dielectrique d'un circuit integre
FR3038534A1 (fr) Assemblage d'un element avec un substrat isole electriquement et a faible resistance thermique notamment pour des applications haute temperature, ensemble comprenant ledit assemblage et un drain thermique et procede de fabrication
EP0188838A1 (fr) Boîtier pour composant électronique
EP0660400B1 (fr) Elément de transfert thermique, utilisable notamment en électronique comme support de circuit imprimé ou de composant et son procédé de fabrication
FR2657196A1 (fr) Monture intermediaire de dispositif laser a semi-conducteur.
US5829665A (en) Fluxless soldering process
FR2511193A1 (fr) Support en materiau colamine pour le refroidissement et l'encapsulation d'un substrat de circuit electronique
FR2500959A1 (fr) Boitier de dispositif electronique a forte dissipation thermique
WO2020021197A1 (fr) Procede de fabrication d'un module electronique de puissance
EP0622836A1 (fr) Procédé d'enrobage de composants électroniques hybrides par billes sur un substrat
EP0363286B1 (fr) Matériau pour composants électroniques et procédé d'obtention desdits composants
EP1278240A2 (fr) Procédé de report d'un composant sur un support de connexion par soudage sans apport de matière
FR2777385A1 (fr) Eclateur vertical pour circuits microelectroniques et son procede de fabrication
FR2620569A1 (fr) Procede pour calibrer l'epaisseur d'une soudure d'un composant electronique sur un substrat
FR3103317A1 (fr) Module de puissance
FR2844097A1 (fr) Plaque a faible dilatation, procede de fabrication de celle-ci et dispositif a semi-conducteur utilisant la plaque a faible dilatation
FR2817397A1 (fr) Procede pour augmenter la duree de vie d'un composant semi-conducteur de puissance et module electronique comportant un composant ainsi protege

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse