FR2564266A1 - PHOTOCOUPLER - Google Patents
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Abstract
PHOTOCOUPLEUR ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CE DERNIER. L'EMETTEUR 1 ET LE RECEPTEUR 2 SONT SEPARES GALVANIQUEMENT ET ENCAPSULES DANS UNE MATIERE PLASTIQUE HYALINE, TRANSPARENTE CONSTITUANT LE BOITIER 4. LE COMPOSANT EST ENSUITE REVETU D'UNE MASSE PLASTIQUE REFLECHISSANTE 5, PRODUISANT AINSI UN FACTEUR DE COUPLAGE SUFFISAMMENT ELEVE.PHOTOCOUPLER AND PRODUCTION PROCESS OF THE LATEST. EMITTER 1 AND RECEIVER 2 ARE GALVANICALLY SEPARATED AND ENCAPSULATED IN A HYALINE, TRANSPARENT PLASTIC MATERIAL CONSTITUTING THE BOX 4. THE COMPONENT IS THEN COATED WITH A REFLECTING PLASTIC MASS 5, THUS PRODUCING A SUFFICIENT COUPLING FACTOR.
Description
La présente invention concerne un photocoupleur comportant un composant àThe present invention relates to a photocoupler comprising a component
semiconducteurs émetteur de lumière et un composant à semiconducteurs récepteur de lumière, dans lequel les deux composants sont fixés avec isolation entre eux sur un support et encapsulés dans une matière plastique. Des photocoupleurs sont utilisés pour transmettre un signal électrique, sous forme d'un signal lumineux, entre un circuit émetteur et un circuit récepteur qui est totalement isolé du circuit émetteur et par suite isolé galvaniquement. Des photocoupleurs sont par exemple semiconductor light emitter and a semiconductor light receiving component, wherein the two components are secured with insulation to each other on a carrier and encapsulated in a plastics material. Photocouplers are used to transmit an electrical signal, in the form of a light signal, between an emitter circuit and a receiver circuit which is totally isolated from the emitter circuit and therefore galvanically isolated. Photocouplers are for example
employés pour la séparation de potentiel et l'augmentation de l'immu- employees for the separation of potential and the increase of
nité dans la commutation téléphonique de centraux manuels et dans le traitement de données. Des photocoupleurs sont également utilisés pour la séparation de potentiel des circuits de commande et de charge en électronique de puissance, pour la commande d'amorçage de triacs in telephone switching of central offices and in data processing. Photocouplers are also used for potential separation of control and load circuits in power electronics, for triac tripping control
et de thyristors.and thyristors.
Dans un procédé connu pour la production d'un photocoupleur, les composants à semiconducteurs émetteur et récepteur sont fixés dans un plan sur des parties voisines, présentant un écartement défini, d'un ruban de contact structuré et continu. Un réflecteur plastique est ensuite placé sur les deux composants à semiconducteurs, puis l'espace compris entre les composants et le récepteur est rempli par une matière plastique transparente, entourant aussi les broches de contact. Le réflecteur est ensuite encapsulé avec la matière plastique transparente dans une matière plastique opaque, constituant le boîtier. Les ligaments reliant les rubans de contact sont ensuite découpés. Les deux composants à semiconducteurs sont par exemple dans un In a known method for the production of a photocoupler, the emitter and receiver semiconductor components are fixed in a plane on adjacent parts, having a defined spacing, of a structured and continuous contact strip. A plastic reflector is then placed on the two semiconductor components, and then the space between the components and the receiver is filled with a transparent plastic material, also surrounding the contact pins. The reflector is then encapsulated with the transparent plastic material in an opaque plastic material constituting the housing. The ligaments connecting the contact ribbons are then cut. The two semiconductor components are for example in a
coupleur du type cité une diode électroluminescente et un phototran- coupler of the type cited a light-emitting diode and a phototran-
sistor. Au lieu d'un phototransistor, il est également possible d'utiliser un phototransistor à effet de champ, une photodiode, un autre composant à semiconducteurs photosensible ou un circuit intégré photosensible. Le photocoupleur connu présente certes une tension d'isolement élevée, mais ne convient pas pour la miniaturisation et l'emploi préférentiel de circuits à couches en technique hybride, car les sistor. Instead of a phototransistor, it is also possible to use a field effect phototransistor, a photodiode, another photosensitive semiconductor component or a photosensitive integrated circuit. The known photocoupler certainly has a high isolation voltage, but is not suitable for miniaturization and the preferential use of hybrid layer circuits because the
dimensions du boîtier sont relativement grandes par suite de sa cons- The case dimensions are relatively large as a result of its
titution. L'invention a donc pour objets un photocoupleur et un procédé de production de ce photocoupleur, de dimensions plus réduites et se prêtant à l'emploi dans des circuits hybrides. tution. The subject of the invention is therefore a photocoupler and a process for producing this photocoupler, of smaller dimensions and suitable for use in hybrid circuits.
Dans le cas d'un photocoupleur comportant un composant à semi- In the case of a photocoupler comprising a semiconductor component
conducteurs émetteur de lumière et un composant à semiconducteurs light emitting conductors and a semiconductor component
récepteur de lumière, et dans lequel les deux composants sont dispo- light receiver, and in which both components are
sés avec isolation entre eux sur un support et encapsulés dans une with insulation between them on a support and encapsulated in a
matière plastique transparente, et selon une caractéristique essen- transparent plastic material, and according to an essential characteristic
tielle de l'invention, la matière plastique transparente constitue le boîtier du photocoupleur et est revêtue d'une mince couche de matériau of the invention, the transparent plastic material constitutes the photocoupler housing and is coated with a thin layer of material
réfléchissant opaque.reflective opaque.
Le principe de l'invention est donc le suivant: le boîtier est pratiquement constitué par la seule matière plastique transparente, qui lui confère la stabilité mécanique requise, tandis que la couche réfléchissante doit être aussi mince que possible et ne contribue The principle of the invention is therefore as follows: the housing is practically constituted by the only transparent plastic material, which gives it the required mechanical stability, while the reflecting layer must be as thin as possible and does not contribute
pratiquement pas à la stabilité mécanique du boîtier. La couche réflé- virtually no mechanical stability of the housing. The reflective layer
chissante doit être dans la mesure du possible juste assez mince pour pitting should be as far as possible just thin enough for
que son épaisseur suffise à assurer la réflexion requise. that its thickness is sufficient to ensure the required reflection.
Pour obtenir un facteur de couplage élevé, et selon une autre caractéristique avantageuse de l'invention, le boîtier plastique To obtain a high coupling factor, and according to another advantageous characteristic of the invention, the plastic housing
miniaturisé est revêtu par immersion d'une couche plastique réflé- miniaturized is coated by immersion of a reflective plastic
chissante en résine époxyde blanche. pumping white epoxy resin.
Le photocoupleur selon l'invention présente l'avantage essentiel suivant: la matière plastique transparente (avec le revêtement réfléchissant très mince, d'environ 0,3 mm) constitue le boîtier et The photocoupler according to the invention has the following essential advantage: the transparent plastic (with the very thin reflective coating, of about 0.3 mm) constitutes the housing and
permet ainsi d'éviter un boîtier extérieur distinct en matière plas- thus avoids a separate outer case made of
tique opaque. Une réduction importante des dimensions du boîtier est opaque tick. A significant reduction in the dimensions of the case is
ainsi possible.so possible.
Un photocoupleur selon l'invention se prête à l'utilisation de A photocoupler according to the invention lends itself to the use of
grande série dans des circuits hybrides pour la séparation de poten- large series in hybrid circuits for the separation of
tiel et le découplage immune. Lorsque les dimensions du boîtier sont choisies égales à celles d'un boîtier miniature normalisé, du type SOT 143 par exemple, il en résulte un avantage supplémentaire: Ces composants peuvent être traités sur les automates d'équipement du commerce. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront and immune decoupling. When the dimensions of the housing are chosen to be equal to those of a standard miniature housing, of the SOT 143 type, for example, the result is an additional advantage: These components can be processed on commercial equipment controllers. Other features and advantages of the invention will be
mieux compris à l'aide de la description détaillée ci-dessous d'un better understood using the detailed description below of a
exemple de réalisation et des dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est une vue en perspective d'un photocoupleur découpé; la figure 2 est une coupe d'un photocoupleur; et la figure 3 est une coupe d'un photocoupleur comportant une couche réfléchissante. Pour l'établissement des contacts du composant à semiconducteurs émetteur (1) et du composant à semiconducteurs récepteur (2), on utilise de préférence un ruban de contact se présentant sous forme d'une bande continue et comportant pour la production des ligaments Embodiment and accompanying drawings in which: Figure 1 is a perspective view of a cut photocoupler; Figure 2 is a section of a photocoupler; and Figure 3 is a section of a photocoupler having a reflective layer. For establishing the contacts of the emitter semiconductor component (1) and the semiconductor receiver component (2), a contact tape in the form of a continuous strip is advantageously used and for the production of the ligaments
transversaux, des longerons extérieurs et des ligaments médians. transverse, external and medial ligaments.
Après l'encapsulation de l'émetteur (1) et du récepteur (2) dans une matière plastique transparente (4), des outils découpent les ligaments After the encapsulation of the transmitter (1) and the receiver (2) in a transparent plastic material (4), tools cut the ligaments
transversaux, les longerons extérieurs et les ligaments médians. transverse, external and medial ligaments.
La matière plastique transparente (4) est constituée par une The transparent plastic material (4) consists of a
résine époxyde hyaline dans l'exemple de réalisation selon figure 1. hyaline epoxy resin in the embodiment according to FIG.
La mince couche opaque est constituée par une résine époxyde ou par The thin opaque layer is constituted by an epoxy resin or by
une masse à mouler époxyde claire, réfléchissant l'infrarouge. a clear epoxy reflective molding material.
La matière plastique (4) contenant le composant à semiconduc- The plastics material (4) containing the semiconductor component
teurs émetteur (1) et le composant à semiconducteurs récepteur (2) est revêtu d'une couche réfléchissante opaque (5) par immersion ou transmitter (1) and the receiver semiconductor component (2) is coated with an opaque reflecting layer (5) by immersion or
moulage. Le boîtier miniature parallélépipédique ainsi obtenu pré- molding. The miniature parallelepipedic casing thus obtained pre-
sente les dimensions du type normalisé SOT 143, c'est-à-dire lon- dimensions of the standardized type SOT 143, that is to say
gueur x largeur x hauteur: 2,9 x 1,3 x 1 mm. width x height: 2.9 x 1.3 x 1 mm.
Il est également possible de réaliser les dimensions d'un It is also possible to realize the dimensions of a
boîtier miniature normalisé de type TO 143 ou SO 6. standardized miniature case type TO 143 or SO 6.
La couche réfléchissante opaque (5) est par exemple constituée The opaque reflecting layer (5) is for example constituted
par une résine époxyde blanche mélangée avec de l'oxyde de titane. by a white epoxy resin mixed with titanium oxide.
Il est possible aussi de produire des réflecteurs similaires en It is also possible to produce similar reflectors in
mélangeant de la magnésie et d'autres matières plastiques transpa- mixing magnesia and other transparent plastics
rentes, telles qu'un polycarbonate.annuities, such as polycarbonate.
Les plages de raccordement 3a, 3b et 6a, 6b, nécessaires pour The connection pads 3a, 3b and 6a, 6b, necessary for
le raccordement électrique des composants à semiconducteurs émet- the electrical connection of the semiconductor components emits
teur (1) et récepteur (2), sont produites par un procédé de pliage (1) and receiver (2), are produced by a folding process
selon figure 1.according to figure 1.
Les références indiquées sur la figure 2 sont les mêmes que celles sur la figure 1. La lumière (7) émise par le composant à semiconducteurs émetteur (1) traverse la matière plastique (4) de The references shown in FIG. 2 are the same as those in FIG. 1. The light (7) emitted by the emitter semiconductor component (1) passes through the plastic material (4) of FIG.
tous les côtés, comme indiqué sur la figure 2. all sides as shown in Figure 2.
L'immersion et le revêtement de la matière plastique (4) par une masse réfléchissante (5) produisent une réflexion totale (7) à l'intérieur de la matière plastique (4), de sorte qu'on obtient un facteur de couplage typique de 100 %, comme indiqué sur la figure 3. Les références de la figure 3 sont les mêmes que celles Immersing and coating the plastic material (4) with a reflecting mass (5) produces a total reflection (7) inside the plastic material (4), so that a typical coupling factor is obtained. 100%, as shown in Figure 3. The references in Figure 3 are the same as those
sur les figures 1 et 2.in Figures 1 and 2.
La tension d'isolement nécessaire pour la séparation de poten- The isolation voltage required for the separation of
tiel entre les composants à semiconducteurs émetteur (1) et récep- between the emitting semiconductor components (1) and the
teur (2) est de 500 V au minimum.(2) is at least 500 V.
Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art au principe et aux dispositifs qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limitatifs, sans Of course, various modifications may be made by those skilled in the art to the principle and to the devices which have just been described solely by way of nonlimiting examples, without
sortir du cadre de l'invention.depart from the scope of the invention.
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| GB1503683A (en) * | 1974-05-24 | 1978-03-15 | Texas Instruments Inc | Photoelectric coupler |
| EP0003609A2 (en) * | 1978-02-14 | 1979-08-22 | Siemens Aktiengesellschaft | High-voltage resistant optocoupler |
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| JPS5839075A (en) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electronic circuit device |
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1985
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1503683A (en) * | 1974-05-24 | 1978-03-15 | Texas Instruments Inc | Photoelectric coupler |
| GB1564937A (en) * | 1976-12-13 | 1980-04-16 | Tokyo Shibaura Electric Co | Optoelectronic coupler |
| EP0003609A2 (en) * | 1978-02-14 | 1979-08-22 | Siemens Aktiengesellschaft | High-voltage resistant optocoupler |
| JPS5839075A (en) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electronic circuit device |
Non-Patent Citations (1)
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