FR2564246A1 - FIXING DEVICE FOR MAINTAINING A HALL PLATE IN A MAGNETIC FIELD - Google Patents

FIXING DEVICE FOR MAINTAINING A HALL PLATE IN A MAGNETIC FIELD Download PDF

Info

Publication number
FR2564246A1
FR2564246A1 FR8507094A FR8507094A FR2564246A1 FR 2564246 A1 FR2564246 A1 FR 2564246A1 FR 8507094 A FR8507094 A FR 8507094A FR 8507094 A FR8507094 A FR 8507094A FR 2564246 A1 FR2564246 A1 FR 2564246A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
hall
circuit board
magnetic field
plate
polar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
FR8507094A
Other languages
French (fr)
Inventor
Leif Erik Edlund
Lars-Anders Olofsson
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Original Assignee
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB filed Critical Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Publication of FR2564246A1 publication Critical patent/FR2564246A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07Hall effect devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/14Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
    • G01R15/20Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
    • G01R15/202Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using Hall-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00Hall-effect devices
    • H10N52/80Constructional details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

L'INVENTION CONCERNE LES CAPTEURS A EFFET HALL. DEUX PLAQUETTES POLAIRES 11, 12 EN MATIERE FERROMAGNETIQUE SONT DISPOSEES FACE A FACE ET COMPORTENT DES SAILLIES 13, 14 DONT LES SURFACES EN REGARD SONT NOTABLEMENT PLUS PETITES QUE LES SURFACES DES PLAQUETTES POLAIRES. UN ENTREFER EST FORME ENTRE LES SAILLIES ET UNE PLAQUETTE DE HALL 15 EST PLACEE DANS L'ENTREFER. UN CHASSIS 10 EN MATIERE DIELECTRIQUE ENTOURE L'ENTREFER ET DETERMINE LA LARGEUR DE CE DERNIER. LA CONCENTRATION PAR LES SAILLIES 13, 14 DU CHAMP MAGNETIQUE DANS LEQUEL EST PLACE LE DISPOSITIF PERMET D'OBTENIR UN CHAMP ELEVE DANS L'ENTREFER. APPLICATION A LA MESURE DE L'INTENSITE D'UN COURANT ELECTRIQUE.THE INVENTION RELATES TO HALL-EFFECT SENSORS. TWO POLAR PLATES 11, 12 IN FERROMAGNETIC MATERIAL ARE ARRANGED FACE TO FACE AND HAVE PROJECTIONS 13, 14 OF WHICH THE LOOKING SURFACES ARE NOTABLY SMALLER THAN THE SURFACES OF THE POLAR PLATES. A GAP IS FORMED BETWEEN THE PROJECTIONS AND A HALL 15 PLATE IS PLACED IN THE GAP. A CHASSIS 10 IN DIELECTRIC MATERIAL SURROUND THE GAP AND DETERMINES THE WIDTH OF THE LATTER. THE CONCENTRATION THROUGH THE PROJECTIONS 13, 14 OF THE MAGNETIC FIELD IN WHICH THE DEVICE IS PLACED ALLOWS A HIGH FIELD IN THE GAP. APPLICATION TO MEASURING THE INTENSITY OF AN ELECTRIC CURRENT.

Description

I La présente invention concerne un dispositif de fixation destiné àThe present invention relates to a fastening device for

maintenir dans un champ magnétique une  maintain in a magnetic field a

plaquette de Hall qui consiste en une plaquette de semicon-  Hall plate consisting of a semicon-

ducteur avec une couche de surface dopée.  driver with a doped surface layer.

Les dispositifs à effet Hall ou plaquettes de Hall en matière semiconductrice sont fragiles et on doit donc les maintenir à l'aide de moyens de fixation pour les  Hall-effect devices or Hall pads made of semiconducting material are fragile and must therefore be maintained by means of fixing means for

utiliser dans des applications pratiques. Le brevet britan-  use in practical applications. The British patent

nique n 2 106 710 décrit des moyens de fixation pour une  No. 2,106,710 discloses fastening means for a

plaquette de Hall comprenant un bloc, par exemple en matiè-  Hall plate comprising a block, for example

re plastique, dans lequel la plaquette est moulée, et dans lequel on peut également mouler des plaquettes polaires en matière ferromagnétique. La plaquette de semiconducteur est ici enveloppée des deux côtés par une matière diélectrique  plastic, in which the wafer is molded, and in which one can also mold polar plates of ferromagnetic material. The semiconductor wafer is here wrapped on both sides by a dielectric material

et il existe un grand entrefer entre les plaquettes polai-  and there is a large gap between the polar plates

res. Lorsqu'on mesure le champ magnétique dans l'entrefer  res. When measuring the magnetic field in the gap

d'un circuit magnétique en fer, ceci a un effet d'affai-  of an iron magnetic circuit, this has an effect of

blissement important sur le champ magnétique présent dans le circuit magnétique. On connaît également des dispositifs de fixation pour des plaquettes de Hall d'après le brevet  This is important for the magnetic field present in the magnetic circuit. Fixing devices are also known for Hall plates according to the patent

des E.U.A. no 2 725 504 qui décrit des dispositifs consis-  United States of America No. 2,725,504 which describes devices

tant en une couche isolante placée sur les faces supérieure  both in an insulating layer placed on the upper faces

et inférieure du semiconducteur, avec des plaquettes polai-  and lower semiconductor, with polar plates

res en matière ferromagnétique à l'extérieur de ces cou-  in ferromagnetic material outside these areas.

ches. Dans ce cas également, la plaquette de semiconducteur en matière diélectrique est enveloppée des deux côtés, ce qui fait que l'entrefer est grand. En outre, les plaquettes  ches. In this case also, the semiconductor wafer of dielectric material is wrapped on both sides, so that the air gap is large. In addition, platelets

de Hall ayant ce type de moyens de fixation donnent un si-  Hall having this type of fastening means

gnal de sortie faible du fait que la plaquette est épaisse.  low output signal because the wafer is thick.

Les plaquettes de Hall ayant un signal de sortie de niveau élevé, qui sont minces, ont leurs connexions électriques sur la surface supérieure de la plaquette de semiconducteur  Hall pads having a high level output signal, which are thin, have their electrical connections on the upper surface of the semiconductor wafer

et sont difficiles à isoler avec ce type de fixation.  and are difficult to isolate with this type of fixation.

Conformément à l'invention, les difficultés men-  In accordance with the invention, the difficulties

tionnées ci-dessus sont éliminées par un dispositif de fi-  above are eliminated by means of a

xation pour une plaquette de Hall très mince qui présente  xation for a very thin Hall pad that presents

un très faible entrefer.a very small gap.

Un aspect préféré de l'invention porte sur un dispositif de fixation destiné à maintenir une plaquette de Hall sur une plaquette de circuit dans un champ magnétique, caracté- risé en ce que la plaquette de circuit est percée d'un trou, une plaquette polaire en matière ferromagnétique est  A preferred aspect of the invention is a fastener for holding a Hall wafer on a circuit board in a magnetic field, characterized in that the circuit board is pierced with a hole, a polar wafer in ferromagnetic material is

fixée sur une face de la plaquette de circuit, cette pla-  attached to one side of the circuit board, this board

quette polaire comporte une saillie qui est introduite dans  polar shell has a projection which is introduced into

le trou et sur la surface d'extrémité de laquelle est dis-  the hole and on the end surface of which is

posée la plaquette de Hall, et en ce qu'une seconde pla-  Hall's plate, and that a second

quette polaire en matière ferromagnétique est fixée par  polar shell of ferromagnetic material is fixed by

l'intermédiaire d'une entretoise à l'autre côté de la pla-  through a spacer to the other side of the pla-

quette de circuit, exactement face au trou, de façon à  circuit board, exactly opposite the hole, so that

établir un entrefer défini entre la seconde plaquette po-  establish a defined air gap between the second plate

laire et la saillie qui se trouve sur la première plaquette polaire. L'invention sera mieux comprise à la lecture de  and the projection on the first polar plate. The invention will be better understood when reading

la description qui va suivre de modes de réalisation et en  the following description of embodiments and in

se référant aux dessins annexés sur lesquels:  referring to the accompanying drawings in which:

la figure 1 montre la mesure d'un champ magnéti-  Figure 1 shows the measurement of a magnetic field

que dans un circuit magnétique en fer à l'aide d'une pla-  than in an iron magnetic circuit using a

quette de Hall; la figure 2 est une représentation en perspective d'une plaquette de Hall de type connu;  Hall's quest; Figure 2 is a perspective representation of a known type Hall plate;

la figure 3 est une coupe d'un dispositif de fi-  FIG. 3 is a section of a filtering device

xation conforme à l'invention, en compagnie d'une plaquette de Hall; la figure 4 représente schématiquement un champ magnétique intéressant le dispositif de fixation, pendant une mesure dans un circuit magnétique en fer; et  xation according to the invention, in the company of a Hall plate; FIG. 4 diagrammatically represents a magnetic field of interest to the fixing device during a measurement in an iron magnetic circuit; and

la figure 5 représente un autre mode de réalisa-  FIG. 5 represents another embodiment of

tion de l'invention, avec un dispositif de fixation formé  of the invention, with a fastening device formed

sur une plaquette.on a wafer.

La figure I représente une utilisation connue de plaquettes de Hall pour la mesure de l'intensité d'un courant électrique. Un circuit magnétique en fer 1 est équipé d'une bobine 2 dans laquelle circule un courant I m  Figure I shows a known use of Hall wafers for measuring the intensity of an electric current. An iron magnetic circuit 1 is equipped with a coil 2 in which a current I m flows.

qu'on désire mesurer. Un entrefer 3 dans le circuit magné-  we want to measure. An air gap 3 in the magnetic circuit

tique en fer contient une plaquette de Hall 4 qui est tra- versée par un champ magnétique B dont l'intensité dépend  iron tick contains a Hall plate 4 which is crossed by a magnetic field B whose intensity depends on

du courant Im. On applique un courant connu Ih à la pla-  of the current Im. A known current Ih is applied to the plane

quette de Hall, et le signal de sortie Vh de celle-ci réa-  Hall, and the Vh output signal from Hall

git à ce courant et au champ magnétique B. Le signal de  to this current and to the magnetic field B. The signal of

sortie Vh fournit ainsi une mesure du courant Im-  output Vh thus provides a measure of the current Im-

On désire souvent que le signal de sortie Vh soit grand par rapport au courant Im à mesurer. Le signal de sortie Vh varie en proportion inverse de l'épaisseur de la plaquette de Hall, et une condition essentielle est donc que la plaquette de Hall soit mince. La figure 2 montre une telle plaquette de Hall 15 de type connu. Une plaquette 5 en matière semiconductrice, par exemple en silicium ou en arséniure de gallium, comporte une couche  It is often desired that the output signal Vh be large relative to the current Im to be measured. The output signal Vh varies in inverse proportion to the thickness of the Hall wafer, and an essential condition is therefore that the Hall wafer is thin. Figure 2 shows such a Hall plate 15 of known type. A wafer 5 of semiconductor material, for example silicon or gallium arsenide, has a layer

active 7 sur sa surface supérieure 6. Cette couche com-  active 7 on its upper surface 6. This layer

porte des surfaces de connexion 8 pour le courant Ih et  door connection surfaces 8 for current Ih and

des surfaces de connexion 9 pour mesurer le signal de sor-  connection surfaces 9 for measuring the output signal.

tie Vh. On forme la couche active 7 et les surfaces de  tie Vh. The active layer 7 and the surfaces of

connexion 8 et 9 au moyen d'une substance de dopage diffu-  connection 8 and 9 by means of a diffuse doping substance

sée dans la matière de base au niveau de la surface de la plaquette. La couche 7 et les surfaces de connexion, dont  in the base material at the surface of the wafer. Layer 7 and connection surfaces, of which

l'épaisseur est seulement d'environ I nm, ont une résisti-  the thickness is only about 1 nm, have a resis-

vité faible comparée à celle de la matière de base dans la plaquette 5. Les surfaces de connexion sont situées sur la surface supérieure 6 de la plaquette 5, ce qui fait qu'on peut fixer des fils de connexion aux surfaces avec des  The connecting surfaces are located on the upper surface 6 of the wafer 5, so that connection wires can be fixed to the surfaces with

techniques de fabrication classiques.  classical manufacturing techniques.

Une autre condition essentielle pour obtenir un signal de sortie Vh de niveau élevé est que l'intensité du champ magnétique appliqué à la plaquette de Hall soit élevée. Comme on l'a indiqué, ceci exige que l'entrefer  Another essential condition for obtaining a high level Vh output signal is that the intensity of the magnetic field applied to the Hall wafer is high. As noted, this requires the air gap

soit petit, bien que l'intensité du champ puisse être affec-  small, although the intensity of the field can be

tée par la concentration du champ magnétique dans la pla-  by the concentration of the magnetic field in the

quette de Hall. La figure 2 montre un mode de réalisation  Hall. Figure 2 shows an embodiment

d'un dispositif de fixation conforme à l'invention dans le-  of a fixing device according to the invention in the-

quel ces objectifs sont atteints. Deux plaquettes polaires 11 et 12 en matière ferromagnétique comportent des saillies respectives 13 et 14 qui sont placées face à face et dont les surfaces en regard sont parallèles. Un entrefer est formé entre les saillies dont les surfaces sont notablement  what these goals are achieved. Two polar plates 11 and 12 of ferromagnetic material comprise respective projections 13 and 14 which are placed face to face and whose facing surfaces are parallel. An air gap is formed between the projections whose surfaces are notably

plus petites que celles des plaquettes polaires, et la pla-  smaller than those of polar platelets, and the

quette de Hall 15, décrite ci-dessus, est placée dans l'en-  Hall 15, described above, is placed in the

trefer. Un châssis 10 en matière diélectrique situé entre les plaquettes polaires, qui entoure les saillies, détermine la distance entre les plaquettes polaires et donc la largeur  trefer. A frame 10 of dielectric material located between the polar plates, which surrounds the projections, determines the distance between the polar plates and therefore the width

de l'entrefer. Les plaquettes polaires sont fixées au chas-  of the gap. Polar plates are attached to

sis à l'aide de colle et le châssis est formé par la combi-  glue and the frame is formed by the combination of

naison d'une partie inférieure 10a et d'une partie supérieu-  part of a lower part 10a and a higher part

re 10b. ia plaquette de Hall est fixée par sa surface infé-  re 10b. The Hall plate is fixed by its inferior surface.

rieure à la saillie 14, par exemple & l'aide de colle, et sa surface supérieure 6 se trouve à une faible distance de  than the protrusion 14, for example by glue, and its upper surface 6 is at a short distance from

la saillie 13. li matière de base de la plaquette 5 consti-  the protrusion of the basic material of the

tue une couche isolante entre la couche active 7 et la saillie 14. Des fils de connexion électriques 16 connectent les surfaces de connexion 8 et 9 aux surfaces de connexion 17 sur la partie inférieure 10a du châssis. Ces surfaces sont à leur tour connectées électriquement aux surfaces de connexion extérieures 18 à l'extérieur du châssis, au moyen de conducteurs 19. Les surfaces de connexion 17 et 18, ainsi que les conducteurs 19, sont appliqués sur la partie inférieure 10a du châssis par un procédé tel que celui qu'on utilise pour les circuits imprimés, avant de fixer  kills an insulating layer between the active layer 7 and the projection 14. Electrical connection wires 16 connect the connection surfaces 8 and 9 to the connection surfaces 17 on the lower part 10a of the frame. These surfaces are in turn electrically connected to external connection surfaces 18 outside the frame, by means of conductors 19. The connecting surfaces 17 and 18, and the conductors 19, are applied to the lower portion 10a of the frame by a process such as that used for printed circuits, before fixing

la partie supérieure 10b du châssis sur la partie inférieu-  the upper part 10b of the frame on the lower part

re. L'entrefer du dispositif de fixation décrit peut être petit, du fait qu'il n'y a pas de matière isolante autour de la plaquette de Hall, et que la distance entre les saillies 13 et 14 doit seulement être suffisamment grande pour loger entre ces saillies la plaquette 5, avec  re. The air gap of the fixing device described may be small, since there is no insulating material around the Hall plate, and the distance between the projections 13 and 14 must only be large enough to accommodate between these projections the plate 5, with

de la place pour les fils de connexion 16. La figure 4 re-  space for the connection wires 16. Figure 4 shows

présente schématiquement le champ magnétique dans la pla- quette de Hall. Les surfaces dirigées vers l'extérieur des plaquettes polaires 11 et 12 portent contre les pôles du circuit magnétique en fer 1, et du fait que la plus faible distance entre les plaquettes polaires se trouve au niveau des saillies 13 et 14, le champ magnétique B est concentré  schematically shows the magnetic field in the Hall plate. The outwardly directed surfaces of the polar plates 11 and 12 bear against the poles of the iron magnetic circuit 1, and since the smallest distance between the polar plates is at the projections 13 and 14, the magnetic field B is concentrated

dans ces dernières.in these last ones.

Dans le mode de réalisation, le ch&ssis comprend deux parties 10a et 0lob, mais on peut évidemment le former  In the embodiment, the chsis comprises two parts 10a and 0lob, but it can obviously be formed

en une seule pièce, avec des ouvertures pour des conduc-  in one piece, with openings for conductors

teurs électriques allant vers la plaquette de Hall. Comme  electric motors going to the Hall pad. As

on peut le voir, le dispositif de fixation décrit en rela-  it can be seen, the fixing device described in relation to

tion avec le mode de réalisation consiste en une capsule qui peut être fermée hermétiquement et qui est susceptible de satisfaire des exigences très élevées en ce qui concerne l'étanchéité. Le ch&ssis 10 est dans ce cas en une matière imperméable, par exemple en céramique, et les plaquettes polaires sont fixées au ch&ssis par une matière telle que du verre ou de la soudure. Dans ce dernier cas, le châssis comporte un revêtement de métal au niveau des plaquettes  The embodiment with the embodiment consists of a hermetically sealed capsule which is capable of meeting very high sealing requirements. The sheath 10 is in this case an impermeable material, for example ceramic, and the polar plates are fixed to the chs by a material such as glass or solder. In the latter case, the frame has a metal coating at the level of the pads

polaires, pour que la soudure puisse y adhérer.  polar so that the solder can adhere to it.

La figure 5 représente un autre mode de réalisa-  Figure 5 represents another embodiment of

tion de l'invention dans lequel un dispositif de fixation est formé sur une plaquette de circuit 21 portant des circuits électriques 22, et la plaquette de circuit fait partie du dispositif de fixation. La plaquette polaire 12 est fixée à la face inférieure de la plaquette de circuit, avec sa saillie 14 logée dans un trou dans la plaquette de circuit. Du côté supérieur de la plaquette de circuit, se trouve un élément de châssis 24 qui est fixé de façon à entourer ce trou, et la plaquette polaire 11 est fixée au  According to the invention, a fixing device is formed on a circuit board 21 carrying electrical circuits 22, and the circuit board is part of the fixing device. Polar wafer 12 is attached to the underside of the circuit board, with its protrusion 14 accommodated in a hole in the circuit board. On the upper side of the circuit board, there is a frame member 24 which is fixed to surround this hole, and the polar plate 11 is attached to the

châssis avec la saillie 13 dirigée vers la saillie 14.  frame with the projection 13 directed towards the projection 14.

Ia plaquette de Hall 15 qui se trouve sur la saillie 14 est  Hall plate 15 on projection 14 is

connectée aixcircuits électriques 22 présents sur la pla-  connected to the electrical circuits 22 present on the

quette de circuit par l'intermédiaire de fils de connexion 16 et de conducteurs 23 qui sont imprimés sur la surface  circuit board via connection wires 16 and conductors 23 which are printed on the surface

de la plaquette de circuit.of the circuit board.

Il va de soi que de nombreuses modifications peu-  It goes without saying that many modifications can

vent être apportées au dispositif décrit et représenté,  can be made to the device described and represented,

sans sortir du cadre de l'invention.  without departing from the scope of the invention.

Claims (4)

REVENDICATIONS 1. Dispositif de fixation destiné à maintenir une plaquette de Hall sur une plaquette de circuit dans un champ magnétique, caractérisé en ce que la plaquette de circuit (21) est percée d'un trou, une plaquette polaire (12) en matière ferromagnétique est fixée sur une face de la plaquette de circuit, cette plaquette polaire comporte une saillie (14) qui est introduite dans le trou et sur la surface d'extrémité de laquelle est disposée la plaquette de Hall (15), et en ce qu'une seconde plaquette polaire  1. Fastening device for holding a Hall plate on a circuit board in a magnetic field, characterized in that the circuit board (21) is pierced with a hole, a polar plate (12) of ferromagnetic material is fixed on one face of the circuit board, this polar plate has a projection (14) which is inserted into the hole and on the end surface of which is disposed the Hall plate (15), and in that a second polar wafer (11) en matière ferromagnétique est fixée par l'intermédiai-  (11) in ferromagnetic material is fixed by means of re d'une entretoise (24) à l'autre côté de la plaquette de circuit (21), exactement face au trou, de façon à établir un entrefer défini entre la seconde plaquette polaire (11) et la saillie (14) qui se trouve sur la première plaquette  re a spacer (24) to the other side of the circuit board (21), exactly opposite the hole, so as to establish a gap defined between the second polar plate (11) and the projection (14) which is found on the first plate polaire (12).polar (12). 2. Dispositif de fixation selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'entretoise (24) consiste en un  2. Fastening device according to claim 1, characterized in that the spacer (24) consists of a châssis fermé.closed frame. 3. Dispositif de fixation selon l'une  3. Fixing device according to one des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la pla-  claims 1 and 2, characterized in that the quette de circuit (21) et l'entretoise (24) sont en céra-  circuit board (21) and the spacer (24) are made of mique.  nomic. 4. Dispositif de fixation selon l'une4. Fixing device according to one des revendications 2 et 3, caractérisé en ce que les pla-  claims 2 and 3, characterized in that the quettes polaires (11, 12) sont respectivement fixées à l'entretoise (24) et à la plaquette de circuit (21) à  pole sleeves (11, 12) are respectively attached to the spacer (24) and to the circuit board (21) at l'aide d'une matière imperméable à la diffusion.  using a material impermeable to diffusion.
FR8507094A 1984-05-11 1985-05-10 FIXING DEVICE FOR MAINTAINING A HALL PLATE IN A MAGNETIC FIELD Withdrawn FR2564246A1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE8402562A SE444623B (en) 1984-05-11 1984-05-11 FIXING DEVICE FOR ATTACHING A CIRCUIT CARD A HALL ELEMENT IN A MAGNETIC FIELD

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR2564246A1 true FR2564246A1 (en) 1985-11-15

Family

ID=20355846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8507094A Withdrawn FR2564246A1 (en) 1984-05-11 1985-05-10 FIXING DEVICE FOR MAINTAINING A HALL PLATE IN A MAGNETIC FIELD

Country Status (4)

Country Link
DE (1) DE3514059A1 (en)
FR (1) FR2564246A1 (en)
GB (1) GB2158642A (en)
SE (1) SE444623B (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3614236A1 (en) * 1986-04-26 1987-10-29 Vdo Schindling ARRANGEMENT FOR CONTACTLESS MEASUREMENT OF THE ELECTRICAL CURRENT IN A LADDER
CH669852A5 (en) * 1986-12-12 1989-04-14 Lem Liaisons Electron Mec
DE4442852A1 (en) * 1994-12-01 1996-06-05 Siemens Ag Hall sensor for magnetic field measurement
DE19549181A1 (en) * 1995-12-30 1997-07-03 Bosch Gmbh Robert Appliance for measuring the current in conductor
DE19828089A1 (en) * 1998-06-24 1999-12-30 Univ Schiller Jena Magnetometer
US6175229B1 (en) * 1999-03-09 2001-01-16 Eaton Corporation Electrical current sensing apparatus
JP2000321309A (en) * 1999-05-11 2000-11-24 Yazaki Corp Fixed current detector
JP6268799B2 (en) * 2013-08-07 2018-01-31 アイシン精機株式会社 Current sensor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3845445A (en) * 1973-11-12 1974-10-29 Ibm Modular hall effect device
GB2081505A (en) * 1980-08-05 1982-02-17 Itt Ind Ltd Hall effect device

Also Published As

Publication number Publication date
SE8402562D0 (en) 1984-05-11
GB8511532D0 (en) 1985-06-12
SE8402562L (en) 1985-11-12
GB2158642A (en) 1985-11-13
DE3514059A1 (en) 1985-11-14
SE444623B (en) 1986-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1388174B1 (en) Shielded housing for optical semiconductor component
EP0605046B1 (en) Microwave device comprising at least one transition between a transmission line integrated on a substrate and a waveguide
EP0815456B1 (en) Electrical current sensor
EP0729582B1 (en) Speed and/or position incremental sensor
FR2700416A1 (en) Semiconductor device having a semiconductor element on a mounting element.
EP0032330A1 (en) Subharmonic mixer for millimeter wave receiver, and receiver using such a mixer
EP1031844A2 (en) Process for forming an electrical current sensor
FR2581178A1 (en) ELECTRIC SENSOR FOR MEASURING MECHANICAL QUANTITIES
FR2564246A1 (en) FIXING DEVICE FOR MAINTAINING A HALL PLATE IN A MAGNETIC FIELD
FR2750769A1 (en) THIN FILM MAGNETIC FIELD SENSOR
FR2874433A1 (en) MAGNETIC SENSOR DEVICE HAVING COMPONENTS MOUNTED ON A MAGNET
FR2660751A1 (en) SENSOR FOR MEASURING THE TRANSVERSAL RELATIVE DISPLACEMENT OF A CONDUCTIVE PART OF AN ELONGATED SHAPE.
FR2596229A1 (en) ELECTROACOUSTIC TRANSDUCER
FR2835653A1 (en) Optical semiconductor device, has IC chip casing enclosing optical sensors
FR2568419A1 (en) MICROCONNECTOR WITH HIGH DENSITY OF CONTACTS.
US7339194B2 (en) Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
EP0047195A2 (en) Plastics housing for integrated circuits
JPH11304894A (en) Magnetism detection device, and manufacture thereof
EP0230819A1 (en) Miniaturised gyromagnetic device and method for assembling the same
FR2616974A1 (en) HYPERFREQUENCY HEAD OF EMISSION-RECEPTION DUPLEXES WITH ORTHOGONAL POLARIZATIONS
FR2462787A1 (en) Planar coupler for waveguide and HF line - is oriented at right angles to waveguide end and has two conductive layers on either side of dielectric
FR2693031A1 (en) Semiconductor device, substrate and mounting frame for this device.
FR2861216A1 (en) Support plate for semiconductor chip includes two layers of thermally conducting material, linked via holes in plate, to assist heat dissipation
FR2516311A1 (en) BASE FOR MOUNTING A SEMICONDUCTOR PASTILLE ON THE EMBASE OF AN ENCAPSULATION CASE, AND METHOD OF MAKING SAME
FR2629271A1 (en) DEVICE FOR INTERCONNECTING AND PROTECTING A BULK MICROFREQUENCY COMPONENT BLEACH

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse