FR2556905A1 - Circuit de commande pour transistor a effet de champ de puissance - Google Patents
Circuit de commande pour transistor a effet de champ de puissance Download PDFInfo
- Publication number
- FR2556905A1 FR2556905A1 FR8320726A FR8320726A FR2556905A1 FR 2556905 A1 FR2556905 A1 FR 2556905A1 FR 8320726 A FR8320726 A FR 8320726A FR 8320726 A FR8320726 A FR 8320726A FR 2556905 A1 FR2556905 A1 FR 2556905A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- pulse
- transformer
- logic state
- windings
- winding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 43
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
DEUX CIRCUITS DE COMMUTATION 100, 200 SONT CONNECTES ENTRE LA GACHETTE ET L'ELECTRODE SOURCE DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP TEF, CHAQUE CIRCUIT DE COMMUTATION CONTENANT UN COMMUTATEUR COMMANDE 1, 2 ET UN ENROULEMENT SECONDAIRE DE TRANSFORMATEUR 12, 22; 33, UN PREMIER GENERATEUR D'IMPULSION 3 PRODUISANT A UNE CADENCE PREDETERMINEE UNE IMPULSION AYANT UN PREMIER ETAT LOGIQUE (ETAT LOGIQUE1) POUR ACTIONNER LE COMMUTATEUR COMMANDE 1 D'UN DES CIRCUITS DE COMMUTATION 100, LADITE IMPULSION ETANT APPLIQUEE A UN ENROULEMENT PRIMAIRE DE TRANSFORMATEUR 11, 21; 31, 32 ET UN SECOND GENERATEUR D'IMPULSION 4 PRODUISANT A UNE CADENCE PREDETERMINEE UNE IMPULSION AYANT UN SECOND ETAT LOGIQUE (ETAT LOGIQUE0), COMPLEMENTAIRE DE L'ETAT LOGIQUE DE L'IMPULSION DU PREMIER GENERATEUR, POUR ACTIONNER LE COMMUTATEUR COMMANDE 2 DE L'AUTRE CIRCUIT DE COMMUTATION 200, CHAQUE ENROULEMENT PRIMAIRE 11, 21; 31, 32 ETANT COUPLE MAGNETIQUEMENT A UN ENROULEMENT SECONDAIRE 12, 22; 33. L'INVENTION EST UTILISEE PAR EXEMPLE DANS LES EQUIPEMENTS DE COMMUTATION DE SATELLITES ARTIFICIELS.
Description
La présente invention concerne un circuit de commande
pour transistor à effet de champ de puissance.
Dans certaines applications de transistors à effet de champ,par exemple dans des convertisseurs ou régulateurs à commutation haute fréquence, il est nécessaire d'isoler le circuit de commande, qui travaille à basse tension, du circuit de commutation dont fait partie le transistor à effet de champ, qui travaille à un niveau de tension plus élevé et pour assurer un tel isolement
il faut utiliser un circuit de commande.
Dans le cas particulier d'applications spatiales, un tel circuit de commande doit permettre à l'électrode de commande ou gâchette du transistor à effet de champ d'être polarisée négativement par rapport à l'électrode source lorsque le transistor est non conducteur car autrement les radiations ionisantes de l'environnement spatial pourraient provoquer la commutation du transistor
à l'état conducteur. Une telle polarisation négative empê-
cherait également la commutation du transistor dans le cas o la gâchette reçoit des tensions en échelons
appliquées de façon aléatoire.
D'autre part, les convertisseurs ou régulateurs à commu-
tation exigent que le délai du circuit de commande pour
commuter le transistor soit très court, c' est-à-
dire de l'ordre de 0,05 microseconde. Enfin, un tel circuit de commande doit permettre un cycle de travail allant de zéro à 10096 lorsqu'il est commandé par des signaux modulés par largeur d'impulsion, c'est-à-dire qu'il doit permettre au transistor à effet de champ d'être commuté entièrement conducteur ou non conducteur pour une période de temps indéfinie. Un dispositif fréquemment utilisé ces dernières années pour isoler électriquement un circuit de commande d'un circuit de puissance est le coupleur optique. Le signal électrique d'un transistor est converti en un signal optique qui se trouve ensuite acheminé par un
chemin optique vers un récepteur (par exemple un photo-
transistor au silicium) qui reconvertit le signal optique en un signal électrique. Un autre dispositif, plus récent, est le coupleur piézoélectrique. Celui-ci est un élément de céramique qui convertit le signal électrique en énergie mécanique qui se trouve transformée en une onde acoustique et celle-ci est alors reconvertie en un signal électrique.
Ces deux dispositifs connus ont pour principal désavan-
tage que leur vitesse de fonctionnement est trop lente
pour être utilisés dans les convertisseurs et les régu-
lateurs à commutation:leur délai de commutation est en
effet de l'ordre de 20 microsecondes. Un second désa-
vantage est que ces dispositifs nécessitent un équipe-
ment auxiliaire tel qu'une alimentation d'énergie sans tension (coupleur optique) ou un multivibrateur (coupleur piézoélectrique). Enfin, aucun de ces dispositifs ne permet de produire une tension gâchette-source négative convenant pour la commande d'un transistor à effet de
champ de commutation.
Un dispositif plus classique pour assurer l'isolement
électrique entre circuits est le transformateur d'impul-
sion. Les signaux de commande sont transmis entre les
circuits de niveaux de potentiel différents par induc-
tion électromagnétique. Un tel transformateur ne peut cependant transférer que les composantes alternatives du signal d'entrée. En conséquence, leur tension de sortie passe d'un niveau négatif à un niveau positif d'une quantité qui dépend du cycle de travail. De plui l'inductance de fuite du transformateur réduit son efficacité comme circuit de commande de gâchette. Pour surmonter ces difficultés il peut être nécessaire d'utiliser un étage de conditionnement de signal qui requiert une alimentation d'énergie séparée et entraine
par conséquent une plus grande complexité. Le transfor-
mateur d'impulsion reste néanmoins une solution sûre qui présente une grande immunité à l'égard du bruit chaque fois que le cycle de travail a lun minimum connu fixé. Toutefois, bien qu'il constitue le moyen le plus pratique pour assurer l'isolement électrique entre le circuit de commande d'un transistor à effet de champ et le circuit de commutation, le transformateur d'impulsion ne satisfait point à tous égards aux iompée ratifs des circuits de commande de transistors à effet
de champ comme indiqué plus haut.
L'invention apporte une solution à ce problème par un circuit de commande qui se caractérise par deux circuits de commutation connectés entre la gâchette et l'électrode source du transistor à effet de champ (TEF), chaque circuit de commutation contenant un commutateur commande et un enroulement secondaire de transformateur, un premier générateur d'impulsion produisant à une cadence prédé terminée une impulsion ayant un premier état logique pour actionner le commutateur commandé d'un des circuits de commutation, ladite impulsion étant appliquée à un enroulement primaire de transformateuret un second géné= rateur d'impulsion produisant à une cadence prédéterminée une impulsion ayant un second état logiques complémentaire de l'état logique de l'impulsion du premier générateur, pour actionner le commutateur commandé de l'autre circuit de commutation, chaque enroulement primaire
étant couplé magnétiquemnt à un enroulement secondaire.
Les enroulements primaire et secondaire de chacun des circuits de commutation peuvent être bobinés sur des
transformateurs séparés ou sur un même transformateur.
Dans un premier mode de réalisation les enroulements
primaires sont deux enroulements d'un même transforma-
teur et les enroulements secondaires sont constitués
par un seul enroulement secondaire dudit transformateur.
qui peut en outre porter deux enroulements secondaires auxiliaires, chacun de ces enroulements secondaires auxiliaires étant connecté pour commander le commutateur
d'un circuit de commutation respectif.
Dans un autre mode de réalisation les enroulements
primaires et secondaires sont prévus sur deux transfor-
mateurs, les enroulements secondaires étant connectés en série. Chaque transformateur peut en outre porter un enroulement secondaire auxiliaire connecté pour commander
le commutateur du circuit de commutation respectif.
L'invention est exposée plus en détails dans ce qui suit avec référence aux dessins ci-annexés dans lesquels: la figure 1 est un schéma d'un exemple de mode de réalisation du circuit de commande selon l'invention, la figure 2 est un diagramme montrant les formes d'onde de signaux en quelques points du circuit de la figure 1, la figure 3 est un schéma d'une variante de réalisation du circuit selon l'invention, la figure 4 illustre une variante d'exécution du montage
de la figure 3.
Se référant à la figure I on voit que le montage selon l'invention comprend deux circuits de commutation et 200 connectés entre la gâchette G et l'électrode source S du transistor à effet de champ de puissance TEF à commander. Les deux circuits de commutation contiennent chacun un dispositif de commutation commandé 1, 2 et un enroulement secondaire d'un transformateur d'impulsion, 10 et 20 respectivement. Ces transformateurs couplent chacun des circuits de commutation à un circuit d'attaque 3, 4connecté au primaire. Les dispositifs de commutation 1 et 2 sont commandés de manière synchrone par des enroulements secondaires auxiliaires 13, 23
des transformateurs 10 et 20.
Le circuit de la figure 1 fonctionne comme suit. Lorsque le circuit d'attaque 3 applique une impulsion au primaire 11 du transformateur 10, une tension positive apparaît aux secondaires 12 et 13: le transistor 1 est rendu conducteur par la tension appliquée à sa base par l'enroulement 13 et la tension sur l'enroulement 12 charge alors la capacité gâchettesource du transistor
TEF à la tension source en circuit ouvert du transfor-
mateur 10. Le transistor TEF est ainsi rendu conducteur.
A la fin de l'impulsion d'attaque, par exemple après 0,5 microseconde, le transistor 1 devient non conducteur, laissant la capacité gâchette-source chargée à sa valeur haute de sorte que le transistor de puissance TEF reste conducteur, même en présence d'une fuite de cherge de ladite capacité. Si l'impulsion d'attaque est alors répétée après des intervalles de microsecondes par exemple, le transistor de puissance TEF peut être maintenu à l'état conducteur pendant une période de temps indéfinie puisque les impulsions successives "rafraicbissent" régulièrement la charge de
la capacité gâchette-source.
Pour rendre le transistor de puissance TEF non conducteur, c'est le circuit associé au transformateur 20 qui est utilisé. Lorsque le circuit d'attaque 4 applique une impulsion au primaire 21, la capacité gâchettesource du transistor de puissance TEF se trouve cette fois chargée à une tension négative, plaçant le transistor
de puissance TEF dans l'état non conducteur. La répé-
tition de l'impulsion d'attaque négative après par exemple 10 microsecondes, maintient le transistor TEF
en état de non conduction.
Dans le mode d'exécution illustré à la figure 1, les impulsions d'attaque sont dérivées d'un signal modulé en largeur d'impulsion (signal PWM), à l'aide de deux générateurs d'impulsion identiques agencés pour produire une impulsion ayant un rapport travail-repos d'environ 1:20, par exemple une impulsion ayant un état haut (état logique 1) pendant environ 0,5 microseconde et un
état bas (état logique 0) pendant environ 10 micro-
secondes. L'agencement de ces générateurs est tel que la première impulsion de sortie apparaisse quelques nanosecondes après qu'un état logique 1 soit appliqué
à leur entrée et qu'elle prenne fin quelques nano-
secondes après que l'entrée soit passé à l'état logique 0. Le générateur d'impulsion 4 est précédé d'un inverseur 5 afin d'assurer que les sorties des générateurs 3 et 4 soient toujours complémentaires de manière à éviter que ces générateurs puissent avoir en même temps un état logique 1 à leurs sorties. Le générateur d'impulsion 3 produit une impulsion de commande pour rendre le transistor TEF conducteur en réponse à un état logique 1 de l'impulsion-PIM, le générateur d'impulsion 4 produit une impulsion de commande pour rendre le transistor TEF non conducteur en réponse à un état logique 0 du signal PWM. Les diagrammes de la figure 2 montrent les états correspondants
des impulsions et signaux dans le montage de la figure 1.
Le diagramme A montre la forme d'onde du signal d'entrée PXM, le diagramme B montre la forme d'onde de l'impulsion
de conduction apparaissant au secondaire 12 du transfor-
mateur 10, le diagramme C montre la forme d'onde de l'impulsion de blocage apparaissant au secondaire 22 du transformateur 20, le diagramme D montre la forme d'onde du signal de gâchette du transistor commande TEF, le diagramme E montre la forme d'onde du courant
de drain du transistor TEF.
Le circuit de commande décrit ci-dessus présente les avantages suivants: il assure l'isolement électrique entre le circuit de commande basse tension et le circuit de commutation de puissance comme dans les dispositifs antérieurs, il produit une tension gâchette-source négative pendant la période de blocage, ce qui améliore la résistance du transistor de puissance TEF au= radiations ainsi que sa tension de rupture; cette tension g&chette source négative,qui est produite sans équipement auxiliaire complexe, empoche également la commutation du transistor de puissance TEF lorsque sa gâchette reçoit des tensions en échelon aléatoires, 25. le cycle de travail du transistor de puissance peut s'étendre de 0 à 100% pour une modulation en largeur d'impulsion, c'est-à-dire que le transistor de puissance peut être réglé de son état complète'nt conducteur jusqu'à son état complètement non conduct=euro 30. les états conducteur et non conducteur peuvent être maintenus pendant un laps de temps indéfini par suite du rafraîchissement de la charge de la capacité g.chette source du transistor de puissance, consommation très faible, 35. temps de délai de commutation du transistor de puissance très court,par exemple 0,05 microsecondepar suite de la
faible résistance de source du transistor.
La figure 3 illustre une variante de forme d'exécution dans laquelle un seul transformateur d'impulsion est utilisé. Ce transformateur 30 comporte deux enroulements primaires 31 et 32, un enroulement secondaire principal 33 et deux enroulements secondaires auxiliaires 34 et 35 connectés comme montré sur le dessin. Les enroulements secondaires 34 et 35 jouent le même rôle que les enroulements secondaires 13 et 23 de la figure 1 et ils
sont associés aux transistors 1 et 2.
Lorsque le transistor 8 est rendu conducteur par une impulsion du générateur 3, une tension en échelon apparait sur les secondaires 33, 34 et 35. Le transistor 1 est rendu conducteur par la tension positive appliquée à sa base par l'enroulement secondaire 34 et la tension sur le secondaire 33 charge la capacité gàchette-source du transistor de puissance TEF à travers la diode 6, de sorte que le transistor de puissance TEF est rendu conducteur et il reste conducteur même après que les transistors 8 et 1 sont devenus non conducteurs lorsque
l'impulsion d'attaque a disparu.
La commande pour rendre le transistor de puissance non conducteur s'effectue à l'intervention du transistor 9
rendu conducteur par une impulsion du générateur 4.
Dans ce cas, la capacité gâchette-source du transistor de puissance TEF se trouve chargée à une tension négative à travers la diode 7 et le transistor 2
rendu conducteur par la tension sur le secondaire 35.
Le rafraîchissement de la charge de la capacité gâchette-
source du transistor de puissance TEF est assuré par la répétition de l'impulsion positive ou négative après
des intervalles de 10 microsecondes par exemple.
La figure 4 montre une variante du montage de la figure 3, dans laquelle les enroulements secondaires auxiliaires sont éliminés. Le transformateur 30 ne comporte que l'enroulement secondaire principal 33 couplé aux enroulements primaires 31 et 32. La tension de polarisation de base des transistors 1 et 2 est ici prélevée sur le potentiomètre constitué des résistances 36 et 37. Le fonctionnement de ce montage est en tous
points semblable à celui du montage de la figure 3.
Claims (5)
1. Circuit de commande pour transistor à effet de champ de puissance, caractérisé par deux circuits de commutation (100,200) connectés entre la gâchette et l'électrode source du transistor à effet de champ (TEF), chaque circuit de commutation contenant un commutateur commandé (1, 2) et un enroulement secondaire de transformateur (12, 22; 33) un premier générateur d'impulsion (3) produisant à une cadence prédéterminée une impulsion ayant un premier
état logique (état logique 1) pour actionner le commu-
tateur commandé (1) d'un des circuits de commutation (100), ladite impulsion étant appliquée à un enroulement primaire de transformateur (11, 21; 31, 32) et un second générateur d'impulsion (4) produisant à une cadence prédéterminée une impulsion ayant un second état logique (état logique 0), complémentaire de l'état logique de l'impulsion du premier générateur, pour actionner le commutateur commandé (2) de l'autre circuit de commutation (200), chaque enroulement primaire (11, 21; 31, 32) étant couplé magnétiquement à un
enroulement secondaire (12, 22; 33).
2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel
les enroulements primaires (31, 32) sont deux enroule-
ments d'un même transformateur (30) et les enroulements secondaires sont constitués par un seul enroulement
secondaire (33) dudit transformateur.
3. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel le transformateur (30) porte en outre deux enroulements
secondaires auxiliaires (34, 35), chacun de ces enrou-
lements secondaires auxiliaires étant connecté pour
commander le commutateur (1, 2) d'un circuit de commuta-
tion respectif.
4. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les enroulements primaires et secondaires sont prévus sur deux transformateurs (10, 20), les enroulements
secondaires (12, 22) étant connectés en série.
5. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel chaque transformateur (10, 20) porte en outre un enroulement secondaire auxiliaire (13, 23) connecte pour commander le commutateur (1, 2) du circuit de
commutation respectif.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8320726A FR2556905B1 (fr) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | Circuit de commande pour transistor a effet de champ de puissance |
| US06/680,952 US4694206A (en) | 1983-12-14 | 1984-12-11 | Drive circuit for a power field effect transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8320726A FR2556905B1 (fr) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | Circuit de commande pour transistor a effet de champ de puissance |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2556905A1 true FR2556905A1 (fr) | 1985-06-21 |
| FR2556905B1 FR2556905B1 (fr) | 1989-07-13 |
Family
ID=9295531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8320726A Expired FR2556905B1 (fr) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | Circuit de commande pour transistor a effet de champ de puissance |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4694206A (fr) |
| FR (1) | FR2556905B1 (fr) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3533798A1 (de) * | 1985-09-21 | 1987-04-02 | Teldix Gmbh | Trennuebertrager |
| EP0245763A2 (fr) * | 1986-05-13 | 1987-11-19 | Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft | Montage de commande de transistors à effet de champ de puissance |
| EP0359107A2 (fr) * | 1988-09-14 | 1990-03-21 | Eastman Kodak Company | Appareil d'électrophorése à haute tension |
| FR2688363A1 (fr) * | 1992-03-05 | 1993-09-10 | Met | Interrupteur analogique rapide. |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3781402T2 (de) * | 1986-10-15 | 1993-04-15 | Fanuc Ltd | Wechselrichter. |
| US4877980A (en) * | 1988-03-10 | 1989-10-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Time variant drive circuit for high speed bus driver to limit oscillations or ringing on a bus |
| US4860189A (en) * | 1988-03-21 | 1989-08-22 | International Business Machines Corp. | Full bridge power converter circuit |
| US4873460A (en) * | 1988-11-16 | 1989-10-10 | California Institute Of Technology | Monolithic transistor gate energy recovery system |
| US4937468A (en) * | 1989-01-09 | 1990-06-26 | Sundstrand Corporation | Isolation circuit for pulse waveforms |
| US5304863A (en) * | 1991-08-30 | 1994-04-19 | Hughes Aircraft Company | Transformer driver having unlimited duty cycle capability by inserting narrow pulses during unlimited duty cycles |
| US5504449A (en) * | 1992-04-09 | 1996-04-02 | Harris Corporation | Power driver circuit |
| US5663672A (en) * | 1995-11-17 | 1997-09-02 | Sundstrand Corporation | Transistor gate drive circuit providing dielectric isolation and protection |
| US5835331A (en) * | 1997-12-03 | 1998-11-10 | Abb Power T&D Company Inc. | Half-wave drive circuit for meter disconnect switch |
| GB2341288B (en) * | 1998-06-23 | 2003-12-10 | Eev Ltd | Switching arrangement |
| CN101325376B (zh) * | 2007-06-15 | 2012-05-02 | 力博特公司 | 开关器件的驱动电路 |
| CN104135266B (zh) * | 2014-06-25 | 2018-02-27 | 台达电子企业管理（上海）有限公司 | 驱动装置及驱动方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0039952A1 (fr) * | 1980-05-14 | 1981-11-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Commutateur comportant un transistor à effet de champ du type MIS utilisé comme émetteur-suiveur |
| JPS57124937A (en) * | 1981-01-28 | 1982-08-04 | Fujitsu Denso Ltd | Mosfet driving circuit |
| DE3243660A1 (de) * | 1981-11-26 | 1983-06-01 | Zumtobel AG, 6850 Dornbirn | Schaltungsanordnung fuer eine potentialgetrennte ansteuerung wenigstens eines feldeffekttransistors |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3586883A (en) * | 1969-12-31 | 1971-06-22 | Ibm | High voltage mos-fet analog switching circuit with floating drive |
| JPS54158850A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Driver circuit of field effect transistor |
| EP0053709B1 (fr) * | 1980-12-04 | 1985-03-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Circuit pour la commande d'au moins un transistor de puissance du type FET |
| US4423341A (en) * | 1981-01-02 | 1983-12-27 | Sperry Corporation | Fast switching field effect transistor driver circuit |
| JPS5825721A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｍｏｓトランジスタの駆動方法 |
| JPS58111434A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 高速スイツチ回路 |
| JPS58136137A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-13 | Hitachi Ltd | 電界効果トランジスタを用いたインバータ回路 |
| MX152678A (es) * | 1982-04-07 | 1985-10-07 | Int Standard Electric Corp | Mejoras en circuito para un relevador electronico integrable de estado solido |
| US4511815A (en) * | 1983-08-15 | 1985-04-16 | International Rectifier Corporation | Transformer-isolated power MOSFET driver circuit |
| FR2558315B1 (fr) * | 1984-01-16 | 1986-06-06 | Dassault Electronique | Dispositif electronique amplificateur d'impulsions isole, en particulier pour sortie en haute tension |
-
1983
- 1983-12-14 FR FR8320726A patent/FR2556905B1/fr not_active Expired
-
1984
- 1984-12-11 US US06/680,952 patent/US4694206A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0039952A1 (fr) * | 1980-05-14 | 1981-11-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Commutateur comportant un transistor à effet de champ du type MIS utilisé comme émetteur-suiveur |
| JPS57124937A (en) * | 1981-01-28 | 1982-08-04 | Fujitsu Denso Ltd | Mosfet driving circuit |
| DE3243660A1 (de) * | 1981-11-26 | 1983-06-01 | Zumtobel AG, 6850 Dornbirn | Schaltungsanordnung fuer eine potentialgetrennte ansteuerung wenigstens eines feldeffekttransistors |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| ELECTRICAL DESIGN NEWS, vol. 19, no. 3, 5 février 1974, Denver, Colorado (US); S.D. GIVENS:"High-speed JFET analog switches require advanced driver designs", pages 76-84 * |
| IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 10, no. 4, septembre 1967, New York (US); T.K. HALL:"Low-level differential capacitive hold multiplex switch", pages 511-512 * |
| PATENTS ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 6, no. 222 (E-140) [1100], 6 novembre 1982 & JP - A - 57 124 937 (FUJITSUU DENSOU K.K.) (04-08-1982) * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3533798A1 (de) * | 1985-09-21 | 1987-04-02 | Teldix Gmbh | Trennuebertrager |
| EP0245763A2 (fr) * | 1986-05-13 | 1987-11-19 | Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft | Montage de commande de transistors à effet de champ de puissance |
| EP0245763A3 (fr) * | 1986-05-13 | 1989-11-29 | Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft | Montage de commande de transistors à effet de champ de puissance |
| EP0359107A2 (fr) * | 1988-09-14 | 1990-03-21 | Eastman Kodak Company | Appareil d'électrophorése à haute tension |
| EP0359107A3 (fr) * | 1988-09-14 | 1991-11-21 | Eastman Kodak Company | Appareil d'électrophorése à haute tension |
| FR2688363A1 (fr) * | 1992-03-05 | 1993-09-10 | Met | Interrupteur analogique rapide. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2556905B1 (fr) | 1989-07-13 |
| US4694206A (en) | 1987-09-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2556905A1 (fr) | Circuit de commande pour transistor a effet de champ de puissance | |
| FR2587157A1 (fr) | Dispositif de commutation de tension | |
| EP0082071A1 (fr) | Dispositif pour la commutation d'une source de tension électrique continue pourvu d'au moins un interrupteur commandé et circuit d'aide à la commutation pour un tel dispositif | |
| EP0737989A1 (fr) | Alimentation à découpage employant une inductance saturable pour la réalisation d'une source de courant impulsionnel | |
| EP0039279A1 (fr) | Interrupteur statique haute tension et utilisation pour un générateur haute tension commutable | |
| FR3036013A1 (fr) | Circuit d'attaque de grille pour reduire le couplage parasite | |
| FR2502412A1 (fr) | Perfectionnements aux disjoncteurs sensibles aux courants de fuite | |
| FR2591831A1 (fr) | Circuit de commande rapide de transistors a effet de champ de puissance | |
| CA2143821C (fr) | Alimentation a decoupage adaptee pour permettre des commutations sous tension reduite | |
| EP0430836B1 (fr) | Dispositif de télécommande à courant porteur | |
| FR2667723A1 (fr) | Dispositif d'obtention et de commutation de hautes tensions de polarisation d'electrodes de tube a rayons x. | |
| US20100283321A1 (en) | Circuit for Controlling Power Supply to a Consumer and Method for Operating a Circuit | |
| EP0712059A1 (fr) | Circuit de commande d'un vibreur piézo-électrique | |
| EP0196960A1 (fr) | Dispositif de commande d'organes électromagnétiques à actionnement rapide | |
| FR2539913A1 (fr) | Montage de commande electronique destine a produire un comportement de commutation monostable avec un relais bistable | |
| EP0165640B1 (fr) | Dispositif pour réaliser l'isolement galvanique entre un générateur d'impulsions et une charge | |
| WO1993013435A1 (fr) | Dispositif electronique de multiplexage de plusieurs charges excitees en courant alternatif | |
| EP3270515A1 (fr) | Commutateur ultra-rapide à haute tension | |
| FR2529038A1 (fr) | Circuit generateur d'impulsions | |
| FR2498807A1 (fr) | Relais monostable a faible consommation | |
| FR2733865A1 (fr) | Procede de controle d'un etage final de puissance et montage pour la mise en oeuvre de ce procede | |
| EP0211700A1 (fr) | Dispositif miniaturisé de transmission d'informations binaires par transformateur d'impulsions avec reconstitution de la composante continue | |
| CH378953A (fr) | Amplificateur de magnétisation de noyaux, à transistors | |
| EP0614200B1 (fr) | Dispositif de limitation de la tension aux bornes d'un enroulement de transformateur | |
| FR2590749A1 (fr) | Interrupteur bidirectionnel statique et son application, notamment a un dispositif de mesure de tension |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |