FR2554237A1 - MOISTURE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME - Google Patents

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FR2554237A1
FR2554237A1 FR8416263A FR8416263A FR2554237A1 FR 2554237 A1 FR2554237 A1 FR 2554237A1 FR 8416263 A FR8416263 A FR 8416263A FR 8416263 A FR8416263 A FR 8416263A FR 2554237 A1 FR2554237 A1 FR 2554237A1
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Frank Hegner
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Abstract

LE CAPTEUR D'HUMIDITE CAPACITIF EST FORME PAR LA TECHNIQUE DES COUCHES MINCES SUR UN SUBSTRAT ISOLANT 1 INSENSIBLE A L'HUMIDITE. UNE ELECTRODE STRUCTUREE 12 EST FORMEE SUR CE SUBSTRAT COMME ELECTRODE DE BASE. CETTE ELECTRODE DE BASE 12 EST COUVERTE D'UNE MINCE COUCHE 7 SENSIBLE A L'HUMIDITE, DE POLYIMIDE. SUR CETTE COUCHE DE POLYIMIDE 7 EST PLACEE UNE ELECTRODE DE COUVERTURE STRUCTUREE 22 DONT LA STRUCTURE EST SENSIBLEMENT COMPLEMENTAIRE DE CELLE DE L'ELECTRODE DE BASE. ENTRE L'ELECTRODE DE BASE STRUCTUREE 12 ET LA COUCHE SENSIBLE A L'HUMIDITE 7, PEUT ETRE PLACEE UNE COUCHE ISOLANTE ELECTRIQUE 3 INSENSIBLE A L'HUMIDITE FORMEE DE PREFERENCE PAR OXYDATION SUPERFICIELLE DE L'ELECTRODE DE BASE STRUCTUREE. DANS LE PROCEDE DE FABRICATION, POUR FORMER LA COUCHE SENSIBLE A L'HUMIDITE 7, ON COMMENCE PAR APPLIQUER UN INTERMEDIAIRE DE SYNTHESE DU POLYIMIDE, PUIS ON STRUCTURE LA COUCHE D'APRES LA FORME DESIREE DE LA COUCHE SENSIBLE A L'HUMIDITE, ET ENSUITE ON L'IMIDISE POUR TRANSFORMER L'INTERMEDIAIRE EN POLYIMIDE SENSIBLE A L'HUMIDITE. UTILISATION POUR MESURER LES TAUX D'HUMIDITE.THE CAPACITIVE HUMIDITY SENSOR IS SHAPED BY THE THIN LAYER TECHNIQUE ON AN INSULATING SUBSTRATE 1 INSENSITIVE TO HUMIDITY. A STRUCTURED ELECTRODE 12 IS FORMED ON THIS SUBSTRATE AS A BASIC ELECTRODE. THIS BASIC ELECTRODE 12 IS COVERED WITH A THIN LAYER 7, SENSITIVE TO HUMIDITY, OF POLYIMIDE. ON THIS POLYIMIDE LAYER 7 IS PLACED A STRUCTURED COVERING ELECTRODE 22 WHOSE STRUCTURE IS SENSITIVELY COMPLEMENTARY TO THAT OF THE BASE ELECTRODE. BETWEEN THE STRUCTURED BASE ELECTRODE 12 AND THE HUMIDITY SENSITIVE LAYER 7, AN ELECTRICAL INSULATING LAYER 3, INSENSITIVE TO HUMIDITY, PREFERREDLY FORMED BY SURFACE OXIDATION OF THE STRUCTURED BASE ELECTRODE, MAY BE PLACED. IN THE MANUFACTURING PROCESS, TO FORM THE MOISTURE SENSITIVE LAYER 7, WE START BY APPLYING AN INTERMEDIATE OF SYNTHESIS OF THE POLYIMIDE, THEN THE LAYER IS STRUCTURED ACCORDING TO THE DESIRED SHAPE OF THE MOISTURE SENSITIVE LAYER, AND THEN IT IS IMIDIZED TO TRANSFORM THE INTERMEDIATE INTO A MOISTURE SENSITIVE POLYIMIDE. USE TO MEASURE HUMIDITY LEVELS.

Description

La présente invention concerne un capteur d'humidité capacitif comportantThe present invention relates to a capacitive moisture sensor comprising

un substrat isolant insensible à l'humidité et une couche mince de polymère sensible à l'humidité placée sur ce substrat entre deux électrodes structurées pour la formation d'intervalles, et un pro-  a moisture-insensitive insulating substrate and a thin layer of moisture-sensitive polymer placed on said substrate between two structured electrodes for gap formation, and a

cédé de fabrication de ce capteur.  yielded manufacturing of this sensor.

Des capteurs d'humidité de ce type sont connus par exemple d'après les brevets allemands 23 39 545 et 23 47 389, et les demandes de brevet allemand 29 20 808 et 29 27 634. Dans tous ces capteurs d'humidité connus, les deux électrodes structurées sont formées directement sur le substrat sous forme de peignes à doigts emboîtés, et le polymère sensible à l'humidité est ensuite appliqué de façon qu'il couvre les deux électrodes en forme de  Humidity sensors of this type are known for example from German patents 23 39 545 and 23 47 389, and German patent applications 29 20 808 and 29 27 634. In all these known moisture sensors, two structured electrodes are formed directly on the substrate in the form of nested finger combs, and the moisture-sensitive polymer is then applied so that it covers the two electrodes in the form of

peigne ou au moins remplisse les intervalles entre elles.  comb or at least fill in the gaps between them.

Cet agencement ne permet pas une structuration très fine des électrodes, et comme en vue de l'isolement nécessaire entre les électrodes stucturées, les intervalles de celles-ci doivent être relativement grands, la capacité de base du capteur d'humidité qui peut être obtenue pour  This arrangement does not allow a very fine structuring of the electrodes, and as for the necessary isolation between the stuctured electrodes, the intervals thereof must be relatively large, the basic capacity of the humidity sensor that can be obtained for

une étendue en surface donnée, est relativement faible.  a given surface area is relatively small.

En outre, en raison de l'épaisseur relativement grande  In addition, because of the relatively large thickness

du polymère qui se trouve entre les électrodes, la sensi-  of the polymer between the electrodes, the sensi-

bilité et la vitesse de réponse du capteur sont limitées.  The speed and response speed of the sensor are limited.

Les polymères utilisés sont le plus souvent thermo-  The polymers used are most often thermo-

plastiques, ordinairement des polyamides, et par consé-  plastics, usually polyamides, and consequently

quent peu résistants mécaniquement, chimiquement et thermiquement. On sait d'après le "Handbook of Materials and Processes for Electronics", édité par Charles A. Harper, McGraw-Hill Book Company, New York 1970, pages 1 à 66,  not very resistant mechanically, chemically and thermally. It is known from the "Handbook of Materials and Processes for Electronics", edited by Charles A. Harper, McGraw-Hill Book Company, New York 1970, pages 1-66,

que les propriétés électriques des polyimides en parti-  that the electrical properties of polyimides in parti-

culier leur constante diélectrique et leur facteur de  their dielectric constant and their factor of

pertes, varient avec l'humidité.losses, vary with humidity.

Dans le brevet européen 0 010 771 est en conséquence décrit un capteur d'humidité capacitif dont la couche sensible à l'humidité est une feuille de polyimide qui est collée par une mince couche de colle sur un substrat métallique servant en même temps d'électrode, tandis que l'autre électrode est un dépôt d'or fait sur la feuille de polyimide et suffisamment mince pour être perméable à l'eau. La couche de polyimide peut également être obtenue par imidisation à partir d'un intermédiaire de synthèse du polyimide d'abord appliqué en solution sur  In European Patent No. 0 010 771 there is therefore described a capacitive moisture sensor whose moisture-sensitive layer is a polyimide sheet which is adhered by a thin layer of adhesive to a metal substrate serving at the same time as an electrode. while the other electrode is a gold deposit made on the polyimide sheet and sufficiently thin to be permeable to water. The polyimide layer can also be obtained by imidization from a synthetic intermediate of the polyimide first applied in solution on

le substrat métallique. Le polyimide, comme matière sen-  the metal substrate. Polyimide, as a sen-

sible à l'humidité, a comme avantages d'être résistant chimiquement et stable mécaniquement et de pouvoir être chargé thermiquement. Cependant, la sensibilité et la  moisture-resistant, has the advantages of being chemically resistant and mechanically stable and of being able to be thermally loaded. However, sensitivity and

vitesse de réponse de ce capteur connu sont aussi limi-  The response speed of this known sensor is also limited.

tées car la minceur de la couche de polyimide est limitée afin que toute conductibilité de courant continu soit exclue entre les électrodes, et d'autre part, le dépôt d'or couvrant la couche de polyimide gêne la diffusion de l'eau et empêche ainsi une égalisation rapide de la pression partielle de vapeur d'eau dans le polyimide et dans l'atmosphère. La couche d'or très mince est en outre instable mécaniquement, métallurgiquement et électriquement, et l'application du contact de connexion  because the thinness of the polyimide layer is limited so that any direct current conductivity is excluded between the electrodes, and on the other hand, the gold deposit covering the polyimide layer hinders the diffusion of the water and thus prevents a rapid equalization of the partial pressure of water vapor in the polyimide and in the atmosphere. The very thin gold layer is also mechanically, metallurgically and electrically unstable, and the application of the connection contact

sur cette mince couche d'or crée des difficultés.  on this thin layer of gold creates difficulties.

L'invention a pour but de proposer un capteur d'humidité du type mentionné ci-dessus qui ait, avec une bonne résistance mécanique, chimique et thermique, une haute sensibilité, une grande vitesse de réponse,  The aim of the invention is to propose a moisture sensor of the type mentioned above which, with good mechanical, chemical and thermal resistance, has a high sensitivity, a high speed of response,

une haute stabilité à long terme et une faible hystérésis.  high long-term stability and low hysteresis.

Le but de l'invention est atteint grâce au fait qu'une électrode structurée est formée sur le substrat comme électrode de base, que la couche mince sensible à l'humidité est en polyimide et placée sur l'électrode de base structurée, et que la deuxième électrode est placée sur la couche de polyimide comme électrode de couverture et est structurée d'une manière sensiblement  The object of the invention is achieved by virtue of the fact that a structured electrode is formed on the substrate as a base electrode, that the moisture-sensitive thin layer is made of polyimide and placed on the structured base electrode, and that the second electrode is placed on the polyimide layer as the cover electrode and is structured substantially

complémentaire de celle de l'électrode de base.  complementary to that of the base electrode.

Le capteur d'humidité réalisé selon l'invention présente les avantages de l'utilisation de polyimide pour la couche sensible à l'humidité, c'est-àdire les bonnes propriétés mécaniques, chimiques, thermiques et électriques de cette matière. La couche de polyimide peut être de faible épaisseur. Comme l'électrode de couverture est appliquée sur la couche de polyimide, la distance entre les électrodes est déterminée par l'épaisseur de cette couche, de sorte qu'avec cette faible épaisseur, on obtient une grande capacité initiale. La disposition  The moisture sensor produced according to the invention has the advantages of using polyimide for the moisture-sensitive layer, that is to say the good mechanical, chemical, thermal and electrical properties of this material. The polyimide layer may be thin. As the cover electrode is applied to the polyimide layer, the distance between the electrodes is determined by the thickness of this layer, so that with this small thickness, a large initial capacitance is obtained. The disposition

de la couche de polyimide entre deux électrodes structu-  of the polyimide layer between two structural electrodes

rées complémentaires donne une grande sensibilité et une grande vitesse de réponse, car le polyimide, dans les intervalles de l'électrode de couverture structurée, est en contact direct avec l'atmosphère ambiante, de sorte que la couche très mince de polyimide peut rapidement se  Complementary results give a high sensitivity and a high speed of response, because the polyimide, in the intervals of the structured cover electrode, is in direct contact with the ambient atmosphere, so that the very thin layer of polyimide can quickly

saturer à l'humidité ambiante. Il n'est donc pas néces-  saturate with ambient humidity. It is therefore not necessary

saire que l'électrode -de couverture saturée soit perméa-  that the saturated cover electrode is permea-

ble à l'eau, de sorte qu'elle peut être d'une épaisseur qui donne une bonne stabilité mécanique et électrique et permet une application sans problèmes des contacts  ble with water, so that it can be of a thickness that gives good mechanical and electrical stability and allows trouble-free application of contacts

de connexion, par exemple par soudage.  connection, for example by welding.

Selon une réalisation préférée de l'invention, entre l'électrode de base structurée et la couche de polyimide sensible à l'humidité est placée une couche isolante électrique insensible à l'humidité qui est de préférence une couche d'oxyde formée par oxydation superficielle de l'électrode de base structurée. La couche de polyimide  According to a preferred embodiment of the invention, between the structured base electrode and the moisture-sensitive polyimide layer is placed a moisture insensitive electrical insulating layer which is preferably an oxide layer formed by surface oxidation. of the structured base electrode. The polyimide layer

peut alors être d'une épaisseur extrêmement faible, infé-  can then be extremely thin,

rieure à 1 um, sans qu'il y ait de danger de conductibi-  less than 1 um, without any danger of conductivity

lité de courant continu entre les électrodes. Le capteur d'humidité ainsi agencé a une sensibilité et une vitesse  DC current between the electrodes. The humidity sensor thus arranged has a sensitivity and a speed

de réponse particulièrement grandes.  particularly large response.

Un procédé préféré de fabrication du capteur d'humi-  A preferred method of manufacturing the moisture sensor

dité de la présente invention est caractérisé en ce qu'une mince couche du métal de l'électrode de base est appliquée  of the present invention is characterized in that a thin layer of the metal of the base electrode is applied.

sur un substrat isolant insensible à l'humidité et struc-  on an insulating substrate insensitive to moisture and struc-

turée d'après la forme désirée de l'électrode de base, qu'une mince couche d'un intermédiaire de synthèse du  according to the desired shape of the base electrode, that a thin layer of a synthesis intermediate of the

polyimide est appliquée sur la surface du substrat cou-  polyimide is applied to the surface of the

verte par l'électrode de base structurée et est structurée  green by the structured base electrode and is structured

d'après la forme désirée de la couche sensible à l'humi-  according to the desired shape of the moisture-sensitive layer

dité, que l'intermédiaire de synthèse du polyimide de la couche structurée est imidisé pour être transformé en polyimide sensible à l'humidité, et qu'une mince couche du métal de l'électrode de couverture est appliquée sur la surface du substrat couverte par l'électrode de base et la couche de polyimide sensible à l'humidité et est structurée d'après la forme désirée de l'électrode de couverture. Dans le procédé de l'invention est utilisé le fait que la couche constituée de l'intermédiaire de synthèse du polyimide est encore soluble et peut donc facilement être structurée, tandis que cela ne serait guère possible dans le cas du polyimide insoluble de la couche finale sensible à l'humidité. La structuration de la couche sensible à l'humidité est favorable à son utilisation avec des électrodes structurées; en particulier, une  that the polyimide synthesis intermediate of the structured layer is imidized to be converted to moisture sensitive polyimide, and that a thin layer of the metal of the cover electrode is applied to the surface of the substrate covered by the base electrode and the moisture-sensitive polyimide layer and is structured according to the desired shape of the cover electrode. In the process of the invention is used the fact that the layer consisting of the synthetic intermediate of the polyimide is still soluble and can therefore easily be structured, while this would hardly be possible in the case of the insoluble polyimide of the final layer sensitive to moisture. The structuring of the moisture-sensitive layer is favorable for its use with structured electrodes; in particular, a

structuration appropriée de la couche sensible à l'humi-  appropriate structuring of the moisture-sensitive layer

dité permet d'augmenter encore sa vitesse de réponse.  This allows you to further increase its response speed.

Un procédé de formation de polyimide à partir d'un polyamide modifié à l'acide qui sert d'intermédiaire de synthèse du polyimide est décrit dans l'article "Aromatic Polypyromellitimides from Aromatic Polyamic Acids" de Sroog, Endrey, Abramo, Berr, Edwards et Olivier paru dans la revue "Journal of Polymer Science", part A, Vol.  A process for forming polyimide from an acid-modified polyamide which serves as a synthetic intermediate for polyimide is described in the article "Aromatic Polypyromellitimides from Aromatic Polyamic Acids" by Sroog, Endrey, Abramo, Berr, Edwards and Olivier appeared in the journal "Journal of Polymer Science", part A, Vol.

3, 1965, pages 1373 à 1390.3, 1965, pages 1373 to 1390.

D'autres caractéristiques et avantages de l'invention  Other features and advantages of the invention

ressortiront de la description qui va suivre d'exemples  will emerge from the following description of examples

de réalisation à l'aide des dessins annexés, sur lesquels: les figures la et lb sont un organigramme des phases  embodiment with the aid of the appended drawings, in which: FIGS. 1a and 1b are a flowchart of the phases

d'un procédé de fabrication préféré d'un capteur d'humi-  of a preferred method of manufacturing a humidity sensor

dité,ity,

les figures 2a à 2h sont des vues en coupe à diffé-  Figures 2a to 2h are sectional views of various

rents stades de la fabrication du capteur d'humidité représenté sur la figure 5 par le procédé des figures la et lb; la figure 3 est une vue en coupe correspondant à la figure 2h d'une forme de réalisation modifi.e du capteur d'humidité; la figure 4 est une vue de dessus de l'électrode de base obtenue à un stade de la fabrication, et  the stages of manufacture of the moisture sensor shown in Figure 5 by the method of Figures 1a and 1b; Fig. 3 is a sectional view corresponding to Fig. 2h of a modified embodiment of the humidity sensor; FIG. 4 is a view from above of the base electrode obtained at a stage of manufacture, and

la figure 5 est une vue de dessus du capteur d'humi-  FIG. 5 is a top view of the humidity sensor.

dité terminé.finished.

La fabrication d'un exemple de réalisation préféré du capteur d'humidité, représenté vu de dessus sur la figure 5, sera décrite à l'aide de l'organigramme des  The manufacture of a preferred embodiment of the humidity sensor, shown from above in FIG. 5, will be described using the flowchart of FIGS.

figures la et lb et des coupes des figures 2a à 2h.  Figures la and lb and sections of Figures 2a to 2h.

Dans la phase I du procédé, une mince couche de tantale 2 est appliquée par pulvérisation cathodique sur un substrat 1 en matière stable mécaniquement et isolante électriquement insensible à l'humidité (figure 2a). Pour ce substrat 1 est utilisé de préférence un verre de haute pureté et d'excellent état de surface ne contenant pas de métaux alcalins. La couche de tantale  In phase I of the process, a thin layer of tantalum 2 is applied by cathodic sputtering onto a substrate 1 of electrically insensitive and mechanically insensitive material insensitive to moisture (FIG. 2a). For this substrate 1 is preferably used a glass of high purity and excellent surface state containing no alkali metals. The layer of tantalum

peut avoir par exemple une épaisseur de 0,15 pm.  may have for example a thickness of 0.15 pm.

Selon la technologie usuelle des couches minces, sur le substrat 1 sont réalisés simultanément un grand nombre de capteurs d'humidité qui sont séparés les  According to the usual thin film technology, on the substrate 1 are simultaneously produced a large number of humidity sensors which are separated from each other.

uns des autres à l'issue de la fabrication. Pour simpli-  each other at the end of the manufacturing process. For simplicity

fier, on décrit ci-après la fabrication d'un seul de  proud, we describe below the manufacture of only one of

ces capteurs.these sensors.

Dans la phase II, la couche de tantale 2 est struc-  In phase II, the tantalum layer 2 is structurally

turée pour la formation de l'électrode de base. Cela  for the formation of the base electrode. it

peut se faire de la manière usuelle par photolithographie.  can be done in the usual way by photolithography.

Pour cela, on commence par former sur la couche de tantale 2 un masque d'attaque en couvrant toute la surface d'une couche de vernis photosensible d'environ 1,5 pm d'épaisseur, puis on expose ce vernis à la lumière à  For this, we first form on the tantalum layer 2 an attack mask covering the entire surface of a layer of photoresist about 1.5 microns thick, then exposes the varnish to light at

travers un patron, on le développe et on le durcit.  through a pattern, it is developed and hardened.

Ensuite, le tantale de la couche 2 non couvert par le masque est enlevé par attaque chimique humide. Apres l'attaque et l'enlèvement du masque, la couche de tantale 2 a la forme désirée de l'électrode de base 10 représentée vue de dessus sur la figure 4. L'électrode  Then, the layer 2 tantalum not covered by the mask is removed by wet etching. After etching and removing the mask, the tantalum layer 2 has the desired shape of the base electrode 10 shown in FIG.

de base 10 est une électrode en forme de peigne compor-  base 10 is a comb-shaped electrode comprising

tant une bordure 11 d'o partent un grand nombre de doigts étroits allongés 12 entre lesquels existent des  as a border 11 of o leave a large number of elongated narrow fingers 12 between which there are

intervalles 13. A une extrémité, la bordure 11 se trans-  13. At one end, border 11 is

forme en une plage de connexion élargie 14. La représen-  forms an enlarged connection range. 14. The representative

tation de la figure 4 est très simplifiée pour plus de clarté. En réalité, le nombre de doigts 12 de l'électrode en forme de peigne est beaucoup plus grand; la largeur  Figure 4 is very simplified for clarity. In reality, the number of fingers 12 of the comb-shaped electrode is much larger; the width

des doigts 12 et celles des intervalles 13 sont d'envi-  fingers 12 and those of the intervals 13 are approximately

ron 5 à 10 pm.5 to 10 μm.

La figure 2b représente une coupe de trois doigts  Figure 2b shows a section of three fingers

12 de l'électrode de base 10.12 of the base electrode 10.

Dans la phase III est faite, après couverture de la plage de connexion 14 d'un masque de protection contre l'oxydation, une oxydation superficielle du tantale de l'électrode de base. Cette oxydation superficielle est faite par anodisation avec une tension d'environ 100 V sur une profondeur d'environ 0,05 pm, de sorte que sous la couche d'oxyde subsiste une épaisseur de tantale métallique d'environ 0,1 pm. L'oxyde de tantale Ta205 formé par l'anodisation occupe un plus grand volume que le métal, de sorte que la couche d'oxyde de tantale  In phase III is made, after covering the connection pad 14 of an oxidation protection mask, a surface oxidation of the tantalum of the base electrode. This surface oxidation is done by anodizing with a voltage of about 100 V to a depth of about 0.05 μm, so that under the oxide layer a metal tantalum thickness of about 0.1 μm remains. The tantalum oxide Ta205 formed by the anodization occupies a larger volume than the metal, so that the tantalum oxide layer

3 formée (figure 2c) a une épaisseur d'environ 0,15 pm.  3 formed (Figure 2c) has a thickness of about 0.15 μm.

La couche d'oxyde 3 constitue un revêtement passivant absolument imperméable et très isolant. Cela procure l'avantage que l'électrode de base 10 est pratiquement  The oxide layer 3 constitutes a passivating coating which is absolutely impervious and highly insulating. This provides the advantage that the base electrode 10 is practically

inattaquable chimiquement et donc extrêmement stable.  chemically unassailable and therefore extremely stable.

Du point de vue électrique, dans le capteur d'humidité terminé, toute conductibilité de courant continu de la structure de condensateur est évitée. Du point de vue physique, cela signifie que le capteur d'humidité terminé a une linéarité et une stabilité excellentes,  From an electrical point of view, in the finished moisture sensor, any direct current conductivity of the capacitor structure is avoided. From a physical point of view, this means that the finished moisture sensor has excellent linearity and stability,

en particulier aux températures élevées et a une humi-  especially at high temperatures and at a humid

dité relative élevée.high relative density.

Dans la phase IV, toute la surface du substrat 1 et de l'électrode de base 10 formée sur ce dernier est couverte d'une couche 4 (figure 2d) d'un intermédiaire de synthèse du polyimide à partir duquel sera formé plus tard par imidisation le polyimide sensible à l'humidité. Cet intermédiaire de synthèse du polyimide est un polyamide de très haute pureté modifié à l'acide qui est appliqué par projection en une couche d'environ 1,0 à 2,0 lim d'épaisseur. La couche 4 est ensuite, dans la phase V, séchée à 90 à 120 C. La faible épaisseur de la couche est possible en particulier grâce au bon  In phase IV, the entire surface of the substrate 1 and the base electrode 10 formed thereon is covered with a layer 4 (FIG. 2d) of a synthetic intermediate of the polyimide from which will be formed later by imidization the moisture-sensitive polyimide. This polyimide synthesis intermediate is a high purity acid modified polyamide which is applied by spraying in a layer of about 1.0 to 2.0 μm thick. The layer 4 is then, in phase V, dried at 90 to 120 C. The small thickness of the layer is possible in particular thanks to the good

état de surface du substrat en verre 1.  surface condition of the glass substrate 1.

Les phases VI à VIII servent à la structuration de la couche ultérieure sensible à l'humidité. Cette structuration est faite de nouveau par le procédé photolithographique usuel. Pour cela, dans la phase VI, une couche 5 (figure 2e) de vernis photosensible positif  Phases VI to VIII serve to structure the subsequent moisture-sensitive layer. This structuring is done again by the usual photolithographic process. For this, in phase VI, a layer 5 (FIG. 2e) of positive photoresist

d'environ 1,5 pm d'épaisseur est appliquée par projec-  about 1.5 μm in thickness is applied by projection

tion, et cette couche de vernis photosensible est, dans la phase VII, séchée environ 30 minutes à 90 C. Dans la phase VIII, la couche de vernis photosensible est exposée à la lumière à travers un patron 6 aux endroits o il ne doit pas exister plus tard de couche sensible à l'humidité. Ce sont en particulier les plages de connexion 14 de toutes les électrodes de base formées sur le substrat en verre qui doivent être dégagées pour l'application des contacts électriques, et également, dans l'exemple décrit ici, les intervalles 13 entre les doigts 12 de l'électrode de base 10. Après l'exposition, le vernis photosensible, dans la phase IX, est développé, c'est-à-dire que les parties exposées de la couche de  This layer of photoresist is, in phase VII, dried for about 30 minutes at 90 ° C. In phase VIII, the layer of photoresist is exposed to light through a pattern 6 in places where it must not be exposed. later exist a moisture-sensitive layer. It is in particular the connection pads 14 of all the base electrodes formed on the glass substrate which must be disengaged for the application of the electrical contacts, and also, in the example described here, the intervals 13 between the fingers 12. of the base electrode 10. After the exposure, the photosensitive varnish, in phase IX, is developed, that is to say that the exposed parts of the

vernis photosensible 5 sont enlevées par dissolution.  photoresist 5 are removed by dissolution.

Le révélateur utilisé pour cela dissout également les parties sousjacentes de la couche 4, tandis que les parties de la couche 4 situées sous les endroits non  The developer used for this also dissolves the underlying parts of layer 4, while the parts of layer 4 located under non-coated areas

exposés de la couche de vernis photosensible 5 subsis-  exposures of the photoresist layer 5

tent. L'attaque nécessaire à la structuration de la couche sensible à l'humidité est donc faite en une seule  tent. The attack required to structure the moisture-sensitive layer is therefore made in one

opération avec le développement du vernis photosensible.  operation with the development of the photoresist.

Apres l'enlèvement dans la phase X, de la partie restante non exposée du vernis photosensible, est faite dans la phase XI l'imidisation du polyamide modifié à  After the removal in the X phase of the remaining unexposed part of the photoresist, is made in phase XI the imidization of the polyamide modified at

l'acide subsistant de la couche 4 par traitement thermi-  the acid remaining from layer 4 by heat treatment

que à 300 à 400 C pendant environ 1 heure, grâce auquel  than 300 to 400 C for about 1 hour, thanks to which

on obtient la couche de polyimide sensible à l'humidité.  the moisture-sensitive polyimide layer is obtained.

La structure obtenue correspond à la coupe de la figure 2f. Les doigts 12 de l'électrode de base en forme de peigne 10 qui subsistent du tantale de la couche 2 (ainsi que la bordure 11 non visible sur la figure 2f) sont, sur leur surface qui n'est pas en contact avec le substrat en verre 1, entièrement entourés par la couche 3 d'oxyde de tantale, et cette couche d'oxyde de tantale est elle-même enveloppée d'une couche 7 de polyimide sensible à l'humidité. Dans les intervalles 13 entre les  The resulting structure corresponds to the section of Figure 2f. The fingers 12 of the comb-shaped base electrode 10 which remain from the tantalum of the layer 2 (as well as the edge 11 not visible in FIG. 2f) are, on their surface which is not in contact with the substrate 1, entirely surrounded by the layer 3 of tantalum oxide, and this layer of tantalum oxide is itself wrapped with a layer 7 of moisture-sensitive polyimide. In the intervals 13 between

doigts 12, par contre, le substrat en verre est à nu.  fingers 12, on the other hand, the glass substrate is exposed.

Lors de l'imidisation, l'épaisseur de la couche diminue, de sorte que la couche de polyamide ayant l'épaisseur d'environ 1 à 2 pm indiquée précédemment donne une couche  During the imidization, the thickness of the layer decreases, so that the polyamide layer having the thickness of about 1 to 2 pm indicated above gives a layer

de polyimide d'envrion 0,5 à 1,0 pm d'épaisseur.  of polyimide of about 0.5 to 1.0 μm thick.

Ensuite a lieu la formation de l'électrode de  Then takes place the formation of the electrode of

couverture qui constitue la deuxième électrode du con-  cover which constitutes the second electrode of the con-

densateur, dont la première électrode est l'électrode de base 10 et le diélectrique est formé par la couche sensible à l'humidité 7. Pour former l'électrode de couverture, on commence par revêtir toute la surface de la structure obtenue jusque là d'une couche 8 de la  densifier, whose first electrode is the base electrode 10 and the dielectric is formed by the moisture-sensitive layer 7. To form the cover electrode, it begins by coating the entire surface of the structure obtained so far 'a layer 8 of the

matière de l'électrode de couverture (figure 2g).  cover electrode material (Figure 2g).

Cette couche 8 peut être une couche métallique unique ou bien être constituée de plusieurs couches métalliques  This layer 8 may be a single metal layer or may consist of several metal layers

appliquées successivement. Quand l'électrode de couver-  applied successively. When the cover electrode

ture doit être en or, il faut, pour avoir une meilleure adhérence de la couche d'or, appliquer d'abord une mince couche de nickel-chrome (épaisseur 0,02 pm) et seulement  must be in gold, it is necessary to have a better adhesion of the gold layer, first apply a thin layer of nickel-chromium (thickness 0.02 pm) and only

ensuite la couche d'or (épaisseur 0,2 pm). Pour simpli-  then the gold layer (thickness 0.2 μm). For simplicity

fier, les différentes strates de la couche 8 ne sont pas  proud, the different layers of layer 8 are not

représentées sur les dessins.shown in the drawings.

Dans la phase XIII, la couche métallique 8 est  In phase XIII, the metal layer 8 is

structurée pour la formation de l'électrode de couver-  structured for the formation of the cover electrode

ture. Cela se fait de nouveau par le procédé photolitho-  ture. This is done again by the photolitho-

graphique usuel de la manière exposée ci-dessus. Apres  usual graph of the manner explained above. After

l'attaque et l'enlèvement du masque, la couche métalli-  attack and removal of the mask, the metallic layer

que 8 a la forme désirée de l'électrode de couverture  that 8 has the desired shape of the cover electrode

, qui est représentée vue de dessus sur la figure 5.  which is shown from above in FIG.

L'électrode de couverture 20 est également une électrode  The cover electrode 20 is also an electrode

en forme de peigne comportant une bordure 21 d'o par-  comb-shaped having a border 21 of o par-

tent un grand nombre de doigts étroits allongés 22 entre lesquels existent des intervalles 23. A la bordure 21 de l'électrode de couverture 20 s'attache une plage de connexion 24 qui se trouve à côté de la plage de connexion 14 de l'électrode de base 10. Comme représenté sur la figure 2h, montrant la coupe de plusieurs doigts  a large number of elongated narrow fingers 22 between which there are gaps 23. At the edge 21 of the cover electrode 20 attaches a connection pad 24 which is adjacent to the connection pad 14 of the electrode 10. As shown in Figure 2h, showing the section of several fingers

de l'électrode de couverture, les doigts 22 de l'élec-  of the cover electrode, the fingers 22 of the elec-

trode de couverture sont au-dessus des intervalles 13 de l'électrode de base, tandis que les intervalles 23 de l'électrode de couverture sont audessus des doigts 12 de l'électrode de base. Les doigts 22 de l'électrode de couverture sont, dans les intervalles 13 entre les doigts 12 de l'électrode de base, sur le substrat en verre, et la couche sensible à l'humidité 7 qui couvre les doigts de l'électrode de base est à nu dans les intervalles 23 de l'électrode-de couverture. Dans les zones de transition entre les bords de ces zones, la couche 7 sensible à l'humidité est enfermée entre les zones de bordure en regard de deux doigts 12 et 22. Les bords des doigts 12 et 22 peuvent à peu près se recouvrir  Cover trode are above the intervals 13 of the base electrode, while gaps 23 of the cover electrode are above the fingers 12 of the base electrode. The fingers 22 of the cover electrode are, in the gaps 13 between the fingers 12 of the base electrode, on the glass substrate, and the moisture sensitive layer 7 which covers the fingers of the electrode of the base is exposed in the intervals 23 of the electrode-cover. In the transition zones between the edges of these zones, the moisture-sensitive layer 7 is enclosed between the border zones opposite two fingers 12 and 22. The edges of the fingers 12 and 22 can roughly overlap.

ou chevaucher légèrement.or ride slightly.

Dans la phase XIV, est fait un recuit de deux heures à 300 C de la structure obtenue. La haute température d'imidisation de 300 à 400 C permet d'utiliser la haute température de recuit de 300 C, de sorte que le capteur d'humidité terminé aura une excellente résistance au vieillissement. Dans la phase XV est faite la division en les différents capteurs d'humidité par fendage et rupture du substrat en verre. Ensuite, dans la phase XVI, aux deux plages de contact 14 et 24 de chaque capteur sont soudés des contacts électriques 15 et 25. Le capteur  In phase XIV, a two-hour anneal is carried out at 300 ° C. of the structure obtained. The high imidization temperature of 300 to 400 ° C. makes it possible to use the high annealing temperature of 300 ° C., so that the finished moisture sensor will have an excellent resistance to aging. In phase XV is made division into different moisture sensors by splitting and breaking of the glass substrate. Then, in phase XVI, at the two contact pads 14 and 24 of each sensor are soldered electrical contacts 15 and 25. The sensor

d'humidité est alors prêt à l'emploi.  moisture is then ready for use.

L'agencement décrit du capteur d'humidité offre des avantages importants en ce qui concerne aussi bien  The described arrangement of the moisture sensor offers significant advantages as far as

la fabrication que les caractéristiques d'emploi.  manufacturing that features employment.

Une caractéristique essentielle du procédé de fabrication est que pour former la couche de polyimide sensible à l'humidité, on commence par appliquer une couche de polyamide, puis on structure celle-ci et seulement ensuite on la transforme en le polyamide sensible à l'humidité. Ce procédé connu permet une structuration très simple de la couche ultérieure sensible à l'humidité suivant la technologie usuelle de  An essential feature of the manufacturing process is that in order to form the moisture-sensitive polyimide layer, a polyamide layer is initially applied, then the polyamide layer is formed and only then is it converted into the moisture-sensitive polyamide. . This known method allows a very simple structuring of the subsequent layer sensitive to moisture according to the usual technology of

la technique des couches minces, car le polyamide modi-  the thin film technique because the modified polyamide

fié à l'acide utilisé comme intermédiaire de synthèse du polyimide est soluble, tandis qu'une structuration de la  the acid used as a synthetic intermediate for the polyimide is soluble, while a structuring of the

couche de polyimide ne serait pas possible de cette ma-  polyimide layer would not be possible from this material.

nière, car le polyimide est très stable chimiquement, thermiquement et mécaniquement. Ces propriétés du polyimide, qui s'opposent à la mise en oeuvre facile suivant la technologie des couches minces, donnent en  because the polyimide is very stable chemically, thermally and mechanically. These properties of polyimide, which oppose the easy implementation according to the technology of the thin layers, give in

revanche une excellente stabilité à long terme du cap-  However, excellent long-term stability of the

teur d'humidité terminé.moisture end.

En outre, on peut se procurer du polyamide modifié à l'acide de très haute pureté, ce qui est absolument nécessaire pour pouvoir fabriquer un capteur d'humidité ayant des caractéristiques reproductibles indépendantes  In addition, very high purity acid-modified polyamide is available, which is absolutely necessary to be able to manufacture a moisture sensor having independent reproducible characteristics.

de la charge.of the charge.

En outre, le polyimide, dans le procédé décrit, peut être appliqué en couche très mince, par exemple de  In addition, the polyimide, in the process described, can be applied in a very thin layer, for example

0,5 à 1,0 pm d'épaisseur, sans que la résistance méca-  0.5 to 1.0 μm thick, without the mechanical resistance

nique en souffre. La faible épaisseur de la couche augmente considérablement la vitesse de réponse avec laquelle le capteur d'humidité peut suivre les variations  nique suffers. The small thickness of the layer greatly increases the speed of response with which the humidity sensor can track variations

de l'humidité relative.relative humidity.

Les paramètres du processus d'imidisation, en par-  The parameters of the imidization process, in par-

ticulier la température et l'atmosphère d'imidisation utilisées, permettent d'influer dans le sens désiré sur la courbe caractéristique du capteur d'humidité. Il est apparu qu'une température d'imidisation de 300 à 400 C  In particular, the temperature and the imidization atmosphere used make it possible to influence the characteristic curve of the humidity sensor in the desired direction. It appeared that an imidization temperature of 300 to 400 C

donnait au capteur des propriétés électriques et physi-  gave the sensor electrical and physical properties

ques optimales.optimal issues.

Ces propriétés avantageuses reposant sur la matière sensible à l'humidité utilisée et le mode de fabrication de celle-ci sont encore améliorées par la structure du capteur. Comme le montre en particulier la courbe de la figure 2h, une grande partie de la surface de la couche sensible à l'humidité 7 est exposée directement à l'atmosphère, de sorte que l'humidité peut pénétrer librement dans cette couche. La partie de la couche sensible à l'humidité couverte par l'électrode de  These advantageous properties based on the moisture sensitive material used and the method of manufacture thereof are further enhanced by the sensor structure. As shown in particular in the curve of FIG. 2h, a large part of the surface of the moisture-sensitive layer 7 is exposed directly to the atmosphere, so that moisture can freely penetrate this layer. The part of the moisture-sensitive layer covered by the

couverture est relativement petite et peut, en particu-  coverage is relatively small and can, in

lier en raison de la faible épaisseur de la couche, se saturer rapidement à l'humidité ambiante. La faible épaisseur de la couche donne une grande capacité entre les électrodes en regard. D'autre part, malgré la faible épaisseur de la couche sensible à l'humidité, la couche d'oxyde 3 de l'électrode de base évite tout danger de  bind because of the thin layer thickness, saturate quickly with ambient humidity. The small thickness of the layer gives a large capacity between the electrodes opposite. On the other hand, despite the small thickness of the moisture-sensitive layer, the oxide layer 3 of the base electrode avoids any danger of

passage de courant continu entre les électrodes.  direct current flow between the electrodes.

Comme l'humidité a un accès direct à la couche sensible à l'humidité, l'électrode de couverture peut être épaisse et imperméable à l'eau, ce qui d'une part  Since moisture has direct access to the moisture-sensitive layer, the cover electrode can be thick and impervious to water, which on the one hand

augmente la résistance mécanique et la stabilité électri-  increases the mechanical strength and electrical stability

que et d'autre part permet le soudage direct du contact électrique à l'électrode de couverture. Le soudage des contacts supprime en particulier les instabilités à long terme que présentent les jonctions collées en particulier  that and on the other hand allows the direct welding of the electrical contact to the cover electrode. In particular, contact welding suppresses the long-term instability of bonded junctions in particular

aux températures élevées et/ou en cas de grande humidité.  at high temperatures and / or in high humidity.

La figure 3 est une coupe semblable à la figure 2h d'une forme de réalisation un peu modifiée du capteur  FIG. 3 is a section similar to FIG. 2h of a slightly modified embodiment of the sensor

d'humidité. Celui-ci diffère du capteur décrit précédem-  humidity. This differs from the sensor described above.

ment seulement en ce que dans les phases VIII et IX du procédé, le polyamide se trouvant dans les intervalles 13 entre les doigts 12 de l'électrode de base n'est pas enlevé. Le patron 6 utilisé pour la structuration n'a donc pas de jours aux endroits des intervalles 13, mais sert seulement à mettre à nu les plages de connexion  Only in that in phases VIII and IX of the process, the polyamide in the gaps 13 between the fingers 12 of the base electrode is not removed. The pattern 6 used for structuring therefore has no days at the intervals 13, but serves only to expose the connection pads

14. Par ailleurs, la fabrication se déroule sans change-  14. Moreover, the production takes place without

ment de la manière décrite précédemment, et la vue de dessus du capteur d'humidité terminé correspond à la  in the manner previously described, and the top view of the finished moisture sensor corresponds to the

représentation de la figure 5. Par suite de la modifica-  Figure 5. As a result of the change in

tion indiquée, cependant, comme le montre la figure 3, les doigts 22' de l'électrode de couverture, dans les intervalles 13 entre les doigts 12 de l'électrode de base, reposent non pas sur le substrat en verre 1, mais sur la couche de polyimide sensible à l'humidité 7. La suppression de la structuration fine de la couche de polyimide simplifie la fabrication du capteur; cependant, la vitesse de réponse du capteur de la figure 3 est plus faible, car les chemins de diffusion de l'eau sous l'électrode de base sont plus longs. De plus, le capteur de la figure 3 a une plus petite capacité de base et une plus petite étendue de variation de sa capacité que celui  However, as shown in FIG. 3, the fingers 22 'of the cover electrode, in the gaps 13 between the fingers 12 of the base electrode, rest not on the glass substrate 1, but on the moisture-sensitive polyimide layer 7. The removal of the fine structuring of the polyimide layer simplifies the manufacture of the sensor; however, the response speed of the sensor of FIG. 3 is lower because the diffusion paths of the water under the base electrode are longer. In addition, the sensor of Figure 3 has a smaller base capacity and a smaller range of capacitance variation than that

de la figure 2h.of Figure 2h.

Le capteur d'humidité décit ci-dessus comportant une électrode de base structurée en tantale revêtue par oxydation superficielle d'une couche isolante d'oxyde de tantale a des propriétés mécaniques, physiques, chimiques et électriques optimales et peut être fabriqué de façon rationnelle avec une très bonne reproductibilité par les  The above-described moisture sensor having a tantalum-structured tantalum base electrode coated with a tantalum oxide insulating layer has optimum mechanical, physical, chemical and electrical properties and can be rationally manufactured with very good reproducibility by

procédés de la technique des couches minces. Des modifi-  thin film techniques. Modifications

cations du capteur et des procédés de fabrication de celui-ci sont cependant possibles. Ainsi, l'électrode de base peut être en métal autre que le tantale qui peut  However, sensor cations and manufacturing processes of this sensor are possible. Thus, the base electrode can be metal other than tantalum which can

être recouvert d'une couche d'oxyde isolante par oxyda-  be covered with a layer of insulating oxide by oxidation

tion superficielle. En outre, la couche isolante peut être formée autrement que par oxydation superficielle, par exemple par revêtement d'une matière isolante. On a en tout cas l'avantage de pouvoir la couche sensible à l'humidité très mince sans considération de l'isolement électrique et ainsi d'obtenir une haute sensibilité et une grande vitesse de réponse. Si l'on peut accepter une certaine détérioration de ces propriétés, il est aussi possible de supprimer la couche isolante et de faire à la place la couche de polyimide sensible à l'humidité un peu plus épaisse, auquel cas celle-ci assurera  superficial In addition, the insulating layer may be formed other than by surface oxidation, for example by coating an insulating material. In any case, the advantage is that the ultra-thin moisture-sensitive layer can be used without consideration of the electrical isolation and thus to obtain a high sensitivity and a high speed of response. If it is possible to accept some deterioration of these properties, it is also possible to remove the insulating layer and instead make the layer of moisture-sensitive polyimide a little thicker, in which case it will ensure

l'isolement électrique entre les électrodes. Cela simpli-  electrical isolation between the electrodes. This simplifies

fie un peu le procédé de fabrication. Dans ce cas, aussi, on a encore, en raison de la disposition de la couche sensible à l'humidité entre deux électrodes structurées, une sensibilité et une vitesse de réponse bien meilleures  a little bit of the manufacturing process. In this case, too, because of the arrangement of the moisture-sensitive layer between two structured electrodes, there is still a much better sensitivity and speed of response.

que dans le cas des capteurs d'humidité classiques.  than in the case of conventional moisture sensors.

Au lieu d'électrodes en forme de peigne, on peut utiliser d'autres formes d'électrodes complémentaires à intervalles, par exemple des électrodes en forme de grille placées de façon que les ponts de la grille de l'électrode de couverture soient au-dessus des jours de l'électrode de base et, inversement les ponts de la grille de l'électrode de base soient sous les jours de  Instead of comb-shaped electrodes, it is possible to use other forms of complementary electrodes at intervals, for example grid-shaped electrodes placed in such a way that the bridges of the grid of the cover electrode are above days of the base electrode and, conversely the base electrode grid bridges are under the days of

l'électrode de couverture.the cover electrode.

Claims (16)

REVENDICATIONS 1. Capteur d'humidité capacitif comportant un substrat (1) insensible à l'humidité et une couche mince de polymère (7) sensible à l'humidité placée sur ce substrat entre deux électrodes (10, 20) structurées pour la formation d'intervalles, caractérisé par le fait  A capacitive moisture sensor comprising a moisture-insensitive substrate (1) and a thin moisture-sensitive polymer layer (7) placed on the substrate between two electrodes (10, 20) structured for the formation of moisture. intervals, characterized by the fact qu'une électrode structurée (10) est formée sur le subs-  a structured electrode (10) is formed on the substrate trat (1) comme électrode de base, que la couche mince (7) sensible à l'humidité est en polyimide et placée sur l'électrode de base structurée (10), et que la deuxième électrode (20) est placée sur la couche de polyimide comme électrode de couverture et est structurée d'une  trat (1) as a base electrode, that the moisture-sensitive thin layer (7) is made of polyimide and placed on the structured base electrode (10), and that the second electrode (20) is placed on the layer of polyimide as the cover electrode and is structured in a manière sensiblement complémentaire de celle de l'élec-  substantially complementary to that of electricity. trode de base.basic trode. 2. Capteur d'humidité capacitif selon la revendi-  2. Capacitive moisture sensor according to the cation 1, caractérisé par le fait qu'entre l'électrode  cation 1, characterized in that between the electrode de base (10) structurée et la couche de polyimide sensi-  structured base (10) and the sensitized polyimide layer ble à l'humidité est placée une couche isolante électri-  moisture is placed an electrically insulating layer que (3) insensible à l'humidité.that (3) insensitive to moisture. 3. Capteur d'humidité capacitif selon la revendica-  3. Capacitive moisture sensor according to the claim tion 2, caractérisé par le fait que la couche isolante  2, characterized in that the insulating layer électrique (3) est une couche d'oxyde formée par oxyda-  (3) is an oxide layer formed by oxidation tion superficielle de l'électrode de base structuréeo  surface of the structured base electrode 4. Capteur d'humidité capacitif selon la revendica-  4. Capacitive moisture sensor according to the claim tion 3, caractérisé par le fait que l'électrode de base (10) est en tantale et est couverte d'une couche d'oxyde  3, characterized in that the base electrode (10) is tantalum and is covered with an oxide layer de tantale (3) formée par oxydation superficielle.  tantalum (3) formed by surface oxidation. 5. Capteur d'humidité capacitif selon l'une des  5. Capacitive humidity sensor according to one of the revendications 1 à 4, caractérisé par le fait que les  claims 1 to 4, characterized in that deux électrodes (10, 20) sont en forme de peigne.  two electrodes (10, 20) are comb-shaped. 6. Capteur d'humidité capacitif selon l'une des  6. Capacitive humidity sensor according to one of revendications 1 à 5, caractérisé par le fait que les  claims 1 to 5, characterized in that the deux électrodes (10, 20) se chevauchent légèrement le  two electrodes (10, 20) overlap slightly on long des bords des intervalles (13, 23).  along the edges of the intervals (13, 23). 7. Capteur d'humidité capacitif selon l'une des  7. Capacitive humidity sensor according to one of the revendications précédentes, caractérisé par le fait que  preceding claims, characterized in that la couche mince de polyimide (7) est structurée d'après la forme de l'électrode de base (10) de façon telle  the thin layer of polyimide (7) is structured according to the shape of the base electrode (10) in such a way that qu'elle ne couvre pas le substrat (1) dans les interval-  it does not cover the substrate (1) in the intervals les (13) de l'électrode de base.  the (13) of the base electrode. 8. Capteur d'humidité capacitif selon l'une des8. Capacitive humidity sensor according to one of revendications précédentes, caractérisé par le fait que  preceding claims, characterized in that l'épaisseur de la couche de polyimide (7) est comprise  the thickness of the polyimide layer (7) is included entre 0,5 et 1,0 pm.between 0.5 and 1.0 μm. 9. Capteur d'humidité capacitif selon l'une des  9. Capacitive humidity sensor according to one of revendications précédentes, caractérisé en ce que le  preceding claims, characterized in that the substrat (1) est un substrat en verre de haute pureté  substrate (1) is a high purity glass substrate et de haute qualité de surface.and high quality surface. 10. Procédé de fabrication d'un capteur d'humidité  10. Method of manufacturing a humidity sensor selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé par  according to one of claims 1 to 9, characterized by le fait qu'une mince couche (2) du métal de l'électrode de base (10) est appliquée sur un substrat (1) isolant insensible à l'humidité et structurée d'après la forme désirée de l'électrode de base, qu'une mince couche (4) d'un intermédiaire de synthèse du polyimide est appliquée sur la surface du substrat (1) couverte par l'électrode de base structurée et est structurée d'après la forme  the fact that a thin layer (2) of the metal of the base electrode (10) is applied to a moisture insensitive insulating substrate (1) and structured according to the desired shape of the base electrode, a thin layer (4) of a polyimide synthesis intermediate is applied to the surface of the substrate (1) covered by the structured base electrode and is structured according to the shape désirée de la couche sensible à l'humidité, que l'inter-  of the moisture-sensitive layer, that the médiaire de synthèse du polyimide de la couche structu-  synthesis of the polyimide of the rée est imidisé pour être transformé en polyimide (7) sensible à l'humidité, et qu'une mince couche (8) du métal de l'électrode de couverture (20) est appliquée sur la surface du substrat couverte par l'électrode de base et la couche (7) de polyimide sensible à l'humidité et est structurée d'après la forme désirée de l'électrode  is imidized to be converted to moisture sensitive polyimide (7), and a thin layer (8) of the metal of the cover electrode (20) is applied to the surface of the substrate covered by the base and the layer (7) of moisture-sensitive polyimide and is structured according to the desired shape of the electrode de couverture.cover. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé par le fait qu'avant l'application de lacouche (4) d'intermédiaire de synthèse du polyimide, l'électrode de base structurée (10) est couverte d'une couche (3)  11. Method according to claim 10, characterized in that prior to the application of polyimide synthesis intermediate layer (4), the structured base electrode (10) is covered with a layer (3) isolante électrique insensible à l'humidité.  insulating electrical insensitive to moisture. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé par le fait que l'électrode de base structurée (10) est couverte d'une couche (3) d'oxyde isolante par oxydation superficielle.  12. The method of claim 11, characterized in that the structured base electrode (10) is covered with a layer (3) of insulating oxide by surface oxidation. 13. Procédé selon l'une des revendications 10 à 12,  13. Method according to one of claims 10 to 12, caractérisé par le fait que la structuration de la couche (4) d'intermédiaire de synthèse du polyimide est faite par voie photolithographique par exposition à la  characterized in that the structuring of the layer (4) of synthetic intermediate of the polyimide is made photolithographically by exposure to the lumière et développement d'une couche de vernis photo-  light and development of a layer of photo-lacquer sensible..sensitive.. 14. Procédé selon l'une des revendications 10 à 13,  14. Method according to one of claims 10 to 13, caractérisé par le fait qu'il est utilisé comme intermé-  characterized by being used as an intermediate diaire de synthèse du polyimide un polyamide modifié à  polyimide synthesis a polyamide modified to l'acide.acid. 15. procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'imidisation de l'intermédiaire de synthèse du polyimide est faite par chauffage à une température  15. Process according to claim 14, characterized in that the imidization of the synthetic intermediate of the polyimide is carried out by heating at a temperature d'environ 300 à 400 C.from about 300 to 400 C. 16. Procédé selon l'une des revendications 10 à 15,  16. Method according to one of claims 10 to 15, caractérisé par le fait qu'après l'application de l'électrode de couverture (20) est fait un recuit à  characterized in that after application of the cover electrode (20) is annealed environ 300 C.about 300 C.
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