FR2548834A1 - BIPOLAR LATERAL MAGNETOTRANSISTOR - Google Patents

BIPOLAR LATERAL MAGNETOTRANSISTOR Download PDF

Info

Publication number
FR2548834A1
FR2548834A1 FR8410740A FR8410740A FR2548834A1 FR 2548834 A1 FR2548834 A1 FR 2548834A1 FR 8410740 A FR8410740 A FR 8410740A FR 8410740 A FR8410740 A FR 8410740A FR 2548834 A1 FR2548834 A1 FR 2548834A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
conduction mode
region
magnetotransistor
base region
collector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8410740A
Other languages
French (fr)
Other versions
FR2548834B1 (en
Inventor
Yordan Dimitrov Kassabov
Nikolay Dmitrievitch Smirnov
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
INST PHYS TVARDOTO TYALO
Original Assignee
INST PHYS TVARDOTO TYALO
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by INST PHYS TVARDOTO TYALO filed Critical INST PHYS TVARDOTO TYALO
Publication of FR2548834A1 publication Critical patent/FR2548834A1/en
Application granted granted Critical
Publication of FR2548834B1 publication Critical patent/FR2548834B1/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/82Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of the magnetic field applied to the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70Bipolar devices
    • H01L29/72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73Bipolar junction transistors
    • H01L29/735Lateral transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

MAGNETOTRANSISTOR LATERAL BIPOLAIRE COMPRENANT UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 1 AYANT UN PREMIER MODE DE CONDUCTION ET LES REGIONS SUIVANTES FORMEES SUR LA FACE SUPERIEURE DU SUBSTRAT, DANS L'ORDRE, AVEC UN CERTAIN ESPACEMENT: UNE PREMIERE REGION DE BASE 2 AYANT LE MEME MODE DE CONDUCTION, UNE REGION D'INJECTION 3 AYANT UN SECOND MODE DE CONDUCTION, UNE REGION DE COLLECTEUR 4 AYANT LE SECOND MODE DE CONDUCTION ET UNE SECONDE REGION DE BASE 5 AYANT LE PREMIER MODE DE CONDUCTION, CARACTERISE PAR UNE SECONDE REGION D'INJECTION 6 AYANT LE SECOND MODE DE CONDUCTION DISPOSE DE L'AUTRE COTE DE LA PREMIERE REGION DE BASE 2. L'AVANTAGE DE L'INVENTION RESIDE DANS SA PLUS GRANDE SENSIBILITE MAGNETIQUE JOINTE A SA CAPACITE DE DETECTER DE TRES FAIBLES CHAMPS MAGNETIQUES AVEC UNE AUGMENTATION DU COURANT DE COLLECTEUR.BIPOLAR LATERAL MAGNETOTRANSISTOR CONSISTING OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 1 HAVING A FIRST CONDUCTION MODE AND THE FOLLOWING REGIONS SHAPED ON THE UPPER FACE OF THE SUBSTRATE, IN ORDER, WITH CERTAIN SPACING: A FIRST BASE REGION 2 HAVING THE SAME CONDUCTION MODE , ONE INJECTION REGION 3 HAVING A SECOND CONDUCTION MODE, A COLLECTOR REGION 4 HAVING THE SECOND CONDUCTION MODE AND A SECOND BASE REGION 5 HAVING THE FIRST CONDUCTION MODE, CHARACTERIZED BY A SECOND INJECTION REGION 6 WITH THE SECOND CONDUCTION MODE. SECOND CONDUCTION MODE HAS THE OTHER SIDE OF THE FIRST BASE REGION 2. THE ADVANTAGE OF THE INVENTION RESIDES IN ITS GREATER MAGNETIC SENSITIVITY COMBINED WITH ITS ABILITY TO DETECT VERY LOW MAGNETIC FIELDS WITH AN INCREASE IN THE COLLECTOR CURRENT .

Description

La présente invention se rapporte à un magnétotransistor latéralThe present invention relates to a lateral magnetotransistor

bipolaire utilisé pour détecter les cham m agnétiques.  Bipolar used to detect mammalian drugs.

On connaît un magnétotransistor latéral bipolaire qui comprend un substrat semi-conducteur ayant un premier mode de conduction et comportant les régions suivantes formées sur la face supérieure de ce substrat, dans l'ordre, et avec un certain espacement: une première région de base ayant  A bipolar side magnetotransistor is known which comprises a semiconductor substrate having a first conduction mode and having the following regions formed on the upper face of this substrate, in order, and with a certain spacing: a first base region having

le mênme mode de conduction que le substrat, une région d'injection ayant un.  the same conduction mode as the substrate, an injection region having a.

second mode de conduction, une région de collecteur ayant le second mode de conduction et une seconderégion de base ayant le premier mode de conduction. 10 Le chamr, magnetique externe est apliqu 6 sur le c 8 té du magnétotransistor,  second conduction mode, a collector region having the second conduction mode and a second base region having the first conduction mode. The external magnetic chamber is applied to the magnetotransistor side.

perpendiculairemrent à la direction du courant.  perpendicular to the current direction.

Le défaut de ce magnétotransistor réside dans sa faible sensibilité  The defect of this magnetotransistor lies in its low sensitivity

aux champs magnétiques, pour des courants supérieurs A O,5-A.  magnetic fields, for currents greater than O, 5-A.

Le but de l'invention est de réaliser un mnagnétotransistor ayant une sensibilité élevée aux champs magnétiques pour des courants de collecteur élevés L'invention atteint le but qu'elle s'est fixé par un magnétotransistor latéral bipolaire qui comprend un substrat semiconducteur ayant un premier mode de conduction et les regions suivantes formées sur la face 20 supérieure du substrat, dans l'ordre, et avec un certain espacement: une première région de base ayant le même mode de conduction, une région d'injection ayant un second mode de conduction, une région de collecteur ayant le second mode de conduction et une seconde région de base ayant le premier mode de conduction Ce magnétotransistor latéral bipolaire diffère par une 25 seconde région d'injection ayant le second mode de conduction, formée sur  The object of the invention is to provide a magnetotransistor having a high sensitivity to magnetic fields for high collector currents. The invention achieves the goal which it has fixed by a bipolar side magnetotransistor which comprises a semiconductor substrate having a first conduction mode and the following regions formed on the upper face of the substrate, in order, and with a certain spacing: a first base region having the same conduction mode, an injection region having a second conduction mode , a collector region having the second conduction mode and a second base region having the first conduction mode This bipolar lateral magnetotransistor differs by a second injection region having the second conduction mode, formed on

l'autre côté de la première région de base.  the other side of the first base region.

Les avantages de l'invention résident dans une sensibilité magnétique renforcée du magnétotransistor qui en fait l'objet et dans son aptitude à détecter des champs magnétiques très faibles, avec une augmentation du  The advantages of the invention lie in the enhanced magnetic sensitivity of the magnetotransistor which is subject to it and in its ability to detect very weak magnetic fields, with an increase in

courant de collecteur de l'ordre de 2 ou 3, ce qui se traduit par une augmentation de la résistance au bruit du dispositif et fait que ses caractéristiques sont compatibles avec celles des transistors bipolaires.  collector current of the order of 2 or 3, which results in an increase in noise resistance of the device and that its characteristics are compatible with those of bipolar transistors.

Le magnétotransistor latéral bipolaire est décrit plus en détail,  The bipolar side magnetotransistor is described in more detail,

à titre d'exemple, sur la figure unique du dessin annexé qui représente la 35 construction du dispositif et ses connexions externes.  for example, in the single figure of the accompanying drawing which shows the construction of the device and its external connections.

Le magnétotransistor latéral bipolaire représenté comprend un substrat semi-conducteur 1 ayant le mode de conduction N et à la face supérieure duquel sont formées, dans l'ordre, et avec un certain espacement, les régions suivantes: une premiere région de base 2 de type n, une région d'injection 3 de type p, une région de collecteur 4 de type-p et une seconde région de base 5 ayant le mode de conduction n Une seconde région d'injection  The bipolar side magnetotransistor shown comprises a semiconductor substrate 1 having the conduction mode N and at the upper face of which are formed, in order and with a certain spacing, the following regions: a first base region 2 of type n, a p-type injection region 3, a p-type collector region 4 and a second base region 5 having the conduction mode n A second injection region

6, de type p, est disposée sur l'autre côté de la première région de base 2.  6, of type p, is disposed on the other side of the first base region 2.

Les régions d'injection 3 et 6 sont reliées ensemble et sont polarisées en sens direct par rapport à la base 5 au moyen d'une source électri10 que continue externe U 1 Une tension ayant la même polarité et provenant de la même source électrique U 1 est appliquée à la base 2 par rapport à la base La jonction p-n entre le collecteur et la base 5 est polarisée en sens inverse par une seconde source électrique U 2 à travers une résistance de charge RK Un champ magnétique externe constant ou alternatif est appliqué perpendiculairement au côté du magnétotransistor et le signal de sortie est  The injection regions 3 and 6 are connected together and are forward biased with respect to the base 5 by means of an external continuous electrical source U 1 A voltage having the same polarity and coming from the same electrical source U 1 is applied to the base 2 relative to the base The pn junction between the collector and the base 5 is biased in the opposite direction by a second electrical source U 2 through a load resistor RK A constant or alternating external magnetic field is applied perpendicularly next to the magnetotransistor and the output signal is

prélevé entre le collecteur 4 et la base 5.  taken between the collector 4 and the base 5.

Le fonctionnement de ce magnétotransistor latéral bipolaire est le suivant: Les conditions de fonctionnement du dispositif sont réalisées au 20 moyen de la tension d'alimentation U 1 et des résistances réglables R 1 et R 2 Les deux régions 3 et 6 injectent simultanément des porteurs électrisés minoritaires dans le substrat 1 Dans ces conditions, la région d'injection 3 opère avec une résistance négative Le courant de collecteur du magnétotransistor est principalement déterminé par les porteurs électrisés mino25 ritaires injectés dans le substrat 1 par la région d'injection 3 Le champ magnétique B exerce sur les porteurs minoritaires injectés par les régions 3 et 6, une influence qui augmente ou diminue l'intensité du courant de  The operation of this bipolar side magnetotransistor is as follows: The operating conditions of the device are realized by means of the supply voltage U 1 and the adjustable resistors R 1 and R 2. The two regions 3 and 6 simultaneously inject electrified carriers. In these conditions, the injection region 3 operates with a negative resistance. The collector current of the magnetotransistor is mainly determined by the minute electrified carriers injected into the substrate 1 by the injection region 3. The magnetic field B exerts on the minority carriers injected by the regions 3 and 6, an influence which increases or decreases the intensity of the current of

collecteur selon la direction du champ magnétique.  collector according to the direction of the magnetic field.

Claims (1)

REVENDICATIONCLAIM Magnétotransistor latéral bipolaire comprenant un substrat semiconducteur ( 1) ayant un premier mode de conduction et les régions suivantes formées sur la face supérieure du substrat, dans l'ordre, avec un certain espacement:une première région de base ( 2) ayant le meme mode de conduction, une région d'injection ( 3) ayant un second mode de conduction, une région de collecteur ( 4) ayant le second mode de conduction et une seconde région de base ( 5) ayant le premier mode de conduction, caractérisé par une  A bipolar side magnetotransistor comprising a semiconductor substrate (1) having a first conduction mode and the following regions formed on the upper face of the substrate, in order, with a certain spacing: a first base region (2) having the same mode of conduction, an injection region (3) having a second conduction mode, a collector region (4) having the second conduction mode and a second base region (5) having the first conduction mode, characterized by a seconde région cld'injecion a 6) ayant le second mode de conduction disposé 10 de l'autre côté de la première région de base ( 2).  second region cld'injecion a 6) having the second conduction mode disposed on the other side of the first base region (2).
FR8410740A 1983-07-08 1984-07-06 BIPOLAR LATERAL MAGNETOTRANSISTOR Expired FR2548834B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG8361655A BG37507A1 (en) 1983-07-08 1983-07-08 Bipolar lateral magnetotransistor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2548834A1 true FR2548834A1 (en) 1985-01-11
FR2548834B1 FR2548834B1 (en) 1989-01-06

Family

ID=3912453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8410740A Expired FR2548834B1 (en) 1983-07-08 1984-07-06 BIPOLAR LATERAL MAGNETOTRANSISTOR

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPS6084883A (en)
BG (1) BG37507A1 (en)
DE (1) DE3424631A1 (en)
FR (1) FR2548834B1 (en)
GB (1) GB2143085B (en)
IT (1) IT1199153B (en)
SU (1) SU1702458A1 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3733836A1 (en) * 1987-10-07 1989-04-27 Messerschmitt Boelkow Blohm Magnetic field probe for measuring the magnetic field strength by using the Hall effect
US5591996A (en) * 1995-03-24 1997-01-07 Analog Devices, Inc. Recirculating charge transfer magnetic field sensor
DE10105186A1 (en) * 2001-02-06 2002-08-29 Bosch Gmbh Robert Semiconductor device, ammeter and motor vehicle
JP5069776B2 (en) * 2010-06-28 2012-11-07 パナソニック株式会社 Magnetic detector
CN107356885B (en) * 2017-08-18 2023-06-02 黑龙江大学 Monolithic integrated two-dimensional magnetic field sensor and manufacturing process thereof

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0099979B1 (en) * 1982-07-26 1987-04-08 LGZ LANDIS & GYR ZUG AG Magnetic field sensor and the use thereof

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 25, no. 12, Mai 1983, pages 6719-6720, New York, US; A.W. VINAL: "Magnetic transistor DC offset voltage balance control" *
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, vol. EDL-4, no. 3, mars 1983, pages 51-53, IEEE, New York, US; R.S. POPOVIC et al.: "An investigation of the sensitivity of lateral magnetotransistors" *

Also Published As

Publication number Publication date
DE3424631A1 (en) 1985-01-17
GB2143085B (en) 1986-10-29
FR2548834B1 (en) 1989-01-06
IT1199153B (en) 1988-12-30
GB2143085A (en) 1985-01-30
JPS6084883A (en) 1985-05-14
BG37507A1 (en) 1985-06-14
GB8416766D0 (en) 1984-08-08
IT8448515A0 (en) 1984-07-05
SU1702458A1 (en) 1991-12-30
DE3424631C2 (en) 1989-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0357528B1 (en) Mos transistor and its use in a free running diode
EP1096681A1 (en) Very high voltage switch
FR2557729A1 (en) SEMICONDUCTOR PHOTOELECTRIC CONVERTER DEVICE
Prince et al. New developments in silicon photovoltaic devices
FR2548834A1 (en) BIPOLAR LATERAL MAGNETOTRANSISTOR
FR2708156A1 (en) High energy overvoltage protection circuit with controlled clipping voltage.
CA2116793A1 (en) Pin-type light receiving device, manufacture of the pin-type light receiving device and optoelectronic integrated circuit
FR2742933A1 (en) STATIC AND MONOLITHIC COMPONENT CURRENT LIMITER AND CIRCUIT BREAKER
FR2636481A1 (en) INTEGRATED ACTIVE LED
GB1268095A (en) Integrated circuit
FR2624655A1 (en) PROTECTION STRUCTURE FOR ACCESS TO AN INTEGRATED CIRCUIT
FR2546335A1 (en) BIPOLAR POWER TRANSISTOR STRUCTURE WITH BASIC COMPENSATORY RESISTOR INCORPORATED BYPASSABLE
FR2508703A1 (en) ZENER DIODE COMPENSEE IN TEMPERATURE AND STABLE UNDER IRRADIATION AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH DIODE
US3911465A (en) MOS photodiode
EP1098355A1 (en) Powerdetector component
JPS62293680A (en) Semiconductor radiation detecting element
EP0561721A1 (en) Switch for alternating tensions
FR2745669A1 (en) THREE-STATE MONOLITHIC STATIC SWITCH
EP0913754B1 (en) Switchable DC voltage regulation circuit
EP0302820A1 (en) Detector of ionizing particles
US8921213B2 (en) Method of making less electric current dependence of electric current gain of semiconductor device
FR2781899A1 (en) CONSTANT CURRENT GENERATOR
RU2239916C1 (en) Magnetic field sensing semiconductor device
Bandy et al. The design, fabrication, and evaluation of a silicon junction field-effect photodetector
JPH0637349A (en) Avalance photodiode doped with platinum

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse