FR2534749A1 - Symmetrically configured low-frequency power amplifier including a symmetrising circuit. - Google Patents
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Abstract
Description
La présente invention concerne un amplificateur basse fréquence de puissance, alimenté par deux alimentations, l'une positive, l'autre négative avec un point milieu, constitué d'un étage d'entrée comportant un amplificateur opérationnel, d'au moins deux cellules d'amplification composées chacune de deux demis circuits transistorisés à configuration symétrique par rapport au plan des masses. The present invention relates to a low-frequency power amplifier, supplied by two power supplies, one positive, the other negative with a midpoint, consisting of an input stage comprising an operational amplifier, at least two d cells. 'amplification each composed of two half transistorized circuits with a symmetrical configuration with respect to the ground plane.
De tels circuits sont déjà connus et la symétrie qui en découle conduit à rechercher selon le type de schéma soit des composants complémentaires soit des composants aux caractéristiques identiques. Such circuits are already known and the resulting symmetry leads to searching, depending on the type of diagram, either for complementary components or for components with identical characteristics.
La première option impose souvant un tri sur des composants actifs de technologie différente, tels que paires de transistors NPN-PNP, et parfois l'utilisation de résistances à tolérances serrées2 cela afin d'obtenir la même réponse d'une alternance sur l'autre, ainsi que l'absence de composante continue en sortie. La seconde option apporte aussi la contrainte d'un tri, quoique l'on puisse tourner la difficulté d'avoir des transistors identiques, par l'utilisation de circuits intégrés contenant de tels composants exécutés sur un même substrat. The first option often imposes a sorting on active components of different technology, such as pairs of NPN-PNP transistors, and sometimes the use of resistors with tight tolerances2 in order to obtain the same response from one half-wave to the other. , as well as the absence of a DC component at the output. The second option also brings the constraint of sorting, although the difficulty of having identical transistors can be overcome by the use of integrated circuits containing such components executed on the same substrate.
Quelle que soit la solution retenue, on aboutira à cette constatation a la realisation d'un tri comme l'emploi de composants appairés ou particuliers amènent un surcout à l'achat et des contraintes lors de la fabrication. Whatever solution is chosen, this observation will result in the realization of a sorting as the use of matched or specific components leads to an additional cost in the purchase and constraints during manufacture.
Il est déjà connu de remédier à cet inconvénient de l'art antérieur mais les circuits proposés comportent au moins 3 à 4 transistors. It is already known to remedy this drawback of the prior art, but the circuits proposed include at least 3 to 4 transistors.
Le but de la présente invention est donc de réaliser un amplificateur performant du type décrit ci-dessus et mettant en oeuvre des composants de qualité, existant au catalogue standard de divers constructeurs et ne nécessistant pas de tri particulier, caractérisé en ce qu'il est constitué en outre d'un circuit symétriseur comportant au moins un composant de couplage d'intensité monté en coupleur d'intensité entre le courant de fonctionnement des transistors de la-première cellule et le courant de fonctionnement des transistors de la deuxième cellule, indépendemment des tensions établies à la sortie et à l'entrée dudit symétriseur, le composant de couplage d' inten- si té étant monté dans le circuit comme élément de contre réaction entre deux moitiés du montage symétrique. The aim of the present invention is therefore to produce a high-performance amplifier of the type described above and using quality components, existing in the standard catalog of various manufacturers and not requiring any particular sorting, characterized in that it is further consisting of a balun circuit comprising at least one current coupling component mounted as a current coupler between the operating current of the transistors of the first cell and the operating current of the transistors of the second cell, independently of the voltages established at the output and at the input of said balun, the current coupling component being mounted in the circuit as a feedback element between two halves of the symmetrical circuit.
Conformément à l'invention le coupleur de courant est composé d'un élément unique, remplaçant avantageusement un circuit à plusieurs transistors, et selon un mode de réalisation préféré ce composant unique est choisi parmi les coupleurs optoélectroniques du commerce. In accordance with the invention, the current coupler is composed of a single element, advantageously replacing a circuit with several transistors, and according to a preferred embodiment, this single component is chosen from commercially available optoelectronic couplers.
L'util-isation de ce type de composant est déjà connue mais pour d'autres applications et selon d'autres méthodes de montage. Habituellement le coupleur opto-électronique est utilisé pour la commande d'appareil fonctionnant à un potentiel génant. Conformement à l'invention, le coupleur opto- électronique réalise le couplage en intensite des circuits de la première et de la seconde cellule d'amplification et agit en shunt. The use of this type of component is already known but for other applications and according to other mounting methods. Usually the opto-electronic coupler is used for controlling devices operating at a disturbing potential. In accordance with the invention, the opto-electronic coupler performs the current coupling of the circuits of the first and of the second amplification cell and acts as a shunt.
En outre le circuit symétriseur n'utilise qu'un seul transistor et comporte une borne reliée au moins à un transistor d'amplification et à un transistor de sortie appartenant à un même demi-circuit de la deuxième cellule d'amplification, et comporte une autre borne reliée de façon symétrique, au moins à un transistor d'amplification et à un transistor de sortie appartenant à un même demi circuit de ladite deuxième cellule symétrique du premier, par rapport au plan des masses. In addition, the balun circuit uses only one transistor and comprises a terminal connected at least to an amplification transistor and to an output transistor belonging to the same half-circuit of the second amplification cell, and comprises a another terminal connected symmetrically, at least to an amplification transistor and to an output transistor belonging to the same half-circuit of said second cell symmetrical to the first, with respect to the ground plane.
En outre, pour la mise en oeuvre du circuit on utilise un montage en base commune à contre réaction importante sur chaque cellule d'amplification, l'ensemble comportant une contre réaction générale. In addition, for the implementation of the circuit, a common base assembly with significant feedback is used on each amplification cell, the assembly comprising a general feedback.
La présente invention sera mieux comprise à l'aide de la description d'un mode de réalisation non limitatif, en référence aux dessins et figures annexés dans lesquels
- la figure 1 est une représentation synoptique d'un montage conforme à l'invention ;
- la figure 2 est un schéma de principe de l'étage d'entrée du montage de la figure 1
- la figure 3 est un schéma de principe de la deuxième cellule du montage de la figure 1
- la figure 4 est un schéma de principe de la première cellule du montage de la figure 1
- la figure 5 est un schéma de principe du symétriseur du montage de la figure 1
- la figure 6 est un schéma de principe du
Bootstrap du montage de la figure i
- la figure 7 est un schéma de principe de la éjection des bruits d'alimentation du montage de la figure 1
- la figure 8 effet un schéma de principe du dispositif de démarrage et limitation
- la figure 9 est un schéma de principe du montage d'alimentation ;
- la figure 10 est le schéma général du circuit
- la figure 11 représente le dispositif d'essai du montage.The present invention will be better understood with the aid of the description of a non-limiting embodiment, with reference to the accompanying drawings and figures in which
- Figure 1 is a block diagram of an assembly according to the invention;
- Figure 2 is a block diagram of the input stage of the assembly of Figure 1
- Figure 3 is a block diagram of the second cell of the assembly of Figure 1
- Figure 4 is a block diagram of the first cell of the assembly of Figure 1
- Figure 5 is a block diagram of the balun of the assembly of Figure 1
- Figure 6 is a block diagram of the
Bootstrap of the assembly of figure i
- Figure 7 is a block diagram of the ejection of feed noise from the assembly of Figure 1
- figure 8 is a block diagram of the starting and limiting device
- Figure 9 is a block diagram of the power supply assembly;
- figure 10 is the general diagram of the circuit
- Figure 11 shows the assembly test device.
Comme représenté en figure 1, l'amplificateur conforme à l'invention est réalisé en cascadant un amplificateur opérationnel (3) à vitesse de montée élevée avec un montage discret bâti de façon symétrique et destiné à en accroire
- la dynamique
- la vitesse de montée.As shown in Figure 1, the amplifier according to the invention is produced by cascading an operational amplifier (3) at high rise speed with a discrete assembly built symmetrically and intended to increase it.
- The dynamic
- the speed of ascent.
-Ce montage se divise pratiquement en deux cellules identiques (1) et (2) faites d'un étage base commune contreréactionné, caractérise par un gain en tension modéré et une bonne linéarité. -This assembly is practically divided into two identical cells (1) and (2) made of a counter-reacted common base stage, characterized by a moderate voltage gain and good linearity.
Selon un mode de réalisation préféré, l'étage d'entrée représenté en figure 2, est constitué d'un amplificateur opérationnel (3), des résistnaces (R15), (R16), < R17), (R18), (R19), des condensateurs (C4) et (C6) et des circuits d'alimentation et découplage de l'amplificateur opérationnel composés des résistances (R25) et (R'25), des diodes zener (DZ2) et (DZ2'), des condensateurs (C5) et (C'5). According to a preferred embodiment, the input stage shown in FIG. 2 consists of an operational amplifier (3), resistances (R15), (R16), <R17), (R18), (R19) , capacitors (C4) and (C6) and supply and decoupling circuits of the operational amplifier composed of resistors (R25) and (R'25), zener diodes (DZ2) and (DZ2 '), capacitors (C5) and (C'5).
Les résistances (R17) et (R18) sont calculées pour maintenir le gain global du montage à une valeur prédéterminée, par exemple A = 57 aux valeurs inférieures à 1 MHZ. The resistors (R17) and (R18) are calculated to maintain the overall gain of the assembly at a predetermined value, for example A = 57 at values less than 1 MHz.
Le condensateur (C4) corrige le circuit de contre-réaction en avance de phase et la valeur de la résistance (R19) est obtenue expérimentalement en optimisant la réponse aux signaux carrés.The capacitor (C4) corrects the phase advance feedback circuit and the value of the resistance (R19) is obtained experimentally by optimizing the response to the square signals.
En outre le réglage de la résistance (R16) permet d'annuler la composante continue en sortie de l'amplificateur de puissance.In addition, the resistance adjustment (R16) makes it possible to cancel the DC component at the output of the power amplifier.
En effet, l'offset de l'amplificateur opérationnel se retrouve en sortie du montage multiplié par le gain A du fait de l'ab- sence de condensateur en série avec la résistance (R17). Ce mode de réalisation préféré de l'étage d'entrée a pour but d'agir sur la tension d'entrée, en faisant varier la résistance d'entrée, pour obtenir une tension de sortie nulle.In fact, the offset of the operational amplifier is found at the output of the assembly multiplied by the gain A due to the absence of a capacitor in series with the resistor (R17). This preferred embodiment of the input stage aims to act on the input voltage, by varying the input resistance, to obtain a zero output voltage.
Ce dispositif présente plusieurs avantages, en particulier il évite de recourir à une circuiterie supplémentaire comme l'exige le montage habituel dit "en offset nul" et il évite également d'introduire les bruits parasites de l'alimentation qui est sommairement filtrée. This device has several advantages, in particular it avoids having to resort to additional circuitry as required by the usual so-called "zero offset" assembly and it also avoids introducing parasitic noise from the power supply which is summarily filtered.
La valeur de la capacité du condensateur (C6) est calculée en fonction des valeurs des résistances (R15) et (R16) et de la fréquence de coupure basse souhaitée. The value of the capacitance of the capacitor (C6) is calculated according to the values of the resistors (R15) and (R16) and the desired low cut-off frequency.
Pour déterminer les valeurs des composants de l'étage d'entrée on calculera en premier lieu les valeurs des résistances (R17) et (R18) en fonction de la dissipation maximale admissible de ces composants. La valeur de (R15) + (R16) correspond pratiquement à l'impédance d'entrée et un bon réglage du zéro statique impose (R15) + (R16) = (R19). To determine the values of the components of the input stage, the values of the resistors (R17) and (R18) will first be calculated as a function of the maximum admissible dissipation of these components. The value of (R15) + (R16) practically corresponds to the input impedance and a good static zero setting requires (R15) + (R16) = (R19).
L'amplificateur opérationnel est alimenté selon le mode de réalisation préféré en (6 V) et stabilisé par exemple par les diodes Zener (DZ2) et (DZ'2). La valeur de la résistance (R25) est calculée en fonction de la valeur du courant d'alimentation et de la valeur minimum de (V+). Le découplage de ces alimentations est assuré par des condensateurs de forte valeur, par exemple (22 pi F). According to the preferred embodiment, the operational amplifier is supplied with (6 V) and stabilized for example by the Zener diodes (DZ2) and (DZ'2). The value of the resistor (R25) is calculated based on the value of the supply current and the minimum value of (V +). The decoupling of these supplies is ensured by capacitors of high value, for example (22 ft F).
La deuxième cellule (2) de la figure 1 est représentée plus en détail en figure 3 et figure 10. Ladite cellule (2) présente une configuration symétrique par rapport au plan des masses et peut être partagée en deux demi-circuits. The second cell (2) of Figure 1 is shown in more detail in Figure 3 and Figure 10. Said cell (2) has a symmetrical configuration with respect to the ground plane and can be divided into two half-circuits.
Un premier demi-circuit représenté en figure 3, constituant un étage d'amplification à base commune, amplifie l'alternance positive ; il est composé d'au moins un transistor (T3), d'au moins un transistor de sortie (T4), de résistances (R5), (R6) et d'un condensateur (C2) selon un procédé de montage classique.A first half-circuit shown in FIG. 3, constituting a common base amplification stage, amplifies the positive half-wave; it is composed of at least one transistor (T3), of at least one output transistor (T4), of resistors (R5), (R6) and of a capacitor (C2) according to a conventional assembly method.
Le transistor (T3) est directement attaqué par un transistor (T2), de la première cellule décrite ci-après, et délivre son signal à la base de (T4). Le signal de contre réaction procuré par (R5), (R6) et (C2) est appliqué à la base de (T3). En outre, selon le mode de réalisation préféré de ladite deuxième cellule, la résistance (R6) n'est pas reliée à l'émetteur de (T4) mais à la sortie de l'amplificateur dans le but de gagner en dynamique la chute de potentiel le long de (R7). The transistor (T3) is directly driven by a transistor (T2), of the first cell described below, and delivers its signal to the base of (T4). The feedback signal provided by (R5), (R6) and (C2) is applied to the base of (T3). Furthermore, according to the preferred embodiment of said second cell, the resistor (R6) is not connected to the emitter of (T4) but to the output of the amplifier in order to gain in dynamics the drop of potential along (R7).
Le transistor (T3) et son transistor d'attaque (T2) sont parcourus par le même courant ; en déterminant la valeur du gain (A2) du transistor (T2), par exemple A 2 = 2, on équilibre les tensions VCE et les dissipations thermiques dans les conditions de l'exemple non limitatif choisi les valeurs des résistances (R5) et (R6) sont égales et sont calculées en fonction de la dissipation de ces composants pour une tension de valeur (V) prédéterminée. La valeur de (R7) est calculée en fonction des paramètres thermiques du transistor (T4) et le condensateur (C2) stabilise la cellule (2) en contrôlant l'effet
Miller du transistor (T3).The transistor (T3) and its drive transistor (T2) are traversed by the same current; by determining the value of the gain (A2) of the transistor (T2), for example A 2 = 2, the voltages VCE and the thermal dissipations are balanced under the conditions of the non-limiting example chosen the values of the resistors (R5) and ( R6) are equal and are calculated according to the dissipation of these components for a voltage of predetermined value (V). The value of (R7) is calculated according to the thermal parameters of the transistor (T4) and the capacitor (C2) stabilizes the cell (2) by controlling the effect
Miller of the transistor (T3).
Un deuxième demi-circuit de la cellule (2) amplifiant l'alternance négative est monté par rapport au plan des masses, symétriquement au premier demi-circuit de la cellule (2). Ledit deuxième demi-circuit comporte au moins un transistor (T'3), au moins un transistor de sortie (T4'), des résistances (R5'), (R6') et un condensateur (C'2) qui sont respectivement les composants symétiques des composants (T3), (T4), (R5), (R6), (C2) et assurent les mêmes fonctions. A second half-circuit of the cell (2) amplifying the negative half-wave is mounted with respect to the ground plane, symmetrically to the first half-circuit of the cell (2). Said second half-circuit comprises at least one transistor (T'3), at least one output transistor (T4 '), resistors (R5'), (R6 ') and a capacitor (C'2) which are respectively the symmetrical components of components (T3), (T4), (R5), (R6), (C2) and perform the same functions.
La première cellule (1) de la figure 1 est -représentée plus en détail en figure 4 et figure 10. Ladite cellule (1) présente également une configuration symétrique par rapport au plan des masses et peut être également partagée en deux demi-circuits. The first cell (1) of Figure 1 is -represented in more detail in Figure 4 and Figure 10. Said cell (1) also has a symmetrical configuration with respect to the ground plane and can also be divided into two half-circuits.
Un premier demi-circuit représenté en figure 4, suit immédiatement l'étage d'entrée et reçoit son signal de l'amplificateur opérationnel (3). Ledit premier circuit est composé d'un transistor (T1), attaqué par une résistance (R4) sortant sur une résistance (R3). A first half-circuit shown in FIG. 4, immediately follows the input stage and receives its signal from the operational amplifier (3). Said first circuit is composed of a transistor (T1), driven by a resistor (R4) exiting on a resistor (R3).
Pour augmenter l'impédance de charge du collecteur du transistor (T1), on prévoit d'une part de prélever le signal par l'intermédiaire d'un transistor (T2) monté en émetteur suiveur et d'autre part de scinder (R3) en (R3a) et (R3b). Ce mode de réalisation préféré permet ainsi de ramener au point B, représenté en figure 4, une fraction du signal de sortie et de relever ainsi l'impédance dynamique au collecteur du transistor (T1).Cette fraction du signal de sortie BF est ramenée par la résistance (Ri2) et le condensateur (C1) selon un montage en
Bootstrap représenté en figure 6 dont les valeurs des composants se calculent de façon classique en fonction de l'atténuation du signal dans la résistance (R4), par exemple 80% de la valeur choisie pour le gain de la partie discrète, par exemple 12.To increase the load impedance of the collector of the transistor (T1), provision is made on the one hand to take the signal via a transistor (T2) mounted as an emitter follower and on the other hand to split (R3) in (R3a) and (R3b). This preferred embodiment thus makes it possible to bring back to point B, shown in FIG. 4, a fraction of the output signal and thus to raise the dynamic impedance at the collector of the transistor (T1). This fraction of the output signal LF is brought back by the resistor (Ri2) and the capacitor (C1) according to an assembly in
Bootstrap represented in FIG. 6, the component values of which are calculated in a conventional manner as a function of the attenuation of the signal in the resistor (R4), for example 80% of the value chosen for the gain of the discrete part, for example 12.
La contre réaction est appliquée à la base du transistor (T1) par le diviseur de tension (R2, R1) qui prélève le signal à l'é-metteur du transistor (T2). The feedback is applied to the base of the transistor (T1) by the voltage divider (R2, R1) which takes the signal from the emitter of the transistor (T2).
Au point (S2) représenté en figure 4, la valeur de la tension est V ce qui permet de déterminer la valeur de
Vc pour (T1)et de Séduire la valeur de la résistance (R3) en fonction de la valeur prédéterminée du courant collecteur de (T1). On choisi de préférence pour (R3a) et (R3b) des valeurs régales et normalisées. Le gain de l'amplificateur d'entrée est prédéterminé et fixé à quatre au minimum, il a par exemple pour valeur Al = 7 dans le montage préféré, compte non tenu, de l'atténuation dans la résistance (R4). Les autres paramètres de fonctionnement du transistor (T1) se calculent de façon tout à fait classique.At point (S2) shown in figure 4, the value of the voltage is V which makes it possible to determine the value of
Vc for (T1) and to seduce the value of the resistance (R3) according to the predetermined value of the collector current of (T1). Regular and normalized values are preferably chosen for (R3a) and (R3b). The gain of the input amplifier is predetermined and fixed at four to a minimum, it has for example the value Al = 7 in the preferred assembly, not taking into account the attenuation in the resistor (R4). The other operating parameters of the transistor (T1) are calculated in a completely conventional manner.
Ledit premier demi-circuit de la première cellule comporte en outre les résistances (R1), (R2), (R3) choisies de préférence de façon à obtenir (R1 + R2) = (R3) pour que la tension en (S2) ne dépasse pas la valeur V quand le courant émetteur (IE) est nul et quand le transistor (T2) est bloqué. Said first half-circuit of the first cell further comprises the resistors (R1), (R2), (R3) preferably chosen so as to obtain (R1 + R2) = (R3) so that the voltage at (S2) does not not exceed the value V when the emitter current (IE) is zero and when the transistor (T2) is blocked.
La première cellule comporte en outre un second demi-circuit symétrique du premier demi-circuit de ladite cellule (1) constitué des composants (T'1), (T'2), (R'1), CR'2), (R'3a), (R'3b) (R'4) qui sont par rapport au plan des masses respectivement les composants symétriques des composants (T1), (T2), (R1), (R2), (R3a), (R3b), (R4) et assurent les mêmes fonctions. The first cell further comprises a second half-circuit symmetrical to the first half-circuit of said cell (1) consisting of the components (T'1), (T'2), (R'1), CR'2), ( R'3a), (R'3b) (R'4) which are respectively the symmetrical components of the components (T1), (T2), (R1), (R2), (R3a), ( R3b), (R4) and perform the same functions.
En raison de la configuration symétrique du circuit, et conformément à l'invention, le dispositif comporte en outre un étage symétriseur représenté en figure 5 et en figure 10. Ledit symétriseur est conçu pour réaliser un couplage en intensité entre le courant de fonctionnement des transistors de la première cellule et le courant de fonctionnement des transistors de la deuxième cellule, indépendamment des tensions établies à l'entrée et à la sortie dudit symétriseur. Due to the symmetrical configuration of the circuit, and in accordance with the invention, the device further comprises a balun stage represented in FIG. 5 and in FIG. 10. Said balun is designed to perform a coupling in intensity between the operating current of the transistors. of the first cell and the operating current of the transistors of the second cell, independently of the voltages established at the input and at the output of said balun.
Avantageusement et conformément à l'invention, un seul composant de couplage d'intensité (4) est utilisé pour réaliser cette fonction au lieu d'un circuit plus complexe à plusieurs transistors. Selon un mode préféré de réalisation, le composant de couplage d'intensité (4) est choisi parmi les coupleurs opto-électroniques du commerce et le circuit symétriseur comporte en outre un transistor (T6) des résistances (R11), (R10), (R9) et un condensateur (C7) montés à la sortie du composant de couplage d'intensité (4) selon un circuit représenté en figure 5 et figure 10.Ce circuit est conçu à'partir d'un circuit de courant de repos classique, et se compose du transistor (T6) parcourus par un courant I et dont la base est attaquée par le diviseur potentiométrique (R9, R10, Rail). Advantageously and in accordance with the invention, a single current coupling component (4) is used to perform this function instead of a more complex circuit with several transistors. According to a preferred embodiment, the current coupling component (4) is chosen from commercially available opto-electronic couplers and the balancing circuit further comprises a transistor (T6) of resistors (R11), (R10), ( R9) and a capacitor (C7) mounted at the output of the current coupling component (4) according to a circuit shown in figure 5 and figure 10. This circuit is designed from a conventional quiescent current circuit, and consists of the transistor (T6) traversed by a current I and whose base is driven by the potentiometric divider (R9, R10, Rail).
Ainsi la tension VR entre les collecteurs des transistors (T3) et (T'3) de la deuxieme cellule est déterminée proportionnellement à une tension VBE mesurée entre le point milieu du diviseur potentiométrique et l'un des transistors (T3) ou (T'3) par exemple (T'3) comme sur la figure 5. Thus the voltage VR between the collectors of the transistors (T3) and (T'3) of the second cell is determined proportionally to a voltage VBE measured between the midpoint of the potentiometric divider and one of the transistors (T3) or (T ' 3) for example (T'3) as in figure 5.
Selon le mode de réalisation préféré, le montage symétriseur remplit deux fonctions : d'une part réguler les courants de fonctionnement des transistors (T1), (T2), (T3) d'autre part établir le courant de repos des transistors (T4) et (T'4). According to the preferred embodiment, the balun assembly fulfills two functions: on the one hand to regulate the operating currents of the transistors (T1), (T2), (T3) on the other hand to establish the quiescent current of the transistors (T4) and (T'4).
Pour réguler les courants de fonctionnement des transistors (T1), (T2), (T3) on intercale dans le retour collecteur de (T6), drainant le courant de fonctionnement de (T3) et (T'3) une photodiode couplée à un photorécepteur monté en dérivateur de courant entre les émetteurs de (T1) et (T'1). On opère ainsi une contre réaction qui maintient le courant I de sortie du composant de couplage (4) à une valeur constante en tout point de la dynamique, proportionnelle au courant d'entrée dudit composant (4). To regulate the operating currents of transistors (T1), (T2), (T3), a photodiode coupled to a (T6) is inserted in the collector return, draining the operating current of (T3) and (T'3). photoreceptor mounted as a current shifter between the emitters of (T1) and (T'1). A feedback is thus operated which maintains the output current I of the coupling component (4) at a constant value at all points of the dynamic, proportional to the input current of said component (4).
Le réglage de la résistance (R10) contrôle en outre la tension VCE présente entre les bases des transistors (T4) et (T'4) et correspond au réglage ordinaire du courant de repos des transistors finaux. La stabilité thermique est assurée par le couplage entre les boitiers des transistors (T4) et (T6). Par conséquent le composant (4) agit en shunt et en contre réaction, entre deux moitiés d'un montage symétrique indépendemment du signal d'entrée. The setting of the resistance (R10) further controls the voltage VCE present between the bases of the transistors (T4) and (T'4) and corresponds to the ordinary setting of the quiescent current of the final transistors. Thermal stability is ensured by the coupling between the boxes of the transistors (T4) and (T6). Consequently, the component (4) acts as a shunt and in feedback, between two halves of a symmetrical assembly independently of the input signal.
D'autre part le composant de couplage (4) présente un coefficient de transfert entre son courant d'entrée et son courant de sortie qui n' est pas exactement constant mais varie légèrement autour d'une valeur K dans les normes acceptables. On the other hand, the coupling component (4) has a transfer coefficient between its input current and its output current which is not exactly constant but varies slightly around a value K within acceptable standards.
Cette légère variation ne gêne absolument pas le fonctionnement de l'amplificateur car la variation du courant I qui en résulte dans les transistors (T3) et (T'3) ne perturbe en rien leur fonctionnement.This slight variation does not in any way interfere with the operation of the amplifier because the variation in current I which results therefrom in the transistors (T3) and (T'3) does not in any way disturb their operation.
De plus, le bruit éventuel du composant-opto-électro- nique n' agissant que sur ce même paramètre I, n'affecte pas le signal S de sortie de l'amplificateur. Moreover, the possible noise of the opto-electronic component acting only on this same parameter I, does not affect the output signal S of the amplifier.
A titre d'exemple non limitatif dans le circuit représenté à la figure 5, les tensions (Vr) et (Vbe) étant de 2,4 V et de 0,65 V pour les mêmes conditions de courant de repos (100 m A) dans les transistors (T4) et (T'4) à une températurE de 200C et des valeurs de résistances de 820En Hz pour (R9), 47011 pour (R10), 330 fL pour (R1) on obtient une latidude de réglage satisfaisante pour un courant de 1,5 m A dans le diviseur de tension ; le courant de sortie I de ltoptocoupleur (4) varie entre 8 m A et 11 m A pour un courant d'entrée i de l'optocoupleur (4) de 1,5 m A dans les résistances (R8) et (R'8).En outre le courant de sortie I du composant de couplage (4) ne s'annule pas en cours de fonctionnement, ce qui améliore le contrôl-e des potentiels de base des transistors de sortie (T4) et (T'4). By way of non-limiting example in the circuit shown in FIG. 5, the voltages (Vr) and (Vbe) being 2.4 V and 0.65 V for the same quiescent current conditions (100 m A) in the transistors (T4) and (T'4) at a temperature of 200C and resistance values of 820 In Hz for (R9), 47011 for (R10), 330 fL for (R1) we obtain a satisfactory adjustment study for a current of 1.5 m A in the voltage divider; the output current I of the optocoupler (4) varies between 8 m A and 11 m A for an input current i of the optocoupler (4) of 1.5 m A in the resistors (R8) and (R'8 In addition, the output current I of the coupling component (4) does not cancel itself during operation, which improves the control of the base potentials of the output transistors (T4) and (T'4) .
Le dispositif conforme à l'invention comporte également un montage représenté en figure 7 pour la réjection des bruits d'alimentation. En l'absence de régulation des sources (V+) et (V-), on peut s'attendre à des variations de tension de l'ordre de 5 à 6 V en fonction de l'importance des courants débités. Si l'on calcule la valeur du gain Ap au collecteur de (T1), par rapport à un signal présent en (V+), on obtient une valeur de 0,346 pour Ap. L'examen du circuit montre que la présence de signaux identiques aux bases des transistors (T1) et (T3) provoque leur réjection en sortie. The device according to the invention also comprises an assembly shown in FIG. 7 for the rejection of supply noise. In the absence of regulation of the sources (V +) and (V-), one can expect voltage variations of the order of 5 to 6 V depending on the importance of the currents delivered. If we calculate the value of the gain Ap at the collector of (T1), with respect to a signal present at (V +), we obtain a value of 0.346 for Ap. Examination of the circuit shows that the presence of signals identical to the bases of transistors (T1) and (T3) cause their output rejection.
Pour établir le circuit de base de (T3) il faut tenir compte de deux conditions : il faut garder un rapport de 0,5 entre la sortie (S) et (V+) et il faut garder un écart de tension constant entre la base du transistor (T2) et la base du transistor (T3) pour éliminer les bruits d'alimentation. To establish the base circuit of (T3) it is necessary to take into account two conditions: it is necessary to keep a ratio of 0.5 between the output (S) and (V +) and it is necessary to keep a constant voltage difference between the base of the transistor (T2) and the base of the transistor (T3) to eliminate power supply noise.
Ce montage a pour conséquence de faire gagner 1 volt environ en tension de sortie. This assembly has the consequence of saving approximately 1 volt in output voltage.
En figure 8 est représenté le circuit de démarrage et de limitation qui complète le dispositif conforme à l'invention. In FIG. 8 is shown the starting and limiting circuit which completes the device according to the invention.
En effet, les transistors (T1) et (T'1) ne peuvent être contrôlés pour des tensions d'alimentation inférieures à une limite L1;(5 volts par exemple) avec les composants utilisées dans le mode de réalisation de la figure 8, les transistors (T1) et (T'1) sont alors bloqués et il en résulte la saturation de la chaine (T2), (T3), (T'3), (T'2). Indeed, the transistors (T1) and (T'1) cannot be controlled for supply voltages lower than a limit L1; (5 volts for example) with the components used in the embodiment of FIG. 8, the transistors (T1) and (T'1) are then blocked and this results in the saturation of the chain (T2), (T3), (T'3), (T'2).
il importe en outre de bloquer le meme ensemble de transistors au cas où l'une des alimentations (V+) ou (V-) fait défaut afin de ne pas porter la sortie de l'amplificateur au potentiel de l'alimentation restante. Les amplificateurs à configuration symétrique habituels présentent l'inconvénient de reporter toute la tension sur la ligne (V-) ou (V±) si le fusible de la ligne d'alimentation opposée (V+) ou (V-) saute. it is also important to block the same set of transistors in the event that one of the power supplies (V +) or (V-) fails so as not to bring the output of the amplifier to the potential of the remaining power supply. The usual symmetrical configuration amplifiers have the disadvantage of transferring all the voltage on the line (V-) or (V ±) if the fuse of the opposite supply line (V +) or (V-) blows.
Le mode de réalisation préféré de la figure (8) est prévu pour palier cet inconvénient. Dans ce but, on alimente les transistors (T2), (T'2) au travers de transistors (T5) et (T'5) respectivement, que l'on sature lorsque la tension aux bornes de la cellule formée par les composants (T7), cor21), (R22), (R23), (DZ1), atteint une valeur prédéterminée par exemple 80 V.The preferred embodiment of Figure (8) is provided to overcome this drawback. For this purpose, the transistors (T2), (T'2) are supplied through transistors (T5) and (T'5) respectively, which are saturated when the voltage across the terminals of the cell formed by the components ( T7), cor21), (R22), (R23), (DZ1), reaches a predetermined value for example 80 V.
Par adjonction des diodes (DS) on limite également la tension sur les résistances (R20) et (R'20) à une valeur prédéterminée, 1,5 V par exemple. La présence de la résistance (R24) à l'émetteur du transistor (T5) permet de limiter également l'intensité dans la chaine composée des transistors (T5), (T2), (T3), (T'3), (T'2), (T'5). By adding the diodes (DS), the voltage on the resistors (R20) and (R'20) is also limited to a predetermined value, 1.5 V for example. The presence of the resistor (R24) at the emitter of the transistor (T5) also makes it possible to limit the intensity in the chain made up of transistors (T5), (T2), (T3), (T'3), (T '2), (T'5).
Ce mode de réalisation préféré du circuit de démarrage et de limitation de-la figure 8 remplit donc la double fonction de protéger les transistors driver et d'autoriser le contrôle des transistors finaux par dérivation de leur courant de base. This preferred embodiment of the starting and limiting circuit of FIG. 8 therefore fulfills the dual function of protecting the driver transistors and of allowing control of the final transistors by derivation of their base current.
Ainsi, si l'un des fusibles des lignes d'alimentation (V+) ou (V-) saute, ou bien si la tension entre lesdites lignes d'alimentation devient inférieure à la valeur prédéterminée de 80 V, alors les transistors (T2), (T'2) ne sont pas alimentés ce qui neutralise tout le circuit à transistors, et l'amplificateur se tait ; l'amplificateur conforme à l'invention n'émet donc aucun bruit pendant les régimes transitoires d'arrêt et de démarrage. Thus, if one of the fuses of the supply lines (V +) or (V-) blows, or if the voltage between said supply lines becomes lower than the predetermined value of 80 V, then the transistors (T2) , (T'2) are not supplied which neutralizes the entire transistor circuit, and the amplifier is silent; the amplifier according to the invention therefore does not emit any noise during the transient stopping and starting regimes.
On choisit de préférence pour ce montage une diode (DZ1) en fonction de la valeur de tension (VZ) donnée, présentant la plus faible résistance dynamique, on en deduit de façon clasique la tension de d-éblocage du transistor (T7) et les valeurs des résistances (R22), (R21), (R23). For this assembly, a diode (DZ1) is preferably chosen as a function of the given voltage value (VZ), exhibiting the lowest dynamic resistance, the deblocking voltage of the transistor (T7) is conventionally deduced therefrom. resistance values (R22), (R21), (R23).
La résistance (R23) a pour fonction de limiter le courant et d'assurer la dissipation thermique en laissant saturer le transistor (T7). L'allumage de la LE D de l'optocoupleur indique la mise en fonctionnement de l'amplificateur par un circuit isolé galvaniquement du montage. The function of the resistor (R23) is to limit the current and to ensure thermal dissipation by letting the transistor (T7) saturate. The lighting of the LE D of the optocoupler indicates the activation of the amplifier by a circuit galvanically isolated from the assembly.
Les valeurs de (R20 et (R'20) sont calculées pour assurer un complet blocage des transistors (T5) et (T'5) quand le courant dans la cellule formée des composants (T7), (R21), (R22), (R23), (DZ1) est inférieur au courant minimum de déblocage, 2 m A par exemple. Par ailleurs deux diodes silicium montées en série ont pour fonction de limiter la tension aux bornes de (R20) à une valeur prédéterminée 1,5 V par exemple, de laquelle on peut déduire la valeur de la tension maximum aux bornes de la résistance (R24) pour laquelle le transistor (T5) se bloque. The values of (R20 and (R'20) are calculated to ensure a complete blocking of the transistors (T5) and (T'5) when the current in the cell formed of the components (T7), (R21), (R22), (R23), (DZ1) is less than the minimum unlocking current, 2 m A for example. Furthermore, two silicon diodes connected in series have the function of limiting the voltage at the terminals of (R20) to a predetermined value 1.5 V for example, from which one can deduce the value of the maximum voltage at the terminals of the resistor (R24) for which the transistor (T5) is blocked.
Le schéma de principe des alimentations est représenté à la figure 9. The block diagram of the power supplies is shown in figure 9.
On distingue les alimentations de puissance (V+) et (V-) et les alimentations de l'amplificateur opérationnel. A distinction is made between power supplies (V +) and (V-) and the power supplies of the operational amplifier.
Les alimentations de puissance (V+) et (V-) sont réalisées par redressement double alternance à l'aide d'un transformateur à point milieu et filtrées par condensateurs chimiques, mais ne sont pas régulées. The power supplies (V +) and (V-) are produced by full-wave rectification using a midpoint transformer and filtered by chemical capacitors, but are not regulated.
On notera la présence, entre les collecteurs des finaux et la masse de la sortie, de condensateurs non polarisés destinés à assurer la réponse aux transitoires. Note the presence, between the end collectors and the ground of the output, of unpolarized capacitors intended to ensure the response to transients.
Les alimentations de l'amplificateur operationnel sont fixées à 6 V afin de reduire l'excursion de la tension en cas de saturation sans nuire à la vitesse de montée et sont obtenues à l'aide d'une diode Zener et d'une résistance chutrice partant de l'alimentation principale. The power supplies for the operational amplifier are set at 6 V in order to reduce the voltage excursion in the event of saturation without affecting the rate of rise and are obtained using a Zener diode and a falling resistor from the main power supply.
Ce procédé allie à sa simplicité l'avantage de maintenir présentes les tensions d'alimentation de l'amplificateur opérationnel tout le temps où la partie puissance est en fonction ;
cela évite au montage ainsi qu a sa charge de pâtir d'une excursion aléatoire de tension lorsque l'amplificateur opérationnel se trouve privé d'alimentation.This method combines with its simplicity the advantage of maintaining the supply voltages of the operational amplifier present all the time the power part is in operation;
this prevents the assembly and its load from suffering from a random voltage excursion when the operational amplifier is deprived of power.
Les diodes placées en série avec les résistances chutrices ont un rôle de protection contre l'inversion temporaire de (V+) ou (V-) qui survient en cas de court-circuit de (T4) et (T'4), entrainant la destruction du circuit intégré. The diodes placed in series with the drop resistors have a role of protection against the temporary reversal of (V +) or (V-) which occurs in the event of a short-circuit of (T4) and (T'4), resulting in destruction of the integrated circuit.
Le calcul des composants du circuit d'alimentation se fait de façon tout à fait classique pour l'homme du métier, ainsi que les calculs des dissipations thermiques des composants de la première cellule (1) et de la deuxième cellule (2). On note que les caractéristiques de ltoptocoupleur (4) permettent de se maintenir à une valeur de courant laissant une marge importante malgré l'échauffement interne de l'appareil. En outre on choisi de préférence d'abaisser au maximum la valeur des composants (R5) et (R6) pour disposer d'une impédance faible à la base du transistor (T3). The calculation of the components of the power supply circuit is carried out in a completely conventional manner for those skilled in the art, as well as the calculations of the thermal dissipations of the components of the first cell (1) and of the second cell (2). It is noted that the characteristics of the optocoupler (4) make it possible to maintain a current value leaving a large margin despite the internal heating of the device. In addition, it is preferably chosen to lower the value of the components (R5) and (R6) as much as possible in order to have a low impedance at the base of the transistor (T3).
Le couplage thermique entre les transistors (T4) et (T6) permet le contrôle du courant de repos pour peu qu'il n'y ait pas emballement de la jonction. Le calcul de (R7) se fait comme celui d'une contre réaction destinée à éviter ce phénomène. The thermal coupling between the transistors (T4) and (T6) allows the control of the quiescent current as long as there is no runaway of the junction. The calculation of (R7) is done like that of a feedback intended to avoid this phenomenon.
En outre le mode de réalisation préféré de l'amplificateur conforme à l'invention a été conçu pour tenir compte des caractéristiques d'objectif suivantes
- le niveau du signal disponible à la sortie d'une majorité de preamplificateurs-correcteurs est de l'ordre de 0,5 Veff sur 100li ;
- la puissance en sortie pour attaquer des enceintes acoustiques de qualité, donc très amorties, doit se situer au dessus de 60 W. Furthermore the preferred embodiment of the amplifier according to the invention has been designed to take into account the following objective characteristics
- the level of the signal available at the output of a majority of preamplifiers-correctors is of the order of 0.5 Veff on 100li;
- the output power to drive quality loudspeakers, therefore very damped, must be above 60 W.
D'où les spécifications suivantes
- sensibilité : 0,5 Veff à l'entrée pour la puissance nominale ;
- puissance nominale : 100 Weff sur 8 < , soit 28,28 Veff ;
- distorsion harmonique : < 0,% de 40 à 20000
Hz à puissance nominale ;
- distorsion d'intermodulation : < 0,2% de 50 à 6000 Hz
- distorsion de phase : < 2 à 20 kHz
- rapport signal/bruit non pondéré : 80 dB à puissance nominale ;
- bande passante : > 16 Hz à -3 dB ;
- vitesse de montée : 9 100 V/ p S.Hence the following specifications
- sensitivity: 0.5 Veff at the input for nominal power;
- nominal power: 100 Weff on 8 <, or 28.28 Veff;
- harmonic distortion: <0,% from 40 to 20,000
Hz at nominal power;
- intermodulation distortion: <0.2% from 50 to 6000 Hz
- phase distortion: <2 to 20 kHz
- unweighted signal / noise ratio: 80 dB at nominal power;
- bandwidth:> 16 Hz at -3 dB;
- rise speed: 9,100 V / p S.
Compte tenu de la puissance requise, 1 'amplifi- cateur sera prévu pour une alimentation symétrique de +/- 60 V
Cà vide). On remarque que la vitesse de montée repousse la bande passante à 600 kHz à pleine puissance. il est établi qu'un slew-rate de cet ordre de grandeur est nécessaire à la restitution des transitoires (notamment pour les percussions).Taking into account the power required, the amplifier will be designed for a symmetrical supply of +/- 60 V.
Empty). Note that the climb speed pushes the bandwidth back to 600 kHz at full power. it is established that a slew-rate of this order of magnitude is necessary for the restitution of the transients (in particular for the percussions).
C'est aussi le moyen de minimiser les distorsions de phase qui se traduisent par l'altération du timbre des sons. It is also the means of minimizing the phase distortions which result in the alteration of the timbre of the sounds.
Un dispositif d'essai représenté en figure 11 a été mis en oeuvre pour vérifier l'obtention des spécifications précédentes. Ce dispositif d'essai se composè de
- un générateur basse fréquence sinusoidal (6) délivrant des signaux de 10 Hz à MHz en cinq décades avec une distorsion harmonique inférieure à 0,2%
- un voltmètre (9) de bande passante comprise entre 2Hz et 12MHz
- un distorsiomètre (10), gamme d'utilisation comprise entre 25 Hz et 25 kHz, calibre minimum .0,3% pleine échelle
- l'amplificateur à tester (7) alimenté par le générateur basse fréquence (6) à travers un atténuateur non calibré (11) ;;
- la charge de l'amplificateur de résistance 8R d'inductance 4 H, faite de résistances bobinées dissipant dans leur totalité 40 W et ne pouvant donc supporter la pleine puissance de façon permanente ;
- l'atténuateur (11) qui permet de faire les relevés de mesures pendant des périodes de quelques secondes, tout-en maintenant la puissance de sortie à une valeur réduite durant les réglages intermédiaires ;
- un oscilloscope (8) bande passante 10 MHz, qui permet de s'assurer de l'absence d'anomalie sur le signal de sortie, telle que saturation ou accrochage HF.A test device represented in FIG. 11 was implemented to verify that the preceding specifications were obtained. This test device consists of
- a sinusoidal low frequency generator (6) delivering signals from 10 Hz to MHz in five decades with a harmonic distortion of less than 0.2%
- a voltmeter (9) with a bandwidth between 2Hz and 12MHz
- a distorsiometer (10), operating range between 25 Hz and 25 kHz, minimum caliber 0.3% full scale
- the amplifier to be tested (7) supplied by the low frequency generator (6) through an uncalibrated attenuator (11) ;;
- the load of the resistance amplifier 8R of inductance 4 H, made of wound resistors dissipating in their entirety 40 W and therefore not being able to withstand full power permanently;
- the attenuator (11) which makes it possible to take measurements for periods of a few seconds, while maintaining the output power at a reduced value during intermediate settings;
- a 10 MHz bandwidth oscilloscope (8), which makes it possible to ensure that there is no anomaly in the output signal, such as HF saturation or latching.
Les résultats obtenus sont conformes aux spécifications d'objectif. On ne sortira pas du cadre de la présente invention en améliorant la protection des transistors de sortie, qui du fait de la vitesse de montée de l'amplfificateur peuvent être détruites par un transitoire ou un signal parasite HF important sur l'entrée. The results obtained comply with the objective specifications. It will not be departing from the scope of the present invention to improve the protection of the output transistors, which, due to the rise speed of the amplifier, can be destroyed by a transient or a significant HF parasitic signal on the input.
Sachant que l'amplificateur réalisé est un exemple de réalisation prouvant la faisabilité du type de schéma conforme à -l'invention ainsi que son haut niveau de performances on ne sortira pas du cadre de la présente invention en optimisant ultérieurement le dispositif par exemple dans les directions suivantes
- introduction d'une protection des transistors finaux contre les surcharges en intensité. L'adjonction, au circuit existant, d'un blocage des bases des transistors de sortie, selon le montage classiquement employé dans les amplificateurs audiofréquence, a provoqué des distorsions des signaux de fréquence élevée, voire des accrochages lorsque l'on augmentait l'amplitude.On peut alors prévoir une limitation du signal dès les étages d'entrée- n'augmentant pas les distorsions en fonctionnement normal
- diminution des coûts de fabrication en- étudiant particulièrement l'achat d composants électroniques moins onéreux (dans les limites des spécifications exigées par ce montage), le remplacement de l'amplificateur opérationnel par d'autres types de composants similaires-ou moins performants et enfin le montage mécanique.Knowing that the amplifier produced is an exemplary embodiment proving the feasibility of the type of diagram according to the invention as well as its high level of performance, we will not depart from the scope of the present invention by subsequently optimizing the device, for example in the following directions
- introduction of protection of the final transistors against current overloads. The addition, to the existing circuit, of a blocking of the bases of the output transistors, according to the assembly conventionally employed in audio-frequency amplifiers, caused distortions of the high-frequency signals, or even clashes when the amplitude was increased. .We can then provide a limitation of the signal from the input stages - not increasing the distortions in normal operation
- reduction in manufacturing costs by particularly studying the purchase of less expensive electronic components (within the limits of the specifications required by this assembly), the replacement of the operational amplifier by other types of similar or less efficient components and finally the mechanical assembly.
La conception du montage apparaît vue d'ensemble, en figure (10) comme classique par la présence en sortie de transistors darlingtons et par la stabilisation de leur courant de repos. The design of the assembly appears as an overall view, in FIG. (10), as conventional by the presence at the output of Darlington transistors and by the stabilization of their quiescent current.
Mais dans ce cas, étage final n'est pas conçu comme un simple amplificateur d'intensité faisant suite à un amplificateur de tension unique. But in this case, final stage is not conceived as a simple current amplifier following a single voltage amplifier.
(T4) et (T'4) sont en fait chacun partie intégrante d'une cellule d'amplification, l'une positive, l'autre négative, indépendante l'une de l'autre. (T4) and (T'4) are in fact each an integral part of an amplification cell, one positive, the other negative, independent of each other.
Ces amplificateurs élémentaires sont étudiés avec de forts taux de contre-réaction pour minimiser l'incidence de la dispersion inévitable des caractéristiques des composants sur leur gain. These elementary amplifiers are designed with high feedback rates to minimize the impact of the inevitable dispersion of the characteristics of the components on their gain.
L'établissement du courant I au niveau de l'interconnexion des parties positive et négative doit aussi faire appel à une contreréaction car il s'agit
- de conserver dans (T6) un courant donné
-d'assurer l'excitation de (T4) et (T'4) en tout point de la dynamique et par conséquent indépendamment de celle-ci. The establishment of the current I at the level of the interconnection of the positive and negative parts must also call for a counter-reaction because it is
- to keep in (T6) a given current
- to ensure the excitation of (T4) and (T'4) at any point of the dynamic and therefore independently of it.
il en découlé la conception du symétriseur précédemment détaillé : l'optocoupleur est un des rares composants ayant ces caractéristiques. This resulted in the design of the previously detailed balun: the optocoupler is one of the rare components having these characteristics.
L'application qui est faite du coupleur opto-électronique dans le présent montage est nouvelle car habituellement le coupleur opto-électronique est utilisé pour le couplage d'un dispositif de commande avec le montage qui lui est asservi, l'un et l'autre ayant des potentiels de référence distincts et non compatibles. The application which is made of the opto-electronic coupler in the present assembly is new because usually the opto-electronic coupler is used for the coupling of a control device with the assembly which is slaved to it, both. having distinct and incompatible reference potentials.
L'étage d'entrée et les cellules d'amplification (1) et (2) peuvent en outre être réalisées selon d'autres modes de réalisation et comporter des transistors en nombre différent sans pour cela sortir du cadre de la présente invention. The input stage and the amplification cells (1) and (2) can also be produced according to other embodiments and include different number of transistors without departing from the scope of the present invention.
On ne sortira pas non plus du cadre de la présente invention en utilisant, à la place de l'optocoupleur, un groupe d'optocoupleurs réalisant les mêmes fonctions si par exemple on désire obtenir un coefficient de transfert K plus important. Nor will it be departing from the scope of the present invention to use, instead of the optocoupler, a group of optocouplers performing the same functions if, for example, it is desired to obtain a higher transfer coefficient K.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8217428A FR2534749B1 (en) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER WITH SYMMETRICAL CONFIGURATION COMPRISING A SYMMETRIC CIRCUIT |
Applications Claiming Priority (1)
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| FR8217428A FR2534749B1 (en) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER WITH SYMMETRICAL CONFIGURATION COMPRISING A SYMMETRIC CIRCUIT |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| FR2534749A1 true FR2534749A1 (en) | 1984-04-20 |
| FR2534749B1 FR2534749B1 (en) | 1988-03-04 |
Family
ID=9278364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8217428A Expired FR2534749B1 (en) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER WITH SYMMETRICAL CONFIGURATION COMPRISING A SYMMETRIC CIRCUIT |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| FR (1) | FR2534749B1 (en) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2534749B1 (en) | 1988-03-04 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |