FR2517294A1 - Transparent hard tin-doped indium oxide coating prodn. - with low electrical resistance from indium chelate alkoxide and tin chelate or alkoxide - Google Patents

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Abstract

Coating compsn. comprises (a) 100 pts. in cpd. of formula In(X)l(Y)m and (b) 5-20 pts. Sn cpd. of formula Sn(X')2 or Sn.

Description

La présente invention se rapporte à une composition pour déposer des revêtements en une pellicule d'un oxyde métallique, et plus particulièrement, elle se rapporte à une composition appropriée au dép8t de revêtements d'une pellicule d'oxyde d'indium dopé à l'étain qui sont transparents, durcis et ayant une faible résistivité électrique, sur un substrat par un procédé de revêtement par plongée. The present invention relates to a composition for depositing coatings in a film of a metal oxide, and more particularly, it relates to a composition suitable for coating deposition of a film of indium oxide doped with tin which are transparent, cured and having low electrical resistivity, on a substrate by a dipping coating method.

Des revêtements en pellicule mince d'oxyde d'indium sur des substrats comme du verre ont été obtenus par le procédé de dép8t sous vide, mais ce processus se révèle souvent trop coûteux pour des applications industrielles. Une pulvérisation des solutions contenant un composé d'indium sur un substrat chauSSé est recommandée dans ce but mais cependant, ce processus nécessite des dispositifs et techniques compliqués. Afin de déposer des revêtements en pellicule mince d'oxyde dtindium sur un substrat ayant une grande surface, le procédé de revêtement par plongée semble être le plus souhaitable d'un pointde vue industriel.Une solution organique contenant des composés d'indium tels que l'acétyl-acéto- nate d'indium et des alcoolates d'indium peut être appropriée pour le procédé de pulvérisation mais cependant, les alcoolates d'indium ont tendance à s'hydrolyser pendant le revêtement de la solution ou pendant l'évapora- tion du solvant dans le cas où lton emploie le procédé de revêtement par plongée, et le composé hydrolysé et trouble enduit sur le substrat a pour résultat un dépôt de revêtements de pellicule opaque d'oxyde d'indium.En ce qui concerne l'acéto-acétonate d'indium, bien qu'il ne s'hydrolyse pas pendant le revêtement de la solution ou pendant l'svaporation du solvant, les revêtements de pellicule d'oxyde d'indium que l'on obtient par le procédé de revêtement par plongée ne sont pas transparents de façon satisfaisante du fait de raies sur les revêtements , qui apparaissent au cours de la cuisson. Indium oxide thin film coatings on substrates such as glass have been obtained by the vacuum deposition process, but this process is often too expensive for industrial applications. Spraying of solutions containing an indium compound on a heated substrate is recommended for this purpose, however, this process requires complicated devices and techniques. In order to deposit indium oxide thin film coatings on a substrate having a large area, the dipping coating method appears to be the most desirable from an industrial point of view. An organic solution containing indium compounds such as Indium acetylacetonate and indium alkoxides may be suitable for the spraying process, but indium alkoxides tend to hydrolyze during coating of the solution or during evaporation. solvent in the case where the dipping coating method is used, and the hydrolysed and cloudy compound coated on the substrate results in a deposit of opaque indium oxide film coatings.In the case of indium acetonate, although it does not hydrolyze during the coating of the solution or during the evaporation of the solvent, the indium oxide film coatings obtained by the coating process Plunging diapers are not satisfactorily transparent due to streaks on the coatings, which appear during cooking.

La présente invention a par conséquent pour objet une composition adaptée au dépôt des revêtements en pellicule transparente , qui sont principalement composés d'oxyde d'indium sur un substrat au moyen du procédé de revêtement par plongée. The present invention therefore relates to a composition suitable for depositing clear film coatings, which are mainly composed of indium oxide on a substrate by means of the dipping coating method.

La présente Brvento-n à pour autre objet un dépôt d'un revêtement d'une pellicule d'oxyde d'indien ayant une faible résistivité électrique. The present Brvento-n has for another object a deposit of a coating of a film of Indian oxide having a low electrical resistivity.

La composition selon l'invention comprend 100 parties d'un composé d'indium représenté par la formule (I)
In(X) (Y)m ( I ) où X indique un noyau chélaté formé de)3-dicétones, d'alkyl esters inférieurs de ss -cétoacides ,O(-hydroxyacides ou alcanolamines, où Y indique un alcoolate formé par des alcools aliphatiques des alcoylènes glycols ou des alkyl-monoéthers inférieurs d'alcoylène glycols, et @ et m indiquent 1 ou 2 avec la relation t + m = 3; et de 5 à 20 parties d'un composé dtétain représenté par la formule (II) Sn(X')2 ou Sn(Y')m@ (II) où X' désigne un noyau chélaté formé de fi -dicétones ou alkyl esters inférieurs de ss -cétoacides,
Y' indique un alcoolate formé par des alcools aliphatiques, et m' indique 2 ou 4, et la composition est appropriée au dépôt de revêtements d'une pellicule transparente, durcie et de faible résistivité en oxyde d'indium dopé à l'étain sur un substrat au moyen du procédé de revêtement par plongée.The composition according to the invention comprises 100 parts of an indium compound represented by the formula (I)
In (X) (Y) m (I) where X denotes a chelated nucleus of 3-diketones, lower alkyl esters of ss-keto acids, O- (hydroxy acids or alkanolamines), where Y denotes an alcoholate formed by alcohols aliphatic alkylene glycols or lower alkyl monoethers of alkylene glycols, and @ and m are 1 or 2 with the relationship t + m = 3 and 5 to 20 parts of a tin compound represented by the formula (II) Sn (X ') 2 or Sn (Y') m @ (II) where X 'denotes a chelated nucleus formed of α-diketones or lower alkyl esters of α-ketoacids,
Y 'denotes an alcoholate formed by aliphatic alcohols, and indicates 2 or 4, and the composition is suitable for depositing coatings of a clear, cured, low-resistivity film of tin-doped indium oxide on a substrate by the dipping coating method.

Les composés d'indium représentés par la formule (I) sont caractérisés en ce qu'ils possèdent (X)1 et (Y)m dans la molécule, et de préférence X et Y sont tels que mentionnés ci-après;
X : un noyau chélaté formé par l'acétylacétone, le méthyl ou ethyl-ester de l'acide acétoacétique, de l'acide lactique et triéthanolamine, et
Y : alcoolate formé d'alcool butylique, alcool octylique, octylène glycol et monométhylether de l'éthylène glycol. The indium compounds represented by the formula (I) are characterized by having (X) 1 and (Y) m in the molecule, and preferably X and Y are as mentioned below;
X: a chelated nucleus formed by acetylacetone, methyl or ethyl ester of acetoacetic acid, lactic acid and triethanolamine, and
Y: butyl alcohol alcoholate, octyl alcohol, octylene glycol and ethylene glycol monomethyl ether.

Le composé dlindium possédant deux noyau: chélatés formés d acétoacétonate de méthyle et de n-butoxyde peut être préparé, par exernple, par réaction de chlorure d'indium (InCl3) dissous dans un solvant organique inerte tel que du n-hexane avec deux fois mole d'acetoacetonatede méthyle et un excès d'alcool nbutylique en présence d'un agent de liaison d'acide comme la triéthylamine. Le composé obtenu peut être indiqué par la formule de structùre qui suit

Figure img00030001
The indium compound having two nucleus: chelates formed of methyl acetoacetonate and n-butoxide can be prepared, for example, by reaction of indium chloride (InCl 3) dissolved in an inert organic solvent such as n-hexane with twice mole of methyl acetoacetonate and an excess of n-butyl alcohol in the presence of an acid binding agent such as triethylamine. The compound obtained can be indicated by the following structural formula
Figure img00030001

Les composés d'indium ne doivent pas nécessaire- ment être des composés purs, mais ils peuvent être des mélanges de composés représentés par la formule (I). The indium compounds need not be pure compounds, but may be mixtures of compounds represented by the formula (I).

Pour les composés d'étain représentés par la formule (II), qui possèdent 2'ou Y' dans la molécule, de préférence X' et Y' sont tels que mentionnés ci-après
X': noyau chélaté formé par l'acétylacétone et l'acétoacé tonatede méthyle, et
Y': alcoolate formé par l'alcool butylique et l'alcool octylique.For the tin compounds represented by the formula (II), which have 2 'or Y' in the molecule, preferably X 'and Y' are as mentioned below
X ': chelated nucleus formed by acetylacetone and methylated acetoacetic acid, and
Y ': alcoholate formed by butyl alcohol and octyl alcohol.

Les composés d'étain ne doivent pas nécessairement être des composés purs mais ils peuvent être des mélanges de composés représentés par la formule (II).  The tin compounds need not be pure compounds but they can be mixtures of compounds represented by the formula (II).

Dans le cadre de la présente invention,les compositions sont utilisées sous forme d'une solution organique. Afin d'obtenir une solution non hydrolysée pendant le revêtement de la solution ou pendant évaporation du solvant organique à partir de la solution enduite, le composé dtindium doit être accompagné du composé d'étain à une quantité de 5 à 20 parties pour 100 parties du premier. In the context of the present invention, the compositions are used in the form of an organic solution. In order to obtain an unhydrolyzed solution during the coating of the solution or during the evaporation of the organic solvent from the coated solution, the indium compound must be accompanied by the tin compound in an amount of 5 to 20 parts per 100 parts of the first.

Les solvants organiques employés pour préparer les solutions organiques de la compositinn ne sont pas particulièrement limités mais, cependantt en considérant la facilité d'évaporation du solvant par rapport à la solution enduite, on emploie habituellement des alcools aliphatiques et des esters d'acides aliphatiques ayant des points d'ébullition inférieurs à environ 1800C, ainsi que leurs mélanges. Parmi eux, on utilise de préférence des alcools aliphatiques ayant moins de 5 atomes de carbone et des esters de l'acide acétique. The organic solvents used to prepare the organic solutions of the compositin are not particularly limited but, however, considering the ease of evaporation of the solvent over the coated solution, aliphatic alcohols and aliphatic boiling points below about 1800C, as well as mixtures thereof. Of these, aliphatic alcohols having less than 5 carbon atoms and esters of acetic acid are preferably used.

Les solutions organiques contenant la composition sont préparées dans des conditions ordinaires, et la concentration du composant dans la solution est habituellement établie à 1 à 50% en poids. The organic solutions containing the composition are prepared under ordinary conditions, and the concentration of the component in the solution is usually set at 1-50% by weight.

L'application des solutions organiques sur un substrat est effectuée par le procédé de revêtement par plongée comprenant des procédés tels qu'une plongée d'un substrat dans une solution et le retrait à une allure prédéterminée, en immergeant un substrat dans la solution et en pompant ou en retirant la solution, et en faisant tourner un substrat et en appliquant une quantité souhaitée de la solution au substrat pendant la rotation afin de forcer la force centrifuge à étaler la solution sur le substrat. The application of the organic solutions to a substrate is performed by the dipping coating method comprising methods such as dipping a substrate into a solution and removing at a predetermined rate, immersing a substrate in the solution and pumping or removing the solution, and rotating a substrate and applying a desired amount of the solution to the substrate during rotation to force the centrifugal force to spread the solution on the substrate.

L'épaisseur des revêtements résultants peut être contrôlée en faisant varier la concentration du composant dans la solution, en faisant varier ltallure du retrait du substrat par rapport à la solution ou en faisant varier la vitesse de rotation du substrat. The thickness of the resulting coatings can be controlled by varying the concentration of the component in the solution, varying the extent of shrinkage of the substrate from the solution or by varying the rotational speed of the substrate.

La solution enduite sur un substrat n'est pas affectée par l'humidité atmosphérique jusqu'à ce qu'ex ait été concentrée par évaporation du solvant par rapport à la solution enduite, lors du séchage du substrat. Le séchage est habituellement effectué à 50 à 100 C pendant 10 minutes à 3 heures, et une couche mince et claire ou transparente du- composant est laissée à la surface du substrat. Le composant est stable jusqu'à ce que l'évaporation soit terminée, et c'est l'une des distinctions principales de la présente invention par rapport à l'art antérieur. The solution coated on a substrate is not affected by the atmospheric moisture until ex has been concentrated by evaporation of the solvent from the coated solution during drying of the substrate. Drying is usually carried out at 50 to 100 ° C for 10 minutes to 3 hours, and a thin, clear or transparent layer of the component is left on the surface of the substrate. The component is stable until evaporation is complete, and this is one of the main distinctions of the present invention over the prior art.

Comme on l'a expliqué ci-dessus, comme la composition est stable pendant son séchage quand elle est enduite sur un substrat, elle est particulièrement appropriée à une application de la solution sur un substrat par les procédés précédemment mentionnés. Il faut comp m be que la solution stapplique également à des procédés de dépôt de pellicule employant la pulvérisation et un aérosol, bien que ceux-ci ne présentent que peu de risques d'une hydrolyse du composant par l'humidité atmosphérique. As explained above, since the composition is stable during drying when coated on a substrate, it is particularly suitable for application of the solution to a substrate by the previously mentioned methods. It should be understood that the solution also applies to film deposition processes employing spraying and aerosol, although these pose little risk of hydrolysis of the component by atmospheric moisture.

Les substrats enduits d'une couche mince du composant sont cuits dans des conditions ordinaires telles qu'une température de 300 à 800 OC pendant 10 minutes à 2 heures. Les revttements de pellicule d'oxyde métallique déposés sur un substrat après cuisson sont faits en oxyde d'indium dopé d'étain, qui estdur et transparent, et les revêtements possèdent une faible résistivité électriqee. En conséquence, les revêtements obtenus selon l'invention sont utiles dans les domaines de l'optique, de 11 électronique et de l'énergie solaire.
Exemples
Des solutions contenant le composant ont été préparées selon les prescriptions mentionnées au tableau 1.Substrates coated with a thin layer of the component are fired under ordinary conditions such as a temperature of 300 to 800 OC for 10 minutes to 2 hours. The metal oxide film coatings deposited on a substrate after firing are made of tin-doped indium oxide, which is clear and transparent, and the coatings have a low electrical resistivity. As a result, the coatings obtained according to the invention are useful in the fields of optics, electronics and solar energy.
Examples
Solutions containing the component were prepared according to the requirements mentioned in Table 1.

Une plaque en un verre alcalin ayant pour dimensions 70X3OXîmm a été plongée dans la solution, et la plaque en verre a été retirée à raison de 20 cm/ minute. La plaque en verre enduite de la solution a été séchée à 60 C pendant 30 minutes pour vaporiser le solvant. La plaque séchée et enduite a été cuite à 5000C pendant 30 minutes.An alkaline glass plate having the dimensions 70 × 100 mm was dipped into the solution, and the glass plate was removed at a rate of 20 cm / minute. The glass plate coated with the solution was dried at 60 ° C for 30 minutes to vaporize the solvent. The dried and coated plate was cooked at 5000C for 30 minutes.

Les revêtements en pellicule mince déposés sur la plaque en verre étalerrtdurs et transparents, et l'épaisseur et la résistance de la feuille sont indiqués au tableau 2.

Figure img00060001
The thin film coatings deposited on the glass plate are transparent and transparent, and the thickness and strength of the sheet are shown in Table 2.
Figure img00060001

Tableau <SEP> 1
<tb> Com- <SEP> In(X)2 <SEP> (Y)m <SEP> Sn(X')2 <SEP> ou <SEP> Sn(Y')m' <SEP> Solution <SEP> du
<tb> posi- <SEP> composant
<tb> tion <SEP> Composé <SEP> Composé <SEP> Composé <SEP> Composé
<tb> avec <SEP> avec <SEP> avec <SEP> avec
<tb> lequel <SEP> X <SEP> lequel <SEP> Y <SEP> 1 <SEP> m <SEP> Parties <SEP> lequel <SEP> X' <SEP> lequel <SEP> Y' <SEP> m' <SEP> parties <SEP> Solvant <SEP> Parties
<tb> N <SEP> est <SEP> est <SEP> est <SEP> est
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<tb> 2 <SEP> AA <SEP> i-OcOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> i-OcOH <SEP> 4 <SEP> 1 <SEP> EtAc <SEP> 90
<tb> 3 <SEP> AA <SEP> i-OcOH <SEP> 1 <SEP> 2 <SEP> 10 <SEP> n-BuOH <SEP> 4 <SEP> 1 <SEP> EtAc <SEP> 90
<tb> 4 <SEP> AA <SEP> OcG <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> n-BuOH <SEP> 4 <SEP> 1 <SEP> EtOH <SEP> 90
<tb> 5 <SEP> AA <SEP> EGMeE <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> n-BuOH <SEP> 4 <SEP> 1 <SEP> EtOH <SEP> 90
<tb> 6 <SEP> EAA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> n-BuOh <SEP> 4 <SEP> 1 <SEP> EtOH <SEP> 90
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<tb> 8 <SEP> MAA <SEP> n-BuOH <SEP> 1 <SEP> 2 <SEP> 10 <SEP> n-BuOH <SEP> 4 <SEP> 1 <SEP> EtOH <SEP> 90
<tb> 9 <SEP> MAA <SEP> i-OcOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> 10 <SEP> n-BuOh <SEP> 4 <SEP> 1 <SEP> EtOH <SEP> 90
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<tb> 12 <SEP> MAA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> EtAc <SEP> 90
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<tb> (voir page suivante) Tableau 1

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Table <SEP> 1
<tb> Com- <SEP> In (X) 2 <SEP> (Y) m <SEP> Sn (X ') 2 <SEP> or <SEP> Sn (Y') m '<SEP> Solution <SEP> of
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<tb> 9 <SEP> MAA <SEP> i-OcOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> 10 <SEP> n-BuOh <SEP> 4 <SEP> 1 <SEP> EtOH <SEP > 90
<tb> 10 <SEP> LA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> n-BuOH <SEP> 4 <SEP> 1 <SEP> MeOH <SEP> 90
<tb> 11 <SEP> TEA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> n-BuOH <SEP> 4 <SEP> 1 <SEP> EtOH <SEP> 90
<tb> 12 <SEP> MAA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> EtAc <SEP> 90
<tb> 13 <SEP> MAA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> MAA <SEP> 1 <SEP> EtAc <SEP> 90
<tb> 14 <SEP> MAA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> t-BuOH <SEP> 4 <SEP> 1 <SEP> EtAc <SEP> 90
<tb> 15 <SEP> MAA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> t-BuOH <SEP> 4 <SEP> 1.5 <SEP> EtAc <SEP> 90
<tb> (see next page) Table 1
Figure img00070001

Solution <SEP> du
<tb> Com- <SEP> In(X)1(Y)m <SEP> Sn(X')2 <SEP> ou <SEP> Sn(Y')m'
<tb> composant
<tb> posi
Composé <SEP> Composé <SEP> Composé <SEP> Composé
<tb> tion
<tb> avec <SEP> avec <SEP> avec <SEP> avec
<tb> lequel <SEP> lequel <SEP> Y <SEP> 1 <SEP> m <SEP> Parües <SEP> lequel <SEP> X' <SEP> lequel <SEP> Y' <SEP> m' <SEP> Parties <SEP> Solvant <SEP> Parties
<tb> N
<tb> X <SEP> est <SEP> est <SEP> est <SEP> est
<tb> formé <SEP> formé <SEP> formé <SEP> formé
<tb> 16 <SEP> MAA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> t-BuOH <SEP> 4 <SEP> 0,5 <SEP> EtAc <SEP> 90
<tb> 17 <SEP> MAA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> MAA <SEP> 1 <SEP> EtAc <SEP> 40
<tb> 18 <SEP> MAA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> MAA <SEP> 1 <SEP> CH2Cl2 <SEP> 40
<tb> 19 <SEP> AA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> AA <SEP> 1 <SEP> CHCl3 <SEP> 90
<tb> 20 <SEP> MAA <SEP> i-OcOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> MAA <SEP> 1 <SEP> EtAC <SEP> 90
<tb> 21 <SEP> MAA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> MAA <SEP> 2 <SEP> EtAc <SEP> 90
<tb> Remarques :AA : acétylacétone; EAA : acétoacétonate d'éthyle; MAA : acétoacétonate de méthyle; LA : acide lactique; TEA : triéthanolamine ; OcG : octylène glycol ; EGMeE : mono-méthylether de l'éthylène glycol; BuOH : alcool butylique; OcOH : alcool octylique; EtAc : acétate d'éthyle. Solution <SEP> of
<tb> Com- <SEP> In (X) 1 (Y) m <SEP> Sn (X ') 2 <SEP> or <SEP> Sn (Y') m '
<tb> component
<tb> posi
Compound <SEP> Compound <SEP> Compound <SEP> Compound
<tb> tion
<tb> with <SEP> with <SEP> with <SEP> with
<tb> which <SEP> which <SEP> Y <SEP> 1 <SEP> m <SEP> Parües <SEP> which <SEP> X '<SEP> which <SEP>Y'<SEP> m '<SEP> Parts <SEP> Solvent <SEP> Parts
<tb> N
<tb> X <SEP> is <SEP> is <SEP> is <SEP> is
<tb> formed <SEP> formed <SEP> formed <SEP> formed
<tb> 16 <SEP> MAA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> t-BuOH <SEP> 4 <SEP> 0.5 <SEP> EtAc <SEP> 90
<tb> 17 <SEP> MAA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> MAA <SEP> 1 <SEP> EtAc <SEP> 40
<tb> 18 <SEP> MAA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> MAA <SEP> 1 <SEP> CH2Cl2 <SEP> 40
<tb> 19 <SEP> AA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> AA <SEP> 1 <SEP> CHCl3 <SEP> 90
<tb> 20 <SEP> MAA <SEP> i-OcOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> MAA <SEP> 1 <SEP> EtAC <SEP> 90
<tb> 21 <SEP> MAA <SEP> n-BuOH <SEP> 2 <SEP> 1 <SEP> 10 <SEP> MAA <SEP> 2 <SEP> EtAc <SEP> 90
<tb> Notes: AA: acetylacetone; EAA: ethyl acetoacetonate; MAA: methyl acetoacetonate; LA: lactic acid; TEA: triethanolamine; OcG: octylene glycol; EGMEE: mono-methylether of ethylene glycol; BuOH: butyl alcohol; OcOH: octyl alcohol; EtAc: ethyl acetate.

Tableau 2

Figure img00080001
Table 2
Figure img00080001

Numéro <SEP> de <SEP> la <SEP> Numéro <SEP> de <SEP> la
<tb> composition <SEP> avec <SEP> Epaisseur <SEP> Résistance <SEP> composition <SEP> avec <SEP> Epaisseur <SEP> Résistance
<tb> laquelle <SEP> a <SEP> été <SEP> en <SEP> feuille <SEP> laquelle <SEP> a <SEP> été <SEP> en <SEP> feuille
<tb> déposé <SEP> le <SEP> déposé <SEP> le
<tb> ( ) <SEP> (K <SEP> ohm/#) <SEP> ( ) <SEP> (K <SEP> ohm/#)
<tb> revêtement <SEP> en <SEP> revêtement <SEP> en
<tb> pellicule <SEP> pellicule
<tb> 1 <SEP> 300 <SEP> 20 <SEP> 12 <SEP> 400 <SEP> 7
<tb> 2 <SEP> 350 <SEP> 15 <SEP> 13 <SEP> 500 <SEP> 6
<tb> 3 <SEP> 300 <SEP> 35 <SEP> 14 <SEP> 400 <SEP> 8
<tb> 4 <SEP> 300 <SEP> 30 <SEP> 15 <SEP> 350 <SEP> 10
<tb> 5 <SEP> 350 <SEP> 20 <SEP> 16 <SEP> 300 <SEP> 15
<tb> 6 <SEP> 450 <SEP> 5 <SEP> 17 <SEP> 1000 <SEP> 2
<tb> 7 <SEP> 400 <SEP> 7 <SEP> 18 <SEP> 1300 <SEP> 1,3
<tb> 8 <SEP> 400 <SEP> 10 <SEP> 19 <SEP> 800 <SEP> 3
<tb> 9 <SEP> 350 <SEP> 15 <SEP> 20 <SEP> 300 <SEP> 15
<tb> 10 <SEP> 300 <SEP> 40 <SEP> 21 <SEP> 300 <SEP> 20
<tb> 11 <SEP> 300 <SEP> 25
<tb> Number <SEP> of <SEP><SEP> Number <SEP> of <SEP>
<tb> composition <SEP> with <SEP> Thickness <SEP> Strength <SEP> composition <SEP> with <SEP> Thickness <SEP> Resistance
<tb> which <SEP> has <SEP> been <SEP> in <SEP> sheet <SEP> which <SEP> has <SEP> been <SEP> in <SEP> sheet
<tb> filed <SEP> on <SEP> filed <SEP> on
<tb> () <SEP> (K <SEP> ohm / #) <SEP> () <SEP> (K <SEP> ohm / #)
<tb> coating <SEP> in <SEP> coating <SEP> in
<tb> film <SEP> film
<tb> 1 <SEP> 300 <SEP> 20 <SEP> 12 <SEP> 400 <SEP> 7
<tb> 2 <SEP> 350 <SEP> 15 <SEP> 13 <SEP> 500 <SEP> 6
<tb> 3 <SEP> 300 <SEP> 35 <SEP> 14 <SEP> 400 <SEP> 8
<tb> 4 <SEP> 300 <SEP> 30 <SEP> 15 <SEP> 350 <SEP> 10
<tb> 5 <SEP> 350 <SEP> 20 <SEP> 16 <SEP> 300 <SEP> 15
<tb> 6 <SEP> 450 <SEP> 5 <SEP> 17 <SEP> 1000 <SEP> 2
<tb> 7 <SEP> 400 <SEP> 7 <SEP> 18 <SEP> 1300 <SEP> 1,3
<tb> 8 <SEP> 400 <SEP> 10 <SEP> 19 <SEP> 800 <SEP> 3
<tb> 9 <SEP> 350 <SEP> 15 <SEP> 20 <SEP> 300 <SEP> 15
<tb> 10 <SEP> 300 <SEP> 40 <SEP> 21 <SEP> 300 <SEP> 20
<tb> 11 <SEP> 300 <SEP> 25
<Tb>

Claims (2)

Y indique un alccolate formé par des alcools aliphatiques, des alcoyiènes glycols aides alkyl mono-ethers inférieurs d'alcoylène glycols, et 1. Composition à dissoudre dans un solvant organique et à appliquer sur un substrat pour déposer, sur ledit substrat, des revêtements d'une pellicule d'un oxyde métallique, caractérisée en ce qu'elle se compose essentiellement de 100 parties d'un composé d'indium représenté par la formule In(X)l(Y)m où X indique un noyau chélaté formé de /3-dicétones, alkyl esters inférieurs de ss - acétoacides, &alpha;- hydroxyacides ou alcanolamines, REVENDICATIONSY denotes an aliphatic alcohols aliphatic alkyl, lower alkylene glycol monoalkylene alkyl glycols, and 1. A composition for dissolving in an organic solvent and applying to a substrate for depositing onto said substrate a film of a metal oxide, characterized in that it consists essentially of 100 parts of an indium compound represented by the formula In (X) 1 (Y) m where X denotes a chelated nucleus formed from 3-diketones, lower alkyl esters of ss-acetoacids, &alpha; -hydroxyacids or alkanolamines, 1 et m indiquentîou 2 avec la relation l+m=3; ; et de 5 à 20 parties d'un composé d'étain représenté par la formule 1 and m indicate or 2 with the relation l + m = 3; ; and from 5 to 20 parts of a tin compound represented by the formula Sn(X')2 ou Sn(Y')m, où X' indique un noyau chélaté formé de ss -dicétones ou alkyl esters inférieurs de ss- céroacides, Sn (X ') 2 or Sn (Y') m, where X 'denotes a chelated nucleus formed of ss-diketones or lower alkyl esters of s-cero acids, Y' indique un alcoolate formé d'alcools aliphatiques, Y 'denotes an alcoholate formed of aliphatic alcohols, m' indique 2 ou 4. m 'indicates 2 or 4. Y' indique un alcoolate formé d'alcool butylique ou d' alcool octylique. Y 'denotes an alcoholate of butyl alcohol or octyl alcohol. X' indique un noyau chélaté formé d'acétylacétone ou de acéto-acétonate de méthyle, etX 'denotes a chelated nucleus formed of acetylacetone or methyl acetoacetate, and Y indique un alcoolate formé d'alcool butylique, d'alcool octylique, octylène glycol ou mono-méthyléther de l'éthylène glycol,Y indicates an alcoholate formed of butyl alcohol, octyl alcohol, octylene glycol or mono-methyl ether of ethylene glycol, X indique un noyau chélaté formé d'acétylacétone, méthyl ou éthyl - ester de l'acide acétoacétique,acide lactique ou triéthanolamine,X indicates a chelated nucleus consisting of acetylacetone, methyl or ethyl ester of acetoacetic acid, lactic acid or triethanolamine, 2. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que 2. Composition according to claim 1, characterized in that
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1154626A (en) * 1966-05-20 1969-06-11 Philips Electronic Associated Improvements relating to Heat-Reflecting Filters.
GB2021083A (en) * 1978-05-19 1979-11-28 Hitachi Ltd Process for producing transparent conductive film

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