FR2486226A1

FR2486226A1 - Width measuring appts. for mask in chip mfr. - uses interference to produce fringes with slit and Bragg cell excited by ultrasonic waves of two frequencies

Info

Publication number: FR2486226A1
Application number: FR8014910A
Authority: FR
Inventors: Bernard Picard
Original assignee: EFCIS
Current assignee: EFCIS
Priority date: 1980-07-04
Filing date: 1980-07-04
Publication date: 1982-01-08

Abstract

The device measures the width of a long element such as a slit on the masks used in microelectronics. The device contains a Bragg cell (1) receiving a light beam (fo) and which is excited by ultrasonic waves with two frequencies (F1,F2) which can vary symmetrically in relation to a reference frequency. A microscope lens (10) causes the two diffracted beams (with frequencies (f1,f2) produced by the Bragg cell (1) to interfere in the plane of the slit (12) whose width must be measured. The distance between interference fringes can be adjusted so that for example it coincides with the slit width. After the slit (12) the light passes through another microscope lens (13), a diaphragm (15) and is detected by a photocell (5). The adjustment allows variations of 1 to 20mHz for the frequencies of each of the distinct waves and the reference.

Description

PROCEDE ET DISPOSITIF DE MESURE DE LA LARGEUR D'UN ELEMENT ALLONGE
La présente invention concerne un procédé et un dispositif de mesure de la largeur d'un élément allongé.METHOD AND DEVICE FOR MEASURING THE WIDTH OF AN ELONGATED ELEMENT
The present invention relates to a method and a device for measuring the width of an elongated element.

Plus particulièrement, on s'intéressera ici à la mesure de motifs élémentaires sur un masque utilisé en microélectronique pour définir des structures sur une plaquette semiconductrice. En effet, dans le domaine de la microélectronique, on arrive actuellement à des motifs élémentaires dont les dimensions peuvent être inférieures au micron. I1 est donc important, avant d'utiliser un masque ou des répliques d'un masque maître, de pouvoir vérifier la conformité des dimensions des motifs de ce masque avec des dimensions prédéterminées.Dans ia gamme des dimensions recherchées, les procédés utilisant une visualisation directe d'une image au microscope, éventuellement avec projection sur écran de télévision, ne fournissent pas une précision supérieure à 0,3 micron. I1 est envisagé ici d'utiliser des techniques voisines de celles utilisées en microphotographie dite d'interférométrie latérale. More particularly, we will focus here on the measurement of elementary patterns on a mask used in microelectronics to define structures on a semiconductor wafer. Indeed, in the field of microelectronics, we are currently arriving at elementary patterns whose dimensions may be less than one micron. It is therefore important, before using a mask or replicas of a master mask, to be able to verify the conformity of the dimensions of the patterns of this mask with predetermined dimensions. In the range of dimensions sought, the methods using direct visualization of an image under a microscope, possibly with projection on a television screen, do not provide an accuracy greater than 0.3 microns. I1 is envisaged here to use techniques similar to those used in microphotography called lateral interferometry.

Les techniques d'interférométrie latérale sont par exemple décrites dans le brevet américain de Holly
N 3 953 128 accordé le 27 avril 1976 ou dans un article de S. Holly paru dans Proceedings of the Society of Photo
Optical Instrumentation Engineers volume 55 - 21-23 août 1974 - pages 90 à 95.Lateral interferometry techniques are for example described in the American patent of Holly
N 3 953 128 granted on April 27, 1976 or in an article by S. Holly published in Proceedings of the Society of Photo
Optical Instrumentation Engineers volume 55 - August 21-23, 1974 - pages 90 to 95.

Dans cet article et dans ce brevet, Holly décrit un dispositif de mesure de -largeur de filament ou de largeur de fente correspondant sensiblement au montage repue senté en figure 1 ci-jointe. Dans ce montage, un faisceau laser de fréquence optique f est dirigé vers une cellule acoustooptique de Bragg excitée par des ondes progressives de fréquence F. On obtient à la sortie de la cellule un premier faisceau non dévié de même fréquence f0 que le faisceau incident et un faisceau devie correspondant à une diffraction du premier ordre de fréquence optique f'0 = f0 + F. Un système optique 2 schématisé sous la forme d'une lentille fait converger les faisceaux de fréquence f0 et f'0 dans une zone 3 au niveau de laquelle est disposée la fente à mesurer d'un masque 4.La lumière traversant la fente est recueillie par une photocellule 5 fournissant un signal de sortie à une borne 6. Dans le plan du masque 4, les deux faisceaux de fréquence f0 et f'0 fournissent des franges d'interférence parallèles à la grande dimension de la fente à mesurer. Ce système de franges d'interférence défile dans la direction de la largeur de la fente à la fréquence F. Ainsi, quand le pas des franges d'interférence est égal à la dimension de la fente à mesurer ou est un sous-multiple de cette dimension, le signal à la sortie 6 de la cellule 5 est constant. Par contre, quand le pas des franges diffère de la largeur de la fente à mesurer, un signal oscillant à la fréquence F est observé sur cette sortie 6.Ainsi, à condition de pouvoir déterminer et modifier convenablement le pas des franges d'interférence, on peut simplement mesurer la dimension d'une fente par une méthode de zéro particulièrement précise. In this article and in this patent, Holly describes a device for measuring the filament width or the width of the slot corresponding substantially to the assembly shown in FIG. 1 attached. In this arrangement, a laser beam of optical frequency f is directed towards a Bragg acoustooptical cell excited by progressive waves of frequency F. A first non-deflected beam of the same frequency f0 is obtained at the exit of the cell and a beam of deviation corresponding to a diffraction of the first order of optical frequency f'0 = f0 + F. An optical system 2 shown diagrammatically in the form of a lens converges the beams of frequency f0 and f'0 in a zone 3 at the level of which the slit to be measured of a mask is arranged. The light passing through the slit is collected by a photocell 5 providing an output signal to a terminal 6. In the plane of the mask 4, the two beams of frequency f0 and f '0 provide interference fringes parallel to the large dimension of the slit to be measured. This system of interference fringes scrolls in the direction of the width of the slit at the frequency F. Thus, when the pitch of the interference fringes is equal to the dimension of the slit to be measured or is a sub-multiple of this dimension, the signal at the output 6 of cell 5 is constant. On the other hand, when the pitch of the fringes differs from the width of the slit to be measured, a signal oscillating at the frequency F is observed on this output 6. Thus, provided that it is possible to determine and modify the pitch of the interference fringes properly, one can simply measure the dimension of a slit by a particularly precise zero method.

Pour modifier le pas des franges, Holly propose trois procédés : premièrement, modifier la fréquence optique fO du faisceau laser incident ; deuxièmement, modifier le grandissement du système optique 2; troisièmement, modifier l'écart angulaire e entre les faisceaux f0 et f'0 en jouant sur la fréquence F dgexcitation de la cellule de Bragg. Le premier procédé, c'est-à-dire la modification de la longueur d'onde du laser est bien évidemment complexe à mettre en oeuvre. Le deuxième procédé consistant à jouer sur le grandissement du système optique 2 est également difficile à mettre en oeuvre en pratique et est susceptible d'entrainer une imprécision quand on vise à mesurer des dimensions de fentes de l'ordre du micron. To modify the pitch of the fringes, Holly proposes three methods: first, modify the optical frequency fO of the incident laser beam; second, to modify the magnification of the optical system 2; third, modify the angular difference e between the beams f0 and f'0 by playing on the frequency F dgexcitation of the Bragg cell. The first method, that is to say the modification of the wavelength of the laser is obviously complex to implement. The second method consisting in playing on the magnification of the optical system 2 is also difficult to implement in practice and is liable to cause an inaccuracy when it is aimed at measuring slot dimensions of the order of a micron.

En effet, cette opération exige des déplacements mécaniques, ou bien pour changer d'objectif, ou bien pour déplacer un objectif. Le troisième procédé consistantà jouer sur la fréquence d'excitation F de la cellule de Bragg apparaît donc comme le plus séduisant. Toutefois, dans l'article cité ci-dessus, Holly indique que la gamme de variation possible en jouant sur cette fréquence d'excitation est seulement de + 25 %, c'est-à-dire, par exemple, si l'appareil est réglé pour présenter une interfrange au niveau de la fente à mesurer de l'ordre du micron, cette interfrange pourra varier seulement entre 0,75 et 1,25 microns.Indeed, this operation requires mechanical movements, either to change the objective, or to move an objective. The third method of playing on the excitation frequency F of the Bragg cell therefore appears to be the most attractive. However, in the article cited above, Holly indicates that the range of variation possible by playing on this excitation frequency is only + 25%, that is to say, for example, if the device is set to present an interfringe at the level of the slot to be measured on the order of a micron, this interfringe may vary only between 0.75 and 1.25 microns.

Cette faible gamme de réglage possible est due au. fonctionnement intrinsèque d'une cellule de Bragg. Une telle cellule fournit un faisceau fO d'intensité maximale dans le premier ordre pour une certaine fréquence d'excitation déterminée, par exemple de l'ordre de 70 MHz. On obtient alors, à condition d'avoir convenablement orienté la cellule de Bragg 1 par rapport à la direction du faisceau incident, un angle entre le faisceau fO et le faisceau f0, de 0, par exemple de l'ordre de 11 mRd.Si l'on maintient constant, pour éviter tout réglage mécanique, l'orientation relative du faisceau incident et de la celer lule de Bragg, on ne pourra obtenir d'intensité notable dans le premier ordre tfO) que pour de faibles variations de la fréquence d'excitation F qui pourra varier par exemple de t 20 MHz, ce qui entraîne une variation de l'an- gle O de + 3 mRd.On notera en outre que ce réglage n'est pas exempt d'inconvénients du fait que, quand la fréquence d'excitation F varie et l'angle 8 varie, les deux faisceaux sortant de la cellule de Bragg f0 et f'0 ne sont plus symétriques par rapport à l'axe du système optique 2. I1 peut en résulter la nécessité de reréglages mécaniques, ce qui nuirait à la commodité et à la précision de la mesure
Ainsi, le dispositif décrit par Holly ne permet pas de mesurer simplement la largeur d'objets allongés de faible largeur pour une gamme de dimensions d'ob jets relativement importante.This small range of possible adjustment is due to. intrinsic functioning of a Bragg cell. Such a cell provides a beam f0 of maximum intensity in the first order for a certain determined excitation frequency, for example of the order of 70 MHz. An angle between the beam f0 and the beam f0, provided that the Bragg cell 1 is properly oriented relative to the direction of the incident beam, is then obtained 0, for example of the order of 11 mRd. the relative orientation of the incident beam and of the Bragg cell is kept constant, to avoid any mechanical adjustment, it will only be possible to obtain significant intensity in the first order (tfO) for small variations in the frequency d excitation F which may vary for example from t 20 MHz, which results in a variation of the angle O of + 3 mRd. It will also be noted that this adjustment is not without drawbacks because, when the excitation frequency F varies and the angle 8 varies, the two beams leaving the Bragg cell f0 and f'0 are no longer symmetrical with respect to the axis of the optical system 2. I1 may result in the need for mechanical adjustments, which would interfere with the convenience and accuracy of the measurement
Thus, the device described by Holly does not make it possible to simply measure the width of elongated objects of small width for a relatively large range of object dimensions.

Un objet de la présente invention est de remédier à cet inconvénient des dispositifs de l'art antérieur. An object of the present invention is to remedy this drawback of the devices of the prior art.

Un autre objet de la présente invention est de prévoir un procédé et un dispositif de mesure de la largeur d'éléments allongés de faible largeur, cette largeur pouvant varier sur une plage relativement importante, par exemple de l'ordre de 1 à 20. Another object of the present invention is to provide a method and a device for measuring the width of elongated elements of small width, this width being able to vary over a relatively large range, for example of the order of 1 to 20.

Un autre objet de la présente invention est de prévoir un dispositif de mesure de faibles largeurs simple, robuste et facile à régler. Another object of the present invention is to provide a device for measuring small widths which is simple, robust and easy to adjust.

Pour atteindre ces objets ainsi que d'autres, la présente invention prévoit un dispositif de mesure de la largeur d'un élément allongé comprenant des moyens pour former un système de franges d'interférence à deux ondes, parallèles à la dimension de l'élément dans le plan de celui-ci, des moyens pour ajuster le Pas des franges et le faire coïncider avec la largeur de l'élément ou un sous multiple de celle-ci, des moyens pour détecter le rayonnement issu de l'objet.Selon l'invention, les moyens pour ajuster le pas des franges comprennent : une cellule de
Bragg recevant un faisceau lumineux et excitée par des ondes acoustiques à deux fréquences distinctes ; des moyens de réglage pour faire varier symétriquement ces deux fréquences autour d'une fréquence de référence ; et un objectif fixe du type objectif de microscope pour faire interférer les deux faisceaux diffractés dans le plan de l'élément, l'axe optique de l'objectif correspondant à la bissectrice des directions des deux faisceaux diffractés.To achieve these and other objects, the present invention provides a device for measuring the width of an elongated element comprising means for forming a system of interference fringes with two waves, parallel to the dimension of the element. in the plane thereof, means for adjusting the pitch of the fringes and making it coincide with the width of the element or a submultiple thereof, means for detecting the radiation emanating from the object. invention, the means for adjusting the pitch of the fringes comprise: a
Bragg receiving a light beam and excited by acoustic waves at two distinct frequencies; adjustment means for symmetrically varying these two frequencies around a reference frequency; and a fixed objective of the microscope objective type for making the two diffracted beams interfere in the plane of the element, the optical axis of the objective corresponding to the bisector of the directions of the two diffracted beams.

Les moyens de réglage assurent une possibilite de variation de 1 à 20 MHz pour l'écart entre chacune des fréquences distinctes et la fréquence de référence, ce qui permet de mesurer des objets allongés dans une gamme de largeurs de 1 à 20, par exemple due 0,5 à 10 microns. La fréquence de référence est choisie à une valeur pour laquelle on obtient un faisceau diffracté du premier ordre d'intensité maximale ; cette fréquence est de l'ordre de 70 MHz pour les matériaux couramment utilisés dans les cellules de Bragg.The adjustment means provide a possibility of variation from 1 to 20 MHz for the difference between each of the distinct frequencies and the reference frequency, which makes it possible to measure elongated objects in a range of widths from 1 to 20, for example due 0.5 to 10 microns. The reference frequency is chosen at a value for which a first order diffracted beam of maximum intensity is obtained; this frequency is of the order of 70 MHz for the materials commonly used in Bragg cells.

Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante d'un mode de réalisation particulier faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles
la figure 1 représente un schéma optique d'un dispositif de l'art antérieur et a été décrite précédemment
la figure 2 représente le schéma optique d'un dispositif selon la présente invention
la figure 3 illustre un détail du schéma optique d'un dispositif selon la présente invention dans le cas où l'objet est un trait opaque sur un support transparent.These objects, characteristics and advantages as well as others of the present invention will be explained in more detail in the following description of a particular embodiment made in relation to the attached figures, among which
FIG. 1 represents an optical diagram of a device of the prior art and has been described previously
FIG. 2 represents the optical diagram of a device according to the present invention
FIG. 3 illustrates a detail of the optical diagram of a device according to the present invention in the case where the object is an opaque line on a transparent support.

La figure 2 illustre de façon schématique un dispositif selon la présente invention. Celui-ci comprend une cellule de Bragg 1 excitée par des ondes ultrasonores de fréquence F1 et F2. On obtient ainsi à partir d'un faisceau optique incident f0 des faisceaux optique s dif fractés fl et f2. Ces faisceaux sont amenés à se recouper par un objectif de microscope 10 pour former des franges d'interférence dans une zone 11 au niveau de laquelle est placé un motif 12 dont on veut mesurer la largeur. Ce motif est par exemple constitué par une ouverture allongée dans un masque constitué d'une couche de chrome déposée sur une plaque de verre. Un deuxième objectif de microscope 13 forme l'image 14 de l'élément 12 au niveau d'un plan dans lequel est situé un diaphragme 15 permettant de limiter la zone de l'objet 12 analysée.La lumière traversant le diaphragme 15 est recueillie par une photocellule 5 èt transmise à une borne de sortie 6. FIG. 2 schematically illustrates a device according to the present invention. This includes a Bragg 1 cell excited by ultrasonic waves of frequency F1 and F2. Thus, from an incident optical beam f0, optical beams s dif fractured fl and f2 are obtained. These beams are caused to intersect by a microscope objective 10 to form interference fringes in an area 11 at the level of which is placed a pattern 12 whose width is to be measured. This pattern is for example constituted by an elongated opening in a mask consisting of a layer of chromium deposited on a glass plate. A second microscope objective 13 forms the image 14 of the element 12 at a plane in which is located a diaphragm 15 making it possible to limit the zone of the object 12 analyzed. The light passing through the diaphragm 15 is collected by a photocell 5 is transmitted to an output terminal 6.

Les fréquences F1 et F2 sont centrées autour d'une fréquence de référence F et peuvent s'écrire
F1 = F + dF
F2 = F - dF
Ces fréquences sont fournies par un oscillateur fonctionnant de façon que la valeur de dF soit variable et que les fréquences F1 et F2 puissent varier symétriquement par rapport à cette valeur F. Ainsi, les faisceaux dif fractés du premier ordre f1 (correspondant à la fréquence
F1) et f2 (correspondant à la fréquence F2) s'ouvrent symétriquement par rapport à un axe, qui sera choisi selon l'axe optique des objectifs 10 et 13, tandis que la valeur de dF varie. Ainsi, quand cette valeur dF varie, le dispositif reste réglé et il n'est pas nécessaire d'opérer des reréglages optiques.En outre, l'angle formé entre les faisceaux sortants fl et F peut varier dans des proportions importantes, par exemple de 1 à 20. Si la fréquence de référence F a une valeur de -70 MHz, dF peut varier par exemple entre 1 et 20 MHz, ce qui donne une variation de l'angle formé entre les deux faisceaux de sensiblement 0,3 à sensiblement 6 milliradians. La limite inférieure de la valeur de dF est déterminée par les capacités du système optique 10 et la valeur supérieure de dF par le fait que, au-delà d'un certain seuil, les faisceaux diffractés f1 et f2 deviennent trop peu intenses.A ce propos, on notera que, selon un avantage de la présente invention, si la fréquence F est convenablement choisie pour être la fréquence centrale correspondant à un maximum d'intensité du faisceau diffracté du premier ordre, les faisceaux fl et f2 auront une intensité décroissante quand dF variera mais resteront de même intensité l'un par rapport à l'autre, ce qui est favorable à un bon contraste des franges d'interférence.The frequencies F1 and F2 are centered around a reference frequency F and can be written
F1 = F + dF
F2 = F - dF
These frequencies are provided by an oscillator operating in such a way that the value of dF is variable and that the frequencies F1 and F2 can vary symmetrically with respect to this value F. Thus, the first order fractured dif beams f1 (corresponding to the frequency
F1) and f2 (corresponding to the frequency F2) open symmetrically with respect to an axis, which will be chosen along the optical axis of the objectives 10 and 13, while the value of dF varies. Thus, when this value dF varies, the device remains adjusted and it is not necessary to make optical adjustments. In addition, the angle formed between the outgoing beams f1 and F can vary in large proportions, for example by 1 to 20. If the reference frequency F has a value of -70 MHz, dF can vary for example between 1 and 20 MHz, which gives a variation of the angle formed between the two beams from substantially 0.3 to substantially 6 milliradians. The lower limit of the value of dF is determined by the capacities of the optical system 10 and the upper value of dF by the fact that, beyond a certain threshold, the diffracted beams f1 and f2 become too weak. By the way, it will be noted that, according to an advantage of the present invention, if the frequency F is suitably chosen to be the central frequency corresponding to a maximum intensity of the first order diffracted beam, the beams f 1 and f 2 will have a decreasing intensity when dF will vary but will remain of the same intensity with respect to each other, which is favorable for a good contrast of the interference fringes.

La limite inférieure des largeurs de fente qu'il est possible de mesurer est fixée par le grossissement et l'ouverture numérique du système optique du type objectif de microscope 10. En choisissant un gros sissement- de l'ordre de 200 pour ce système optique, et avec les valeurs numériques indiquées précédemment, on peut obtenir un pas de frange variant entre 0,5 et 10 microns. Bien entendu, ces valeurs peuvent être modifiées à l'extérieur de cette gamme 1 à 20 en modifiant le système optique. Néanmoins, un avantage de la présente invention est qu'il est possible de mesurer la plupart des dimensions se rencontrant couramment sur un masque de microélectronique sans changer le système optique 10. The lower limit of the slit widths which it is possible to measure is fixed by the magnification and the numerical aperture of the optical system of the microscope objective type 10. By choosing a large sissure- of the order of 200 for this optical system , and with the numerical values indicated above, it is possible to obtain a fringe pitch varying between 0.5 and 10 microns. Of course, these values can be modified outside this range 1 to 20 by modifying the optical system. However, an advantage of the present invention is that it is possible to measure most of the dimensions commonly encountered on a microelectronics mask without changing the optical system 10.

Le diaphragme 15 sert essentiellement à isoler l'image de la fente 11 que l'on veut mesurer dans le cas où le masque comprendrait de nombreuses ouvertures relativement voisines les unes des autres. The diaphragm 15 essentially serves to isolate the image from the slit 11 which it is desired to measure in the case where the mask includes numerous openings relatively close to one another.

L'analyse se fait de la façon classique décrite par exemple dans les documents de l'art antérieur cités ci-dessus. Dans le cas illustré en figure 2 dans lequel on veut mesurer la largeur d'une fente, on mesure la valeur de la différence 2 dF entre les frequences F1 et
F2 quand le signal alternatif fourni à la borne 6 à la sortie de la cellule 5 correspond à un minimum (c'est-a- dire quand l'interfrange est un sous-multiple de la largeur de fente).The analysis is carried out in the conventional manner described for example in the documents of the prior art cited above. In the case illustrated in Figure 2 in which we want to measure the width of a slit, we measure the value of the difference 2 dF between the frequencies F1 and
F2 when the alternating signal supplied at terminal 6 at the output of cell 5 corresponds to a minimum (that is to say when the interfringe is a submultiple of the slit width).

On va exposer ci-après des modes de réalisation particuliers du dispositif selon la présente invention dans le cas où la largeur à mesurer n'est pas celle d'une ouverture dans un masque de chrome mais celle d'une ligne de chrome entre deux ouvertures. Particular embodiments of the device according to the present invention will be explained below in the case where the width to be measured is not that of an opening in a chrome mask but that of a chrome line between two openings .

Le schéma optique d'ensemble reste celui de la figure 2, mais il est prévu en outre de disposer le masque 12 sur lequel apparaît le trait de chrome, sur un support vibrant à une fréquence f. La détection du signal apparaissant à la borne 6 se fait sous forme d'une détection synchrone à la fréquence f. L'amplitude de la vibration appliquée au masque est choisie pour que l'image 20 du trait de chrome (voir figure 3) apparaisse altier nativement dans et hors de l'ouverture du diaphragme. Le calcul montre alors que l'on se trouve ramené au cas pré cédent et que la valeur de la largeur du trait est obtenue en cherchant à annuler la composante alternative à la sortie 6 par réglage de la fréquence F.Bien entendu, d'autres procédés pourront être utilisés, se basant par exemple sur l'analyse de la lumière réfléchie par le trait mais pour les petites dimensions ces procédé's nécessiteront peut-être des dispositifs plus complexes. The overall optical diagram remains that of FIG. 2, but provision is also made for placing the mask 12 on which the chrome line appears, on a support vibrating at a frequency f. The signal appearing at terminal 6 is detected in the form of synchronous detection at frequency f. The amplitude of the vibration applied to the mask is chosen so that the image 20 of the chrome line (see FIG. 3) appears to alter natively in and out of the aperture of the diaphragm. The calculation then shows that we are brought back to the previous case and that the value of the width of the line is obtained by seeking to cancel the alternative component at output 6 by adjusting the frequency F. Of course, others processes can be used, based for example on the analysis of the light reflected by the line but for small dimensions these processes may require more complex devices.

Dans le cas où l'on cherche à mesurer la largeur des ouvertures dans un masque, on notera que la presente invention permet non seulement de déterminer si un masque est bon ou non par rapport à des cotes prédéterminées, mais aussi de réajuster les dimensions des ouvertures dans un masque. En effet, si l'on place le masque en position de mesure alors que la couche de chrome revêtant la plaque de verre est encore revêtue d'une couche de résine protectrice, si la largeur de fente mesurée est inférieure à la largeur de fente choisie, on pourra procéder à un traitement d'attaque supplémentaire du chrome par attaque latérale sous la couche de vernis protecteur. Il en résulte que lors de la fabrication de masques, on aura intérêt à choisir comme temps d'attaque du chrome la durée minimale de la plage d'attaque convenable pour pouvoir ensuite procéder éventuellement à une attaque supplémentaire de finition. In the case where it is sought to measure the width of the openings in a mask, it will be noted that the present invention makes it possible not only to determine whether a mask is good or not with respect to predetermined dimensions, but also to readjust the dimensions of the openings in a mask. Indeed, if the mask is placed in the measurement position while the chromium layer coating the glass plate is still coated with a layer of protective resin, if the measured slit width is less than the chosen slit width , an additional attack treatment of the chromium can be carried out by lateral attack under the protective varnish layer. As a result, during the manufacture of masks, it will be advantageous to choose as the attack time of the chromium the minimum duration of the suitable attack range so that an additional finishing attack can then possibly be carried out.

La présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation qui ont té explicitement décrits elle en englobe les diverses variantes et généralisations incluses dans le domaine des revendications ci-après. The present invention is not limited to the embodiments which have been explicitly described, it encompasses the various variants and generalizations thereof included in the field of claims below.

Claims

1. Device for measuring the width of an element

elongated comprising means for forming a system

two-wave interference fringes parallel to the

large dimension of the element in the plane thereof,

ways to adjust it not the fringes and do it

coincide with the width of the element or a sub-multi

full of it, means for detecting radiation

from the object, characterized in that the means for

adjust the pitch of the fringes include

- a Bragg cell receiving a beam

bright and excited by two-wave acoustic waves

separate quences

- adjustment means for varying symé

tracing these two frequencies around a frequency of

reference; and

- a fixed objective of the objective type of microphones

cope to make the two diffracted beams interfere

in the element plane, the optical axis corresponding to

the bisector of the directions of the two diffracted beams.

2. Device according to claim 1, charac terized in that the adjustment means provide a possibility of variation from 1 to 20 MHz for the difference between each of the distinct frequencies and the reference frequency.

3. Device according to claim 1, charac terized in that the reference frequency corresponds to the value for which a diffracted beam of the first order of maximum intensity is obtained.

4. Device according to claim 1, in which the element to be measured is a slit, characterized in that it further comprises a second objective of micron cope for making the image of the slit on the plane of a diaphragm d opening slightly greater than that of the slot, the means for detecting radiation from the object being located behind this diaphragm.

5. Device according to claim 1, in which the object to be measured is a solid line surrounded by a transparent area, characterized in that it further comprises a second microscope objective for making the line visible on the plane of '' an aperture diaphragm slightly greater than the width of the line, the detection means being located behind the diaphragm, these means perform synchronous detection at a frequency f, the object being placed on a vibrating support at the frequency f to bring its image in and out of the diaphragm field.

6. Method for measuring the width of an elongated element consisting in providing a system of interference fringes with two waves parallel to the large dimension of the element in the plane of it, adjusting the pitch of the fringes and make it coincide with the width of the element or a submultiple thereof, detecting the passage through a minimum of the alternating component of the radiation emanating from the object, characterized in that the step consisting in adjusting the step of the fringes comprises the following stages::

- apply to a Bragg cell receiving a light beam two acoustic waves at separate frequencies centered on a reference frequency,

- symmetrically vary the two distinct frequencies around the reference frequency,

- determine the value of the difference between the two distinct frequencies when the AC component of the radiation coming from the object passes through a minimum.