FR2482382A1 - HIGH OUTPUT AND LOW "LOSS OF VOLTAGE" CURRENT MIRROR CIRCUIT - Google Patents
HIGH OUTPUT AND LOW "LOSS OF VOLTAGE" CURRENT MIRROR CIRCUIT Download PDFInfo
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Abstract
CIRCUIT A TRANSISTORS, PARTICULIEREMENT PROPRE A ETRE INTEGRE, COMPRENANT UN MIROIR DE COURANT PRINCIPAL A, UN MIROIR DE COURANT SECONDAIRE B ET UN MONTAGE COMPARATEUR ET AMPLIFICATEUR DE COURANT C. LE COURANT I A L'ENTREE DU MIROIR DE COURANT PRINCIPAL EST REFLETE DANS PLUSIEURS BRANCHES DE SORTIE, A CHACUNE DESQUELLES PEUT ETRE RACCORDE UN UTILISATEUR. A UNE BRANCHE DE SORTIE EST RACCORDEE L'ENTREE DU CIRCUIT A MIROIR DE COURANT SECONDAIRE B QUI TRANSFERE DONC LE COURANT DE SORTIE I DU MIROIR DE COURANT PRINCIPAL A SA BRANCHE DE SORTIE QUI EST RACCORDEE A LA FOIS A LA BORNE D'ENTREE DU COURANT I A TRANSDUCTEUR ET A L'ENTREE DU MONTAGE COMPARATEUR ET AMPLIFICATEUR DE COURANT C. CE MONTAGE COMPARATEUR ET AMPLIFICATEUR EST DONC UN "AMPLIFICATEUR D'ERREUR (E I-I). LE COURANT "D'ERREUR" EST AMPLIFIE ET ENVOYE A L'ENTREE DU MIROIR PRINCIPAL. A DES VARIATIONS DU COURANT DE SORTIE I CORRESPONDENT DES VARIATIONS OPPOSEES DU COURANT AMPLIFIE QUI, PAR CONSEQUENT, LES COMPENSENT.TRANSISTOR CIRCUIT, PARTICULARLY CLEAN TO BE INTEGRATED, INCLUDING A MAIN CURRENT MIRROR A, A SECONDARY CURRENT MIRROR B AND A COMPARATOR AND CURRENT AMPLIFIER MOUNTING C. THE CURRENT IA THE MAIN CURRENT MIRROR INPUT IS REFLECTED IN SEVERAL CURRENT OUTPUT, TO EACH OF WHICH CAN BE CONNECTED A USER. THE INPUT OF THE SECONDARY CURRENT MIRROR CIRCUIT B IS CONNECTED TO AN OUTPUT BRANCH WHICH THEREFORE TRANSFERS THE OUTPUT CURRENT I FROM THE MAIN CURRENT MIRROR TO ITS OUTPUT BRANCH WHICH IS CONNECTED BOTH TO THE CURRENT INPUT TERMINAL I TRANSDUCER AND AT THE INPUT OF THE COMPARATOR AND CURRENT AMPLIFIER ASSEMBLY C. THIS COMPARATOR AND AMPLIFIER ASSEMBLY IS THEREFORE AN "ERROR AMPLIFIER (E II). THE" ERROR "CURRENT IS AMPLIFIED AND SENT TO THE INPUT OF THE MAIN MIRROR A VARIATIONS IN THE OUTPUT CURRENT I CORRESPOND OPPOSITE VARIATIONS IN THE AMPLIFIED CURRENT WHICH, THEREFORE, COMPENSATE THEM.
Description
La présente invention concerne les générateurs de courant à transistorsThe present invention relates to current generators with transistors
et, plus précisément, un circuit à miroir de courant, and, more precisely, a current mirror circuit,
particulièrement adapté pour être utilisé dans des circuits inté- particularly suitable for use in internal circuits
grés linéaires à basse tension d'alimentation. linear sandstones at low supply voltage.
Le montage de deux transistors "en miroir de courant" est connu en soi et est utilisé fréquemment dans le projetage de The mounting of two "current mirror" transistors is known per se and is frequently used in the design of
circuits intégrés..integrated circuits..
Un circuit de ce type est représenté sur la fig. 1. Les deux transistors, désignés par T1 et T2, sont semblables et A circuit of this type is shown in FIG. 1. The two transistors, designated by T1 and T2, are similar and
du type NPN. La base et l'émetteur de T sont reliés respecti- NPN type. The base and the transmitter of T are linked respectively.
vement à la base et à l'émetteur de T2. Le collecteur de T1 est connecté à la fois à la base commune des deux transistors et, base and issuer of T2. The collector of T1 is connected both to the common base of the two transistors and,
par l'intermédiaire d'une résistance R1, à une ligne d'alimen- via a resistor R1, to a power line
tation +V cc. Le collecteur de T2 est également raccordé à la Iigne d'alimentation par l'intermédiaire d'une charge représentée tation + V cc. The T2 collector is also connected to the supply line via a load shown
par une résistance RL.by a resistance RL.
Si l'on examine le fonctionnement du circuit, on peut voir qu'il passe, à travers la branche a,. un courant Vcc - VBE Ia =, VBE étant la tension de la jonction base-émetteur If we examine the operation of the circuit, we can see that it passes, through branch a ,. a current Vcc - VBE Ia =, VBE being the voltage of the base-emitter junction
R1R1
du transistor T1. Si l'on néglige les courants de base IB par rapport aux courants de collecteur, ce qui est licite si le gain des transistors est suffisamment élevé, le courant qui passe par la branche b est égal à Ia. Etant donné que les deux transistors a sont semblables et ont la même tension base-émetteur (VBE), le courant qui passe dans la branche d est égal à celui qui passe dans la branche b. La branche c est parcourue par un courant IC qui est à peu près égal à celui qui passe dans la branche d, ce qui fait-que IC = Ia. En conséquence, la charge RL est parcourue par un courant constant, déterminé par des paramètres of transistor T1. If one neglects the basic currents IB with respect to the collector currents, which is lawful if the gain of the transistors is sufficiently high, the current which passes through the branch b is equal to Ia. Since the two transistors a are similar and have the same base-emitter voltage (VBE), the current which flows in branch d is equal to that which flows in branch b. The branch c is traversed by a current IC which is roughly equal to that which passes in the branch d, which makes IC = Ia. Consequently, the load RL is traversed by a constant current, determined by parameters
de circuit fixés au préalable.of circuit fixed beforehand.
2 24823822 2482382
Un circuit du même type peut être réalisé avec deux transistors différents l'un de l'autre en ce qui concerne les dimensions et les caractéristiques de construction, donnant Ic = KIa, K étant une constante. En outre, il est évident que a les deux transistors peuvent être du type PNP au lieu de NPN. Un perfectionnement connu du circuit à miroir de courant représenté sur la fig. 1 est celui de la fig. 2, appelé "miroir de Wilson", dans laquelle on confie à un "circuit à miroir", comprenant les transistors T1 et T3, la fonction de contrôler le courant de base IB du transistor T2 et, par suite, son courant A circuit of the same type can be produced with two different transistors from one another as regards the dimensions and the construction characteristics, giving Ic = KIa, K being a constant. In addition, it is obvious that a the two transistors can be of the PNP type instead of NPN. A known improvement to the current mirror circuit shown in FIG. 1 is that of FIG. 2, called "Wilson mirror", in which a "mirror circuit", comprising the transistors T1 and T3, is entrusted with the function of controlling the base current IB of the transistor T2 and, consequently, its current
de collecteur IC = BI B étant le gain de courant de T2. of collector IC = BI B being the current gain of T2.
Le transistor T3 joue le rôle de sonde-de courant, sensible au courant d'émetteur I du transistor T. La base du The transistor T3 plays the role of current probe, sensitive to the emitter current I of the transistor T. The base of the
-E 2-E 2
transistor T1 est reliée à la base du transistor T 3.Le collec- transistor T1 is connected to the base of transistor T 3.The collection
teur de T3 est relié à l'émetteur de T2 et directement à la base de ce même transistor T3* Le collecteur de T1est relié à tor of T3 is connected to the emitter of T2 and directly to the base of this same transistor T3 * The collector of T1 is connected to
la base de T2, dans laquelle arrive par conséquent le courant- the basis of T2, into which consequently the current-
somme du courant d'entrée Ii et du courant de collecteur de T Avec ce schéma, on peut maintenir constant le courant de référence I. Toutefois, étant donné que le courant de E' collecteur de T2, Ic = aIE, est lié au courant d'émetteur par le paramètre qui est fonction de la tension collecteur-émetteur VCE, le courant de sortie I0 = Ic dépend à son tour de la valeur de cette tension. Un tel circuit ne garantit donc pas la constance du courant de sortie I Un générateur de courant idéal est caractérisé par une résistance interne infinie et par une chute de tension interne égale à zéro. Un générateur de courant réel doit avoir des caractéristiques qui s'approchent le mieux possible de celles d'un générateur idéal. Un générateur de courant réel est donc sum of the input current Ii and the collector current of T With this diagram, the reference current I can be kept constant. However, since the current of E 'collector of T2, Ic = aIE, is linked to the current emitter by the parameter which is a function of the collector-emitter voltage VCE, the output current I0 = Ic in turn depends on the value of this voltage. Such a circuit therefore does not guarantee the constancy of the output current I An ideal current generator is characterized by an infinite internal resistance and by an internal voltage drop equal to zero. A real current generator must have characteristics that are as close as possible to those of an ideal generator. A real current generator is therefore
d'autant meilleur que cette approximation est grande. the better the greater this approximation.
Le circuit d'un générateur de courant réel doit donc présenter à la sortie une impédance élevée et une "perte de tension" très basse, l'expression "perte de tension" désignant ci-après la tension minimale nécessaire pour que le circuit The circuit of a real current generator must therefore have a high impedance and a very low "voltage loss" at the output, the expression "voltage loss" designating below the minimum voltage necessary for the circuit
maintienne ses caractéristiques de fonctionnement typiques. maintain its typical operating characteristics.
Le circuit à "miroir de Wilson" a une impédance de sortie beaucoup plus élevée que celle d'un circuit du type The "Wilson mirror" circuit has a much higher output impedance than that of a circuit of the type
3 24823823 2482382
à "émetteur à la masse" indiqué sur la fig. i dans le rapport B/2: 1, mais sa "perte de tension" est plus élevée; en effet Vmin VCE sat T2 +VBE T to "ground transmitter" indicated in fig. i in the B / 2: 1 ratio, but its "loss of tension" is higher; indeed Vmin VCE sat T2 + VBE T
- 2 3- 2 3
VCE sat T étant la tension collecteur-émetteur du transistor VCE sat T being the collector-emitter voltage of the transistor
T à la limite de la saturation et VBE étant-la tension base- T at the limit of saturation and VBE being-the base voltage-
2 B2 B
émetteur du transistor T3. 3 Un circuit suivant le schéma de la fig. 1 a par contre Vmin VCE sat T2 On a donc cherché, avec d'autres schémas connus, à s'approcher davantage des caractéristiques du générateur de courant idéal. On connait par exemple un circuit à miroir de courant semblable à celui qui est représenté sur la-fig. 1, dans lequel des résistances appropriées RE sont montées en série avec les émetteurs des transistors; un tel montage permet d'augmenter l'impédance de sortie d'un facteur (1 + _ /re) par emitter of transistor T3. 3 A circuit following the diagram in fig. 1 a on the other hand Vmin VCE sat T2 We therefore sought, with other known diagrams, to approach more the characteristics of the ideal current generator. We know for example a current mirror circuit similar to that which is represented in FIG. 1, in which appropriate resistors RE are connected in series with the emitters of the transistors; such an arrangement makes it possible to increase the output impedance by a factor (1 + _ / re) by
rapport au circuit connu représenté sur la fig. 1, re représen- relative to the known circuit shown in fig. 1, re represented
tant la résistance interne d'émetteur du transistor de la branche de sortie, mais en même temps la chute de tension accrue RIE both the internal emitter resistance of the transistor of the output branch, but at the same time the increased voltage drop RIE
sur la résistance d'émetteur fait que la perte de.tension aug- on the emitter resistance causes the loss of voltage to increase
mente dans une mesure correspondante. lies to a corresponding extent.
Un autre montage connu est le circuit-à miroirs de courant "en cascade" représenté sur la fig. 3. Dans ce cas, on maintient en zone active le fonctionnement du transistor T2, par l'entremise du transistor T3 monté en diode avec sa base court-circuitée sur le collecteur, et le transistor T1 impose, par l'intermédiaire du transistor T2, le courant d'émetteur Another known arrangement is the "cascade" current mirror circuit shown in FIG. 3. In this case, the operation of the transistor T2 is maintained in the active zone, by means of the transistor T3 mounted as a diode with its base short-circuited on the collector, and the transistor T1 imposes, by means of the transistor T2 , the emitter current
du transistor T4, élevant l'impédance de sortie de celui-ci. of transistor T4, raising the output impedance of it.
Cela ne permet toutefois pas de diminuer la perte de, tension au-dessous de la valeur However, this does not reduce the loss of voltage below the value
V V _V V _
min BE T2 VCE sat T4 VBE T2 étant la tension base-émetteur du transistor T et VCE sat T4 étant la tension de saturation du transistor T4o min BE T2 VCE sat T4 VBE T2 being the base-emitter voltage of transistor T and VCE sat T4 being the saturation voltage of transistor T4o
4 24823824 2482382
L'amélioration d'impédance de sortie par rapport au circuit de la fig. 1 est le même que celle qui est obtenue avec le miroir The improvement of output impedance compared to the circuit of fig. 1 is the same as that obtained with the mirror
de Wilson, c'est-à-dire dans le rapport 5/2: 1. Wilson, i.e. in the 5/2: 1 ratio.
Le but de la présente invention est de réaliser un circuit à miroir de courant qui ait la plus basse perte de tension qu'il soit possible d'obtenir dans un circuit à miroir de courant à transistors et qui ait en même temps une impédance de sortie plus élevée que celle des circuits connus à basse perte -de tension, de telle sorte qu'il se prête particulièrement bien à une utilisation dans des circuits intégrés à basse tension d'alimentation. -Ce but est atteint avec un circuit transducteur de The object of the present invention is to produce a current mirror circuit which has the lowest voltage loss that it is possible to obtain in a current mirror transistor circuit and which at the same time has an output impedance. higher than that of known circuits with low voltage loss, so that it is particularly suitable for use in integrated circuits with low supply voltage. -This goal is achieved with a transducer circuit of
courant comportant une première borne de raccordement à un géné- current comprising a first connection terminal to a generator
rateur de courant d'entrée, une deuxième et une troisième bornes input current generator, second and third terminals
de raccordement aux bornes d'un générateur de tension d'alimen- for connection to the terminals of a supply voltage generator
tation, et comprenant un circuit à miroir de courant principal à tation, and comprising a main current mirror circuit at
transistors, caractérisé en ce qu'il comprend un montage compara- transistors, characterized in that it comprises a comparative assembly
teur et amplificateur de courant, circuit à miroir de courant current amplifier and current amplifier, current mirror circuit
secondaire à transistors, ce circuit à-miroir de-courant compor- secondary to transistors, this current-mirror circuit comprises
tant une branche d'entrée raccordée à l'une des branches de sortie du circuit à-miroir principal, une branche de sortie raccordée à as an input branch connected to one of the output branches of the main mirror circuit, an output branch connected to
une, première borne d'entrée du montage comparateur et amplifica- one, first input terminal of the comparator and amplifier assembly
teur, ce montage comparateur et amplificateur comportant une seconde borne d'entrée raccordée au générateur de courant d'entrée et une borne de sortie raccordée à la branche d'entrée this comparator and amplifier assembly comprising a second input terminal connected to the input current generator and an output terminal connected to the input branch
du circuit à miroir principal.of the main mirror circuit.
L'invention pourra être bien comprise à l'aide de la The invention can be clearly understood using the
description détaillée qui suit, donnée purement à titre d'exemple detailed description which follows, given purely by way of example
et, par conséquent, non limitative, en référence aux dessins annexés qui, pour les trois premiers d'entre eux, ont été déjà and, therefore, not limiting, with reference to the accompanying drawings which, for the first three of them, have already been
pris en considération.took into consideration.
La fig. 1 est le schéma d'un circuit à miroir de courant Fig. 1 is the diagram of a current mirror circuit
de type connu, dans sa forme la plus simple. of known type, in its simplest form.
La fig. 2 -est le schéma d'un circuit à miroir de courant Fig. 2 -is the diagram of a current mirror circuit
connu, appelé "miroir de WVilson".known, called "WVilson's mirror".
La fig. 3 est le schéma d'un circuit connu, comprenant Fig. 3 is the diagram of a known circuit, comprising
des "miroirs de courant" en cascade. cascading "current mirrors".
24823822482382
La fig. 4 est le schéma d'un circuit à miroir de courant Fig. 4 is the diagram of a current mirror circuit
suivant l'invention.according to the invention.
Si l'on examine le schéma de circuit de la fig. 4, on voit que celui-ci comprend six transistors désignés par T1, T2, T3, T4, T5 et T6, parmi lesquels T1, T2 et T3 sont du type If we look at the circuit diagram in fig. 4, we see that it includes six transistors designated by T1, T2, T3, T4, T5 and T6, among which T1, T2 and T3 are of the type
bipolaire PNP et T4, T5 et T6 sont du type bipolaire NPN. bipolar PNP and T4, T5 and T6 are of the bipolar NPN type.
Le transistor T1 est raccordé à la fois à T2 et à T3 Transistor T1 is connected to both T2 and T3
suivant le schéma en miroir de courant. Le circuit ainsi consti- following the current mirror scheme. The circuit thus constituted
tué est délimitésur la fig. 4 par une ligne de tirets et il est désigné par la lettre A. Les transistors T4 et T5 sont reliés entre eux suivant killed is delimited in fig. 4 by a dash line and it is designated by the letter A. The transistors T4 and T5 are interconnected according to
le schéma en miroir de courant désigné par la lettre B. - the current mirror diagram designated by the letter B. -
Le collecteur du transistor T1 et celui du transistor T2 sont connectés respectivement aux collecteurs des transistors The collector of transistor T1 and that of transistor T2 are respectively connected to the collectors of the transistors
T6 et T4. Le collecteur du transistor T5 est relié à un généra- T6 and T4. The collector of transistor T5 is connected to a general
teur de courant d'entrée Ii et à la base du transistor T6 par le point de jonction D. Le circuit constitué par le transistor T6 et le point de jonction D est désigné par la lettre C. input current tester Ii and at the base of transistor T6 by junction point D. The circuit formed by transistor T6 and junction point D is designated by the letter C.
Les émetteurs des transistors T1, T2 et T3 sont raccor- The emitters of the transistors T1, T2 and T3 are connected
dés au pôle positif +Vcc d'un générateur de tension d'alimen- dice at the positive pole + Vcc of a supply voltage generator
tation, ceux des transistors T4, T5 et T6 sont reliés au pl1e tation, those of transistors T4, T5 and T6 are connected to pl1e
négatif du même générateur de tension. negative of the same voltage generator.
D'après le schéma de la fig. 4, il n'est associé au transistor TL, pour constituer un circuit à miroir de courant, According to the diagram in fig. 4, it is only associated with the transistor TL, to constitute a current mirror circuit,
que deux transistors (T2 et T3), mais de façon générale, beau- than two transistors (T2 and T3), but generally speaking, many
coup d'autres transistors peuvent être associés au transistor T suddenly other transistors can be associated with transistor T
suivant la même disposition.following the same arrangement.
Chacun des transistors raccordés de cette manière à T1 suivant le schéma en miroir de courant constitue un générateur de courant capable de piloter d'autres circuits. L'un de ces transistors, par exemple T2 dans le cas représenté sur la figure, est raccordé au miroir de courant B qui en détecte le courant de collecteur IC et le transfère à la base de T6, permettant le contrôle du courant IC par rapport au courant d'entrée Ii et, Each of the transistors connected in this way to T1 according to the current mirror diagram constitutes a current generator capable of driving other circuits. One of these transistors, for example T2 in the case shown in the figure, is connected to the current mirror B which detects the collector current IC and transfers it to the base of T6, allowing control of the current IC with respect to at the input current Ii and,
au moyen de T6, sa régulation.by means of T6, its regulation.
De même, le courant de collecteur I de T3 (et des Similarly, the collector current I of T3 (and
autres transistors éventuellement raccordés de la manière indi- other transistors possibly connected in the indi-
quée) est contrôlé et réglé automatiquement de façon identique. identical) is automatically controlled and adjusted identically.
6 24823826 2482382
Ce nouveau circnit à miroir de courant pe/Met donc la This new current mirror pe / Met therefore the
régulation du courant de collecteur IC en le contrôlant directe- regulation of the collector current IC by controlling it directly-
ment, contrairement à ce qui se produit dans le cas du "miroir unlike what happens in the case of the "mirror
de Wilson".of Wilson ".
Pour faciliter le calcul, on considérera le cas dans lequel il est raccordé à la base de T1, outre les transistors T2 et T3, n-l autres transistors semblables à T2 et à T3, Le courant de base du transistor T est iO i 6 If --- Zc5 =i IB5 (les suffixes indiquant respectivement les courants d'émetteur, To facilitate the calculation, we will consider the case in which it is connected to the base of T1, in addition to the transistors T2 and T3, nl other transistors similar to T2 and T3, The base current of the transistor T is iO i 6 If - - Zc5 = i IB5 (the suffixes respectively indicating the emitter currents,
de collecteur et de-base IE, Ic, IB, suivis du numéro du transis- of collector and base IE, Ic, IB, followed by the number of the transis-
tor auquel- ils se rapportent).tor to which they relate).
15.Le courant de base du transistor T5 est lié au courant 15.The base current of transistor T5 is linked to the current
Ic par la relation.Ic by the relation.
r = =E5 + IB4 + iC4 = IB5 + IB4 + SI B4 Ic et, en conséquence, -si IB4 = IB5, il en résulte: IB5 = 2+ Le courant de base du transistor T6 est donc (1) iB6 îIi 2+e TC Le courant de collecteur du transistor T6 qui entre dans le miroir de courant A est C6 = i 1 + + 'B2 + n IB r = = E5 + IB4 + iC4 = IB5 + IB4 + IF B4 Ic and, consequently, -if IB4 = IB5, the result is: IB5 = 2+ The base current of transistor T6 is therefore (1) iB6 îIi 2 + e TC The collector current of transistor T6 which enters the current mirror A is C6 = i 1 + + 'B2 + n IB
IB étant le courant de base du transistor T3 et des.autres transis- IB being the base current of transistor T3 and of the other transistors
tors montés de façon semblable. Pour simplifier l'exemple, on peut poser IB IB2 Par ', on désigne le gain des transistors PNP (en général inférieur au gain des transistors NPN du même tors similarly mounted. To simplify the example, we can set IB IB2 Par ', we designate the gain of PNP transistors (in general lower than the gain of NPN transistors of the same
circuit intégré). Avec 1B2 - SC-, le courant de base du transis- integrated circuit). With 1B2 - SC-, the base current of the transis-
tor T1 est - -Bl =+ l) Ctor T1 is - -Bl = + l) C
rB1 = (n +) -rB1 = (n +) -
7 - i2482382 Le courant de collecteur du transistor a alors pour valeur V "+%1 rC+ (n+1)' T"C ''; Ic6=(n+l) - r+(n) - (n+l) %1a IC (2) et, du fait que IC6 = i6 il résulte de (1) et (2).que: -,, 2 Ii =2+ IC + (n+1) I Etant donné que la valeur du gain est bien supérieure ' à 2, tant pour les transistors NPN que pour les transistors PNP, on peut appliquer l'approximation i = SIc + (n+l) IC Pourvu que le nombre de transistors montés en miroir de courant (A) soit négligeable par rapport à la valeur À, on a Ii CIC (3) Quoi qu'il en soit, avec des dispositions connues des projeteurs de circuits linéaires, l'influence des courants de base sur les courants de collecteur peut être rendue minime et, en conséquence, l'équation (3)-sera valable à plus forte raison. Le circuit de l'invention a une perte de tension égale à 0 min = VCE sat T VCE sat T désignant la tension collecteur-émetteur du transistor 7 - i2482382 The collector current of the transistor then has the value V "+% 1 rC + (n + 1) 'T" C' '; Ic6 = (n + l) - r + (n) - (n + l)% 1a IC (2) and, because IC6 = i6 it results from (1) and (2). That: - ,, 2 Ii = 2 + IC + (n + 1) I Since the gain value is much greater than 2, both for NPN transistors and for PNP transistors, we can apply the approximation i = SIc + (n + l ) IC Provided that the number of transistors mounted in current mirror (A) is negligible compared to the value,, we have Ii CIC (3) Anyway, with arrangements known to the designers of linear circuits, l The influence of the base currents on the collector currents can be made minimal and, consequently, equation (3) will be valid a fortiori. The circuit of the invention has a voltage loss equal to 0 min = VCE sat T VCE sat T designating the collector-emitter voltage of the transistor
T3 lorsquhil fonctionne à la limite de saturation. T3 when it operates at the saturation limit.
La perte de tension a donc une valeur constante et égale à la valeur minimale que l'on peut obtenir dans un circuit The voltage loss therefore has a constant value equal to the minimum value that can be obtained in a circuit
à miroir de courant à transistors... with transistor current mirror ...
L'impédance de sortie du circuit de l'invention est plus élevée que celle des circuits connus qui ont eux aussi une perte de tension faible et constante. En effet, le circuit de l'invention a une impédance de sortie. à la fois plus grande The output impedance of the circuit of the invention is higher than that of known circuits which also have a low and constant voltage loss. Indeed, the circuit of the invention has an output impedance. both larger
-8 2482382-8 2482 382
que celle du circuit à miroir de courant à émetteur àla masse (fig. 1), c'est-à-dire que sa -valeur est double de celle de l'impédance de sortie du "miroir de Wilson" et du circuit "à miroirs en cascade". En conséquence, le circuit de l'invention s'approche davantage des caractéristiques d'un générateur de -courant idéal que les montages connus; il se prête donc à l'utilisation de tensions d'alimentation inférieures à celles qu'exigent les circuits des réalisations connues, caractéristique qui est très importante pour certaines applications à basse than that of the current mirror circuit with ground transmitter (fig. 1), that is to say that its value is double that of the output impedance of the "Wilson mirror" and of the circuit "to cascading mirrors ". Consequently, the circuit of the invention is closer to the characteristics of an ideal current generator than the known arrangements; it therefore lends itself to the use of supply voltages lower than those required by the circuits of known embodiments, a characteristic which is very important for certain applications at low
tension d'alimentation.supply voltage.
Bien qu'il ait été- illustré et décrit un seul exemple - d'exécution de l'invention, i; va de soi que de nombreuses variantes sont possibles sans que l'on s'écarte pour autant du cadre de l'invention. Par exemple, les connexions directes *entre bases et collecteurs des transistors T1 et T4 du circuit de la fig. 4 peuvent être remplacées chacune par une jonction Although it has been illustrated and described a single example - of the invention, i; It goes without saying that many variants are possible without departing from the scope of the invention. For example, the direct connections * between bases and collectors of the transistors T1 and T4 of the circuit of FIG. 4 can be replaced each by a junction
base-émetteur d'un transistor. En outre, les transistors bipo- base-emitter of a transistor. In addition, the bipo- transistors
laires pourraient être remplacés en totalité ou en partie par may be replaced in whole or in part by
des transistors à effet de champ, avec des modifications appro- field effect transistors, with appropriate modifications
priées du circuit, à la portée du spécialiste en la matière. - required of the circuit, within the reach of the specialist in the matter. -
9 -24823829 -2482382
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