FR2461763A1 - Procede d'elaboration de couches de silicium amorphe fluore par la methode de pulverisation cathodique - Google Patents
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 18
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 9
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 claims description 2
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 claims 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
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- H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/0245—Silicon, silicon germanium, germanium
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
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Abstract
LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN PROCEDE D'ELABORATION DE COUCHES DE SILICIUM AMORPHE FLUORE PAR LA METHODE DE PULVERISATION CATHODIQUE. CE PROCEDE, QUI PERMET D'OBTENIR SUR UN SUBSTRAT DES COUCHES DE SILICIUM AMORPHE FLUORE, PAR PULVERISATION CATHODIQUE D'UNE CATHODE-CIBLE, DANS UNE ENCEINTE ETANCHE, SE CARACTERISE EN CE QU'ON INTRODUIT A L'INTERIEUR DE L'ENCEINTE ETANCHE UN GAZ NEUTRE CONTENANT UNE FRACTION CONTROLEE DE FLUOR. APPLICATION A LA REALISATION DE SEMI-CONDUCTEURS, PARTICULIEREMENT DE STRUCTURES DE PILES PHOTOVOLTAIQUES.
Description
La présente invention a pour objet un procédé d'élaboration de couches de silicium amorphe fluoré par la méthode de pulvérisation cathodique.
On connaît, en particulier grâce aux travaux de M.
Ovshinski rapportés aux pages 482 et 483 du volume 276 de la revue "Nature" du 30 novembre 1978, l'intérêt de l'alliage amorphe Si-F-H pour ses applications en électronique, en par ticulier pour la conversion photovoltaique de l'énergie solaire. L'alliage qui est décrit dans cet article, en raison de ses caractéristiques particulièrement intéressantes, trouve de larges possibilités d'applications dans le domaine des semi-conducteurs et des applications photovoltaiques.
La présente invention a pour objet un procédé d'élaboration de couches de silicium amorphe fluoré ou de silicium amorphe fluoré et hydrogéné par la méthode de pulvérisation cathodique.
La méthode de pulvérisation cathodique consiste à pulvériser une cible, comportant au moins un corps chimique déterminé, un métal par exemple, sous l'impact d'ions dans un mélange gazeux contenant un gaz réactif, de l'oxygène ou de l'azote par exemple, et en général un gaz neutre tel que l'argon. Les atomes arrachés à la cible se combinent avec le gaz réactif pour produire le composé désiré qui se dépose sur un substrat.
Il existe plusieurs types de dispositifs aptes à mettre en oeuvre cette méthode de dépot
Dans le dispositif de type "diodes, le gaz ionisé ou plasma est engendré par application d'une tension continue entre une plaque (anode) et la cible; cette tension crée également le champ électrique d'accélération des ions.
Dans le dispositif de type "diodes, le gaz ionisé ou plasma est engendré par application d'une tension continue entre une plaque (anode) et la cible; cette tension crée également le champ électrique d'accélération des ions.
Dans le dispositif de type "triode'8 le plasma est produit par application d'une tension continue entre un filament émetteur d'électrons et une anode; la cible, qui constitue la troisième électrode est portée à un potentiel qui crée le champ d'accélération des ions.
Enfin, dans les dispositifs dits "à radiofréquence", qui peuvent prendre les configurations "diode" ou "triode", le plasma est créé dans l'enceinte de pulvérisation à partir des atomes du mélange gazeux, par application à ce mélange d'un champ électromagnétique radiofréquence, par couplage inductif ou capacitif, l'accélération des ions résultant soit de ce champ, soit d'une tension continue appliquée à la cible.
Plus précisément, le procédé d'élaboration de couches de silicium amorphe fluoré par pulvérisation cathodique sous haute tension d'une cathode-cible de silicium sur un substrat dans une enceinte étanche sous vide partiel se caractérise en ce qu'on introduit à l'intérieur de l'enceinte un gaz neutre contenant une fraction contrôlée de fluor, de façon à obtenir par application de la haute tension une ionisation du mélange de fluor et de gaz neutre introduit dans l'enceinte.
Selon un autre mode de réalisation, le procédé selon la présente invention permet d'élaborer des couches de silicium amorphe fluoré et hydrogéné. Ce procédé se caractérise en ce qu'on introduit à l'intérieur de l'enceinte un gaz neutre comportant une fraction contrôlée de fluor et une fraction contrôlée d'hydrogène, de façon à obtenir, par application de la haute tension, une ionisation du mélange de fluor, d'hydrogène et de gaz neutre introduit dans lten- ceinte.
Selon une variante d'exécution du procédé de la présente invention on réalise en une seule opération, une couche de silicium amorphe fluoré et dopé, ou encore une couche de silicium amorphe fluoré, hydrogéné et dopé. A cette fin, on place dans l'enceinte une cible constituée de deux parties distinctes, une partie de silicium et une partie d'un composé solide de l'élément dopant.
De préférence, on introduit dans l'enceinte un gaz neutre contenant 5 à 10% de fluor pour réaliser une couche de silicium amorphe fluoré. Pour réaliser une couche de silicium amorphe fluoré hydrogéné, on introduit dans l'enceinte un gaz neutre contenant en outre 5% d'hydrogène.
La puissance électrique fournie, par exemple, à la cible est d'environ 20W sous une tension de 1000 V dans le cas d'une pulvérisation à triodes
De préférence, le gaz neutre est de l'argon. Une pression de l'ordre de 2,10"6 torr règne dans l'enceinte. Un groupe à vide permet d'atteindre cette pression. Ce groupe sera par exemple un groupe turbomoléculaire, qui permet d'obtenir des vides très propres. Cette méthode permet d'obtenir la meilleure qualité de dépôt. En effet, les impuretés indésirables risquent d'altérer certaines propriétés électriques, en particulier la photoconductivité, des couches déposees.
De préférence, le gaz neutre est de l'argon. Une pression de l'ordre de 2,10"6 torr règne dans l'enceinte. Un groupe à vide permet d'atteindre cette pression. Ce groupe sera par exemple un groupe turbomoléculaire, qui permet d'obtenir des vides très propres. Cette méthode permet d'obtenir la meilleure qualité de dépôt. En effet, les impuretés indésirables risquent d'altérer certaines propriétés électriques, en particulier la photoconductivité, des couches déposees.
Une série de couches de Si amorphe fluoré d'épaisseur 0,8 pm ont été déposées avec des pressions partielles de fluor PF variant entre 7 X10 5 et 6 x 104 torr. D'au- tres échantillons fluorés (#=2,5X10'4 torr) et hydrogénés (PH = 5X10 5 torr) ont été également préparés.
Pour les échantillons uniquement fluorés, on a observé des variations considérables de la conductivité électrique a mesurée à la température ambiante en fonction de la pression partielle PF de fluor : a augmente de 10 -8 à 10-3 -1 -1 pour PF variant de 7X10-5 à 6X10-4 torr. Pour les échantillons faiblement fluorés, par comparaison avec ceux non fluorés, les mesures de ~ en fonction de la température entre 20 et 2200C indiquent qu'une certaine compensation des défauts dans le matériau est obtenue avec une pression de fluor PF = 7X10 5 torr.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre purement illustratif, d'exemples d'application à la réalisation de photopiles solaires.
EXEMPLE 1 : structure à barrière de Schottky
Sur un substrat en acier inoxydable, on dépose cinq couches successives. Ces couches sont réalisées de la manière suivante :
a) on élabore une couche d'une épaisseur de quelques centaines d'angström de type N fortement dopée à l'aide du procédé selon l'invention, en introduisant dans une enceinte à l'intérieur de laquelle on maintient un vide partiel, de l'argon contenant du fluor sous une pression par tielle de 2,5.10 4 torr et de l'hydrogène sous une pression partielle de 5.10 5 torr. La température de déposition est de 2500C. On utilise une cible de silicium de 5 cm de diamètre portant un disque d'antimoine de 0,15 cm de diamètre. Le rôle de la couche ainsi réalisée est d'assurer un bon contact ohmique. La quantité d'antimoine qui y est incorporée est de l'ordre de l0#3ppv.
Sur un substrat en acier inoxydable, on dépose cinq couches successives. Ces couches sont réalisées de la manière suivante :
a) on élabore une couche d'une épaisseur de quelques centaines d'angström de type N fortement dopée à l'aide du procédé selon l'invention, en introduisant dans une enceinte à l'intérieur de laquelle on maintient un vide partiel, de l'argon contenant du fluor sous une pression par tielle de 2,5.10 4 torr et de l'hydrogène sous une pression partielle de 5.10 5 torr. La température de déposition est de 2500C. On utilise une cible de silicium de 5 cm de diamètre portant un disque d'antimoine de 0,15 cm de diamètre. Le rôle de la couche ainsi réalisée est d'assurer un bon contact ohmique. La quantité d'antimoine qui y est incorporée est de l'ordre de l0#3ppv.
b) on élabore une couche non dopée de silicium pur d'une épaisseur d'un micron environ. Cette couche est obtenue dans les memes conditions de pression et de température que la précédente.
c) sur la couche précédente, on dépose une couche de platine d'une épaisseur inférieure à 100 AC après la mise en place d'un masque. La température de déposition est inférieure à 1000C. On utilise de l'argon pur sous une pression de 10 î### torr. La cible est en platine.
d) après la mise en place d'un masque, on dépose une couche de chrome d'une épaisseur de 0,2 micron, cette couche servant d'électrode. De la même manière que pour la réalisation de la couche (c), la température de déposition est inférieure à 1000C.
e) enfin, sur la couche de chrome précédente, on dépose une couche de ZrO2 de quelques centaines d'angström jouant le rôle d'antiréflexion.
EXEMPLE 2 : réalisation d'une structure p-i-n
On utilise un substrat de verre recouvert d'une couche d'oxyde d'indium et d'étain (ITO) servant d'électrode transparente à la lumière visible. Sur ce substrat, on dépose quatre couches successives réalisées de la manière suivante
a) on élabore à l'aide du procédé selon l'invention une couche de silicium amorphe de type p fortement dopée en aluminium (environ 10 3ppv) d'une épaisseur de 0,2 micron. La pression partielle de fluor dans l'argon est de 2,5.104 torr, celle de l'hydrogène de 5.10 5 torr. La température de déposition est de 2500C. On utilise une cible de silicium de 5 cm de diamètre portant un disque d'aluminium de 0,15 cm de diamètre;
b) on élabore dans le même appareil une couche de silicium amorphe non dopée d'une épaisseur de 1 micron environ. Cette couche est obtenue dans les mêmes conditions de pression et de température que la précédente;
c) sur la couche précédente, on dépose une couche de silicium amorphe dopée à l'antimoine (10 3ppv) d'une épaisseur de 0,2 micron. La température de déposition est inférieure à 1000C. On utilise de l'argon pur sous une pres sion de 10 3 torr;
d) on dépose une couche d'aluminium de 0,2 micron servant d'électrode.
On utilise un substrat de verre recouvert d'une couche d'oxyde d'indium et d'étain (ITO) servant d'électrode transparente à la lumière visible. Sur ce substrat, on dépose quatre couches successives réalisées de la manière suivante
a) on élabore à l'aide du procédé selon l'invention une couche de silicium amorphe de type p fortement dopée en aluminium (environ 10 3ppv) d'une épaisseur de 0,2 micron. La pression partielle de fluor dans l'argon est de 2,5.104 torr, celle de l'hydrogène de 5.10 5 torr. La température de déposition est de 2500C. On utilise une cible de silicium de 5 cm de diamètre portant un disque d'aluminium de 0,15 cm de diamètre;
b) on élabore dans le même appareil une couche de silicium amorphe non dopée d'une épaisseur de 1 micron environ. Cette couche est obtenue dans les mêmes conditions de pression et de température que la précédente;
c) sur la couche précédente, on dépose une couche de silicium amorphe dopée à l'antimoine (10 3ppv) d'une épaisseur de 0,2 micron. La température de déposition est inférieure à 1000C. On utilise de l'argon pur sous une pres sion de 10 3 torr;
d) on dépose une couche d'aluminium de 0,2 micron servant d'électrode.
Claims (7)
1. Procédé d'élaboration de couches de silicium amorphe fluoré, par pulvérisation cathodique sous haute tension d'une cathode cible de silicium sur un substrat dans une enceinte étanche sous vide partiel, caractérisé en ce qu'on introduit à l'intérieur de l'enceinte, un gaz neutre contenant une fraction contrôlée de fluor, de façon à obtenir par application de la haute tension une ionisation du mélange de fluor et de gaz neutre introduit dans l'enceinte.
2. Procédé d'élaboration de couches de silicium amorphe fluoré et hydrogéné par pulvérisation cathodique sous haute tension d'une cathode cible de silicium sur un substrat dans une enceinte étanche sous vide partiel, caractérisé en ce qu'on introduit à l'intérieur de l'enceinte un gaz neutre comportant une fraction contrôlée de fluor et une fraction contrôlée d'hydrogène, de façon à obtenir par application de la haute tension, une ionisation du mélange de fluor, d'hydrogène et de gaz neutre introduit dans l'enceinte.
3. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la cible comporte une partie de silicium et une partie d'un composé solide de l'élément dopant.
4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'on introduit à l'intérieur de ladite enceinte un mélange gazeux contenant de 5 à 10% de fluor.
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2et 3, caractérisé en ce que l'on introduit à l'intérieur de ladite enceinte un mélange gazeux contenant 58 d'hydrogène.
6. Application du procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 5 à la réalisation d'une structure photovoltalque à barrière de Schottky, caractérisée en ce qu'on réalise successivement, sur un substrat en acier inoxydable :
- une couche de silicium amorphe fluoré et hydrogéné fortement dopée de type n par des impuretés d'antimoine;
- une couche de silicium pur de 1 pm d'épaisseur,
o
- une couche de platine de 100 A d'épaisseur,
- une couche de chrome de 0,2 pm, servant d'électrode.
- une couche de ZrO2 de quelques centaines d'angström, jouant un rôle d'antiréflexion.
7. Application du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 3 à 5 à la réalisation d'une structure photovoltalque p-i-n, caractérisée en ce qu'on réalise successivement, sur un substrat de verre recouvert d'une couche d'indium et d'étain servant d'électrode transparente à la lumière visible
- une couche de silicium amorphe fluoré et hydrogéné fortement dopée d'impuretés d'aluminium et d'une épaisseur de 0,2 pm,
- une couche de silicium amorphe non dopée, d'une épaisseur de 1 pm,
- une couche de silicium amorphe dopée d'impuretés d'antimoine, et d'une épaisseur de 0,2 pm,
- une couche d'aluminium de 0,2 pm servant d'électrode.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7918815A FR2461763A1 (fr) | 1979-07-20 | 1979-07-20 | Procede d'elaboration de couches de silicium amorphe fluore par la methode de pulverisation cathodique |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
FR7918815A FR2461763A1 (fr) | 1979-07-20 | 1979-07-20 | Procede d'elaboration de couches de silicium amorphe fluore par la methode de pulverisation cathodique |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2461763A1 true FR2461763A1 (fr) | 1981-02-06 |
FR2461763B1 FR2461763B1 (fr) | 1983-07-18 |
Family
ID=9228113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR7918815A Granted FR2461763A1 (fr) | 1979-07-20 | 1979-07-20 | Procede d'elaboration de couches de silicium amorphe fluore par la methode de pulverisation cathodique |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR2461763A1 (fr) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0077601A2 (fr) * | 1981-10-15 | 1983-04-27 | Exxon Research And Engineering Company | Dispositif semi-conducteur photovoltaique |
FR2518122A1 (fr) * | 1981-12-16 | 1983-06-17 | Energy Conversion Devices Inc | Procede de fabrication des alliages et des dispositifs amorphes photosensibles par depot de phase chimique |
US4490208A (en) * | 1981-07-08 | 1984-12-25 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method of producing thin films of silicon |
EP0139488A1 (fr) * | 1983-09-26 | 1985-05-02 | Exxon Research And Engineering Company | Procédé de pulvérisation cathodique d'un dispositif semi-conducteur amorphe de type pin ou nip avec des couches de type p et n déposées par pulvérisation cathodique à partir de cibles fortement dopées de bore et de phosphore |
US4978437A (en) * | 1984-05-12 | 1990-12-18 | Leybold Aktiengesellschaft | Method of applying optical coatings of silicon compounds by cathode sputtering, and a sputtering cathode for the practice of the method |
-
1979
- 1979-07-20 FR FR7918815A patent/FR2461763A1/fr active Granted
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EP0077601A3 (fr) * | 1981-10-15 | 1984-10-03 | Exxon Research And Engineering Company | Dispositif semi-conducteur photovoltaique |
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EP0139488A1 (fr) * | 1983-09-26 | 1985-05-02 | Exxon Research And Engineering Company | Procédé de pulvérisation cathodique d'un dispositif semi-conducteur amorphe de type pin ou nip avec des couches de type p et n déposées par pulvérisation cathodique à partir de cibles fortement dopées de bore et de phosphore |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2461763B1 (fr) | 1983-07-18 |
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