Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
ITT Inc
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
ITT Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche ITT Industries GmbH, ITT Industries IncfiledCriticalDeutsche ITT Industries GmbH
Publication of FR2077414A3publicationCriticalpatent/FR2077414A3/fr
Application grantedgrantedCritical
Publication of FR2077414B3publicationCriticalpatent/FR2077414B3/fr
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende glaslaag en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
Halfgeleiderinrichting, waarbij een deel van het oppervlak is bedekt met een isolerende laag en een op de isolerende laag aangebrachte beschermende laag van gedoteerd siliciumdioxyde.