FR1515916A - Procédé de fabrication de cristaux semi-conducteurs en forme de tiges de diamètre uniforme - Google Patents

Procédé de fabrication de cristaux semi-conducteurs en forme de tiges de diamètre uniforme

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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2374081A1 (fr) * 1976-12-15 1978-07-13 Western Electric Co Procede et dispositif de suppression des formations parasites dans la croissance de monocristaux
EP0141649A1 (fr) * 1983-11-08 1985-05-15 Sumitomo Electric Industries Limited Appareil pour le tirage d'un monocristal
EP0854209A1 (fr) * 1996-12-17 1998-07-22 Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Procédé de préparation d'un monocristal de silicium et dispositif de chauffage pour la mise en oeuvre de ce procédé

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3316546C1 (de) * 1983-05-06 1984-04-26 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Kalter Tiegel fuer das Erschmelzen und die Kristallisation nichtmetallischer anorganischer Verbindungen
US5180562A (en) * 1987-10-03 1993-01-19 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for pulling monocrystals
DE3733487C2 (de) * 1987-10-03 1997-08-14 Leybold Ag Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen
GB2270867B (en) * 1992-09-25 1996-05-01 T & N Technology Ltd Thermal radiation baffle for apparatus for use in directional solidification

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2374081A1 (fr) * 1976-12-15 1978-07-13 Western Electric Co Procede et dispositif de suppression des formations parasites dans la croissance de monocristaux
EP0141649A1 (fr) * 1983-11-08 1985-05-15 Sumitomo Electric Industries Limited Appareil pour le tirage d'un monocristal
EP0854209A1 (fr) * 1996-12-17 1998-07-22 Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Procédé de préparation d'un monocristal de silicium et dispositif de chauffage pour la mise en oeuvre de ce procédé
US6117230A (en) * 1996-12-17 2000-09-12 Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag Process for producing a silicon single crystal, and heater for carrying out the process

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DE1519881A1 (de) 1969-02-20
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DE1519881C3 (de) 1974-01-10

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