FR1425087A - Procédé de fabrication d'un transistor - Google Patents

Procédé de fabrication d'un transistor

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FR1425087A
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10P32/00—
    • H10P95/00—
FR6500A 1964-02-24 1965-02-22 Procédé de fabrication d'un transistor Expired FR1425087A (fr)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2286503A1 (fr) * 1974-09-24 1976-04-23 Ibm Procede de fabrication d'un transistor de puissance

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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FR2286503A1 (fr) * 1974-09-24 1976-04-23 Ibm Procede de fabrication d'un transistor de puissance

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NL6502122A (enExample) 1965-08-25
GB1046155A (en) 1966-10-19

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