FR1409116A - Arséniure de gallium à forte résistivité et procédé de fabrication de ce corps - Google Patents
Arséniure de gallium à forte résistivité et procédé de fabrication de ce corpsInfo
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ID=26210184
Family Applications (1)
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FR989422A Expired FR1409116A (fr) | 1963-09-25 | 1964-09-25 | Arséniure de gallium à forte résistivité et procédé de fabrication de ce corps |
Country Status (1)
Country | Link |
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FR (1) | FR1409116A (fr) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2456793A1 (fr) * | 1979-05-18 | 1980-12-12 | Radiotechnique Compelec | Procede d'obtention d'arseniure de gallium monocristallin semi-isolant a faible taux de dislocations et materiau obtenu par la mise en oeuvre de ce procede |
WO1987001741A1 (fr) * | 1985-09-20 | 1987-03-26 | ETAT FRANÇAIS représenté par LE MINISTRE DES PTT ( | Procede de fabrication d'un substrat semi-isolant en materiau iii-v non disloque et stable thermiquement |
FR2596777A1 (fr) * | 1986-04-08 | 1987-10-09 | France Etat | Procede de preparation de semi-isolants 3-5 mono-cristallins par dopage et application des semi-isolants ainsi obtenus |
-
1964
- 1964-09-25 FR FR989422A patent/FR1409116A/fr not_active Expired
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2456793A1 (fr) * | 1979-05-18 | 1980-12-12 | Radiotechnique Compelec | Procede d'obtention d'arseniure de gallium monocristallin semi-isolant a faible taux de dislocations et materiau obtenu par la mise en oeuvre de ce procede |
WO1987001741A1 (fr) * | 1985-09-20 | 1987-03-26 | ETAT FRANÇAIS représenté par LE MINISTRE DES PTT ( | Procede de fabrication d'un substrat semi-isolant en materiau iii-v non disloque et stable thermiquement |
FR2587733A1 (fr) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | France Etat | Procede de fabrication d'un substrat semi- isolant en materiau iii-v non disloque et stable thermiquement |
FR2596777A1 (fr) * | 1986-04-08 | 1987-10-09 | France Etat | Procede de preparation de semi-isolants 3-5 mono-cristallins par dopage et application des semi-isolants ainsi obtenus |
EP0243231A1 (fr) * | 1986-04-08 | 1987-10-28 | ETAT FRANCAIS représenté par le Ministre des PTT (Centre National d'Etudes des Télécommunications) | Procédé de préparation de semi-isolants 3-5-mono-cristallins par dopage et application des semi-isolants ainsi obtenus |
US4853077A (en) * | 1986-04-08 | 1989-08-01 | Etat Francais | Process for the preparation of mono-crystalline 3-5 semi-insulating materials by doping and use of the semi-insulating materials thus obtained |
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