FR1182731A - Transistrons et tétrodes à cristal présentant des diodes émetteur-base de haute qualité et leur procédé de fabrication - Google Patents

Transistrons et tétrodes à cristal présentant des diodes émetteur-base de haute qualité et leur procédé de fabrication

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FR1182731A
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1158636B (de) * 1960-08-24 1963-12-05 Telefunken Patent Verfahren zum Herstellen von legierten Halbleiterdioden, insbesondere von Tunneldioden, und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens
DE1206090B (de) * 1962-04-16 1965-12-02 Telefunken Patent Verfahren zum AEtzen eines Mesatransistors

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1158636B (de) * 1960-08-24 1963-12-05 Telefunken Patent Verfahren zum Herstellen von legierten Halbleiterdioden, insbesondere von Tunneldioden, und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens
DE1206090B (de) * 1962-04-16 1965-12-02 Telefunken Patent Verfahren zum AEtzen eines Mesatransistors

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