FI126315B - Suutinpää, laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan altistamiseksi peräkkäisille pintareaktioille - Google Patents

Suutinpää, laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan altistamiseksi peräkkäisille pintareaktioille Download PDF

Info

Publication number
FI126315B
FI126315B FI20145655A FI20145655A FI126315B FI 126315 B FI126315 B FI 126315B FI 20145655 A FI20145655 A FI 20145655A FI 20145655 A FI20145655 A FI 20145655A FI 126315 B FI126315 B FI 126315B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
nozzle
starting
precursor
substrate
starting material
Prior art date
Application number
FI20145655A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20145655A (fi
Inventor
Pekka Soininen
Mikko Söderlund
Janne Peltoniemi
Original Assignee
Beneq Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beneq Oy filed Critical Beneq Oy
Priority to FI20145655A priority Critical patent/FI126315B/fi
Priority to US15/323,779 priority patent/US20170159179A1/en
Priority to DE112015003176.6T priority patent/DE112015003176T5/de
Priority to CN201580039948.0A priority patent/CN106661731B/zh
Priority to PCT/FI2015/050483 priority patent/WO2016005661A1/en
Publication of FI20145655A publication Critical patent/FI20145655A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI126315B publication Critical patent/FI126315B/fi

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Claims (29)

1. Suutinpää (2) substraatin (6) pinnan (8) altistamiseksi ainakin ensimmäisen lähtöaineen [A] ja toisen lähtöaineen (B) vuoroittaisille pintareaktioille, jossa suutinpäässä (2) on syöttöpinta (3), joka käsittää: - yhden tai useamman lähtöainesuuttimen (22; 21, 23), joka on järjestetty syöttämään ensimmäistä lähtöainetta (A) ja toista lähtöainetta (B) substraatin (6) pinnalle (8); ja - ainakin kaksi poistokanavaa (24) lähtöaineen (A, B) poistamiseksi substraatin (6) pinnalta (8), joka syöttöpinta (3) käsittää seuraavassa järjestyksessä: poistokanavan (24), ainakin yhden lähtöainesuuttimen (22; 21, 23), joka on järjestetty syöttämään ensimmäistä lähtöainetta (A) ja toista lähtöainetta (B), ja poistokanavan (24), tunnettu siitä, että suutinpään (2) syöttöpinta (3) käsittää vierekkäisesti peräkkäin seuraavassa järjestyksessä: poistokanavan (24), ainakin yhden lähtöainesuuttimen (22; 21, 23), joka on järjestetty syöttämään ensimmäistä ja toista lähtöainetta (A, B), ja poistokanavan (24), ja toistettuna yhden tai useamman kerran kahden tai useamman reaktiovyöhykkeen (X, Y, Z) aikaansaamiseksi.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suutinpää (2), tunnettu siitä, että syöttöpinta (3) käsittää seuraavassa järjestyksessä: - poistokanavan (24), ensimmäisen lähtöainesuuttimen (23), joka on järjestetty syöttämään ensimmäistä lähtöainetta (A), toisen lähtöainesuuttimen (23), joka on järjestetty syöttämään toista lähtöainetta (B), ja poistokanavan (24); tai - poistokanavan (24), ensimmäisen lähtöainesuuttimen (23), joka on järjestetty syöttämään ensimmäistä lähtöainetta (A), toisen lähtöainesuuttimen (23), joka on järjestetty syöttämään toista lähtöainetta (B), ensimmäisen lähtöainesuuttimen (23), joka on järjestetty syöttämään ensimmäistä lähtöainetta (A), toisen lähtöainesuuttimen (23), joka on järjestetty syöttämään toista lähtöainetta (B), ja poistokanavan (24); tai - poistokanavan (24), yhteisen lähtöainesuuttimen (22), joka on järjestetty syöttämään sekä ensimmäistä että toista lähtöainetta (A, B), ja poistokanavan (24).
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen suutinpää (2), tunnettu siitä, että suutinpää (2) käsittää: - ensimmäisen lähtöaineyhteen (27), joka ulottuu ensimmäiseen läh-töainesuuttimeen (21) ja joka on järjestetty kuljettamaan ensimmäistä lähtöainetta (A) ensimmäiseen lähtöainesuuttimeen (23), ja toisen lähtöaineyhteen (29), joka ulottuu toiseen lähtöainesuuttimeen (23) ja joka on järjestetty kuljettamaan toista lähtöainetta (B) toiseen lähtöainesuuttimeen (23); tai - lähtöaineyhteen (28), joka ulottuu yhteiseen lähtöainesuuttimeen (22) ja joka on järjestetty kuljettamaan sekä ensimäistä että toista lähtöainetta (A,B) lähtöainesuuttimeen (22); tai - ensimmäisen lähtöaineyhteen (27), joka ulottuu yhteiseen lähtöainesuuttimeen (22) ja joka on järjestetty kuljettamaan ensimmäistä lähtöainetta (A) yhteiseen lähtöainesuuttimen (22), ja toisen lähtöaineyhteen (29), joka ulottuu yhteiseen lähtöainesuuttimeen (22) ja joka on järjestetty kuljettamaan toista lähtöainetta (B) yhteiseen lähtöainesuutimeen (22).
4. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 1-3 mukainen suutinpää (2) tunnettu siitä, että: - lähtöainesuutin (22; 21, 23) on pitkänomainen kanava, joka on avoin suutinpään (2) syöttöpinnalle (3); tai - lähtöainesuutin (22; 21, 23) on pitkänomainen kanava, joka on avoin suutinpään (2) syöttöpinnalle (3), ja poistokanava (24) on pitkänomainen kanava, joka on avoin suutinpään (2) syöttöpinnalle (3); tai - lähtöainesuutin (22; 21, 23) on pitkänomainen kanava, joka on avoin suutinpään (2) syöttöpinnalle (3), ja poistokanava (24) on pitkänomainen kanava, joka on avoin suutinpään (2) syöttöpinnalle (3), jotka lähtöainesuutin (22; 21, 23) ja poistokanava (24) ulottuvat olennaisesti yhdensuuntaisesti suutinpään (2) syöttöpinnalla (3) reaktiovyöhykkeen (X, Y, Z) aikaansaamiseksi kahden peräkkäisen poistokanavan (24) väliin.
5. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen suutinpää (2), tunnettu siitä, että: - lähtöainesuutin (22; 21, 23) on keskisuutin, joka on avoin suutinpään (2) syöttöpinnalle (3); tai - lähtöainesuutin (22; 21, 23) on keskisuutin, joka on avoin suutinpään (2) syöttöpinnalle (3), ja poistokanava (24) on ympäiyskanava, joka on avoin syöttöpinnalle (3) ja joka ympäröi yhteistä keskilähtöainesuutinta (22; 21, 23); tai - ainakin yksi poistokanavista (24) on keskikanava, joka on avoin suutinpään (2) syöttöpinnalle (3); tai - ainakin yksi poistokanavista (24) on keskikanava, joka on avoin suutinpään (2) syöttöpinnalle (3), ja ainakin yksi yhteisistä lähtöainesuuttimista (22; 21, 23) on ympäryskanava, joka on avoin syöttöpinnalle (3) ja ympäröi keskipois-tokanavaa (24).
6. Patenttivaatimuksen 3 tai 5 mukainen suutinpää (2), tunnettu siitä, että: - lähtöainesuutin (22, 22’, 22”; 21, 23) on ympäryskanava, joka on avoin syöttöpinnalle (3); tai - lähtöainesuutin (22, 22’, 22”; 21, 23) on ympäryskanava, joka on avoin syöttöpinnalle (3), ja ainakin yksi poistokanavista (24, 24’, 24") on pitkänomainen kanava, joka on avoin suutinpään (2) syöttöpinnalle (3); tai - lähtöainesuutin (22, 22’, 22”; 21, 23) on ympäryskanava, joka on avoin syöttöpinnalle (3), ja poistokanava (24, 24’, 24”) on ympäryskanava, joka on avoin suutinpään (2) syöttöpinnalle (3), joka ympäryslähtöainesuutin (22, 22’, 22”; 21, 23) on järjestetty ympäröimään ympäryspoistokanavaa (24, 24’, 24”); tai - lähtöainesuutin (22, 22’, 22”; 21, 23) on ympäryskanava, joka on avoin syöttöpinnalle (3), ja ainakin yksi poistokanavista (24, 24’, 24”) on ympäryskanava, joka on avoin suutinpään (2) syöttöpinnalle (3), joka ympäryspoisto-kanavaa (24, 24’, 24”) on järjestetty ympäröimään ympäryslähtöainesuutinta (22, 22’, 22”; 21,23).
7. Patenttivaatimuksen 5 tai 6 mukainen suutinpää (2), tunnettu siitä, että: - syöttöpinta (3) yhden tai useamman yhteisen ympäryslähtöainesuut-timen (22, 22’, 22”) ja yhden tai useamman ympäiyspoistokanavan (24, 24’, 24”), jotka yhteiset ympäiyslähtöainesuuttimet (22, 22’, 22”) ja ympäryspoisto kanavat (24, 24’, 24”) on järjestetty syöttöpinnalle (3) vuoroittaisesti ja ympäröimään toisiaan reaktiovyöhykkeiden (X, Y, Z) aikaansaamiseksi vierekkäisten yhteisten läh-töainesuuttimien (22, 22’, 22”) ja poistokanavien (24, 24’, 24”) väliin tai peräkkäisten poistokanavien (24, 24’, 24”) väliin; tai - syöttöpinta (3) yhden tai useamman yhteisen ympäryslähtöainesuut-timen (22, 22’, 22") ja kaksi tai useampia ympäryspoistokanavia (24, 24’, 24"), jotka yhteiset ympäiyslähtöainesuuttimet (22, 22’, 22") ja ympäryspoistokanavat (24, 24’, 24") on järjestetty syöttöpinnalle (3) vuoroittaisesti ja ympäröimään toisiaan siten, että kukin yhteinen lähtöainesuutin (22, 22’, 22") on kahden poisto-kanavan (24, 24’, 24") välissä reaktiovyöhykkeiden (X, Y, Z) aikaansaamiseksi peräkkäisten poistokanavien (24,24’, 24") väliin; tai - syöttöpinta käsittää yhden tai useamman ensimmäisen ja toisen ym-päiyslähtöainesuuttimen ja yhden tai useamman ympäryspoistokanavan (24, 24’, 24"), jotka ensimmäiset ja toiset ympäryslähtöainesuuttimet ja ympäryspoisto-kanavat (24, 4’, 24") on järjestetty syöttöpinnalle (3) vuoroittaisesti ja ympäröimään toisiaan reaktiovyöhykkeiden (X, Y, Z) aikaansaamiseksi vierekkäisten ensimmäisten ja toisten lähtöainesuuttimien (22, 22’, 22") ja poistokanavien (24, 24’, 24") väliin tai peräkkäisten poistokanavien (24, 24’, 24") väliin; tai - syöttöpinta käsittää yhden tai useamman ensimmäisen ja toisen ym-päryslähtöainesuuttimen ja kaksi tai useampia ympäryspoistokanavia (24, 24’, 24"), jotka ensimmäiset ja toiset ympäryslähtöainesuuttimet ja ympäryspoisto-kanavat (24, 4’, 24") on järjestetty syöttöpinnalle (3) vuoroittaisesti ja ympäröimään toisiaan siten, että kukin pari ensimmäisiä ja toisia lähtöainesuuttimia on kahden poistokanavan (24, 24’, 24") välissä reaktiovyöhykkeiden (X, Y, Z) aikaansaamiseksi peräkkäisten poistokanavien (24, 24’, 24") väliin.
8. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 1-7 mukainen lähtöainesuutin, tunnettu siitä, että lähtöainesuutin (22; 21, 23) tai lähtöaineyhde (28, 27, 29) käsittää plasmageneraattorin tai plasmaelektrodin (70).
9. Laitteisto substraatin (6) pinnan (8) altistamiseksi ainakin ensimmäisen lähtöaineen (A) ja toisen lähtöaineen (B) vuoroittaisille pintareaktioille, joka laitteisto käsittää: - suutinpään (2) lähtöaineiden (A, B) syöttämiseksi substraatin (6) pinnalle (8), joka suutinpää (2) käsittää syöttöpinnan (3), jossa on yksi tai useampi lähtöainesuutin (22; 21, 23), jotka on järjestetty syöttämään ensimmäistä lähtöainetta (A) ja toista lähtöainetta (B) substraatin (6) pinnalle (8), ja ainakin yksi poistokanava (24) lähtöaineiden poistamiseksi substraatin (6) pinnalta (8); ja - lähtöaineidensyöttöjärjestelmän (10), joka käsittää ensimmäisen läh-töainelähteen (11) ensimmäistä lähtöainetta (A) varten, toisen lähtöainelähteen (12) toista lähtöainetta (B) varten ja lähtöaineyhteet (13,15, 17, 28, 27, 29) lähtöaineiden (A, B) kuljettamiseksi ensimmäisestä ja toisesta lähtöainelähteestä (11, 12) suutinpään (2) mainittuun ainakin yhteen lähtöainesuuttimeen (22; 21, 23), joka suutinpään (2) syöttöpinta (3) käsittää seuraavassa järjestyksessä: poistokanavan (24), ainakin yhden lähtöainesuuttimen (22, 21, 23) ja poistokanavan (24), ja lähtöaineidensyöttöjärjestelmän (10) lähtöaineyhteet (13, 15, 17, 28, 27, 29) on järjestetty kuljettamaan ensimmäistä lähtöainetta (A) ensimmäisestä lähtöaine-lähteestä (11) ja toista lähtöainetta (B) toisesta lähtöainelähteestä (12) ainakin yhteen lähtöainesuuttimeen (22; 21, 23), joka on aikaansaatu suutinpäähän (2) ensimmäisen ja toisen lähtöaineen (A, B) syöttämiseksi substraatin (6) pinnalle (8) kahden peräkkäisen poistokanavan (24) välistä syöttöpinnalla (3) yhden tai useamman reaktiovyöhykkeen (X, Y, Z) muodostamiseksi, tunnettu siitä, että suutinpään (2) syöttöpinta (3) käsittää vierekkäisesti peräkkäin seuraavassa järjestyksessä: poistokanavan (24), ainakin yhden lähtöainesuuttimen (22; 21, 23), joka on järjestetty syöttämään ensimmäistä ja toista lähtöainetta (A, B), ja poistokanavan (24), ja toistettuna yhden tai useamman kerran kahden tai useamman reaktiovyöhykkeen (X, Y, Z) muodostamiseksi.
10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että suutinpään (2) syöttöpinta (3) käsittää seuraavassa järjestyksessä: - poistokanavan (24), ensimmäisen lähtöainesuuttimen (21), joka on järjestetty syöttämään ensimmäistä lähtöainetta (A), toisen lähtöainesuuttimen (23), joka on järjestetty syöttämään toista lähtöainetta (B), ja poistokanavan (24); tai - poistokanavan (24), ensimmäisen lähtöainesuuttimen (21), joka on järjestetty syöttämään ensimmäistä lähtöainetta (A), toisen lähtöainesuuttimen (23), joka on järjestetty syöttämään toista lähtöainetta (B), ensimmäisen lähtöainesuuttimen (21), joka on järjestetty syöttämään ensimmäistä lähtöainetta (A), ja poistokanavan (24); tai - poistokanavan (24), yhteisen lähtöainesuuttimen (22), joka on järjestetty syöttämään sekä ensimmäistä että toista lähtöainetta (A, B), ja poistokanavan (24).
11. Patenttivaatimuksen 9 tai 10 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että: - lähtöaineiden syöttöjärjestelmän (10) lähtöaineyhteet (13,15,17, 28, 27, 29) on järjestetty kuljettamaan ensimäistä lähtöainetta (A) ensimmäisestä lähtöainelähteestä (11) ja toista lähtöainetta (B) toisesta lähtöainelähteestä (12) ainakin yhteen yhteiseen lähtöainesuuttimeen (22), joka on aikaansaatu suutin-päähän (2) ensimmäisen ja toisen lähtöaineen (A, B) syöttämiseksi substraatin (6) pinnalle (8) saman yhteisen lähtöainesuuttimen (22) kautta; tai - lähtöaineiden syöttöjärjestelmän (10) lähtöaineyhteet (13,15,17, 28, 27, 29) on järjestetty kuljettamaan ensimäistä lähtöainetta (A) ensimmäisestä lähtöainelähteestä (11) ensimmäiseen lähtöainesuuttimeen (21) ja toista lähtöainetta (B) toisesta lähtöainelähteestä (12) toiseen lähtöainesuuttimeen (23) ensimmäisen ja toisen lähtöaineen (A, B) syöttämiseksi substraatin (6) pinnalle (8) peräkkäisten poistokanavien (24) välistä.
12. Patenttivaatimuksen 11 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että lähtöaineiden syöttöjärjestelmä (10) käsittää: - lähtöaineensyöttöyhteen (17, 28), joka ulottuu ainakin yhteen yhteiseen lähtöainesuuttimeen (22); - ensimmäisen aliyhteen (13), joka on aikaansaatu ensimmäisen lähtö-ainelähteen (11) ja lähtöaineensyöttöyhteen (17, 28) välille; ja - toisen aliyhteen (15), joka on aikaansaatu toisen lähtöainelähteen (12) ja lähtöaineensyöttöyhteen (17, 28) välille.
13. Patenttivaatimuksen 12 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että suutinpää (2) käsittää kaksi tai useampia yhteisiä lähtöainesuuttimia (22) ja läh-töaineensyöttöyhde (17, 28) haarautuu kahteen tai useampaan haarasyöttöyh-teeseen (28) sekä ensimmäisen että toisen lähtöaineen (A, B) kuljettamiseksi kuhunkin yhteiseen lähtöainesuuttimeen (22).
14. Patenttivaatimuksen 11 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että lähtöaineensyöttöjärjestelmä käsittää: - ensimmäisen aliyhteen (13), joka on aikaansaatu ensimmäisen lähtöainelähteen (11) ja ainakin yhden yhteisen lähtöainesuutimen (22) välille, ja toisen aliyhteen (15), joka on aikaansaatu toisen lähtöainelähteen (12) ja ainakin yhden yhteisen lähtöainesuutimen (22) välille, ja ainakin yhden yhteisen lähtöai-nesuuttimen (22); tai - ensimmäisen aliyhteen (13), joka on aikaansaatu ensimmäisen lähtö-ainelähteen (11) ja ainakin yhden ensimmäisen lähtöainesuutimen (21) välille, ja toisen aliyhteen (15), joka on aikaansaatu toisen lähtöainelähteen (12) ja ainakin yhden toisen lähtöainesuutimen (23) välille.
15. Patenttivaatimuksen 14 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että: - suutinpää (2) käsittää kaksi tai useampia yhteisiä lähtöainesuuttimia (22), ensimmäisen aliyhteen (13), joka haarautuu kahteen tai useampaan ensimmäiseen haara-aliyhteeseen (27) ensimmäisen lähtöaineen (A) kuljettamiseksi kuhunkin yhteiseen lähtöainesuuttimeen (22), ja toisen aliyhteen (15), joka haarautuu kahteen tai useampaan toiseen haara-aliyhteeseen (29) toisen lähtöaineen (B) kuljettamiseksi kuhunkin yhteiseen lähtöainesuuttimeen (22); tai - suutinpää (2) käsittää kaksi tai useampia ensimmäisiä lähtöainesuuttimia (21), joka ensimmäinen aliyhde (13) haarautuu kahteen tai useampaan ensimmäiseen haara-aliyhteeseen (27) ensimmäisen lähtöaineen (A) kuljettamiseksi kuhunkin ensimmäiseen lähtöainesuuttimeen (21), ja kaksi tai useampia toisia lähtöainesuuttimia (23), joka toinen aliyhde (15) haarautuu kahteen tai useampaan toiseen haara-aliyhteeseen (29) toisen lähtöaineen (B) kuljettamiseksi kuhunkin toiseen lähtöainesuuttimeen (23).
16. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 9-15 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että suutinpää (2) on muodostettu minkä tahansa patenttivaatimuksen 1-9 mukaisena suutinpäänä.
17. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 9-16 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että laitteisto käsittää reaktiokammion, jossa on pohja ja kansi määrittämään reaktiotila (60), jossa substraatin (6) pinta (8) altistetaan ainakin ensimmäisen ja toisen lähtöaineen (A, B) pintareaktioille.
18. Patenttivaatimuksen 17 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että: - suutinpää (2) muodostaa reaktiokammion kannen siten, että syöttö-pinta (3) on järjestetty kohti substraatin (6) pintaa (8); tai - suutinpää (2) muodostaa reaktiokammion pohjan siten, että syöttö-pinta (3) on järjestetty kohti substraatin (6) pintaa (8).
19. Patenttivaatimuksen 17 tai 18 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että: - laitteisto käsittää substraatintuen [4], joka tukee substraattia (6} re-aktiokammiossa; tai - laitteisto käsittää substraatintuen (4), joka tukee substraattia (6) re-aktiokammiossa, joka substraatintuki (4} muodostaa reaktiokammion pohjan; tai - laitteisto käsittää substraatintuen (4), joka tukee substraattia (6) re-aktiokammiossa, joka substraatintuki (4) muodostaa reaktiokammion kannen.
20. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 17 - 19 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että laitteisto käsittää lisäksi käyttöyksikön (50, 52) suutinpään (2) asettamiseksi substraatin (6) pinnan (8) päälle.
21. Patenttivaatimuksen 20 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että käyttöyksikkö (50, 52) on järjestetty: - liikuttamaan suutinpäätä (2); tai - liikuttamaan reaktiokammion kantta ja pohjaa suhteessa toisiinsa reaktiokammion avaamiseksi ja sulkemiseksi; tai - liikuttamaan substraatintukea (4).
22. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 9-21 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että laitteisto käsittää lisäksi ohjausjärjestelmän (30, 32), joka on järjestetty ohjaamaan ainakin ensimmäisen ja toisen lähtöaineen (A, B) syöttöä vuoroittaisesti peräkkäin yhteiseen lähtöainesuuttimeen (22) tai ensimmäiseen ja toiseen lähtöainesuuttimeen (21, 23).
23. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 9 - 22 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että laitteisto käsittää lisäksi maskin (40), jossa on aukkoja (42), joka maski (40) on järjestetty syöttöpinnalle (3) substraatin (6) pinnan (8) niiden alueiden, jotka ovat aukkojen (42) alla, altistamiseksi ainakin ensimmäisen ja toisen lähtöaineen (A, B) pintareaktioille.
24. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 9-23 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että laitteisto käsittää lisäksi plasma generaattorin tai plasmaelekt-rodin (70), joka on aikaansaatu ensimmäisen tai toisen lähtöainelähteen (11,12), yhden tai useamman lähtöaineyhteen (13,15, 17, 28, 27, 29) tai yhteisen lähtöai-nesuutimen (20) yhteyteen.
25. Menetelmä substraatin (6) pinnoittamiseksi, joka menetelmä käsittää: - järjestetään suutinpää (2) substraatin (6) pinnan (8) päälle, jolla suu-tinpäällä (2) on syöttöpinta (3), joka käsittää ainakin yhden lähtöainesuuttimen (22; 21, 23) ensimmäisen ja toisen lähtöaineen (A, B) syöttämiseksi substraatin (6) pinnalle (8) ja ainakin yhden poistokanavan (24, 26) lähtöaineen (A, B) poistamiseksi substraatin (6) pinnalta (8); - altistetaan substraatin (6) pinta (8) ainakin ensimmäisen lähtöaineen (A) ja toisen lähtöaineen (B) vuoroittaisille pintareaktioille; - syötetään ensimmäistä ja toista lähtöainetta (A, B) ainakin yhdestä lähtöainesuuttimesta (22; 21, 23) vuoroittaisesti substraatin (6) pinnalle (8) syöt-töpinnan (3) kautta, joka käsittää seuraavassa järjestyksessä: poistokanavan (24), ainakin yhden lähtöainesuuttimen (22; 21, 23), joka on järjestetty syöttämään ensimäistä lähtöainetta (A) ja toista lähtöainetta (B), ja poistokanavan (24), tunnettu siitä, että ensimmäisen ja toisen lähtöaineen (A, B) syöttäminen käsittää: - syötetään ensimmäistä ja toista lähtöainetta (A, B) lähtöainesuutti-mista (22; 21, 23) vuoroittaisesti substraatin (6) pinnalle (8) syöttöpinnan (3) kautta, joka käsittää seuraavassa järjestyksessä: poistokanavan (24), ainakin yhden lähtöainesuuttimen (22; 21, 23), joka on järjestetty syöttämään ensimäistä lähtöainetta (A) ja toista lähtöainetta (B), ja poistokanavan (24), ja toistettuna yhden tai useamman kerran kahden tai useamman reaktiovyöhykkeen (X, Y, Z) muodostamiseksi.
26. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että: - syötetään vuoroittaisesti peräkkäin ensimmäisestä lähtöainetta (A) ensimmäisestä lähtöainesuuttimesta (21) syöttöpinnan (3) kautta substraatin (6) pinnalle (8) ja toista lähtöainetta (B) toisesta lähtöainesuuttimesta (23) syöttö-pinnan (3) kautta substraatin (6) pinnalle (8) pinnoituskerrosten kasvattamiseksi substraatin (6) pinnalle (8); tai - syötetään vuoroittaisesti peräkkäin ensimmäistä lähtöainetta (A) ja toista lähtöainetta (B) yhteisestä lähtöainesuuttimesta (22) syöttöpinnan (3) kautta substraatin (6) pinnalle (8) pinnoituskerrosten kasvattamiseksi substraatin (6) pinnalle (8).
27. Patenttivaatimuksen 25 tai 26 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että järjestetään maski (40), jossa on aukkoja (42), substraatin (6) pinnan (8) ja suutinpään (2) syöttöpinnan (3) väliin niiden alueiden, jotka ovat aukkojen (42) alla, altistamiseksi ainakin ensimmäisen ja toisen lähtöaineen (A, B) pintareaktioille.
28. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 25 - 27 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että järjestetään suutinpää (2) substraatin (6) pinnalle (8) liikuttamalla suutinpäätä (2) ja substraattia (6) suhteessa toisiinsa.
29. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 25 - 28 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että: - järjestetään suutinpää (2) substraatin (6) pintaa (8) vasten; tai - järjestetään suutinpää (2) maskia (40) vasten; tai - tuetaan substraatti (6) substraatintukeen (4) ja järjestetään suutinpää (2) vasten substraatintukea (4).
FI20145655A 2014-07-07 2014-07-07 Suutinpää, laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan altistamiseksi peräkkäisille pintareaktioille FI126315B (fi)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20145655A FI126315B (fi) 2014-07-07 2014-07-07 Suutinpää, laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan altistamiseksi peräkkäisille pintareaktioille
US15/323,779 US20170159179A1 (en) 2014-07-07 2015-07-03 Nozzle Head, Apparatus and Method for Subjecting Surface of Substrate to Successive Surface Reactions
DE112015003176.6T DE112015003176T5 (de) 2014-07-07 2015-07-03 Düsenkopf, Vorrichtung und Verfahren, die dazu geeignet sind, eine Oberfläche eines Substrats aufeinanderfolgenden Oberflächenreaktionen zu unterziehen
CN201580039948.0A CN106661731B (zh) 2014-07-07 2015-07-03 用于使基底表面经受连续表面反应的喷嘴头、装置和方法
PCT/FI2015/050483 WO2016005661A1 (en) 2014-07-07 2015-07-03 Nozzle head, apparatus and method for subjecting surface of substrate to successive surface reactions

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20145655A FI126315B (fi) 2014-07-07 2014-07-07 Suutinpää, laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan altistamiseksi peräkkäisille pintareaktioille

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FI20145655A FI20145655A (fi) 2016-01-08
FI126315B true FI126315B (fi) 2016-09-30

Family

ID=55063635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20145655A FI126315B (fi) 2014-07-07 2014-07-07 Suutinpää, laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan altistamiseksi peräkkäisille pintareaktioille

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20170159179A1 (fi)
CN (1) CN106661731B (fi)
DE (1) DE112015003176T5 (fi)
FI (1) FI126315B (fi)
WO (1) WO2016005661A1 (fi)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109415808A (zh) * 2016-06-30 2019-03-01 Beneq有限公司 用于涂覆基材的方法和装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017103333A1 (en) * 2015-12-17 2017-06-22 Beneq Oy A coating precursor nozzle and a nozzle head
FI127503B (fi) * 2016-06-30 2018-07-31 Beneq Oy Menetelmä substraatin päällystämiseksi ja laite
CN106048561B (zh) * 2016-08-17 2019-02-12 武汉华星光电技术有限公司 一种原子层沉积装置及方法
CN107201509A (zh) * 2017-05-17 2017-09-26 李哲峰 一种具有同一等离子体源的原子层沉积装置及方法
FI129731B (fi) * 2018-04-16 2022-08-15 Beneq Oy Suutinpää, laitteisto ja menetelmä

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040065255A1 (en) * 2002-10-02 2004-04-08 Applied Materials, Inc. Cyclical layer deposition system
GB0816186D0 (en) * 2008-09-05 2008-10-15 Aviza Technologies Ltd Gas delivery device
US20110076421A1 (en) * 2009-09-30 2011-03-31 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film on curved surface
US20110262641A1 (en) * 2010-04-26 2011-10-27 Aventa Systems, Llc Inline chemical vapor deposition system
WO2012012381A1 (en) * 2010-07-22 2012-01-26 Synos Technology, Inc. Treating surface of substrate using inert gas plasma in atomic layer deposition
US20120027953A1 (en) * 2010-07-28 2012-02-02 Synos Technology, Inc. Rotating Reactor Assembly for Depositing Film on Substrate
FI20105909A0 (fi) * 2010-08-30 2010-08-30 Beneq Oy Suutinpää
WO2012124047A1 (ja) * 2011-03-15 2012-09-20 東芝三菱電機産業システム株式会社 成膜装置
FI123320B (fi) * 2012-02-17 2013-02-28 Beneq Oy Suutin ja suutinpää
FI126043B (fi) * 2013-06-27 2016-06-15 Beneq Oy Menetelmä ja laitteisto substraatin pinnan pinnoittamiseksi

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109415808A (zh) * 2016-06-30 2019-03-01 Beneq有限公司 用于涂覆基材的方法和装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016005661A1 (en) 2016-01-14
DE112015003176T5 (de) 2017-03-16
US20170159179A1 (en) 2017-06-08
CN106661731B (zh) 2019-03-05
CN106661731A (zh) 2017-05-10
FI20145655A (fi) 2016-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI126315B (fi) Suutinpää, laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan altistamiseksi peräkkäisille pintareaktioille
JP7343553B2 (ja) 空間的原子層堆積におけるガス分離制御
US10190214B2 (en) Deposition apparatus and deposition system having the same
KR102403666B1 (ko) 공간적으로 분리된 원자 층 증착을 위한 장치 및 프로세스 격납
US9783888B2 (en) Atomic layer deposition head
US9598769B2 (en) Method and system for continuous atomic layer deposition
US20130143415A1 (en) Multi-Component Film Deposition
US20120225191A1 (en) Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20080026162A1 (en) Radical-enhanced atomic layer deposition system and method
EP2907893A1 (en) Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate
US9708710B2 (en) Atomic layer deposition method for coating a substrate surface using successive surface reactions with multiple precursors
RU2605408C2 (ru) Покрытие полотна подложки осаждением атомных слоев
EP3478871B1 (en) Method and apparatus for coating substrate
CN107406980B (zh) 用于涂覆基底表面的喷嘴头和设备
KR20200112698A (ko) 반응기 매니폴드
CN107949655B (zh) 用于处理基材表面的设备和操作该设备的方法
KR101430657B1 (ko) 원자층 증착장치
WO2023017212A1 (en) An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor
KR20190096540A (ko) 원자층 증착 시스템
KR20180006224A (ko) 원자층 증착 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 126315

Country of ref document: FI

Kind code of ref document: B