FI121761B - Menetelmä ja järjestelmä yksiliitosnanolämpötilamittaria varten - Google Patents

Menetelmä ja järjestelmä yksiliitosnanolämpötilamittaria varten Download PDF

Info

Publication number
FI121761B
FI121761B FI20080442A FI20080442A FI121761B FI 121761 B FI121761 B FI 121761B FI 20080442 A FI20080442 A FI 20080442A FI 20080442 A FI20080442 A FI 20080442A FI 121761 B FI121761 B FI 121761B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
transition
transitions
thermometry
tunnel
conductance
Prior art date
Application number
FI20080442A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20080442A (fi
FI20080442A0 (fi
Inventor
Jukka Pekola
Matthias Meschke
Tommy Holmqvist
Original Assignee
Teknillinen Korkeakoulu
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Teknillinen Korkeakoulu filed Critical Teknillinen Korkeakoulu
Priority to FI20080442A priority Critical patent/FI121761B/fi
Publication of FI20080442A0 publication Critical patent/FI20080442A0/fi
Publication of FI20080442A publication Critical patent/FI20080442A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI121761B publication Critical patent/FI121761B/fi

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K15/00—Testing or calibrating of thermometers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)

Claims (4)

1. Menetelmä yksiliitoslämpömittaria varten, tunnettu siitä, että: - Määritetään liitoksen konduktanssi nelipistemittauksella 5 tunnelointiliitoksen ympäristössä; - Määritetään lämpötila saaduista mittausarvoista; - Määritetään teoreettisten laskelmien avulla saatujen ja mitattujen arvojen välinen poikkeama; sekä - Eliminoidaan kontrolloimattomat virheet. 10
2. Laite yksiliitoslämpömittaria varten, tunnettu siitä, että mittausrakenne koostuu tunnelointiliitosketjuista, jotka on kytketty yksittäiseen nelipistekytkennässä olevaan tunnelointiliitokseen.
3. Vaatimuksen 2 mukainen laite, tunnettu siitä, että tunnelointiliitosketjut muodostavat nelipistegeometrian.
4. Vaatimuksen 2 tai 3 mukainen laite, tunnettu siitä, että nelipistekytkennän keskiosa muodostuu yksittäisestä tunnelointiliitoksesta ja on sulautettu 20 ketjuihin.
FI20080442A 2008-07-18 2008-07-18 Menetelmä ja järjestelmä yksiliitosnanolämpötilamittaria varten FI121761B (fi)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20080442A FI121761B (fi) 2008-07-18 2008-07-18 Menetelmä ja järjestelmä yksiliitosnanolämpötilamittaria varten

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20080442A FI121761B (fi) 2008-07-18 2008-07-18 Menetelmä ja järjestelmä yksiliitosnanolämpötilamittaria varten
FI20080442 2008-07-18

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20080442A0 FI20080442A0 (fi) 2008-07-18
FI20080442A FI20080442A (fi) 2010-01-19
FI121761B true FI121761B (fi) 2011-03-31

Family

ID=39677558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20080442A FI121761B (fi) 2008-07-18 2008-07-18 Menetelmä ja järjestelmä yksiliitosnanolämpötilamittaria varten

Country Status (1)

Country Link
FI (1) FI121761B (fi)

Also Published As

Publication number Publication date
FI20080442A (fi) 2010-01-19
FI20080442A0 (fi) 2008-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Nicol et al. Direct measurement of the superconducting energy gap
EP3362769B1 (en) Thin film based thermal reference source
US11131700B2 (en) Position correction method and a system for position correction in relation to four probe resistance measurements
EP4303540A1 (en) Laser programming and writingwriting apparatus and method for magneto-resistive device
Meschke et al. Accurate Coulomb blockade thermometry up to 60 kelvin
Zhang et al. Life-time degradation of STT-MRAM by self-heating effect with TDDB model
FI121761B (fi) Menetelmä ja järjestelmä yksiliitosnanolämpötilamittaria varten
Wang et al. Failure mechanism investigation and endurance improvement in Te-rich Ge–Te based ovonic threshold switching selectors
CN109671645A (zh) 用于制造半导体器件的工艺控制方法和工艺控制系统
Liu et al. The preliminary exploration on change mechanism of Seebeck coefficient for NiCr/NiSi thin film thermocouple with different thickness
WO2007112408A2 (en) Atom probe data and associated systems and methods
Das et al. Mechanisms of material removal and mass transport in focused ion beam nanopore formation
KR102189495B1 (ko) 나노소재의 무전극 전자이동도 측정장치, 나노소재의 무전극 정공이동도 측정장치, 나노소재의 무전극 전자이동도 측정방법 및 나노소재의 무전극 정공이동도 측정방법
Yang et al. Laser deposited high temperature thin film sensors for gas turbines
US20070235322A1 (en) Method for real-time monitoring the fabrication of magnetic memory units
Citirik et al. Residual stress modeling of density modulated silicon thin films using finite element analysis
Johnson et al. High-throughput nanogap formation using single ramp feedback control
Whig et al. Enabling STT-MRAM in high volume manufacturing for LLC applications
Choi et al. Effects of Y Dopant on Lattice Distortion and Electrical Properties of In3SbTe2 Phase‐Change Material
Lin et al. 10 MA cm− 2 current density in nanoscale conductive bridge threshold switching selector via densely localized cation sources
Larson et al. Scanning MWCNT‐nanopipette and probe microscopy: Li patterning and transport studies
JP3801309B2 (ja) Ｃｂトンネル効果に基づく温度計
Grigore et al. Tungsten coatings for application in WEST project
Koester Analytical and experimental studies of thermionically emitting electrodes in contact with dense, seeded plasmas
JP4963403B2 (ja) 結晶化率の測定方法および測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 121761

Country of ref document: FI

MM Patent lapsed