FI114658B - Supraledande antennkopplad hetpunktsmikrobolometer, metoder för dess tillverkning och användning samt ett bolometriskt avbildningsarrangemang - Google Patents
Supraledande antennkopplad hetpunktsmikrobolometer, metoder för dess tillverkning och användning samt ett bolometriskt avbildningsarrangemang Download PDFInfo
- Publication number
- FI114658B FI114658B FI20021058A FI20021058A FI114658B FI 114658 B FI114658 B FI 114658B FI 20021058 A FI20021058 A FI 20021058A FI 20021058 A FI20021058 A FI 20021058A FI 114658 B FI114658 B FI 114658B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- antenna
- sensitive element
- substrate
- coupled
- heat
- Prior art date
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 claims description 26
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 17
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 16
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 13
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000109 continuous material Substances 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 description 7
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- QYPPRTNMGCREIM-UHFFFAOYSA-N methylarsonic acid Chemical compound C[As](O)(O)=O QYPPRTNMGCREIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- -1 nitride silicon nitride Chemical class 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0837—Microantennas, e.g. bow-tie
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Claims (18)
1. Antennkopplad mikrobolometerstruktur, omfattande - ett substrat (301), - en antenn (102, 103), som understöds av substratet, och 5. ett värmekänsligt element (101, 305) som har kopplats tili antennen och som har anordnats att omvandla elströmmar som inducerats i antennen tili värme; varvid bade antennen (102, 103) och det värmekänsliga elementet (101, 305) är av ett material som är benäget att uppnä ett supraledande tillständ under en viss kritisk temperatur, 10 kännetecknad av att det värmekänsliga elementet (101, 305) har understöttats pä ett avständ frän substratet (301) och lämnar ett tomt utrymme (306) mellan det värmekänsliga elementet (101, 305) och en yta av substratet (301).
2. Antennkopplad mikrobolometerstruktur enligt patentkrav 1, kännetecknad av att antennen (102, 103) och det värmekänsliga elementet (101, 305) utgör delar av 15 ett kontinuerligt materialskikt (304) som är benäget att uppna ett supraledande tillständ under en viss kritisk temperatur
3. Antennkopplad mikrobolometerstruktur enligt patentkrav 2, kännetecknad av att det kontinuerliga skiktet (304) är väsentligen plant, och att den antennkopplade mikrobolometerstrukturen uppvisar ett mellanskikt (302, 303) mellan substratet ·, 20 (301) och nämnda kontinuerliga skikt (304), vilket mellanskikt uppvisar en öppning (306) mellan det värmekänsliga elementet (101, 305) och substratet (301).
: : 4. Antennkopplad mikrobolometerstruktur enligt patentkrav 3, kännetecknad av ; : att substratet (301) bestär av kisel av hög resistivitet, att antennen (102, 103) och det värmekänsliga elementet (101, 305) bestär av niobium (304) och att nämnda mel-. · “. 25 lanskikt (302, 303) bestär av kiselnitrid.
5. Antennkopplad mikrobolometerstruktur enligt patentkrav 1, kännetecknad av : att antennen uppvisar tvä antenngrenar (102, 103) och att det värmekänsliga ele- mentet (101, 305) utgör en brygga som sammanbinder nämnda tvä antenngrenar . · · -. (102, 103) vid varandra. ’ : 30
6. Antennkopplad mikrobolometerstruktur enligt patentkrav 5, kännetecknad av : att : - nämnda tvä antenngrenar (102, 103) är logaritmiska spiraler vilka vardera uppvi- * * t sar en inre ände och en yttre ände, 114658 - det värmekänsliga elementet (101, 305) kopplar de inre ändama i nämnda logarit-miska spiraler tili varandra, och - den antennkopplade mikrobolometerstrukturen vidare omfattar tvä kopplingsdynor (104, 105) för att upprätta elektriska kontakter tili antennen, av vilka tvä kopplings- 5 dynor (104, 105) vardera har kopplats tili en yttre ände vid en logaritmisk spiral.
7. Antennkopplad mikrobolometerstruktur enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den omfattar en SQUID-ström-förförstärkare (603) vilken har kopplats tili antennen (102, 103) för att mätä elströmmar som strömmar genom antennen och det värmekänsliga elementet.
8. Antennkopplad mikrobolometerstruktur enligt patentkrav 7, kännetecknad av att nämnda SQUID-ström-förförstärkare (603) är integrerad pä samma substrat (301) som antennen (102, 103).
9. Antennkopplad mikrobolometerstruktur enligt patentkrav 7, kännetecknad av att nämnda SQUID-ström-förförstärkare (603) befinner sig pä ett separat chip som 15 har fästs vid samma substrat (301) som antennen (102,103).
10. Bolometriskt bildformningsarrangemang, omfattande - en antennkopplad mikrobolometer, omfattande - ett substrat (301), en antenn (102, 103), som understöds av substratet, och ett vär-mekänsligt element (101, 305) som har kopplats tili antennen och som har anordnats ' .: 20 att omvandla elströmmar som induceras i antennen tili värme, av vilka bäde anten- •,: * nen (102, 103) och det värmekänsliga elementet (101, 305) är av ett material som är : ( : benäget att uppnä ett supraledande tillständ under en viss kritisk temperatur, •: *: kännetecknat av att - det värmekänsliga elementet (101, 305) har understöttats pä ett avständ frän sub- . * *. 25 stratet (301) och lämnar ett tomt utrymme (306) mellan det värmekänsliga elemen tet (101, 305) och en yta av substratet (301), och - det bolometriska bildformningsarrangemanget omfattar en vakuumbehällare (801) ‘; för att innesluta den antennkopplade mikrobolometern i en vakuumomgivning och ·;·' en kryostat (802) för att hälla den antennkopplade mikrobolometern under den kri- U : 30 tiska temperaturen.
, 11. Bolometriskt bildformningsarrangemang enligt patentkrav 10, kännetecknat :, ’ · av att det omfattar en SQUID-ström-förförstärkare (603) vilken har kopplats tili den : antennkopplade mikrobolometern (601) för att mätä elströmmar som strömmar ge nom antennen (102, 103) och det värmekänsliga elementet (101, 305). 114658
12. Bolometriskt bildformningsarrangemang enligt patentkrav 11, kännetecknat av att det omfattar: - en bildformningsmatris (800) med ett flertal sinsemellan sammanhörande antenn-kopplade mikrobolometer- och SQUID-ström-förförstärkarpar, pä sä sätt att varje 5 antennkopplat mikrobolometer- och SQUID-ström-förförstärkarpar inom bildform-ningsmatrisen (800) bildar en pixel för att producera ett datavärde som representerar en intensitet av elektromagnetisk straining som detekterats vid pixeln, - läsmultiplexeringsorgan (805) för att selektivt läsa datavärden frän pixlar i bild-formningsmatrisen (800), och 10. styrorgan (806) för att omvandla lasta datavärden tili bilder som representerar för- delningen av detekterad elektromagnetisk straining over bildformningsmatrisen.
13. Bolometriskt bildformningsarrangemang enligt patentkrav 11, kännetecknat av att det omfattar: - en bildformningsmatris (800) med ett flertal antennkopplade mikrobolometrar, pä 15 sä sätt att varje antennkopplad mikrobolometer inom bildformningsmatrisen (800) bildar en pixel för att producera ett datavärde som representerar en intensitet av elektromagnetisk strälning som detekterats vid pixeln, - inom bildformningsmatrisen (800) en SQUID-ström-förförstärkare, och - multiplexeringsorgan för att selektivt koppia utgängar frän pixlar i bildformnings-20 matrisen (800) tili SQUID-ström-förförstärkaren, - läsorgan för att selektivt läsa datavärden frän pixlar i bildformningsmatrisen (800) • ‘ via SQUID-ström-förförstärkaren, och : · - : - styrorgan (806) för att omvandla lasta datavärden tili bilder som representerar för- :: delningen av detekterad elektromagnetisk strälning över bildformningsmatrisen. « · : 25
14. Förfarande för att tillverka en antennkopplad mikrobolometerstruktur, omfat- !..' tande steg i vilka - ett substrat (401) anordnas för strukturen, - en antenn och ett värmekänsligt element som har kopplats tili antennen bildas : ·' (402, 403, 404, 405) pä substratet varvid ett sädant material används som är benäget ;; 30 att uppnä ett supraledande tillständ under en viss kritisk temperatur; * :; kännetecknat av att det omfattar ett steg i vilket material borttages (406) frän ut- .,..: rymmet mellan substratet och det värmekänsliga elementet sä att ett tomt utrymme uppkommer mellan det värmekänsliga elementet och en yta av substratet.
15. Förfarande enligt patentkrav 14, kännetecknat av att 35 - det steg i vilket ett substrat (401) anordnas för strukturen omfattar att en nitriderad skiva av kisel med hög resistivitet anordnas som substrat, 114658 - det steg i vilket en antenn och ett värmekänsligt element bildas (402, 403, 404, 405) pä substratet omfattar användningen av en litografisk process för att producera mönster av ett material som är benäget att uppnä ett supraledande tillständ under en viss kritisk temperatur pä en nitriderad pian yta av nämnda skiva pä sä sätt att anten- 5 nen och det värmekänsliga elementet uppträder som delar av sädana mönster, och - det steg i vilket material borttages frän utrymmet mellan substratet och det värmekänsliga elementet omfattar att nitrid etsas bort frän utrymmet mellan nämnda kisel med hög resistivitet och nämnda värmekänsliga element.
16. Förfarande enligt patentkrav 15, kännetecknat av att under nämnda litografis-10 ka process bildas även en SQUID-ström-förförstärkare pä samma skiva för att bilda organ för att mätä elströmmar som strömmar genom antennen och det värmekänsliga elementet.
17. Förfarande enligt patentkrav 15, kännetecknat av att under nämnda litogra-fiska process bildas även pä samma skiva kopplingsorgan för att tili denna koppia 15 en SQUID-ström-förförstärkare för att bilda organ för att mätä elströmmar som strömmar genom antennen och det värmekänsliga elementet.
18. Förfarande för att detektera elektromagnetisk strälning med en antennkopplad mikrobolometer som omfattar en antenn (102, 103) och ett värmekänsligt element (101, 305) som har kopplats tili antennen och som har anordnats att omvandla el- . v. 20 strömmar som induceras i antennen tili värme, av vilka bade antennen och det vär- • I I mekänsliga elementet är av ett material som är benäget att uppnä ett supraledande » · ’!;. * tillständ under en viss kritisk temperatur, vilket förfarande omfattar steg i vilka: * · ' · · \ - den antennkopplade mikrobolometer ges en förspänning (808), • lt f I - den elström som strömmar genom den antennkopplade mikrobolometem detek-'. i 25 teräs, och •..,: - ett beslut görs vilken del av den detekterade elströmmen härrörde frän elektromag netisk strälning som antennen mottagit; i v: kännetecknat av att det steg i vilket den antennkopplade mikrobolometem ges en :“förspänning omfattar att förspänningen (808) väljes pä sä sätt att den förspännings- 30 inducerade elströmmen genom den antennkopplade mikrobolometem och den el- '···] Ström som den mottagna strälningen inducerat genom den antennkopplade mikro- ‘ * bolometem tillsammans värmer upp det värmekänsliga elementet (101, 305) till- räckligt för att förorsaka att en del av detta förblir i normalt ohmiskt ledande till- *. : ständ. • · ·
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20021058A FI114658B (sv) | 2002-06-03 | 2002-06-03 | Supraledande antennkopplad hetpunktsmikrobolometer, metoder för dess tillverkning och användning samt ett bolometriskt avbildningsarrangemang |
| US10/444,260 US7078695B2 (en) | 2002-06-03 | 2003-05-23 | Superconducting antenna-coupled hot-spot microbolometer, methods for its manufacture and use, and a bolometric imaging arrangement |
| AT03396049T ATE366916T1 (de) | 2002-06-03 | 2003-05-27 | Supraleitendes, antennengekoppeltes, einen hot- spot aufweisendes mikrobolometer, dessen herstellungsverfahren und gebrauch sowie ein bolometrisches abbildungssystem |
| ES03396049T ES2288591T3 (es) | 2002-06-03 | 2003-05-27 | Un microbolometro superconductor de antena acoplada de punto caliente, metodos para su fabricacion y uso y una disposicion de formacion de imagenes bolometrica. |
| EP03396049A EP1369673B1 (en) | 2002-06-03 | 2003-05-27 | A superconducting antenna-coupled hot-spot microbolometer, methods for its manufacture and use, and a bolometric imaging arrangement |
| DE60314804T DE60314804T2 (de) | 2002-06-03 | 2003-05-27 | Supraleitendes, antennengekoppeltes, einen Hot-Spot aufweisendes Mikrobolometer, dessen Herstellungsverfahren und Gebrauch sowie ein bolometrisches Abbildungssystem |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20021058A FI114658B (sv) | 2002-06-03 | 2002-06-03 | Supraledande antennkopplad hetpunktsmikrobolometer, metoder för dess tillverkning och användning samt ett bolometriskt avbildningsarrangemang |
| FI20021058 | 2002-06-03 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20021058A0 FI20021058A0 (sv) | 2002-06-03 |
| FI20021058A FI20021058A (sv) | 2003-12-04 |
| FI114658B true FI114658B (sv) | 2004-11-30 |
Family
ID=8564067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20021058A FI114658B (sv) | 2002-06-03 | 2002-06-03 | Supraledande antennkopplad hetpunktsmikrobolometer, metoder för dess tillverkning och användning samt ett bolometriskt avbildningsarrangemang |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7078695B2 (sv) |
| EP (1) | EP1369673B1 (sv) |
| AT (1) | ATE366916T1 (sv) |
| DE (1) | DE60314804T2 (sv) |
| ES (1) | ES2288591T3 (sv) |
| FI (1) | FI114658B (sv) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7132655B2 (en) * | 2002-12-02 | 2006-11-07 | Raytheon Company | Passive millimeter wave sensor using high temperature superconducting leads |
| FR2855609B1 (fr) * | 2003-05-26 | 2005-07-01 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de detection bolometrique a antenne, a cavite optimisee, pour ondes electromagnetiques millimetriques ou submillimetriques, et procede de fabrication de ce dispositif |
| WO2006102181A1 (en) * | 2005-03-21 | 2006-09-28 | Massachusetts Institute Of Technology (Mit) | Real-time, continuous-wave terahertz imaging using a microbolometer focal-plane array |
| FI117876B (sv) * | 2005-05-13 | 2007-03-30 | Valtion Teknillinen | Koppling och förfarande för övergångskantsbolometrar |
| US7610071B2 (en) * | 2006-03-27 | 2009-10-27 | Uchicago Argonne, Llc | Tunable, superconducting, surface-emitting teraherz source |
| US7375333B1 (en) * | 2006-07-28 | 2008-05-20 | Northrop Grumman Corporation | Two stage transformer coupling for ultra-sensitive silicon sensor pixel |
| FI20080124L (sv) | 2008-02-15 | 2009-08-16 | Teknillinen Korkeakoulu | Närhets-Josephson-sensor |
| US8193497B2 (en) * | 2010-02-12 | 2012-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Near-infrared photodetectors, image sensors employing the same, and methods of manufacturing the same |
| US8912494B2 (en) * | 2011-08-17 | 2014-12-16 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics Space Administration | Apparatus for ultrasensitive long-wave imaging cameras |
| US8957378B2 (en) | 2011-10-02 | 2015-02-17 | International Business Machines Corporation | Nano-tip spacers for precise gap control and thermal isolation in MEMS structures |
| RU2515416C1 (ru) * | 2012-11-15 | 2014-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский педагогический государственный университет" | Матрица сверхпроводящих детекторов субмиллиметрового и дальнего инфракрасного излучения |
| US20150241281A1 (en) * | 2014-02-27 | 2015-08-27 | International Business Machines Corporation | Bolometer device for sensing electromagnetic radiation |
| US9614270B2 (en) | 2015-04-30 | 2017-04-04 | International Business Machines Corporation | Superconducting airbridge crossover using superconducting sacrificial material |
| CA3036945C (en) * | 2016-09-14 | 2023-10-03 | Google Llc | Reducing dissipation and frequency noise in quantum devices using a local vacuum cavity |
| US11788893B1 (en) * | 2021-04-22 | 2023-10-17 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Nanoscale bolometer operating near the thermodynamic limit |
| US11647673B2 (en) * | 2021-06-22 | 2023-05-09 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High-temperature superconducting seebeck nano-scale THz antenna |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3742235A (en) * | 1972-03-06 | 1973-06-26 | Gray Tech Ind Inc | Bolometric detector utilizing electron paramagnetic resonance |
| US5090819A (en) * | 1990-08-20 | 1992-02-25 | Conductus, Inc. | Superconducting bolometer |
| US5171733A (en) * | 1990-12-04 | 1992-12-15 | The Regents Of The University Of California | Antenna-coupled high Tc superconducting microbolometer |
| JPH08500702A (ja) | 1992-08-24 | 1996-01-23 | コンダクタス，インコーポレイテッド | ペロブスカイト系酸化材料の自立型構造 |
| US5821598A (en) * | 1995-02-01 | 1998-10-13 | Research Corporation Technologies, Inc. | Uncooled amorphous YBaCuO thin film infrared detector |
| JP3696352B2 (ja) * | 1996-12-17 | 2005-09-14 | 三菱電機株式会社 | ライフタイム評価用ｔｅｇ |
| EP0867701A1 (en) | 1997-03-28 | 1998-09-30 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Method of fabrication of an infrared radiation detector and more particularly an infrared sensitive bolometer |
| US6310346B1 (en) * | 1997-05-30 | 2001-10-30 | University Of Central Florida | Wavelength-tunable coupled antenna uncooled infrared (IR) sensor |
| FI107407B (sv) | 1997-09-16 | 2001-07-31 | Metorex Internat Oy | En vid submillimetervåglängden funktionerande avbildningssystem |
| US6329655B1 (en) * | 1998-10-07 | 2001-12-11 | Raytheon Company | Architecture and method of coupling electromagnetic energy to thermal detectors |
| US6292140B1 (en) * | 1999-11-03 | 2001-09-18 | Hypres, Inc. | Antenna for millimeter-wave imaging and bolometer employing the antenna |
| US7132655B2 (en) * | 2002-12-02 | 2006-11-07 | Raytheon Company | Passive millimeter wave sensor using high temperature superconducting leads |
| FR2855609B1 (fr) * | 2003-05-26 | 2005-07-01 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de detection bolometrique a antenne, a cavite optimisee, pour ondes electromagnetiques millimetriques ou submillimetriques, et procede de fabrication de ce dispositif |
-
2002
- 2002-06-03 FI FI20021058A patent/FI114658B/sv not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-05-23 US US10/444,260 patent/US7078695B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-27 EP EP03396049A patent/EP1369673B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-27 AT AT03396049T patent/ATE366916T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-05-27 DE DE60314804T patent/DE60314804T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-27 ES ES03396049T patent/ES2288591T3/es not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1369673A2 (en) | 2003-12-10 |
| ES2288591T3 (es) | 2008-01-16 |
| EP1369673A3 (en) | 2005-05-04 |
| EP1369673B1 (en) | 2007-07-11 |
| FI20021058A0 (sv) | 2002-06-03 |
| US7078695B2 (en) | 2006-07-18 |
| DE60314804D1 (de) | 2007-08-23 |
| US20030222217A1 (en) | 2003-12-04 |
| FI20021058A (sv) | 2003-12-04 |
| ATE366916T1 (de) | 2007-08-15 |
| DE60314804T2 (de) | 2007-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI114658B (sv) | Supraledande antennkopplad hetpunktsmikrobolometer, metoder för dess tillverkning och användning samt ett bolometriskt avbildningsarrangemang | |
| Luukanen et al. | A superconducting antenna-coupled hot-spot microbolometer | |
| González et al. | Antenna-coupled infrared detectors for imaging applications | |
| US7385199B2 (en) | Microbolometer IR focal plane array (FPA) with in-situ mirco vacuum sensor and method of fabrication | |
| Nahum et al. | Fabrication and measurement of high T/sub c/superconducting microbolometers | |
| Berkowitz et al. | Low noise high‐temperature superconducting bolometers for infrared imaging | |
| EP0645001B1 (en) | Use of vanadium oxide in microbolometer sensors | |
| JP2003121255A (ja) | ボロメータ型赤外線検出器 | |
| Ryger et al. | Uncooled antenna-coupled microbolometer for detection of terahertz radiation | |
| Baselmans et al. | NbN hot electron bolometer mixers: Sensitivity, LO power, direct detection and stability | |
| Scheuring et al. | Thin Pr–Ba–Cu–O film antenna-coupled THz bolometers for room temperature operation | |
| Kuzmin et al. | TES Bolometers With High-Frequency Readout Circuit | |
| Almasri et al. | Uncooled multimirror broad-band infrared microbolometers | |
| Bevilacqua et al. | Fast room temperature THz bolometers | |
| JPH05264343A (ja) | 遠赤外線分光検出素子 | |
| Luukanen et al. | A superconducting antenna-coupled microbolometer for THz applications | |
| JP5442648B2 (ja) | 赤外線センサ | |
| Cibella et al. | Wide dynamic range terahertz detector pixel for active spectroscopic imaging with quantum cascade lasers | |
| Dietlein et al. | Performance comparison of Nb and NbN antenna-coupled microbolometers | |
| Shitov et al. | Wide-range bolometer with RF readout TES | |
| RU2768987C1 (ru) | Криогенный анализатор СВЧ-диапазона | |
| RU2801920C1 (ru) | Дифференциальный сверхпроводящий детектор | |
| Osterman et al. | Antenna-coupled bolometer with a micromachined-beam thermal link | |
| Delerue et al. | YBCO mid-infrared bolometer arrays | |
| Cibella et al. | A superconducting bolometer antenna-coupled to terahertz waves |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 114658 Country of ref document: FI |
|
| PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: OXFORD INSTRUMENTS ANALYTICAL OY Free format text: OXFORD INSTRUMENTS ANALYTICAL OY |
|
| PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: OXFORD INSTRUMENTS TECHNOLOGIES OY |
|
| MA | Patent expired |